专利名称：一种光致抗蚀剂的剥离液组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，尤其适用于封装基板的厚度为 100 μ m以上的光致抗蚀剂膜的剥离，也适用于PCB等的光致抗蚀剂膜的剥离。
背景技术：
在PCB、FPC、TFT、IXD的制程中，线路图形的转移时必须的步骤。在实现线路图形转移，光致抗蚀剂的使用起着至关重要的作用。在“成像”完成后，光致抗蚀剂膜能否顺利完全去除，直接影响着蚀刻等后工序。常用的光致抗蚀剂膜的厚度为30 μπκ40 μ m。封装基板制程中还采用厚度为100ιι、120μπι的光致抗蚀剂膜。对于薄干膜的剥离，中国专利 CN1428659A中提出季铵氢氧化物、水溶性胺、水溶性有机溶剂组合物剥离光致抗蚀剂膜。中国专利CN101692155A提出了一种包含环胺或/和二胺、乙二醇醚类、极性溶剂的光致抗蚀剂膜剥离组合物。另外，中国专利CN101544932A中提出了含有羟胺、溶剂、胺的光致抗蚀剂膜剥离组合物。对于大于100 μ m的厚干膜，用现有的剥离方法，在较低温度(40-50°C)、较短时间(30min以内)难以完全退除干净。虽然通过延长接触时间，提高工作温度，或者增加溶液的攻击性可以使剥离效果得到改善，但是也带来新问题，如生产效率降低，设备负荷增加，基材腐蚀加重。
发明内容
本发明提供一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，尤其适用于封装基板的厚度为 100 μ m以上的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。本发明的技术方案如下一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包含(1)无机碱，含量为 Iwt % -25wt% ；(2)氨水或/和至少一种铵盐，含量为0. l-30wt% ；(3)防腐蚀剂，含量为0. l-15wt% ；(4)余量为水。上述的无机碱优选氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂中的一种或两种，实际上，一般常用的无机碱均能够应用于本发明。上述的铵盐优选硫酸铵、硫酸氢胺、亚硫酸铵、亚硫酸氢铵、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、氟化铵、磷酸铵、氨基磺酸铵、甲酸铵、乙酸铵、草酸铵、柠檬酸铵、苯甲酸铵、二硫代氨基甲酸铵中的一种或两种。实际上，一般常用的铵盐均能够应用于本发明。上述的防腐蚀剂优选芳香族羟基化合物或/和唑类化合物中的至少一种。上述芳香族羟基化合物优选没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种，唑类化合物选择三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。实际上，一般常用的芳香族羟基化合物和唑类化合物均能够应用于本发明。本发明的剥离液组合物的较佳的配方为(1)无机碱，含量为5_20wt% ；(2)氨水或/和至少一种铵盐，含量为l_25wt% ；(3)防腐蚀剂，含量为0. 3-10wt ；(4)余量为水。 本发明的剥离液组合物的更佳的配方为(1)无机碱，含量为8_l5wt% ；(2)氨水或/和至少一种铵盐，含量为5_20wt% ；(3)防腐蚀剂，含量为0. 5-8wt% ；(4)余量为水。本发明光致抗蚀剂的剥离液组合物，用于封装基板的光致抗蚀剂膜的剥离。本发明光致抗蚀剂的剥离液组合物，用于PCB、FPC、TFT、IXD的光致抗蚀剂膜的剥罔。本发明具有以下优点1、对于厚度为100 μ m以上的光致抗蚀剂膜的剥离效果优秀。2、实施温度低(40_50°C )、时间短(< 30min)。3、低成本，使用条件简单，通过优化工艺，可达到成本最少化。4、不含挥发性有机化合物，环境友好。
具体实施例方式本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物是含有无机碱、氨水和铵盐的至少一种、防腐蚀剂以及水的组合物。本发明中所述的无机碱包括氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂中的1种或2种。所述无机碱的含量为Iwt % -25wt% .，优选5-20wt%，更优选8-15wt% .浓度小于Iwt %时，起不到有效剥离光致抗蚀剂膜的作用；大于25wt%时，会使基材腐蚀加重。本发明中所述的氨水或/和铵盐起协同剥离光致抗蚀剂膜的作用。铵盐选自硫酸铵、硫酸氢胺、亚硫酸铵、亚硫酸氢铵、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、氟化铵、 磷酸铵、氨基磺酸铵、甲酸铵、乙酸铵、草酸铵、柠檬酸铵、苯甲酸铵、二硫代氨基甲酸铵中的 1种或2种。所述氨水或/和铵盐的含量为0. l-30wt%，优选l-25wt%，更优选5-20wt%. 浓度小于0. 时，起不到协同攻击光致抗蚀剂膜的作用；大于30wt%时，对基材的攻击腐蚀加重。本发明中所述的防腐蚀剂包括芳香族羟基化合物和唑类化合物中的至少一种。芳香族羟基化合物具体例有没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种。唑类化合物具体例有三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。 所述的防腐蚀剂含量0. l-15wt%，优选0. 3-10wt%，更优选0. 5-8wt% .浓度小于0.
