专利名称：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
技术领域：
本申请涉及液晶显示器(IXD)。
背景技术：
一般来说，通过电场控制LCD中的具有介电各向异性的液晶的光透射率，以显示 图像。通常通过以液晶层设置在两个基板中间的方式结合滤色器阵列基板和薄膜晶体管阵 列基板来制造IXD。近来，为了解决现有技术LCD视角窄的问题，正在开发多种新型模式的LCD。具有 宽视角特性的LCD被分类为共平面转换(IPQ模式、光学补偿双折射(OCB)模式、边缘场转 换(FR5)模式等等。在宽视角的IXD之中，IPS模式IXD允许在相同基板上设置像素电极和公共电极， 以在电极之间产生水平电场。这样，在相对于基板的水平方向上排列液晶分子的长轴。因 此，IPS模式LCD具有比现有技术的TN(扭曲向列)模式LCD宽的视角。图1是现有技术的IPS模式IXD中的像素结构的示图。图2是表示沿图1中的线 1-1’截取的像素结构的截面图。参见图1和2，栅线1和数据线5彼此交叉从而限定像素区。用作开关元件的薄膜 晶体管TFT设置在栅线1和数据线5的交叉处。在像素区上，与栅线1相对的第一公共线3与数据线5交叉。从第一公共线3延 伸出并与数据线5平行的第一公共电极3a形成在像素区的两侧。栅线1配置为包括宽度加宽的栅电极la。第一存储电极6与栅电极Ia相邻地设 置。存储电极6与第一公共电极3a—体地形成。另外，电连接到第一公共线3的第二公共线13形成在第一公共线3的上方。第二 公共电极13a从第二公共线13延伸向像素区。此外，与第一公共电极3a部分重叠的第三 公共电极13b从第二公共线13延伸出。第二公共电极13a与像素电极7a交替地排列在像素区中。像素电极7a从与第一 存储电极6重叠的第二存储电极7延伸出。图2是在数据线5的区域中沿线1-1’截取的截面图，在图2中，栅绝缘膜12形成 在下基板10上。数据线5形成在栅绝缘膜12上。设置在数据线5的两侧的第一公共电极 3a形成在下基板10上。第三公共电极1 形成在保护(即钝化)膜19上并与第一公共电 极3a部分重叠。滤色器阵列基板配置为包括与数据线5相对的黑矩阵21。黑矩阵21形成在上基板20上。红色(R)滤色器层2 和绿色(G)滤色器层2 形成在黑矩阵21的两侧。“29” 表示夕卜婁女层(over-coat)。为了阻止在背光单元中产生并穿过像素区的边缘附近的光所导致的光泄漏，现有 技术中的这种IPS模式IXD迫使黑矩阵21的宽度Ll变得更大。更具体地，黑矩阵21形成 为到达第一公共电极3a的边缘，从而阻挡沿相对于垂直线倾斜至少恒定角度的方向穿过 数据线5和第一公共电极3a之间的光。由此，像素区的孔径比降低。此外，由于第一公共电极3a设置在数据线5的两侧，因此现有技术的薄膜晶体管 阵列基板很难使像素区的孔径比提高到临界值。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上避免了由于现有技术的限制和不足造成的一个或多 个问题的薄膜晶体管阵列基板。本发明的一个目的是提供一种适合于通过在数据线的上方设置公共电极来提高 像素区的孔径比的薄膜晶体管基板及其制造方法。本发明的另一个目的是提供一种适合于通过使用半色调掩模和衍射掩模的其中 一种来防止公共电极和形成在数据线下方的沟道层图案之间的短路缺陷的薄膜晶体管基 板及其制造方法。本发明的其它的特征和优点将在随后的描述中详细列出，部分的特征和优点从描 述中将是显而易见的，或者可以从实施例的实施中了解到。通过说明书和权利要求书以及 附图中特别指出的结构，将认识和获得本发明的优点。根据本发明的一个总体方面，一种薄膜晶体管阵列基板包括基板；栅线和数据 线，设置为彼此交叉以在基板上限定像素区；开关元件，设置在栅线和数据线的交叉处；第 二像素电极和第一公共电极，在基板上设置的保护膜上形成的像素区中交替地排列；第二 公共电极，形成为与在栅绝缘膜和保护膜之间的数据线重叠；第一存储电极，形成在基板 上；第二存储电极，形成为与第一存储电极重叠，并与开关元件的漏电极一体地形成；以及 有机绝缘膜，形成在开关元件、第二存储电极、数据线、栅焊盘和数据焊盘的上方，其中所述 第二公共电极形成为覆盖基板上的数据线、保护膜和有机绝缘膜，并具有到达像素区中的 保护膜的倾斜面。