具有高热传导率的euv掩模版基底的制作方法

专利名称：具有高热传导率的euv掩模版基底的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用在光刻设备中的图案形成装置。
背景技术：
光刻技术被广泛认为是制造集成电路(ICs)以及其他器件和/或结构的关键工 艺。光刻设备是一种在光刻期间使用的、将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分 上的机器。在使用光刻设备制造集成电路期间，图案形成装置(被可选地称为掩模或掩模 版)生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶 片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是 通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。通常，单个衬底包含 连续形成图案的相邻目标部分的网络。制造IC的不同的层通常需要用不同的掩模版在不 同的层上成像不同的图案。因此，在光刻过程中掩模版必须更换。已有的极紫外(EUV)光刻设备包含反射型掩模版，掩模版具有由在整个宽的操作 温度范围上具有基本为零的热膨胀系数的超低膨胀(ULE)玻璃、玻璃-陶瓷材料形成的基 底。选择ULE玻璃作为基底基于ULE玻璃的热膨胀系数并基于能够将ULE玻璃的表面抛光 成对于EUV光刻应用必要的精细表面要求(即呈现出非常低的粗糙度、基本上没有缺陷和 基本上平坦的表面)的能力。通常，已有的用于EUV光刻设备的反射型掩模版表现出接近70%的反射率。因此， 依赖于将要印刷的图案，已有的反射型掩模版可以吸收入射的EUV辐射束的大约30%和 100%之间的能量。这种吸收会导致掩模版的显著的升温，即使ULE玻璃基底具有相对低的 热膨胀系数这也会使得掩模版表面变形，并在投影的图像中引入误差。此外，即使这种反射型掩模版的后侧被优化地冷却，EUV辐射的吸收也会在跨过具 有ULE玻璃基底的掩模版的厚度上导致过大的热梯度。这种过大的热梯度可能来自于ULE 玻璃基底的相对低的热传导率，这种低的热传导率促进在ULE玻璃基底内并因此在掩模版 内的相对高的热阻。已有的掩模版设计的一种减小掩模版的热阻的修改是使得ULE玻璃基 底变薄，因而使得掩模版变薄。然而，这种修改会在将图案化表面保持平坦的方面产生极端 的和潜在的不可解决的困难。此外，这种掩模版将偏离用于EUV反射型掩模版的可接受的 工业厚度(例如大约为6· ；35讓士0. 10謹)。

发明内容
因此，需要一种用在EUV光刻设备中的反射型掩模版，其显著地减小或消除由于 吸收EUV辐射带来的图案变形，同时保持掩模版厚度与工业标准一致，由此基本上消除了 常规系统的缺点。在一个实施例中，掩模版包括光学层，其具有第一表面和第二表面。掩模版还包括 基底，其热传导率实质上大于光学层的热传导率。导电层设置在光学层和基底之间。导电 层结合(如键合)至(i)所述基底的表面和(ii)所述光学层的第一表面中的一个或更多个。例如，光学层可以是具有基本为零的热膨胀系数的材料，所述基底可以是具有基本为零 的热膨胀系数的材料，并且导电层可以是铝。在另一实施例中，光刻设备包括照射系统，配置成产生辐射束；掩模版，配置用以 图案化辐射束；和投影系统，配置成将图案化的束投影到衬底的目标部分上。所述掩模版包 括光学层，其具有第一表面和第二表面。掩模版还包括基底，所述基底的热传导率实质上 大于光学层的热传导率。导电层，设置在光学层和基底之间，所述导电层结合至(i)所述基 底的表面和(ii)所述光学层的第一表面中的一个或更多个。例如，光学层可以是具有基本 为零的热膨胀系数的材料，所述基底可以是具有基本为零的热膨胀系数的材料，并且导电 层可以是铝。在另一实施例中，提供一种用于形成掩模版的方法，其将导电材料的层设置到光 学层的第一表面上。随后将导电材料的层结合至(i)中间层的第一表面或(ii)热传导率 实质上大于光学层的热传导率的基底的表面中的一个。在另一实施例中，提供一种用于制造用在极紫外光刻(EUVL)系统中的掩模版的 方法。将厚基底结合至薄膜多层涂层以便提供EUVL掩模版，所述EUVL掩模版具有第一热 传导率，第一热传导率比用单一材料层形成的反射光刻掩模版的第二热传导率相对更高。本发明的其他实施例、特征以及优点以及本发明的多个实施例的结构和操作下面 将参照附图进行详细的描述。


在此包含在说明书中并形成说明书的一部分的附图示出本发明的一个或更多个 实施例，并同文字描述一起进一步用于阐述本发明的原理和使相关领域中的技术人员实现 和使用本发明。图IA和IB分别示出反射型的和透射型的光刻设备；图2示出EUV光刻设备的示例；图3示意地示出用于用在EUV光刻设备的已有的反射型掩模版；图4A和4B示意地示出根据本发明的一个实施例的适用于EUV光刻设备的示例性 反射型掩模版。图5A和5B示意地示出根据本发明一个附加实施例的适用于EUV光刻设备的示例 性反射型掩模版。图6示出图4A、4B、5A和5B中的示例性反射型掩模版的其他特征。图7和8示出根据本发明一个实施例的用于形成适用于EUV光刻设备的反射型掩 模版的示例性方法。下面将参照附图描述本发明的一个或多个实施例。在附图中，相同的附图标记可 以表示相同的或功能类似的元件。
具体实施例方式I.综述本发明涉及掩模版，其包括具有高热传导率的基底，尤其是本发明涉及具有高热 传导率的用于EUV反射型掩模版的基底。本说明书公开了包含本发明的多个特征的一个或CN 102132209 A
说明书
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更多个实施例。所公开的实施例仅是本发明的示例。本发明的范围不限于所公开的实施例。 本发明由所附的权利要求限定。所述的实施例和在说明书提到的“ 一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例，，等表 示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括特定的特 征、结构或特性。而且，这些术语不必指的是同一个实施例。此外，当特定特征、结构或特性 与实施例结合进行描述时，应该理解，无论是否明确描述，本领域技术人员所知的知识可以 实现将这些特征、结构或特性与其他实施例的结合。本发明实施例可以实施为硬件、固件、软件或其任何组合。本发明实施例还可以应 用为存储在机器可读介质上的指令，其可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读 介质可以包括任何用于以机器(例如计算装置)可读形式存储或传送信息的机制。例如，机 器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存 储介质；闪存装置；传播信号的电、光、声或其他形式(例如，载波、红外信号、数字信号等)， 以及其他。此外，这里可以将固件、软件、程序、指令描述成执行特定操作。然而，应该认识 到，这些描述仅是为了方便并且这些操作实际上由计算装置、处理器、控制器或其他执行所 述固件、软件、程序、指令等的装置来完成的。然而，应该认识到，这些描述仅为了方便，并且 这些动作实际上是由于计算装置、处理器、控制器、或执行固件、软件、程序、指令等的其他
