掩膜修复方法

文档序号:2818463阅读:331来源:国知局
专利名称:掩膜修复方法
技术领域
本发明涉及一种半导体工艺,尤其涉及一种掩膜修复方法。
背景技术
半导体制造流程可以分为七道工序,分别为制造晶棒、生产晶圆、晶圆涂膜、晶圆 的显影和刻蚀、掺杂、晶圆针测和切割封装,其中,晶圆的显影即在硅晶片表明涂上光致抗 蚀剂,使得其遇紫外光就会溶解,在晶片的上方放置掩膜板,使得紫外光通过掩膜板中透光 的部分照射到晶片上,晶片上被紫外光照射的部分被溶解,之后用溶剂将被溶解的部分冲 走,剩下的部分就与掩膜板上遮光物的形状一样了。一块完整的掩膜板,比如边长为6英寸的正方形掩膜板,可以根据客户要求的芯 片的大小,被分割成若干排列整齐大小相同的掩膜片,每个掩膜片上利用光刻机刻出相同 的所需要的图案,然而在实际操作中,有可能会出现某个掩膜片上的某个孔没有被刻出来, 此时,需要将有问题的掩膜片放到掩膜修复机上面去进行修复,掩膜修复机修复时,有个前 提,即在待修复孔的旁边,一定要有个参照图形,通过确定待修复孔和该参照图形之间的相 对位置从而确定待修复孔的精确位置。目前掩膜修复机的视窗大多为20um*20um,很有可能 出现掩膜片上待修复孔周围20um的范围内没有任何的参照图形,如果没有参照图形的话, 就没有办法对待修复的孔进行精确定位,自然也就无法修复。

发明内容
本发明是为了解决现有技术中掩膜片上待修复孔周围没有参照图形从而无法给 修复孔精确定位的问题。为了实现上述目的,本发明提供了一种掩膜修复方法,通过掩膜修复机对掩膜板 上的一待修复掩膜片进行修复,包括确定待修复孔在待修复掩膜片上的大概位置;在同 一掩膜板上选择一完好的参照掩膜片;在所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片的同一位置 光刻一相同的标记,所述标记和所述待修复孔之间的距离不超过掩膜修复机的视窗大小; 计算所述参照掩膜片上与待修复孔相对应的孔和所述标记间的距离;计算所述待修复孔的 位置;修复所述待修复掩膜片;填充所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片上的标记。可选的,所述掩膜修复机的视窗为正方形,所述正方形的边长范围为20um至 40umo可选的,所述标记为十字标记。可选的,所述待修复孔位于所述十字标记的任意一边所在的直线上。可选的,所述标记为双点标记。可选的,所述双点标记中的两点的连线不经过所述待修复孔。由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本发明具有以下优点用另一个相同 的完好的掩膜片做参照并在相同的位置光刻出标记,从而精确的得到待修复孔的位置,实 现了在待修复孔周围没有参考图形的情形下,依然可以对待修复孔进行精确的修复。