根据本发明的一个总体方面的一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法包括提供基 板；在基板上形成第一金属膜，并通过第一掩模工艺将第一金属膜图案化为栅电极、栅线、 第一存储电极和栅焊盘；在基板上顺序地形成栅绝缘膜、半导体层和第二金属膜，并通过第 二掩模工艺由所述第二金属膜和半导体层形成源/漏电极、第二存储电极、数据线和沟道 层；在基板上顺序地形成保护膜和有机绝缘膜，并通过第三掩模工艺将有机绝缘膜图案化 以暴露部分的保护膜；通过使用具有不同氧气含量比的刻蚀气体来顺序地进行用图案化的 有机绝缘膜作为刻蚀掩模的第一和第二刻蚀步骤，以形成保护膜上的像素区、暴露第二存 储电极的第一接触孔和暴露栅焊盘的第二接触孔；以及在基板上形成第三金属膜，并接着 将像素区中的第三金属膜图案化为像素电极和第二公共电极。在本领域的技术人员研究了随后的附图和详细描述之后，将认为其它系统、方法、 特征和优点是显而易见的或变得显而易见。所有这些额外的系统、方法、特征和优点都意在于包括在此描述中，在本发明的范围之内和被随后的权利要求所保护。本节的任何内容都 不会成为对权利要求的限制。下文将结合实施例讨论进一步的方面和优点。应当理解本发 明的所有的前面的概括性描述和随后的详细描述都是示范性和示意性的，意在于对权利要 求所保护的本发明提供进一步的解释。
所包含的用于提供对发明的进一步的理解并引入组成本申请的一部分的附 解了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中图1是表示现有技术的IPS模式IXD中的像素结构的示图。图2是表示沿图1中的线1-1’截取的像素结构的截面图。图3是表示本发明的第一实施例的IXD的像素区的示图。图4A、5A、6A至6C、8A和8B是表示沿图3中的线11-11，和111-111，截取的薄膜 晶体管阵列基板的截面图，用于说明本发明的第一实施例的LCD的制造方法。图4B是表示图4A的薄膜晶体管阵列基板的平面结构的示图。图5B是表示图5A的薄膜晶体管阵列基板的平面结构的示图。图7是表示图6C的薄膜晶体管阵列基板的平面结构的示图。图9至11是表示沿图3中的线V-V’和VI-VI’截取的IXD的截面结构的截面图。图12A和12B是表示沿图3中的线VIII-VIII’截取的IXD的截面结构的截面图。图13A和1 是用于说明将现有技术的刻蚀方法应用于本实施例的接触孔形成工 艺所导致的问题的示图。图14A至14C是用于说明在本实施例的接触孔形成期间的刻蚀工艺的示图。图15至17是表示沿图3中的线11-11’和III-III’截取的薄膜晶体管阵列基板 的截面图，用于说明本发明的第二至第四实施例的IXD制造方法。
具体实施例方式下面将具体地参考本发明的实施例，实施例的例子在附图中示出。下文中引入的 这些实施例被作为例子提供，以将它们的精神传达给本领域的普通技术人员。因此，可以按 照不同的形式实施这些实施例，而并不限制于此处描述的这些实施例。此外，应当理解在实施例中，当提到诸如基板、层、区域、膜或电极的组成部分形成 另一组成部分上或下时，它可以是直接在该另一组成部分上或下，或者可以存在中间的组 成部分(间接地)。组成部分的用语“上”或“下”将根据附图来确定。在附图中，可能会增 大组成部分的大小以将其清楚地表示，但是它们并不代表实际的组成部分大小。图3是表示本发明的第一实施例的IXD的像素区的示图。参见图3，根据本发明的第一实施例的IXD包括通过使栅线215和数据线315交叉 来限定的像素区。薄膜晶体管TFT设置在栅线215和数据线315的交叉处。第一公共线225平行于栅线215地设置在与栅线215相邻的位置上。第一公共线 225也与数据线315交叉。在栅线215与数据线315交叉的区域中，栅线215形成为具有比其它区域中的栅 线宽的宽度。栅线215的加宽的宽度用作薄膜晶体管TFT的栅电极250。因此，栅电极250
6和栅线215 —体地形成。薄膜晶体管TFT配置为包括栅电极250、源电极440、漏电极450 和沟道层(未示出)。第一存储电极22 也形成在像素区中，并与第一公共线225 —体地形成(从第一 公共线225延伸出)。第一存储电极22 的宽度比第一公共线225的宽度宽。第一存储电 极22 与第二存储电极260 —起在像素区中形成存储电容器。第二存储电极260相对第 一存储电极22 形成。第二存储电极260与漏电极450 —体地形成(从漏电极450延伸 出)。在像素区中，第一像素电极240形成为与第一公共线225重叠，多个第二像素电极 730从第一像素电极240延伸向像素区，并与数据线315平行。多个第二像素电极730以固 定的间距设置在像素区中。此外，第二存储电极260通过第一接触孔610电连接到第一像 素电极M0。