直ο在不同的实施例中，适用于EUV光刻设备的反射型掩模版包括在掩模版在EUV光 刻设备中进行曝光的整个温度范围上基本上为零的热膨胀系数的光学层。光学层包括第 一表面，其上设置导电层；和第二表面，其可以被抛光成基本上平坦且基本上没有缺陷。例 如，光学层可以由超低膨胀(ULE)钛-硅酸盐玻璃形成，并且导电层可以是铝。在一个实施例中，导电层直接结合到基底的第一表面，所述基底具有在整个操作 温度范围上基本上为零的热膨胀系数和实质上比光学层高的热传导率。在该实施例中，基 底可以由堇青石形成，其具有为ULE玻璃的热传导率大约三倍的热传导率。结合的基底和 光学层形成适用于EUV光刻应用的掩模版。在一个附加的实施例中，第二导电层可以设置在基底的第一表面上。进一步，随后 可以将导电材料的第一层结合至中间层的第一表面，可以将第二导电层结合到中间层的第 二表面。例如，如上所述，基底可以由堇青石形成，中间层可由微晶玻璃、无孔的、无机玻璃 陶瓷材料形成，第二导电层可以是铝。在这个实施例中，结合的光学层、中间层和基底形成 适用于EUV光刻应用的掩模版。这些反射型掩模版，正如下面不同的实施例中描述的，显著地减小或消除由于吸 收EUV辐射导致的图案变形，同时，保持掩模版厚度符合工业标准。同样，这些反射型掩模 版基本上消除了已有的EUV掩模版技术的缺点。然而，在详细描述这些实施例之前，给出示例性环境作为指导，在该环境中可以应 用本发明的实施例。II.示例性光刻环境A.示例性反射型和透射型光刻系统图IA和IB分别示意地示出光刻设备100和光刻设备100’。光刻设备100和光 刻设备100’每一个包括照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B (例如，深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其配置用于支撑图案形成 装置(例如掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置 MA的第一定位装置PM相连；和衬底台(例如晶片台)WT，其配置用于保持衬底(例如涂覆 有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。光刻设备 100和100’还具有投影系统PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投 影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。在光刻设备100中，图案形成装 置MA和投影系统PS是反射型的，而在光刻设备100，中，图案形成装置MA和投影系统PS 是透射型的。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁 型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射B。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备100和100，的设计以及 诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所 述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。支 撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构 MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。术语“图案形成装置”MA应该被广义地理解为表示可以用于将图案在辐射束的横 截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B 的图案可以与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置MA可以是透射型的(例如图IB中的光刻设备100’ )或反射型的 (例如图IA中的光刻设备100)。图案形成装置MA的例子包括掩模版、掩模、可编程反射镜 阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型 相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜 阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向 反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束B。术语“投影系统”PS可以包括任意类型的投影系统。投影系统的类型可以包括折 射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使 用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。真 空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其他气体会吸收太多的辐射或电子。因此借助真 空壁和真空泵的帮助，真空环境可以提供到整个束路径。光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和 /或两个或更多的掩模台)WT的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的衬底 台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用
于曙光O参照图IA和1B，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。源SO和所述光刻设备 100、100’可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将 该源SO考虑成形成光刻设备100、100’的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和 /或扩束器的束传递系统BD (图1B)的帮助，将所述辐射束B从所述源SO传到所述照射器 IL。在其它情况下，源SO可以是所述光刻设备100、100’的组成部分(例如当源SO是汞灯 时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD —起称作辐射系统。照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(图IB)。通 常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一 般分别称为σ 和σ 进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件(图 1Β)，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横 截面中具有所需的均勻性和强度分布。