专利名称：一种检验晶片对准的方法
技术领域：
本发明涉及集成电路制造领域对晶片进行光刻的技术，特别是涉及一种检验晶片 对准的方法。
背景技术：
在集成电路制造领域，需要对晶片进行对准。目前常在晶片上形成平边(flat)或 V型切口(notch)，用来作为晶片对准的依据。在制造过程中，第一次对晶片的曝光尤其重 要。由于没有前层图形，因此光刻机在曝第一层图形时只能对准平边或V型切口。如果光 刻机对准晶片的能力不好，使得晶片旋转角度过大，就对引起曝光的偏差。现有的晶片对准过程如图1所示，对于第一层的对准，以平边或切口进行预先对 准，然后对其曝光(exposure)。在具有前层图形的后续对准中，首先也采用平边或切口进行 预先对准，然后搜索前层图形的对准标记(mark)，进行整片性对准(g_EGA，glcAa-Enhanced Global Alignment)后，曝光形成下一图形。以目前常使用的LeiCa-INS3000机台为例，晶片对准时曝光形成的图形如图2A所 示，而对准不良时形成的图形如图2B所示。如果采用图2B中的对准不良的晶片进行后续 的制程，若再以图中的V型切口为依据对准时，则会使得后层次图形与第一层图形之间无 法对准，而影响晶片的良率。图3A为LeiCa-INS300机台晶片对准时曝光形成的图形，图为对准不良时形成 的图形。LeiCa-INS300机台在晶片对准不良时，其曝光图形会有相应的偏移，同样也可以造 成后层次图形与第一层图形之间无法对准。因此，为了避免因晶片对准不良而对良率产生的影响，有必要通过对晶片对准的 准确性进行检验。
发明内容
本发明的目的在于提供一种检验晶片对准的方法，该方法能够简单而且精确地检 验晶片对准的程度。本发明检验晶片对准的方法，其特征在于包括步骤1 以对准正常的晶片为标准，在机台中存储该晶片的图形信息，在该晶片上 选取一个或多个检验点并在机台内建立程序；步骤2 根据在目镜中观察到的被测晶片在检验点的图形，确定被测晶片的对准程度。作为上述技术方案的优选，所述检验点包括有第一检验点和第二检验点。作为上述技术方案的优选，所述第一检验点设置在晶片十点钟方向，所述第二检 验点设置在晶片两点钟方向。作为上述技术方案的优选，所述检验点为十字型。作为上述技术方案的优选，所述确定晶片的对准程度具体为在目镜下观察十字型，若两个检验点都能观察到十字型的一半以上，则为对准晶片；若有至少一个检验点观察 不到十字型的一半以上，则为对准不良晶片。作为上述技术方案的优选，所述目镜的观察倍率为500倍。作为上述技术方案的优选，所述机台为LeiCa-INS300机台。本发明以对准正常的晶片为标准，通过选择几个检验点的方式，能够简单而准备 地确定被测晶片的对准情况。因而能在实际生产过程中提高晶片对准不良的早期判断能 力，为后续工艺提供了有利的基础。
图1是现有技术中对准晶片的流程图；图2A和图2B分别是在LeiCa-INS3000机台中对准正常和对准不良的晶片图；图3A和图;3B分别是在LeiCa-INS300机台中对准正常和对准不良的晶片图；图4是本发明一优选实施例检验点设定位置图；图5A和图5B是序号9的对准不良晶片的目镜观察示意图；图6A和图6B是序号10的对准不良晶片的目镜观察示意图；图7A和图7B是序号A的对准正常晶片的目镜观察示意图；图8A和图8B是序号B的对准正常晶片的目镜观察示意图。
具体实施例方式下面结合附图，对本发明的具体实施方式
作进一步的详细说明。对于所属技术领 域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显 而易见。本发明优选实施例检验晶片对准的方法，首先找出对准正常的晶片，将该晶片的 图形信息存储起来，即将原来的PRODUCT-ADI-ALL程序另存为PRODUCT-ADI-HRST。同时在 晶片中选取一个或多个检验点。作为优选，本实施例的第一检验点1选取在晶片十点钟方 向，在该方向选取一个完整的区域设点(Siot)，第二检验点2选取与第一检验点1平行方 向相对应的位置，即在晶片两点钟方向，如图4所示。本领域技术人员还可以根据应用的需 要，任意选取其它可能的检验点，本发明并不受限于此。选定检验点后，相应地建立机台的程序，即在PRODUCT-ADI-HRST中增加两点检 验点。本实施例中检验点优选设立位置为型号旁边的十字，即十字型检验点。在设立十字 时可以以LeiCa-INS300机台的第四倍率即500倍(500X)来定义十字中心位置。该倍率 下物镜视场半径为250 μ m,与光刻机对准前层图形的搜索范围+/-300 μ m匹配度最高。当 然此处倍率的选择只是作为最佳优选实施例，本领域的技术人员也可以选择其它可能的倍 率，本发明并不受限于此。对机台的程序建立完成之后，就可以进行晶片对准程度的检验。将被测晶片置于 机台中，在目镜下观察选取的检验点位置的图形。在本实施例中，以第四倍率进行观察和检 验。以本实施例的十字型检验点为例，其判断方法将在下面进行说明。对准不良晶片如果选取的第一检验点1和第二检验点2之中至少有一个检验点不能观察到十字型的一半以上，则判断为对准不良晶片。具体可能包括有表1所示的12种情况，其中“全部” 指能在目镜中观察到全部的十字型，“大于1/2”指能观察到一半以上的图形，“小于1/2”指 只能观察不到一半的十字型，“无”是指不能观察到任何图形。
权利要求
1.一种检验晶片对准的方法，其特征在于包括步骤1 以对准正常的晶片为标准，在机台中存储该晶片的图形信息，在该晶片上选取 一个或多个检验点并在机台内建立程序；步骤2 根据在目镜中观察到的被测晶片在检验点的图形，确定被测晶片的对准程度。
2.如权利要求1所述的检验晶片对准的方法，其特征在于，所述检验点包括有第一检 验点和第二检验点。
3.如权利要求2所述的检验晶片对准的方法，其特征在于，所述第一检验点设置在晶 片十点钟方向，所述第二检验点设置在晶片两点钟方向。
4.如权利要求2或3所述的检验晶片对准的方法，其特征在于，所述检验点为十字型。
5.如权利要求4所述的检验晶片对准的方法，其特征在于，所述确定晶片的对准程度 具体为在目镜下观察十字型，若两个检验点都能观察到十字型的一半以上，则为对准晶片；若 有至少一个检验点观察不到十字型的一半以上，则为对准不良晶片。
6.如权利要求1所述的检验晶片对准的方法，其特征在于，所述目镜的观察倍率为500倍。
7.如权利要求6所述的检验晶片对准的方法，其特征在于，所述机台为LeiCa-INS300 机台。
全文摘要
本发明提出了一种检验晶片对准的方法，以对准正常的晶片为标准，在机台中存储该晶片的图形信息，在该晶片上选取一个或多个检验点并在机台内建立程序，根据在目镜中观察到的被测晶片在检验点的图形，可以简单且精确地确定被测晶片的对准程度。提高实际生产过程中晶片对准不良的早期判断能力。
文档编号G03F9/00GK102103335SQ20091026162
公开日2011年6月22日 申请日期2009年12月18日 优先权日2009年12月18日
发明者何如兵, 吴广州, 张聪, 陈鹏 申请人:和舰科技(苏州)有限公司