另外，第二公共线245相对第一公共线225和第一存储电极22 形成在像素区 中。多个第一公共电极740从第二公共线245延伸向像素区，并与数据线315平行。此外， 第一公共电极740与第二像素电极730交替地排列在像素区中。第二公共电极235从第二公共线M5的两端延伸出，以与数据线315重叠。第二 公共电极235阻止背光单元(未示出)的光源产生的并穿过数据线315区域的光所导致的 光泄漏。第二公共电极235还通过第三接触孔630电连接到第一存储电极22fe。因此，通 过第一公共线225和第一存储电极22 ，将公共电压提供给第二公共电极235、第一公共电 极740和第二公共线M5。在第二公共电极235和数据线315之间还插入了有机绝缘膜600。尽管没有在附 图中示出，沟道层图案(参见图5A)在数据线315下方。这是由于在进行第四掩模工艺的 本实施例的方法中将数据线315和半导体层同时图案化而实现的。为了防止第二公共电极235和形成在数据线315下方的沟道层图案之间的短路缺 陷，本实施例的LCD允许在像素区中和数据线315上存在保护膜。为此，在形成接触孔时， 本实施例的方法利用半色调掩模和衍射掩模的其中一种。从栅线215延伸出的栅焊盘210形成在IXD的焊盘区中。栅焊盘接触电极710形 成在栅焊盘210上。栅焊盘接触电极710通过第二接触孔620与栅焊盘210电接触。图4A至8B是说明制造IXD的方法的截面图，表示了沿图3中的线11-11’和 IH-Iir截取的薄膜晶体管阵列基板的截面结构。参见图4A和4B，用溅射法在透明绝缘材料的下基板100上沉积第一金属膜。随 后，在第一掩模工艺中对沉积的金属膜进行刻蚀步骤。在第一掩模工艺中，首先在沉积的金属膜上形成包含感光材料的光刻胶。接下来， 用具有透光区和非透光区的掩模将光刻胶曝光和显影，从而形成光刻胶图案。随后，用光刻 胶图案作为掩模刻蚀沉积的金属膜，以形成栅电极250、第一存储电极22 和栅焊盘210。 同时还形成栅线215和第一公共线225。栅线215与栅电极250 —体地形成。第一公共线 225与第一存储电极22 —体地形成。第一金属膜可以由选自钼Mo、钛Ti、钽Ta、钨W、铜Cu、铬Cr、铝Al、它们的合金和 它们的组合所组成的组中的一种材料形成。尽管如附图中所示金属膜以单层形成，但是在 必要时可以通过堆叠至少两层金属层来形成金属膜。
如图5A和5B所示，在下基板100上形成栅电极250等之后，在具有上述电极250 和22 以及焊盘210的下基板100上顺序地形成栅绝缘膜200、非晶硅膜和掺杂的非晶硅 膜(η+或ρ+)的半导体层以及第二金属膜。第二金属膜可以由选自钼Mo、钛Ti、钽Ta、钨W、铜Cu、铬Cr、铝Al、它们的合金和 它们的组合所组成的组的一种材料形成。诸如ITO(氧化铟锡)的透明导电材料也可以用 作第二金属膜。此外，尽管如附图中所示第二金属膜以单层形成，但是在必要时可以通过堆 叠至少两层金属层来形成第二金属膜。随后，对覆盖有第二金属膜的下基板100进行使用半色调掩模和衍射掩模的其中 一种的第二掩模工艺，以便由第二金属膜形成源/漏电极440和450、第二存储电极260和 数据线315，由半导体层形成沟道层340。尽管没有在附图中示出，但是同时还形成数据焊
ο由于使用半色调掩模或衍射掩模，所以在数据线315下方出现沟道层图案320。如 图5Β所示，在第一存储电极22 和第二存储电极260之间形成存储电容器。接下来，在下 基板100的整个表面上形成保护膜500。参见图6A至6C和图7，如图6A所示，在上面形成有保护膜500的下基板100上 形成有机绝缘膜600。随后，对上面形成了有机绝缘膜600的下基板100进行使用掩模850 的第三掩模工艺，掩模850具有全透光区P1、非透光区P3和半透光区P2。全透光区Pl对 应于基板上的将要形成接触孔的区域，半透光区P2对应于基板上的将要形成像素区的区 域。也就是说，此第三掩模工艺完全除去对应于掩模850的全透光区Pl的有机绝缘膜600 以暴露保护膜500，部分除去对应于掩模850的半透光区P2的有机绝缘膜600以减小保护 膜500的厚度，使对应于掩模850的非透光区P3的保护膜600保持原样(即，不除去)，如 图6B所示。有机绝缘膜600具有比保护膜500低的介电常数。有机绝缘膜600可以具有约 3. 0 4. 0的介电常数。插入在数据线315和随后形成的第二公共电极235(参见图8B) 之间的有机绝缘膜600最好具有约3. 4 3. 8的介电常数。