参见图1A，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成 装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在光刻设备100中， 辐射束B由图案形成装置(例如掩模)MA反射。已经由图案形成装置(例如掩模)MA反射 之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目 标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2 (例如，干涉仪器件、线性编码器或电 容传感器)的帮助，可以精确地移动衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐 射束B的路径中。类似地，第一定位装置PM和其他定位传感器IFl可以用于相对于辐射束 B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。图案形成装置(例如掩模)MA和衬底 W可以采用掩模对准标记Ml、M2和衬底对准标记PI、P2进行对准。参考图1B，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如掩模台MT)上的图案形成装置 (例如掩模MA)上，并通过所述图案形成装置形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束 B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过 第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助， 可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径 中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM 和另一个位置传感器(图IB中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位 掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短 行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位 装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情 况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用 掩模对准标记Ml、M2和衬底对准标记Pl、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对 准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对 齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记 可以位于所述管芯之间。光刻设备100和100’可以用在以下模式中的至少一种中1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的 同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。 然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的 同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(S卩，单一的动态曝光)。衬底台WT 相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放 大率和图像反转特征来确定。
3.在另一种模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台) MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B 的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源S0，并且在所述衬底台WT的每一次移 动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种 操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵 列)的无掩模光刻术中。也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs (集成电路)，但是应该理解到这里所 述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、 平板显示器、液晶显示器(IXDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应 用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬 底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一 种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/ 或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具 中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬 底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。在还一实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，其配置成产生用于EUV光刻 的EUV辐射束。通常，EUV源配置在辐射系统中(见下文)，并且相应的照射系统配置成调 节EUV源的EUV辐射束。B.示例性EUV光刻设备图2示意地示出根据本发明一个实施例的示例性EUV光刻设备200。在图2中， EUV光刻设备200包括辐射系统42、照射光学单元44以及投影系统PS。辐射系统42包括 辐射源S0，其中辐射束可以通过放电等离子体形成。在一个实施例中，可以通过例如氙气或 锂蒸气或锡蒸气的气体或蒸气产生极紫外辐射，在所述气体或蒸气中，产生极热的等离子 体以发射在电磁光谱的极紫外辐射范围中的辐射。通过例如放电生成至少部分电离的等离 子体来产生极热的等离子体。为了有效地生成辐射，需要氙、锂、锡蒸气或任何其他气体或 蒸气的例如10 的分压。由辐射源SO发射的辐射从源腔47出射经由定位在源腔47的开 口中或源腔47的开口后面的气体阻挡件或污染物阱49进入到收集器腔48中。在一个实 施例中，气体阻挡件49可以包括沟道结构。收集器室48包括可以由掠入射收集器形成的辐射收集器50(其也可以称为收集 器反射镜或收集器)。辐射收集器50具有上游辐射收集器侧50a和下游辐射收集器侧50b， 并且通过收集器50的辐射可以被光栅光谱滤光片51反射以在收集器腔48的孔的虚源点 52处聚焦。辐射收集器50对本领域技术人员是已知的。