图1为本发明掩膜修复方法的流程图;图2为本发明掩膜修复方法的第一实施例;图3为本发明掩膜修复方法的第二实施例;图4为本发明掩膜修复方法的第二实施例的实测数据图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。首先,请参考图1,图1为本发明掩膜修复方法的流程图,从图上可以看出,本发 明包括以下步骤步骤10 确定待修复孔在待修复掩膜片上的大概位置,具体做法如下当 晶片通过显影工序之后,通过检测晶片的电性参数找出晶片上存在的缺陷的位置,晶片上 缺陷所在位置在掩膜片上的对应位置,即为待修复孔在掩膜片上的大概位置;步骤11 在 同一掩膜板上选择一完好的参照掩膜片,一块掩膜板上会根据客户的要求被切割成大小相 同的掩膜片,因此,所述参照掩膜片和待修复的掩膜片的大小以及其上存在的孔的位置都 是一模一样的;步骤12 在所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片的对应位置光刻一相同的 标记,所述标记为在二维平面上为确定待修复孔的位置提供参考,优选的,所述标记为十字 标记或者双点标记,所述双点标记中的两点的连线不经过所述待修复孔,这样的两种情况 会在后面的实施例中做详细的说明,所述标记和所述待修复孔之间的距离不超过掩膜修复 机的视窗大小,确保标记和待修复孔都在视窗内,便于修复,所述掩膜修复机的视窗为正方 形,所述正方形的边长范围为20um至40um ;步骤13 计算所述参照掩膜片上与待修复孔 相对应的孔和所述标记间的距离;步骤14 计算所述待修复孔的位置,计算的具体方法和 标记的选择有关,一般是在标记上选择两点,由步骤13计算出待修复的点和在标记上选择 的两点之间的距离,从而建立坐标系得出待修复孔的准确位置;步骤15 修复所述待修复 掩膜片,此过程在掩膜修复机上进行,即在计算得出的待修复孔的位置处光刻出所需的孔; 步骤16 填充所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片上的标记,此过程应用化学气相沉淀 (CVD)的方法对标记进行填充。下面,请参考图2,图2为本发明掩膜修复方法的第一实施例,第一实施例中采用 的标记为一个十字标记,图2中(a)图为待修复的掩膜片在掩膜修复机的视窗内的示意图, (b)图为参照掩膜片在掩膜修复机的视窗内的示意图,掩膜修复机视窗为20Um*20Um的正 方形,两个掩膜片来自同一块掩膜板,因此大小相等,(a)图中的孔A为确定的待修复孔的 大概位置即没有被光刻,确定大概位置的方法请参考上一段步骤10中的内容,(b)图中与 孔A对应的为孔B,为参照掩膜片。首先,然后在参照掩膜片上找到与孔A相对应的孔B,接 着在孔B的一侧以及待修复的掩膜片的相同位置,用光刻机刻一十字标记11,计算十字标 记11的交叉点和孔B的中心点之间的距离,两点之间相对位置的计算方法会在下面做详细 的说明,优选的,可将十字标记的交叉点设为圆心、十字标记的两边设为x轴和y轴建立坐 标系,且孔B位于x轴或者y轴上,可使得计算过程最为简便,因为十字标记11位于待修复 的掩膜片和参照掩膜片上的同一位置,因此便可以计算出孔A的中心点的精确位置,从而 将待修复的掩膜片放到掩膜修复机上修复,修复完成后,通过化学气相沉淀的方法,填充修复好的掩膜片和参照掩膜片上的十字标记。。接着,请参考图3,图3为本发明掩膜修复方法的第二实施例,第二实施例采用的 标记为双点标记,即图3中(a)和(b)中的第一参照点21和第二参照点22,图3中(a)图为 待修复的掩膜片在掩膜修复机的视窗内的示意图,(b)图为参照掩膜片在掩膜修复机的视 窗内的示意图,所述掩膜修复机的视窗为正方形,所述正方形的边长范围为20um至40um, 两个掩膜片来自同一块掩膜板,因此大小相等,(a)图中的孔A为一缺陷,即没有被光刻, (b)图中与孔A对应的为孔B。首先根据显影工序之后晶片上的缺陷位置确定孔A的大概 位置,然后在参照掩膜片上找到与孔A相对应的孔B,在孔B的周围,任意选择两点,作为参 照点,但是要确保两点和孔B都要位于掩膜修复机的视窗内且两点的连线不经过孔B的中 心点,如果连线过孔B的中心点,则很难在二维的视窗内确定待修复孔的位置,接着在待修 复的掩膜片上的同样位置选择两点,都光刻成标记,计算出第一参照点21和第二参照点22 和孔B之间的相对位置关系,因为第一参照点21和第二参照点22位于待修复的掩膜片和 参照掩膜片的同一位置,因此便可以计算出孔A的中心点的精确位置,从而将待修复的掩 膜片放到掩膜修复机上修复,修复完成后,通过化学气相沉淀的方法,填充修复好的掩膜片 和参照掩膜片上的双点标记。计算过程可以建立一个简单的x_y坐标系,使得计算简便。另 外,优选的,第一参照点21和第二参照点22分别位于x轴和y轴上时,则计算过程最为简 便。最后请参考图4,图4为本发明掩膜修复方法的第二实施例的简单实测示意图,图 4主要说明如何测量掩膜片上两点之间的距离,图中,横坐标表示位置,纵坐标表示光强,如 在图中的C点为一波峰,说明此刻经过了一个参照点或者孔,在D点又出现了一波峰,说明 D点也为一个参照点或者孔,通过计算C点和D点的横坐标的差值,即可得出该两点之间的距离。虽然本发明已以较佳实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术 人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应 当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
一种掩膜修复方法,通过掩膜修复机对掩膜板上的一待修复掩膜片进行修复,其特征在于包括确定待修复孔在待修复掩膜片上的大概位置;在同一掩膜板上选择一完好的参照掩膜片;在所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片的同一位置光刻一相同的标记,所述标记和所述待修复孔之间的距离不超过掩膜修复机的视窗大小;计算所述参照掩膜片上与待修复孔相对应的孔和所述标记间的距离;计算所述待修复孔的位置;修复所述待修复掩膜片;填充所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片上的标记。
2.根据权利要求1所述一种掩膜修复方法,其特征在于所述掩膜修复机的视窗为正方 形,所述正方形的边长范围为20um至40um。
3.根据权利要求1所述一种掩膜修复方法,其特征在于所述标记为十字标记。
4.根据权利要求3所述一种掩膜修复方法,其特征在于所述待修复孔位于所述十字标 记的任意一边所在的直线上。
5.根据权利要求1所述一种掩膜修复方法,其特征在于所述标记为双点标记。
6.根据权利要求5所述一种掩膜修复方法,其特征在于所述双点标记中的两点的连线 不经过所述待修复孔。
全文摘要
本发明提供一种掩膜修复方法,通过掩膜修复机对掩膜板上的一待修复掩膜片进行修复,包括确定待修复孔在待修复掩膜片上的大概位置;在同一掩膜板上选择一完好的参照掩膜片;在所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片的同一位置光刻一相同的标记,所述标记和所述待修复孔之间的距离不超过掩膜修复机的视窗大小;计算所述参照掩膜片上与待修复孔相对应的孔和所述标记间的距离;计算所述待修复孔的位置;修复所述待修复掩膜片;填充所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片上的标记。本发明能够精确定位待修复孔的位置,顺利的对掩膜进行修复。
文档编号G03F1/72GK101876785SQ200910050410
公开日2010年11月3日 申请日期2009年4月30日 优先权日2009年4月30日
发明者陈明 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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