插入在数据线315和随后形成 的第二公共电极235之间的有机绝缘膜600可以具有约3 6 μ m范围的厚度。或者，根据 LCD的驱动频率，有机绝缘膜600可以具有不同厚度。随着驱动频率升高，在数据线315和随后形成在有机绝缘膜600上的第二公共电 极(图3中的23 之间产生的耦合效应导致信号延迟。然而，本实施例的LCD采用低介电 常数的有机绝缘膜600，从而减小了在数据线315和第二公共电极235之间生成的寄生电 容。因此，可以防止信号延迟。更具体地，寄生电容与数据线315和第二公共电极235之间的距离成反比。因此， 数据线315和第二公共电极235之间的有机绝缘膜600的厚度越大，寄生电容越小。这样， 可以减轻数据线315和第二公共电极235之间的耦合效应导致的信号延迟。例如，若将IXD的驱动频率设定为120Hz，则数据线315和第二公共电极235之间 的有机绝缘膜600的厚度可以在约2. 5 3. 5 μ m的范围内。或者当LCD具有240Hz的驱 动频率时，有机绝缘膜600的厚度可以在约5. 5 6. 5 μ m的范围内。这样，由于在设计IXD 时没有将厚度设定为固定值，因此该厚度值可以随着LCD的规格改变。另外，有必要改变第 二公共电极235的位置，以阻止光泄漏并提高像素区的孔径比。这种情况下，有机绝缘膜600可以根据驱动频率变得更薄或更厚。此外，有机绝缘膜600可以由丙烯酸树脂形成。丙烯酸树脂包括光学亚克力，但是 并不限制于此。即，若用于有机绝缘膜600的材料具有低介电常数，有机绝缘膜600就不限 制于光学亚克力。根据本实施例的在IXD制造方法中采用的第三掩模工艺对下基板100进行曝光和 显影步骤。这时，除去对应于全透光区Pl的有机绝缘膜600，以暴露第二存储电极沈0、栅 焊盘210和数据焊盘(未示出)上方的保护膜。部分地除去对应于半透光区P2的有机绝 缘膜600，换言之，使对应于半透光区P2的有机绝缘膜600的厚度减小，从而没有暴露保护 膜500。不除去对应于非透光区P3的有机绝缘膜600。总之，如上参见图6B所述，根据本 实施例的在IXD制造方法中采用的第三掩模工艺对下基板100进行曝光和显影步骤，以完 全或部分地除去有机绝缘膜600。换言之，这时，通过曝光和显影步骤将有机绝缘膜600图 案化。在曝光和显影步骤之后，用图案化的有机绝缘膜600作为掩模进行刻蚀步骤。在刻蚀步骤中，如图6C所示，除去第二存储电极260上方的暴露的保护膜500，以 形成暴露部分的第二存储电极260的第一接触孔610，并除去栅焊盘210上方的暴露的保护 膜500和该暴露的保护膜500下方的栅绝缘膜200，以形成暴露栅焊盘210的第二接触孔 620。类似地，除去在曝光和显影步骤中减小了厚度的有机绝缘膜600，以形成像素区PIX。更具体地，在本实施例的方法中采用的第三掩模工艺通过使用具有不同的氧气含 量比的气体来进行两次刻蚀步骤。这样，接触孔的内侧面光滑地倾斜。下文中将描述所述 两次刻蚀步骤。此外，如图7所示，通过第三掩模工艺形成暴露第一存储电极22 的第三接触孔 630。可以通过刻蚀保护膜500和栅绝缘膜200两者来形成第二接触孔620和第三接触 孔630。为此，可以仅采用在现有技术中的干法刻蚀步骤。这种情况下，在曝光和显影工艺 之后，有机绝缘膜600残留在接触孔中。这样，由于有机绝缘膜600的残留，各个接触孔的 内侧面变得粗糙。另一方面，如上文所述，在本实施例的方法中采用的第三掩模工艺通过使用具有 不同氧气含量比的刻蚀气体来进行两次刻蚀步骤。因此，在接触孔中不会产生这样的锥形 内侧面缺陷。参见图8A和8B，在具有接触孔的下基板100上形成第三金属膜，如实线700所示， 随后在第三金属膜上涂覆光刻胶膜770。接下来，对光刻胶膜770和第三金属膜进行包括曝 光和显影步骤的第四掩模工艺，从而将第三金属膜图案化为第一像素电极M0、第一公共电 极740、第二像素电极730、第二公共电极235和栅焊盘接触电极710。第三金属膜可以由选自钼Mo、钛Ti、钽Ta、钨W、铜Cu、铬Cr、铝Al、它们的合金和 它们的组合所组成的组的一种材料形成。还可以使用诸如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟 锌)的透明导电材料形成第三金属膜。另外，尽管如附图中所示第三金属膜以单层形成，但 是在必要时可以通过堆叠至少两层金属层来形成第三金属膜。第一公共电极740、第二公共电极235和栅焊盘接触电极710可以由不透明金属形 成，第一像素电极240和第二像素电极730可以由透明导电材料形成。这种情况下，进行两次掩模工艺。