离开收集器室48，辐射束56在照射光学单元44中经由正入射反射器53和M被 反射到定位在掩模版或掩模台MT上的掩模版或掩模(未示出)上。形成图案化束57，其 在投影系统PS内经由反射元件58和59成像到支撑在晶片台或衬底台WT上的衬底(未 示出)上。在不同的实施例中，照射光学单元44和投影系统PS可以包括比图2中示出的 更多(或更少)个元件。例如，根据光刻设备的类型，可以可选地存在光栅光谱滤光片51。 此外，在一个实施例中，照射光学单元44和投影系统PS可以包括比图2中示出的多的反射镜。例如，除了反射元件58和59之外，投影系统PS可以包含一到四个反射元件。在图2 中，附图标记180表示两个反射器之间的间距，例如反射器142和143之间的间距。在一个实施例中，代替掠入射反射镜或除了掠入射反射镜之外附加地，收集器反 射镜50还可以包括正入射收集器。此外，收集器反射镜50虽然已经描述成具有反射器142、 143以及146的嵌套收集器，但是这里还用作收集器的示例。此外，还可以使用透射光学滤光片来代替如图2中示意地示出的光栅51。光学滤 光片对于EUV是透射性的，以及光学滤光片较少透射或甚至基本上吸收紫外辐射对本领域 技术人员是已知的。因此，这里还使用"光栅光谱纯度滤光片"可交换地表示“光谱纯度 滤光片”，其包括光栅或透射滤光片。虽然在图2中未示出，但是可以包括极紫外透射光学 滤光片作为附加的光学元件，例如配置在收集器反射镜50的上游或配置在照射单元44和 /或投影系统PS的光学极紫外透射滤光片的上游。术语“上游”和“下游”，相对于光学元件，分别表示位于一个或更多个附加的光学 元件“光学上游”和“光学下游”的一个或更多个光学元件的位置。沿着辐射束穿过光刻设 备200的光学路径，比第二光学元件更靠近源SO的第一光学元件配置在第二光学元件的上 游；第二光学元件配置在第一光学元件的下游。例如，收集器反射镜50配置在光谱滤光片 51的上游，而光学元件53配置在光谱滤光片51的下游。在图2中示出的所有的光学元件(和在该实施例的附图中没有示出的附加的光学 元件)可能容易受到源SO(例如锡)所产生的污染物的沉积的损害。对于辐射收集器50 和(如果存在)光谱纯度滤光片51可能是这种情况。因此，可以采用清洁装置以便清洁 这些光学元件中的一个或更多个，也可以应用清洁方法到这些光学元件和正入射反射器53 和M以及反射元件58和59或其他光学元件(例如附加的反射镜、光栅等)。辐射收集器50可以是掠入射收集器，并且在该实施例中，收集器50与光学轴线0 对准。源SO、或其图像还可以沿光学轴线0定位。辐射收集器50可以包括反射器142、143 以及146(还被称为“壳”或沃特型反射器，包括多个沃特型(Wolter-type)反射器)。反射 器142、143以及146可以是嵌套状的，并且围绕光学轴线0旋转对称。在图2中，内反射器 用附图标记142表示，中间反射器用附图标记143表示，外反射器用附图标记146表示。辐 射收集器50包围特定体积，即在外反射器146内的体积。通常，外反射器146内的体积是 圆周地闭合的，但是可以存在小的开口。反射器142、143以及146可以分别包括表面，该表面的至少部分提供一反射层或 多个反射层。因此，反射器142、143和146 (或在具有多于三个反射器或壳的辐射收集器的 实施例中的附加的反射器)至少部分地设计用于反射和收集来自源SO的EUV辐射，并且反 射器142、143和146中的至少部分可以不设计用于反射和收集EUV辐射。例如，反射器的 后侧的至少部分可以不设计用以反射和收集EUV辐射。在这些反射层的表面上，可以附加 地设置有盖层，其起保护作用或作为反射层的表面的至少部分上设置的光学滤光片。辐射收集器50可以设置在源SO或源SO的图像的附近。每个反射器142、143和 146可以包括至少两个相邻的反射表面，与所述源距离较远的所述反射表面放置成与离源 SO较近的反射表面相比，与光学轴线0成更小的角度。以此方式，掠入射收集器50配置成 产生沿光学轴线0传播的(E)UV辐射束。至少两个反射器可以基本上同轴地设置并且基本 上围绕光学轴线0旋转对称地延伸。应该认识到，辐射收集器50在外反射器146的外表面上可以具有其他特征，或具有围绕外反射器146的其他特征，例如保护性保持装置，加热器寸。在本发明描述的实施例中，术语“透镜”和“透镜元件”，在允许的情况下可以表示 各种类型的光学部件的任一个或组合，包括折射型的、反射型的、磁性的、电磁的以及静电 的光学部件。此外，这里所有的术语“辐射”和“束”包括全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐 射(例如具有365、M8、193、157或U6nm的波长)或极紫外(EUV或软X射线)辐射(例 如具有5-20nm范围的波长，例如13. 5nm)，或在小于5nm的条件下工作的硬X-射线，以及 粒子束，例如离子束或电子束。通常，具有在大约780-3000nm(或更大)之间波长的辐射被 看作IR(红外)辐射。紫外(UV)指的是具有大约100-400nm波长的辐射。在光刻技术中， 通常还用到波长，其可以通过汞放电灯产生G-线436nm ；H-线405nm ；和/或I-线365nm。 真空UV，或VUV (即空气吸收的UV)指的是具有大约100-200nm波长的辐射。深UV (DUV)通 常指的是具有从126nm到428nm范围波长的辐射，并且在一个实施例中，准分子激光器可以 生成用在光刻设备中的DUV辐射。应该认识到，具有例如5-20nm范围的波长的辐射涉及具 有特定波长带的辐射，该波长带的至少部分在5-20nm范围内。III.用于EUV掩模版的具有高热传导率的示例性基底图3示意地示出已有的EUV反射型掩模版300的一个示例，其由单层基底材料形 成。在图3中，掩模版300包括基底302，在基底302上已经设置一个或更多个高反射材料 层以形成反射层304。通过图案化的抗蚀剂层的化学蚀刻，或附加地或替换地，通过任何其 他本领域技术人员清楚的技术，可以将图案(未示出)形成到层304的反射表面30 上。已有的EUV反射型掩模版的基底，例如基底302，通常由光学等级玻璃、陶瓷、玻 璃-陶瓷材料和在宽温度范围(例如包括在EUV光刻设备内基底暴露所在的温度范围)上 具有相对低的热膨胀系数和高的弹性模量的特征的其他材料构造。例如，基底302可以由 例如由 Corning，Incorporated, of Corning, New ^rk 制造的超低膨胀(ULE)钛-硅酸盐 玻璃形成。然而，由这些材料构成的基底在它们在EUV光刻设备中暴露所在的整个温度范围 上还表现出相对低的热传导率值。例如，在25°C时，ULE玻璃的平均热传导率大约为1. 3Iff/ (m-°C )，而铝的平均热传导率在25°C时大约为250W/(m-°C )。这些热传导率的值可能会导 致整个基底厚度上的相对大的热阻(即基底厚度和其热传导率的商)，因而在整个基底上 表现出均勻的热分布，和热从基底到EUV光刻设备的周围部分(包括但不限于一个或更多 个用于支撑掩模板的装置)的传导。如上所述，已有的EUV掩模版吸收入射的EUV辐射束的大约30%到100%之间的 能量。EUV辐射被掩模版的这种吸收可能会导致基底的局部加热，由于基底的机械性质，热 量通常不能够扩散到整个基底，或不能够从基底被传导掉。