时，得不到充分的防止基材金属被腐蚀的作用；大于15%时，降低光致抗蚀剂膜层的剥离速率。本发明中的水是包括自来水、离子交换水、纯水、超纯水，含量为50_90wt% .含量小于50%时，组合物对铜层腐蚀加重；含量大于90%时，剥离能力降低。为使本发明的剥离液达到最佳剥离效果，氨水或/和铵盐优选现场自动添加。即将除了氨水或/和铵盐以外的各组分配成工作液，氨水或/和铵盐配成所需浓度，通过现场自动添加系统进行添加。本发明所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，使用温度无特别限定，优选40-50°C，低于40°C时，光致抗蚀剂膜层剥离速率慢，生产时间上是不经济的；高于50°C时，虽然光致抗蚀剂膜层剥离速率增大，但组分挥发量增大，对体系的稳定性不利，同时会增加设备负荷。以下的本发明实施例，用于对本发明进行进一步说明，但本发明并不限于以下实施例。用作测试的板大小为5 X 5cm，光致抗蚀剂层厚为120 μ m.配制500mL剥离液，水浴 40-50°C，搅拌条件下，把测试板浸于剥离液液中30分钟。取出，水洗，干燥，显微镜下观察剥离效果，氧化程度，基材腐蚀程度。表1光致抗蚀剂剥离液组合物(wt % )
权利要求
1.一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于包含(1)无机碱，含量为Iwt%-25wt% ；(2)氨水或/和至少一种铵盐，含量为0.l-30wt% ；(3)防腐蚀剂，含量为0.l-15wt% ；(4)余量为水。
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于所述的无机碱包括氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂中的一种或两种。
3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于所述的铵盐包括硫酸铵、硫酸氢胺、亚硫酸铵、亚硫酸氢铵、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、氟化铵、磷酸铵、氨基磺酸铵、甲酸铵、乙酸铵、草酸铵、柠檬酸铵、苯甲酸铵、二硫代氨基甲酸铵中的一种或两种。
4.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于所述的防腐蚀剂包括芳香族羟基化合物或/和唑类化合物中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于所述芳香族羟基化合物选择没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种，唑类化合物选择三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。
6.根据权利要求1至5任一所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于(1)无机碱，含量为5-20wt% ；(2)氨水或/和至少一种铵盐，含量为l_25wt%；(3)防腐蚀剂，含量为0.3-10wt ；(4)余量为水。
7.根据权利要求6所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于(1)无机碱，含量为8-15wt%；(2)氨水或/和至少一种铵盐，含量为5-20wt%；(3)防腐蚀剂，含量为0.5-8wt% ；(4)余量为水。
8.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，用于封装基板的光致抗蚀剂膜的剥离。
9.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，用于PCB、FPC、TFT、LCD的光致抗蚀剂膜的剥离。
全文摘要
本发明提供一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包含无机碱、铵盐、防腐蚀剂和水。本发明的剥离液尤其适用于厚度为100μm以上的厚干膜的剥离，可以在较低温度(40-50℃)、较短时间(＜30min)条件下，完全剥离厚干膜。低成本，使用条件简单，不含挥发性有机化合物，环境友好。
文档编号G03F7/42GK102221791SQ201110109548
公开日2011年10月19日 申请日期2011年4月29日 优先权日2011年4月29日
发明者常积东, 张军, 李承孝 申请人:西安东旺精细化学有限公司