为了从滤色器阵列基板除去黑矩阵或者减小黑矩阵的宽度，本实施例的LCD中的 第二公共电极235最好由不透明金属形成。与此相比，第一像素电极M0、第一公共电极740、第二像素电极730、第二公共电 极235和栅焊盘接触电极710可以由透明导电材料形成。这种情况下，与数据线315相对 地在滤色器阵列基板上形成黑矩阵。第一像素电极240通过第一接触孔610连接到第二存储电极沈0。第二像素电极 730和第一公共电极740在下基板100的像素区中彼此交替地排列且与数据线315平行。 更具体地，本实施例的IXD允许保护膜500留在像素区中。因此，第二像素电极730和第一 公共电极740形成在保护膜500上。第二公共电极235形成为覆盖数据线315。换言之，第二公共电极235形成在覆盖 数据线315的有机绝缘膜600的表面上，即形成在数据线315上方的有机绝缘膜600的水 平表面上和数据线315两侧的保护膜500的倾斜侧面上。这是由于除去了保护膜时，在第 二公共电极235的形成期间，存在于数据线315下方的沟道层图案320的侧面可能与第二 公共电极235短路。本实施例的方法允许像素区上的保护膜500不被除去，因而防止了第 二公共电极235与数据线315和沟道层图案320的其中之一之间的短路效应。此外，这样的第二公共电极235屏蔽了在数据线315和第二像素电极730之间形 成的电场。这样，可以阻止沿着数据线315导致的光泄漏。另外，由于有机绝缘膜600由具有比保护膜500低的介电常数的材料形成，于是可 以减小在第二公共电极235和数据线315之间生成的寄生电容。因此，可以减轻耦合效应 导致的信号延迟。栅焊盘接触电极710通过第二接触孔620电连接到栅焊盘210。尽管没有在附图 中示出，但是在数据焊盘区中的数据焊盘接触电极电连接到数据焊盘。图9至11是表示沿图3中的线IV-IV’、V_V’和VI-VI’截取的IXD的截面结构的 截面图。本实施例的IXD可以配置为包括两种类型的衬垫料。一种类型的衬垫料是恒定地 保持滤色器阵列基板和薄膜晶体管阵列基板之间的盒间隙的间隙纵向衬垫料，另一种类型 的衬垫料是防止外部按压造成间隙纵向衬垫料的损害的接触纵向衬垫料。间隙纵向衬垫料 已经应用于现有技术的LCD。因此，本实施例的描述将围绕与间隙纵向衬垫料一起形成的接 触纵向衬垫料来进行。图9至11示出了接触纵向衬垫料400。由于衬垫料的位置并不被限制，所以可以 随意改变间隙纵向衬垫料(未示出)和接触纵向衬垫料的位置。当IXD的显示区被外力按压时，本实施例的IXD中采用的接触纵向衬垫料400分 散了间隙纵向衬垫料的可承受的压力。若LCD配置为仅包括间隙纵向衬垫料，则间隙纵向 衬垫料会破损或丧失它的恢复能力。然而，当LCD的部分的显示区被大于预定压力的外力 按压时，接触纵向衬垫料400与间隙纵向衬垫料一起保持LCD的盒间隙。图9示出的接触纵向衬垫料400与存储电容器对应地设置。参见图3和图9，第 一存储电极22 和第一公共电极225 —体地形成在下基板100上。另外，在第一存储电极 225a上顺序地形成栅绝缘膜200、保护膜500、有机绝缘膜600和第二存储电极沈0。
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另一方面，在与下基板100相对的滤色器阵列基板的上基板300上顺序地形成黑 矩阵350和外敷层371。另外，与下基板100上的第二存储电极260相对地在外敷层371上 形成接触纵向衬垫料400。此外，与接触纵向衬垫料400相对地在有机绝缘膜600上形成凹口 G。可以通过完 全或部分地除去第二存储电极260上的有机绝缘膜600来形成凹口 G。参见图3、10和11，与栅线215相对地在上基板300的外敷层371上形成另一接触 纵向衬垫料400 (图10)，与数据线315相对地在上基板300的外敷层371上形成再一接触 纵向衬垫料400(图11)。在图10中，通过完全除去保护膜500上的有机绝缘膜600，与另 一衬垫料400相对地在栅线215上方形成另一凹口 G。这样，该另一凹口 G暴露了保护膜 500。或者，可以按照小于在该另一凹口 G附近的其它区域中的有机绝缘膜600的厚度在该 另一凹口 G中保留有机绝缘膜600。类似地，通过除去在保护膜500上与再一衬垫料400相对的有机绝缘膜600，与该 再一衬垫料400相对地在数据线315上方形成再一凹口 G(图11)。随后，在有机绝缘膜 600、该再一凹口 G的内侧面和暴露的保护膜500上形成第二公共电极235。