在这种情况下，这种加热可以局 部地引起基底变形，由此引起相应的反射层的图案化表面(例如图3中的反射层308的表 面308a)的变形。此外，图案表面的热驱动的变形会使得赋予入射辐射束的图案变形，并且 引入误差到由EUV光刻设备投影到衬底上的图像中。通常，已有的EUV光刻设备不能够补偿由于图案化表面的热变形引入到图案化的 图像中的误差的至少一小部分。同样，图案化的图像和图案化表面两者的热变形是限制在已有的EUV光刻设备中的成像性能的因素。此外，由于掩模版加热或升温带来的图案变形 的问题可能将随着传递更多的能量至反射型掩模版上用以满足EUV光刻设备中增长的量 产的生产率需求而恶化。在一个实施例中，由于辐射吸收带来的局部掩模版加热的效应可以通过提高反射 型掩模版中的基底的热传导率来减缓。通过增大基底的热传导率，并由此降低基底的热阻 (在恒定厚度的条件下)，由于吸收的辐射带来的局部加热可以更均勻地分布于整个基底， 并可以更有效地从基底传导到周围的支撑装置，包括但不限于掩模版卡盘或掩模台。因此， 掩模版基底的热传导率的增大可以显著地减小或消除图案化表面的任何诱发的变形，和由 此带来的图案化的图像中任何诱发的误差。一种用于包含到用于EUV光刻设备的反射型掩模版中的合适的基底材料是堇青 石、陶瓷材料，可以从多个供应商获得，包括但不限于Hitachi Metals America Ltd. of Tarrytown, New York。堇青石在具有EUV掩模版所经受的整个操作温度范围上基本上为 零的热膨胀系数的同时，还具有为已有的掩模版基底材料的热传导率的接近三倍的热传导 率。例如，虽然ULE玻璃具有在25°C条件下大约1.31W/(m-°C)的热传导率，但是堇青石的 热传导率在25°C条件下大约为3. Off/(m-0C )。然而，固态堇青石的微结构使得该材料不适于用作已有的反射型掩模版中的基 底。固态堇青石包括微观的空隙，它们在抛光时在被抛光的堇青石表面中形成孔洞和其他 缺陷。这些表面缺陷的存在使得被抛光的堇青石表面不适用于用以形成掩模版的反射层 (例如图3中的掩模版300的反射层308)的反射材料。在一个实施例中，通过将材料的相对薄的光学层结合至堇青石基底的表面可以解 决致使堇青石不适用于已有的反射型掩模版中的基底的微观缺陷。在如图4A和4B所示的 实施例中，薄光学层可以被加工(例如抛光)以生成基本上平坦的表面，该表面没有抛光后 的堇青石表面的那些缺陷特性并适于反射材料的应用。在该实施例中，光学层充分薄以提 供小的热阻，同时提供常规的玻璃表面，在所述玻璃表面上执行表面抛光、膜的应用以及图 案化。图4A是适用于根据本发明一个实施例的光刻设备的示例性反射型掩模版400的 分解的示意图。与已有的用于EUV光刻设备的反射型掩模版技术(如图3所示)对比，掩 模版400包括基底402、光学层404以及设置在基底402和光学层404之间的导电层406。 在该实施例中，掩模版400的复合材料性质显著减小或消除了已有的EUV反射型掩模版的 特性——由于辐射的吸收引起的掩模版表面的变形和图案化的图像中引入的误差。在图4A中，光学层404具有第一表面40 和第二表面404b，基底402具有第一表 面40 和第二表面402b。在该实施例中，导电层406设置在光学层404的第一表面40 和基底402的第一表面40 之间。此外，在一个实施例中，导电层406可以设置到光学层 404的第一表面40 上。在一个实施例中，导电层406可以是金属层，包括但不限于铝、非金属导电材料 (例如石墨)或其任何组合。此外，在一个实施例中，导电层406可以通过本领域技术人员 熟知的并且对材料合适的多种沉积工艺中的任一种设置到光学层404的第一表面40 上。 例如，使用溅射沉积或喷射沉积可以将导电层406沉积到光学层404的第一表面40 上。 在其他实施例中，使用任何附加的或替代的适于导电层406和光学层404的技术，导电层406可以预形成并结合至光学层404的第一表面40如。图4B示意地示出在图4A中示出的示例性掩模版400的附加的特征。在图4B中， 通过将设置到表面40 上的导电层406结合到基底402的第一表面40 以形成掩模版 400，形成掩模版400。在一个实施例中，可以使用本领域技术人熟知的多种技术中任一种， 包括但不限于阳极键合(anodic bonding)，将导电层406结合至第一表面40加。在一个实施例中，掩模版400(和基底40 的第二表面402b可以通过掩模版卡 盘、掩模台或EUV光刻设备内的任何其他装置支撑。在该实施例中，掩模版卡盘、掩模台或 其他装置可以用作掩模版400的散热器，由此便于热从掩模版400传递至EUV光刻设备的 各个部件。在一个实施例中，如图4B所示，光学层404可以结合至、或连接至基底402，使得光 学层404的第一层40 与基底402的第一表面40 基本上平行。此外，光学层404的第 二表面404b也基本上平行于第一表面40 ,类似地，基底402的第二表面402b基本上平行 于第一表面40加。然而，本发明不限于在该结构中结合或连接的光学层和基底。在其他实 施例中，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，基底402和光学层404的相应的第一和第 二表面可以分别以任何配置的方式定向，包括但不限于相对于彼此以任何角度布置。在一个实施例中，如上所述，光学层404可以由具有在掩模版400所经历的整个温 度范围上基本上为零的热膨胀系数的材料形成。例如，光学层404可以由超低膨胀(ULE) 钛硅酸盐玻璃形成，其由Corning，hcorporated，of Corning, New ^rk制造。在该实施例 中，光学层404的厚度可以选择成在保持相对低的热阻的同时，提供充分完整的表面以支 持抛光和应用反射膜。例如，光学层404的厚度的范围可以是从大约0. Imm到大约0. 5mm, 但是如大约0. 025mm这样小的厚度也是可以的。此外，如上所述，基底402可以由堇青石形成，堇青石在整个温度范围上具有基本 上为零的热膨胀系数，并且还具有为光学层的热传导率的接近三倍的热传导率(例如，堇 青石具有在25°C条件下大约为3. Off/(m-0C )的热传导率，而ULE玻璃具有在25°C条件下 大约为1.31W/(m-°C)的热传导率)。在一个实施例中，基底402的厚度范围可以为从大约 5. 25mm到大约6. 25mm的范围。如上所述，当掩模版400被包含在EUV光刻设备中时，可以吸收大约30%到100% 的入射EUV辐射束。然而，在图4A和4B的实施例中，可能由吸收EUV辐射导致的光学层 404的局部加热由于光学层404的低的热阻而被迅速地扩散或传导通过光学层404，并且通 过导电层406传导至基底402。此外，因为基底402的热传导率实质上高于已有的EUV掩模 版的基底的热传导率，由于吸收EUV辐射导致的局部加热均勻地扩散到整个基底，并迅速 地通过基底耗散到掩模版夹盘、掩模台或在EUV光刻设备内部的支撑掩模版400的其他结 构。因此，与图3中示出的已有的EUV掩模版对比，掩模版400显著地减小或消除了掩模版 表面的任何变形，并因此减小了由于吸收的EUV辐射带来的局部加热导致的引入的任何图在图4A和图4B的实施例中，导电层406设置在光学层404的第一表面40 上， 并且随后导电层406结合至基底402的第一表面402a。然而，在其他实施例中，材料的中间 层还可以将光学层404和基底402绝缘。例如，由堇青石形成的基底可以不充分导电以被 阳极键合至导电层406。在该实施例中，中间层可以定位在基底402和光学层404之间以便便于阳极键合。图5A是根据本发明的一个附加的实施例的用于EUV光刻系统中的示例性反射型 掩模版500的分解示意图。与图4中的实施例相比，掩模版500包括中间层530，其将基底 502和光学层504隔开。在该实施例中，中间层530促进光学层504和基底502的结合。与图4A和4B中的实施例类似，光学层504具有第一表面50 和第二表面504b。 在一个实施例中，第二表面504b可以通过本领域技术人员熟知的多种技术中的一种(包括 但不限于使用多种磨料化合物抛光)加工成基本上平坦的且没有缺陷。导电层506设置在光学层504的第一表面50 和中间层530的第一中间表面530a 之间。在图5A的实施例中，导电层506设置到第一表面50 上。然而，本发明不限于这种 结构，并且在其他实施例中，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，导电层506可以设置 到中间层530的第一中间表面530a上。在这样的实施例中，导电层506可以是金属层(包括但不限于铝)，非金属导电材 料(例如石墨)，或其任何组合。此外，在一个实施例中，导电层506通过本领域技术人员熟 知的且对该材料合适的多种沉积技术中的任意一种沉积到光学层504的第一表面50 上 (或替代地，沉积到中间层530的第一中间表面530a上)。例如，可以使用任何溅射沉积、 喷射沉积或物理气相沉积技术将导电层506沉积到第一表面50 上或第一中间表面530a 上。在其他实施例中，导电层506可以是导电材料的预形成层。在该实施例中，通过本 领域技术人员熟知的且适于该材料的技术，预形成的导电层506可以结合至光学层504的 第一表面50 或中间层530的第一中间表面530a。在图4A和4B的实施例的进一步对比中，在中间层530和基底502之间设置第二 导电层516。在图5A的实施例中，第二导电层516设置到基底502的第一表面50 上。 然而，本发明不限于这种结构，并且在其他实施例中，在不脱离本发明的精神或范围的情况 下，导电层516可以设置到中间层530的第二中间表面530b上。在该实施例中，与上述的类似，导电层516可以是金属层(包括但不限于铝)，非金 属导电材料(例如石墨)，或其任何组合。此外，在一个实施例中，导电层516可以通过本领 域技术人员熟知的且对该材料合适的多种技术中的任意一种沉积到基底502的第一表面 502a上(或替代地，沉积到中间层530的第二中间表面530b上)。例如，可以使用任何溅 射沉积、喷射沉积或物理气相沉积技术将导电层516沉积到第一表面50 上或第二中间表 面530b上。图5B示意地示出图5A中示出的掩模版500的附加的特征。在图5B中，掩模版 500已经通过以下方式形成首先将如设置到光学层504的第一表面50 上的导电层506 结合至中间层530的第一中间表面530a并随后将如设置在基底502的第一表面50 上的 导电层516结合至中间层530的第二中间表面530b。在一个实施例中，导电层506和513 可以分别阳极键合至第一和第二中间表面530a和530b。然而，本发明不限于阳极键合，并 且在其他实施例中，导电层506和516中的一个或更多个可以使用本领域技术人员熟知的 且对中间层530和导电层506和516适合的多种技术中的任一种分别结合至或以其它方式 连接至相应的第一和第二中间表面530a和530b。在一个实施例中，基底502的第二表面502b (因此掩模版500)可以由掩模版卡盘、掩模台或EUV光刻设备内的配置用以支撑掩模版500的任何其他装置支撑。在该实施 例中，掩模版卡盘、掩模台或可以用作掩模版500的散热器的任何其他装置，由此便于将热 从掩模版500传递到EUV光刻设备的多个部件。在图5A和5B的实施例中，光学层504的第一和第二表面50 和504b、基底502 的第一和第二表面50 和502b以及中间层530的第一和第二中间表面530a和530b全部 分别基本上相互平行。然而，本发明不限于以这种配置结合或以其它方式连接的基底和光 学层。在其他实施例中，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，光学层504的第一和第二 表面50 和504b、基底502的第一和第二表面50 和50 以及中间层530的第一和第二 中间表面530a和530b可以相对于本领域技术人员熟知的且对掩模版500适合的任何其他 表面以任何角度设置。在一个实施例中，如上参照图4A和4B所述，光学层504可以由具有在掩模版500 所经历的整个温度范围上的基本上为零的热膨胀系数的材料形成，包括但不限于超低膨胀 (ULE)钛硅酸盐玻璃。在该实施例中，光学层504的厚度可以选择成保持相对低的热阻且 提供充分完整的表面以支持抛光。例如，光学层504的厚度范围可以在大约0. Imm到大约 0. 5mm之间，但是如0. 025mm这样小的厚度也是可以的。此外，如上所述，基底502可以由堇青石形成，其具有在整个操作温度范围上的基 本上为零的热膨胀系数并且还具有为光学层的热传导率的接近三倍的热传导率(例如，堇 青石具有在25°C条件下大约为3. Off/ (m-°C )的热传导率，而ULE玻璃具有在25°C条件下 大约为1.31W/(m-°C)的热传导率)。在一个实施例中，基底502的厚度范围可以在从大约 5. 25mm到大约6. 25mm的范围内。此外，在图5A和5B的实施例中，中间层530可以由具有基本上为零的热膨胀系数 的玻璃材料、陶瓷材料或玻璃-陶瓷材料形成。例如，中间层530可以通过由khott North America, Inc. of Elmsford,New ^rk制造的微晶玻璃、无孔的、无机玻璃陶瓷材料形成。此 外，在一个实施例中，中间层530厚度可以实质上小于基底502的厚度，并且选择成使得中 间层的热阻基本上等于或小于光学层504的热阻。例如，由微晶玻璃形成的中间层的厚度 范围可以为从大约0. Imm到大约0. 5mm，但是如0. 025mm这样小的厚度也是可以的。然而，本发明不限于由微晶玻璃形成的中间层，并且在其他实施例中，中间层530 可以由具有合适的机械性质(例如在整个操作温度范围上基本上为零的热膨胀系数)且能 够便于与光学层504和基底502阳极键合的多种材料中的任一种形成。如上所述，当掩模版500被包含到EUV光刻设备中时，其可以吸收大约30 %到 100%之间的入射EUV辐射束。然而，与图4A和4B中的实施例类似，可能由吸收EUV辐射 导致的光学层504的任何局部加热由于光学层的低的热阻而被迅速地扩散(例如传导)通 过光学层、通过导电层506进入中间层530，随后通过第二导电层516，并且进入到基底502。 此外，因为基底502的热传导率实质上高于已有的EUV掩模版的基底的热传导率，由于吸 收EUV辐射带来的基底的局部加热扩散到整个基底并且通过掩模版卡盘、掩模台或EUV光 刻设备内的支撑掩模版500的其他结构耗散。因此，与图3中示出的已有的EUV掩模版对 比，掩模版500还显著减小或消除了掩模版表面的任何变形，并因此减小或消除了由于吸 收EUV辐射导致的局部加热引入的任何图案误差。图6示意地示出根据本发明的一个实施例的、在附加的处理和图案化之后的示例性掩模版600(例如在图4A-4B和图5A-5B中示出的那些掩模版)的一部分。