或者，可以按照 小于再一凹口 G附近的其它区域中的有机绝缘膜600的厚度的厚度在该再一凹口 G中保留 有机绝缘膜600。若配置为包括接触纵向衬垫料400和间隙纵向衬垫料的IXD的部分的显示区被按 压，则间隙纵向衬垫料承受压力以保持盒间隙直至接触纵向衬垫料400与凹口 G的底面接 触为止。当接触纵向衬垫料400与凹口 G的底面接触时，间隙纵向衬垫料501与接触纵向 衬垫料400 —起保持盒间隙。即，根据按压在部分的显示区上的力的强度，本实施例的LCD 仅允许间隙纵向衬垫料或允许间隙纵向衬垫料和接触纵向衬垫料两者保持盒间隙。图12A和12B是表示沿图3中的线VII-VII，截取的IXD的截面结构的截面图。参见图12A和12B，示出了数据线315区域中的根据本实施例的薄膜晶体管阵列基 板和滤色器阵列基板的结构。沟道层图案320和数据线315顺序地形成在下基板100的栅绝缘膜200上。另外， 保护膜500和有机绝缘膜600顺序地形成在数据线315上。此外，第二公共电极235形成 在有机绝缘膜600上以覆盖数据线315。即，第二公共电极235形成为将有机绝缘膜600和 到达保护膜500的有机绝缘膜600的两侧边缘的部分包围。这种第二公共电极235由不透明金属形成。这样，第二公共电极235遮蔽了从下 基板100的背面进入的光。第二公共电极235可以由选自钼Mo、钛Ti、钽Ta、钨W、铜Cu、铬 Cr、铝Al、它们的合金和它们的组合所组成的组中的一种材料形成。另外，还可以将与第二公共电极235相对地在滤色器阵列基板上形成的黑矩阵 350的宽度减小到比现有技术中的宽度小。黑矩阵350形成为具有在第二公共电极235和 数据线315的宽度之间的范围内的宽度。例如，黑矩阵350可以具有约6 16 μ m范围内 的宽度。这样，上述宽度减小的黑矩阵350允许形成具有较大面积(S卩，增大的尺寸)的红 色(R)滤色器层303a、绿色(G)滤色器层30 和蓝色(B)滤色器层(未示出)。因此，可 以提高IXD的孔径比。图12B示出了完全除去了黑矩阵的滤色器阵列基板。这种情况下，在薄膜晶体管阵列基板上的第二公共电极235用作黑矩阵。由于从LCD (即，滤色器阵列基板)除去了黑 矩阵，图12B所示的IXD可以具有比图12A所示的IXD大的孔径比。图13A和1 是用于说明将现有技术的刻蚀方法应用到本实施例的接触孔形成工 艺所导致的问题的示图。如图13A和1 所示，本实施例的薄膜晶体管阵列基板配置为包括在下基板100 的栅焊盘区中形成的栅焊盘210。薄膜晶体管阵列基板进一步配置为包括在栅焊盘210上 顺序形成的栅绝缘膜200、保护膜500和有机绝缘膜600。为了暴露栅焊盘210，可以采用现有技术的干法刻蚀工艺。这种情况下，在曝光和 显影工艺之后，在孔中残留了有机绝缘膜600。因此，由于有机绝缘膜600的残留，孔的内侧 面变得粗糙。如图13A所示，孔中残留的有机绝缘膜600迫使底切结构在有机绝缘膜600的下 部中形成。即，在有机绝缘膜600、保护膜500和栅绝缘膜200之间产生台阶覆盖。如图1 所示，在孔中产生的台阶覆盖在随后形成的金属膜470中造成断裂。事 实上，在接触孔的内侧壁上形成的台阶覆盖会在本实施例的在栅焊盘区中形成的栅焊盘接 触电极中造成电学断裂。金属膜470可以具有至少堆叠两层金属层的结构。为了解决此问题，在形成接触孔时，本实施例改变刻蚀气体的含量比并进行两次 刻蚀工艺。图14A至14C是用于说明在本实施例的接触孔形成期间的刻蚀工艺的示图。该刻 蚀工艺可以不经改动地应用于图6A至7所示的第三掩模工艺。如图14A至14C所示，在下基板100上形成栅焊盘210。随后，在栅焊盘210上顺 序地形成栅绝缘膜200、保护膜500和有机绝缘膜600。在进行第一刻蚀工艺之前，用掩模工艺来图案化有机绝缘膜600，图案化的有机绝 缘膜将用作第一刻蚀工艺中的掩模。在第一刻蚀工艺中使用的SF6与A的刻蚀气体流量比 可以在约1 2.0 1 3.0的范围内。最好使SF6与O2的刻蚀气体具有约1 2.5的流 量比。例如，若SF6对应于4000，则O2在约10000 12000的范围内。接着，改变SF6与O2的刻蚀气体流量比并随后进行第二刻蚀工艺。这时，SF6与 O2的流量比可以在约1 2.4 1 3.0的范围内。最好将SF6与O2的流量比设定为约 1 · 2 · 5 ο换言之，若在第一和第二刻蚀工艺期间增加A的含量，则改善了接触孔中的内侧 面的粗糙度。这里，最好使进行第二刻蚀的时间等于或短于进行第一刻蚀的时间。如图14B所示，用于栅焊盘210的接触孔的第一倾斜面Sl和第二倾斜面S2以光 滑的表面形成。这样，在有机绝缘膜600、保护膜500和栅绝缘膜200之间不会产生台阶覆
至
ΓΤΠ ο此外，如图14C所示，尽管在下基板100上形成了金属膜470，但是用于栅焊盘210 的接触孔内的金属膜470中不会产生断裂。这样，本实施例的第三掩模工艺以两个步骤进行刻蚀工艺。于是，消除了接触孔的 内侧面上的台阶覆盖。图15至17是表示沿图3中的线11-11’和III-III’截取的薄膜晶体管阵列基板 的截面图，用于说明本发明的第二至第四实施例的IXD制造方法。
尽管第二至第四实施例的方法制造的薄膜晶体管阵列基板具有局部不同于第一 实施例的方法制造的薄膜晶体管阵列基板的结构，但是也可以用与图4A至8B中所示的第 一实施例相同的方式来进行第二至第四实施例的方法。因此，现在将围绕与图4A至图8B 中示出的结构不同的部分来描述第二至第四实施例的方法。第二至第四实施例的方法也将 对与图4A至图8B中示出的部件相同的部件引用相同的标识数字。第二至第四实施例的方法允许更改非显示区中的结构，根据第一实施例的方法在 该非显示区上形成数据焊盘和栅焊盘。参见图3和图16，第二实施例的方法允许在被栅焊盘210覆盖的区域中形成的有 机绝缘图案600a具有与在数据线315上方形成的有机绝缘膜600不同的厚度。尽管没有在附图中示出，但是还以与栅焊盘210和薄膜晶体管的区域中的相同的 方式在数据焊盘区域中形成有机绝缘膜图案。换言之，在被数据焊盘和栅焊盘210覆盖的 非显示区中的有机绝缘膜图案600a具有比与数据线315重叠的有机绝缘膜600薄的厚度。 可以通过使用半色调掩模和衍射掩模的其中一种来形成接触孔的第三掩模工艺实现具有 较薄厚度的有机绝缘膜图案600a。这样，由于有机绝缘膜600比保护膜500和栅绝缘膜200厚的原因，实现了在焊盘 区中的有机绝缘膜图案600a的较低高度。若在显示区和非显示区两者中都以相同高度形 成有机绝缘膜图案600a，会产生与外部驱动集成电路的终端的接触缺陷。因此，具有焊盘区中的较低高度的有机绝缘膜的LCD可以与外部驱动集成电路的 终端轻易地电接触。如图16所示，第三实施例的方法实现了具有从栅焊盘区和数据焊盘区完全除去 有机绝缘膜图案600a的结构的薄膜晶体管阵列基板。这样，在保护膜500上形成栅焊盘接 触电极710时，栅焊盘接触电极710电连接到栅焊盘210。类似地，在保护膜500上形成数 据焊盘接触电极(未示出)时，数据焊盘接触电极电连接到数据焊盘(未示出)。第四实施例的方法实现了具有从栅焊盘区完全地除去有机绝缘膜图案600a、保护 膜500和栅绝缘膜200的结构的薄膜晶体管阵列基板。类似地，从数据焊盘区完全地除去有 机绝缘图案600a和保护膜500。这种情况下，保留数据焊盘下方的栅绝缘膜200。此外，除 去栅焊盘之间和数据焊盘之间的所有的有机绝缘膜图案600a、保护膜500和栅绝缘膜200， 从而在数据焊盘之间和栅焊盘之间暴露下基板100的表面。随后，在栅焊盘210和下基板100上直接形成栅焊盘接触电极710。另外，栅焊盘 接触电极710还完全地覆盖栅焊盘210。这样，根据这些实施例的方法不需要附加的掩模工艺就能在LCD的焊盘区中形成 多种结构。如上文所述，尽管主要说明了在保护膜上形成的公共电极和像素电极，但是像素 电极可以设置在保护膜和栅绝缘膜之间或基板上。另外，像素电极按照条状形成，但是并不 限制于此。换言之，像素电极可以按照平板状形成。这种情况下，具有平板状的像素电极由 透明导电材料形成。尽管参考多个示例性的实施例描述了实施例，但是应当理解本领域的技术人员可 以在本发明的原理的精神和范围内设计出多种其它改进和实施例。更特别地，在本发明、附 图和所附权利要求的范围内，可以对组成部分和/或主题组合安排进行多种改变和变型。
13除了对组成部分和/或安排的改变和变型，替代使用对本领域的技术人员来说也将是显而 易见的。
权利要求