在图6中，掩 模版600的光学层604具有第一表面60 和第二表面604b，在所述第一表面60 上设置 导电性涂层606。在图6的实施例中，使用本领域技术人员熟知的多种技术中的任一种处 理第二表面604b以形成基本上平坦的表面，其基本上没有任何缺陷。在这样的实施例中， 对EUV辐射高反射的材料层608可以应用至曝光表面604b，并且可以在反射层内形成图案。 作为示例，抗蚀剂层可以被应用至层608，其中抗蚀剂层可以由合适波长的辐射来曝光，并 且曝光过的抗蚀剂层可以使用本领域技术人员熟知的任何技术来进行蚀刻以在层608上 形成图案。在一个实施例中，掩模版的制造商可以将高反射层608应用到光学层604的表面 604b。然而，在其他实施例中，在掩模版600交付给用户之后，掩模版600的终端用户可以 将高反射层608应用到光学层604的第二表面604b。此外，在一个实施例中，掩模版的终端 用户还可以在交付之后对高反射层608进行图案化，如上面所述。图7是根据本发明的一个实施例的形成适于用在EUV光刻设备中的例如图4A和 4B中的掩模版400的掩模版的示例性方法700的流程图。在步骤702中，导电材料，包括但 不限于铝，的层被布置到超低膨胀(ULE)钛-硅酸盐玻璃的层的第一表面上。在该实施例 中，ULE玻璃层的厚度被选择成使得ULE玻璃层的热阻在整个温度范围上相对低。在一个实施例中，使用本领域技术人员熟知的且对该材料适合的多种技术中任一 种，可以将导电层布置到ULE玻璃的层的第一表面上。例如，步骤702可以使用任何溅射沉 积、喷射沉积或物理气相沉积技术将导电层沉积到ULE玻璃的层的第一表面上。布置在ULE玻璃的层上的导电层随后在步骤704中结合至堇青石基底的第一表面 以形成掩模版。在一个实施例中，步骤704将堇青石基底的第一表面阳极键合至导电层。然 而，在其他实施例中，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以使用本领域技术人员熟 知的且对堇青石基底合适的多种技术中的任一种将堇青石基底的第一表面结合或以其他 方式连接至导电层。随后在步骤706中处理ULE玻璃的层的第二表面以形成基本上平坦的、没有缺陷 的表面。在一个实施例中，可以在步骤706中被抛光的ULE玻璃层的第二表面以得到基本 上平坦的且基本上无缺陷的表面。然而，在附加的或替代的实施例中，在不脱离本发明的精 神或范围的情况下，第二表面可以在步骤706中使用本领域技术人员熟知的多种技术中的 任一种来处理。图8是根据本发明的一个实施例的形成适于用在EUV光刻设备中的例如图5A和 5B中的掩模版500的掩模版的示例性方法800的流程图。在步骤802中，导电材料，包括但 不限于铝，的层被布置到(i)超低膨胀(ULE)钛-硅酸盐玻璃的层的第一表面上和(ii)堇 青石基底的第一表面上。在一个实施例中，ULE玻璃(或其他光学层)的厚度被选择成使 得ULE玻璃(或其他光学层)的热阻在可整个获得的温度范围上相对低。在一个实施例中，可以使用本领域技术人员熟知的且对该材料适合的多种沉积工 艺中任一种，将导电层沉积到ULE玻璃的层的第一表面上和堇青石基底的第一表面上。例 如，在步骤802中，可以使用任何溅射沉积、喷射沉积或物理气相沉积技术将导电层沉积到 ULE玻璃的层和堇青石基底的第一表面上。沉积在堇青石基底上的导电层随后在步骤804中结合至微晶玻璃的中间层的第一表面(例如图5A和5B的层530)。此外，在步骤806中，设置在ULE玻璃的层上的导电层 随后被结合至微晶玻璃的第二表面，由此形成掩模版。在一个实施例中，在步骤804和806中，一个或更多个导电层可以阳极键合至微晶 玻璃层的相应的表面。然而，在其他实施例中，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在 步骤804和806中，可以使用本领域技术人员熟知的且对堇青石基底和微晶玻璃层合适的 多种技术中的任一种将导电层结合或以其它方式连接至微晶玻璃层的相应的表面。然后，在步骤808中处理ULE玻璃的层的第二表面以形成基本上平坦的、基本上没 有缺陷的表面。在一个实施例中，可以在步骤808中抛光ULE玻璃的层的第二表面以得到 基本上平坦的且基本上无缺陷的表面。然而，在附加的或替代的实施例中，在不脱离本发明 的精神或范围的情况下，在步骤808中，可以使用本领域技术人员熟知的任何其他技术来 处理第二表面。在其他实施例(未示出)中，对EUV辐射高反射性的材料层可以被应用至通过图7 和8中的示例性方法形成的掩模版的被抛光的表面上。此外，可以使用本领域技术人员熟 知的对反射材料和EUV光刻过程适合的多种技术中的任一种在所应用的反射层上形成图 案。例如，可以将抗蚀剂层应用到被抛光的表面，该抗蚀剂层可以以合适波长的辐射进行曝 光，并且曝光后的抗蚀剂层可以被蚀刻以在被抛光的表面上形成图案。此外，在其他实施例 中，将交付给终端用户之前，可以通过掩模版的制造商执行这种附加的应用和图案化步骤。 可替代地，可以使用图7和8中的方法制造掩模版，并且终端用户可以应用并图案化反射涂 层。如参照图5A和5B描述的，本发明不限于由微晶玻璃形成的中间层。在其他实施 例中，中间层可以由具有合适的机械性能(例如在整个操作温度范围上基本上为零的热膨 胀系数)的多种材料中任一种形成，并且能够有助于与ULE玻璃的层和堇青石基底的阳极 键合。在上述的实施例中，在由超低膨胀(ULE)钛硅酸盐玻璃形成的光学层方面描述了 反射型掩模版。然而，本发明的光学层不限于这种材料。在其他实施例中，这里描述的反射 型掩模版可以包括由任何材料形成的光学层，该材料(i)具有在在EUV光刻设备的整个操 作温度特性范围上基本上为零的热膨胀系数；且(ii)能够被处理以得到基本上没有缺陷 且能够适应于一个或更多个反射材料的层的应用的基本上平坦的表面。进一步地，在上述的实施例中，就堇青石陶瓷材料而言，描述了掩模版基底。然而， 本发明的掩模版基底不限于这种材料。在其他实施例中，这里描述的掩模版可以包括由任 何材料形成的基底，该材料(i)具有在在EUV光刻设备的整个操作温度特性范围上基本上 为零的热膨胀系数；(ii)具有在整个温度范围上的相对高的弹性模量，以及(iii)在整个 温度范围上具有比光学层的热传导率实质上高的热传导率。然而，本发明的掩模版基底不限于这种材料。在其他实施例中，这里描述的掩模版 可以包括由任何材料形成的基底，该材料(i)具有在在EUV光刻设备特性的整个操作温度 范围上基本上为零的热膨胀系数；(ii)具有在整个温度范围上的相对高的弹性模量，以及 (iii)在整个温度范围上具有比光学层的热传导率高得多的热传导率。如这里通过多个实施例描述的本发明的反射型掩模版显著地减小或消除了掩模 版表面的变形，因此减小或消除了由于吸收EUV辐射带来的局部加热引入的任何图案误差。光学层的任何局部加热由于其低的热阻而迅速地扩散通过光学层，并扩散到基底中。此 外，因为基底的热传导率比已有的EUV掩模版的基底的热传导率实质上高，所以由于吸收 EUV辐射而在基底接收的局部热通量扩散到整个基底，并通过基底耗散，并耗散到掩模版卡 盘、掩模台或EUV光刻设备内的支撑掩模版的其他结构。因此，与图3中示出的已有的EUV 掩模版相对比，本发明的掩模版显著地减小或消除了由于吸收EUV辐射带来的图案化表面 的热变形，同时保持掩模版厚度符合工业标准。结论虽然上面已经描述了本发明的不同实施例，但是应该理解，这些实施例是通过示 例给出的，并且不是限制的。在不脱离本发明的范围的情况下在形式和细节上可以进行不 同的改变对本领域技术人员是显而易见的。因此，本发明的覆盖度和范围不应该受到上述 的示例性实施例限制，而应该由所附权利要求以及等价物进行限定。应该认识到，具体实施方式