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括 基板；栅线和数据线，设置为彼此交叉以在所述基板上限定像素区； 开关元件，设置在所述栅线和所述数据线的交叉处；第二像素电极和第一公共电极，在所述基板上设置的保护膜上形成的所述像素区中交 替地排列；第二公共电极，形成为与在栅绝缘膜和所述保护膜之间的所述数据线重叠； 第一存储电极，形成在所述基板上；第二存储电极，形成为与所述第一存储电极重叠，并与所述开关元件的漏电极一体地 形成；以及有机绝缘膜，形成在所述开关元件、所述第二存储电极、所述数据线、栅焊盘和数据焊 盘的上方，其中所述第二公共电极形成为覆盖所述数据线、所述保护膜和所述有机绝缘膜，并具 有到达所述像素区中的保护膜的倾斜面。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中在所述栅焊盘和数据焊盘上方形 成的有机绝缘膜的厚度小于在所述开关元件、所述第二存储电极和所述数据线上方形成的 有机绝缘膜的厚度。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二公共电极由不透明金属 形成。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中在所述薄膜晶体管阵列基板的驱 动频率为120Hz时，所述数据线和所述第二公共电极之间的有机绝缘膜的厚度在约2. 5 3. 5μπι的范围内。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中在所述薄膜晶体管阵列基板的驱 动频率为240Hz时，所述数据线和所述第二公共电极之间的有机绝缘膜的厚度在约5. 5 6. 5μπι的范围内。
6.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，包括 提供基板；在所述基板上形成第一金属膜，并通过第一掩模工艺将所述第一金属膜图案化为栅电 极、栅线、第一存储电极和栅焊盘；在所述基板上顺序地形成栅绝缘膜、半导体层和第二金属膜，并通过第二掩模工艺由 所述第二金属膜和所述半导体层形成源/漏电极、第二存储电极、数据线、沟道层和数据焊 盘；在所述基板上顺序地形成保护膜和有机绝缘膜，并通过第三掩模工艺将所述有机绝缘 膜图案化以暴露部分的保护膜；通过使用具有不同氧气含量比的刻蚀气体来顺序地进行用图案化的有机绝缘膜作为 刻蚀掩模的第一和第二刻蚀步骤，以形成所述保护膜上的像素区、暴露所述第二存储电极 的第一接触孔和暴露所述栅焊盘的第二接触孔；以及在所述基板上形成第三金属膜，并接着将所述像素区中的第三金属膜图案化为像素电 极和第二公共电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三掩模工艺使用半色调掩模和衍射掩模的 其中一种，并使所述栅焊盘和所述数据焊盘上方的有机绝缘膜具有比所述源/漏电极、所 述第二存储电极和所述数据线上方的有机绝缘膜薄小的厚度。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三掩模工艺使用半色调掩模和衍射掩模的 其中一种，并能够完全地除去所述栅焊盘和所述数据焊盘上方的有机绝缘膜。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三掩模工艺使用半色调掩模和衍射掩模的 其中一种，并能够完全地除去所述栅焊盘和所述数据焊盘上方的有机绝缘膜、保护膜和栅 绝缘膜。
10.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一刻蚀步骤使用的刻蚀气体包括具有在 约1 2. 0 1 3.0范围内的流量比的SF6与02。
11.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二刻蚀步骤使用的刻蚀气体包括具有在 约1 2.4 1 3.0范围内的流量比的SF6与02。
12.根据权利要求6所述的方法，其中通过所述第三掩模工艺形成的所述第一接触孔 和第二接触孔的内侧面是光滑的。
全文摘要
公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列基板包括基板；栅线和数据线，设置为彼此交叉以在基板上限定像素区；开关元件，设置在栅线和数据线的交叉处；第二像素电极和第一公共电极，在基板上设置的保护膜上形成的像素区中交替地排列；第二公共电极，形成为与插入在栅绝缘膜和保护膜之间的数据线重叠；第一存储电极，形成在基板上；第二存储电极，形成为与第一存储电极重叠，并与开关元件的漏电极一体地形成；以及有机绝缘膜，形成在开关元件、第二存储电极、数据线、栅焊盘和数据焊盘的上方。所述第二公共电极形成为覆盖数据线、保护膜和有机绝缘膜，并具有到达像素区中的保护膜的倾斜面。
文档编号G02F1/1362GK102116980SQ20101025481
公开日2011年7月6日 申请日期2010年8月13日 优先权日2009年12月31日
发明者张真稀, 赵兴烈 申请人:乐金显示有限公司