部分，不是发明内容和摘要部分，是用于解释权利要求 的。发明内容和摘要部分可以给出一个或多个但不是发明人预期的本发明的所有的示例性 实施例，因此不应该以任何方式限制本发明和权利要求。
权利要求
1.一种掩模版，包括光学层，具有第一表面和第二表面；基底，其中所述基底的热传导率实质上大于光学层的热传导率；和 导电层，设置在光学层和基底之间，所述导电层结合至(i)所述基底的表面和(ii)所 述光学层的第一表面中的一个或更多个。
2.根据权利要求1所述的掩模版，其中所述光学层包括具有基本为零的热膨胀系数的材料；和 所述基底包括具有基本为零的热膨胀系数的材料。
3.根据权利要求1所述的掩模版，其中 所述光学层包括超低膨胀(ULE)玻璃； 所述基底包括堇青石；和所述导电层包括铝。
4.根据权利要求1所述的掩模版，其中所述导电层设置在所述光学层的第一表面上。
5.根据权利要求4所述的掩模版，其中所述导电层结合至所述基底的表面。
6.根据权利要求5所述的掩模版，其中所述导电层阳极键合至所述基底的表面。
7.根据权利要求4所述的掩模版，还包括第二导电层，设置在所述基底的所述表面上；和 中间层，设置在导电层和所述第二导电层之间， 其中所述导电层结合至所述中间层的第一表面；和 第二导电层结合至中间层的第二表面。
8.根据权利要求7所述的掩模版，其中所述导电层阳极键合至所述中间层的第一表面；和 所述第二导电层阳极键合至所述中间层的第二表面。
9.根据权利要求7所述的掩模版，其中所述中间层包括具有基本为零的热膨胀系数的 材料。
10.根据权利要求7所述的掩模版，其中 所述中间层包括微晶玻璃；和所述第二导电层包括铝。
11.根据权利要求1所述的掩模版，其中所述光学层的第二表面是基本上平坦的且基 本上没有缺陷。
12.根据权利要求11所述的掩模版，还包括设置在所述光学层的第二表面上的反射层。
13.根据权利要求1所述的掩模版，其中所述基底的厚度大于所述光学层的厚度。
14.一种光刻设备，包括照射系统，配置成产生辐射束； 掩模版，配置用以图案化辐射束；和 投影系统，配置成将图案化的束投影到衬底的目标部分上， 其中，所述掩模版包括光学层，具有第一表面和第二表面；基底，其中所述基底的热传导率实质上大于光学层的热传导率；和 导电层，设置在光学层和基底之间，所述导电层结合至(i)所述基底的表面和(ii)所 述光学层的第一表面中的一个或更多个。
15.根据权利要求14所述的光刻设备，其中所述光学层包括具有基本为零的热膨胀系数的材料；和 所述基底包括具有基本为零的热膨胀系数的材料。
16.根据权利要求14所述的光刻设备，其中 所述光学层包括超低膨胀(ULE)玻璃； 所述基底包括堇青石；和所述导电层包括铝。
17.根据权利要求14所述的光刻设备，其中所述导电层设置在所述光学层的第一表面上。
18.根据权利要求17所述的光刻设备，其中所述导电层结合至所述基底的所述表面。
19.根据权利要求18所述的光刻设备，其中所述导电层阳极键合至所述基底的所述表
20.根据权利要求17所述的光刻设备，还包括 第二导电层，设置在所述基底的表面上；和中间层，设置在所述导电层和所述第二导电层之间， 其中所述导电层结合至所述中间层的第一表面；和 第二导电层结合至中间层的第二表面。
21.根据权利要求20所述的光刻设备，其中 所述导电层阳极键合至所述中间层的第一表面；和 所述第二导电层阳极键合至所述中间层的第二表面。
22.根据权利要求20所述的光刻设备，其中所述中间层包括具有基本为零的热膨胀系 数的材料。
23.根据权利要求20所述的光刻设备，其中 所述中间层包括微晶玻璃；和所述第二导电层包括铝。
24.根据权利要求14所述的光刻设备，其中所述光学层的第二表面是基本上平坦的且 基本上没有缺陷。
25.根据权利要求M所述的光刻设备，还包括设置在所述光学层的第二表面上的反射层。
26.根据权利要求14所述的光刻设备，其中所述基底的厚度大于所述光学层的厚度。
27.一种用于形成掩模版的方法，包括步骤将导电材料的层设置到光学层的第一表面上；和将导电材料的层结合至(i)中间层的第一表面或(ii)热传导率实质上大于光学层的 热传导率的基底的表面中的一个。
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述设置步骤包括 将铝层设置到所述光学层的第一表面上。
29.根据权利要求27所述的方法，其中结合步骤包括将导电材料的层阳极键合到(i)中间层的表面或(ii)基底的所述表面中的一个。
30.根据权利要求27所述的方法，其中结合步骤包括 将导电材料的层结合到中间层的第一表面；将导电材料的第二层布置到所述基底的表面上；和 将导电材料的第二层结合至中间层的第二表面。
31.根据权利要求30所述的方法，其中将导电材料的第二层设置到所述基底的表面上 的步骤包括将铝层设置到基底的所述表面上。
32.根据权利要求27所述的方法，其中所述结合步骤包括将导电材料的层结合到所 述基底的所述表面。
33.根据权利要求27所述的方法，还包括将光学层的第二表面处理成基本上是平坦的且基本上没有缺陷。
34.根据权利要求27所述的方法，还包括 将反射涂层应用至经过处理的第二表面；和 在反射涂层上形成图案。
35.一种用于制造用在极紫外光刻(EUVL)系统中的掩模版的方法，包括步骤 将厚基底结合至薄膜多层涂层，用于制备EUVL掩模版，所述掩模版具有第一热传导率，所述第一热传导率比用单一材料层形成的反射式光刻掩模版的第二热传导率相对更尚ο
36.根据权利要求35所述的方法，其中将厚基底结合至薄膜多层涂层的步骤还包括 使用金属层将厚基底与薄膜多层涂层阳极键合。
37.根据权利要求36所述的方法，其中将厚基底与薄膜多层涂层阳极键合的步骤还包括使用铝将厚基底与薄膜多层涂层中的一个或更多个层阳极键合。
38.根据权利要求35所述的方法，其中将厚基底与薄膜多层涂层阳极键合的步骤还包括形成3片夹层结构，其中微晶玻璃被用作中间连接层，其中微晶玻璃被结合至涂覆有 铝的堇青石基底，其依次被结合至涂覆有铝的超低膨胀(ULE)玻璃板。
39.根据权利要求35所述的方法，其中将厚基底结合至薄膜多层涂层的步骤还包括 在微晶玻璃层上阳极键合超低膨胀(ULE)玻璃板；和将微晶玻璃层阳极键合至作为厚基底的堇青石。
全文摘要
反射型掩模版实质上减小或消除了吸收EUV辐射导致的图案变形，同时保持掩模版厚度符合工业标准。反射型掩模版包括超低膨胀(ULE)玻璃的层和热传导率实质上大于ULE玻璃的堇青石基底。将铝层设置到ULE玻璃的第一表面，并将ULE玻璃的第二表面抛光成基本上平坦的且无缺陷的。采用阳极键合可以将堇青石基底直接结合至铝层以形成反射型掩模版。替代地，中间微晶玻璃层的第一表面可以结合至铝层，并且第二铝层可以用于将堇青石基底阳极键合至微晶玻璃层的第二表面，由此形成反射型掩模版。
文档编号G03F1/14GK102132209SQ200980132629
公开日2011年7月20日 申请日期2009年7月29日 优先权日2008年8月21日
发明者M·L·纳尔逊, M·佩里, R·A·威克洛 申请人:Asml控股股份有限公司