专利名称：一种光致抗蚀剂的剥离液组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，特别适用于封装基板的厚度为 100 μ m以上的光致抗蚀剂膜的剥离，也适用于PCB的光致抗蚀剂膜的剥离。
背景技术：
封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化， 缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。封装基板制程中所用光致抗蚀剂膜的厚度(100u、120ym)，比较在PCB、FPC、TFT、LCD中所常用的光致抗蚀剂膜的厚度(30μπι、40μπι)增加很多。对于薄干膜的剥离，中国专利CN1^8659A 中提出季铵氢氧化物、水溶性胺、水溶性有机溶剂组合物剥离光致抗蚀剂膜。中国专利 CN101692155A提出了一种包含环胺或/和二胺、乙二醇醚类、极性溶剂的光致抗蚀剂膜剥离组合物。另外，中国专利CN101544932A中提出了含有羟胺、溶剂、胺的光致抗蚀剂膜剥离组合物。对于大于100 μ m的厚干膜，用现有的剥离方法，在较低温度G5-55°C)、较短时间 (30min以内)难以完全退除干净。虽然通过延长接触时间，提高工作温度，或者增加溶液的攻击性可以使剥离效果得到改善，但是也带来新问题，如生产效率降低，设备负荷增加，基材腐蚀加重。
发明内容
本发明提供一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，特别适用于封装基板的厚度为 100 μ m以上的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。本发明的技术方案如下一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包含(1)无机碱，含量为 0. l-35wt% ；(2)有机碱，含量为 0. 01-50wt% ；(3)水溶性有机溶剂，含量为l-60Wt% ；(4)防腐蚀剂，含量为0. 05-15wt% ；(5)余量为水。上述的无机碱与有机碱的质量配比一般确定为无机碱有机碱=1 30 30 1。上述的无机碱优选氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂中的一种或两种。实际上，一般常用的无机碱均能够应用于本发明。上述的有机碱优选烷醇胺或/和季胺碱中的至少一种。实际上，一般常用的有机碱均能够应用于本发明。上述的水溶性有机溶剂优选N-甲基吡咯烷酮、N，N- 二甲基甲酰胺、N, N- 二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、烷基醇醚中的一种或两种以上任意混合。实际上，一般常用的有机溶剂均能够应用于本发明。上述的防腐蚀剂优选芳香族羟基化合物或/和唑类化合物中的至少一种。实际上，一般常用的有机溶剂均能够应用于本发明。上述芳香族羟基化合物优选没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种；唑类化合物优选三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。本发明的剥离液组合物的较佳的配方为(1)无机碱，含量为 0. 5-20wt% ；(2)有机碱，含量为 0. l-30wt% ；(3)水溶性有机溶剂，含量为5-40Wt% ；(4)防腐蚀剂，含量为0. l-10wt% ；(5)余量为水。本发明的剥离液组合物的更佳的配方为(1)无机碱，含量为l_10wt% ；(2)有机碱，含量为l_20wt% ；(3)水溶性有机溶剂，含量为10-25Wt% ；(4)防腐蚀剂，含量为0. 5-8wt% ；(5)余量为水。本发明光致抗蚀剂的剥离液组合物，用于封装基板的光致抗蚀剂膜的剥离，也用于PCB、FPC、TFT、LCD的光致抗蚀剂膜的剥离。本发明具有以下优点1、对于厚度为100 μ m以上的光致抗蚀剂膜的剥离效果优秀。2、实施温度低(45-550C )、时间短(< 30min)。3、水要求低，含量范围宽，使用条件简单，通过优化工艺，可达到成本最少化。4、体系低泡性，无须添加消泡剂，因此，板面无硅斑、凝胶缺陷。
具体实施例方式本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物是含有无机碱、有机碱、水溶性有机溶剂、防腐蚀剂以及水的组合物。本发明中所述的无机碱包括氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂中的1种或2种。所述无机碱的含量为0. lwt%-35wt%.，优选0. 5-20wt%，更优选I-IOwt % .浓度小于0. Iwt % 时，起不到协同攻击光致抗蚀剂膜的作用；大于35wt%时，会使基材腐蚀加重。本发明中所述的有机碱包括烷醇胺、季胺碱中的至少一种。作为烷醇胺的具体例， 可以选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2-氨基甲氧基)乙醇、2-(2-乙氧基)乙醇、 N-甲基乙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、 N-丁基乙醇胺、单异丙基醇胺、二异丙基醇胺、三异丙基醇胺中的1种或2种。作为季胺碱的具体例，可以选自氢氧化四甲基铵、氢氧化三甲基乙基铵、氢氧化二甲基二乙基铵、氢氧化四丁基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化甲基三丁基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三甲基铵中的 1种或2种。所述有机碱的含量为0. 01-50wt%，优选0. l-30wt%，更优选l_20wt% .浓度小于0. 01wt%时，起不到协同攻击光致抗蚀剂膜的作用；大于30wt%时，对基材的攻击腐蚀加重。本发明中所述的水溶性有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N， N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、烷基醇醚中的至少一种。作为烷基醇醚的具体例，可以选自乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、 丙二醇一甲基醚、二乙二醇一甲基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇一丙基醚、二乙二醇一丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇甲乙醚、二丙二醇一甲基醚、二丙二醇一丙基醚、二丙二醇一丁基醚中的1种或2种以上。所述水溶性有机溶剂含量为为 l-60wt %，优选5-40wt %，更优选10-25wt % .浓度小于Iwt %时，起不到改善溶解光致抗蚀剂膜的作用；大于60wt%时，得不到更好的改善溶解膜层的效果。本发明中所述的防腐蚀剂包括芳香族羟基化合物和唑类化合物中的至少一种。芳香族羟基化合物具体例有没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种。唑类化合物具体例有三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。 所述的防腐蚀剂含量0.05-15wt%，优选0. I-IOwt %，更优选0. 5-8wt% ·浓度小于0.05% 时，得不到充分的防止基材金属被腐蚀的作用；大于15%时，降低光致抗蚀剂膜层的剥离速率。本发明中水是包括自来水、离子交换水、纯水、超纯水，含量为5-85wt% .含量小于5%时，组合物剥离能力降低；含量大于85%时，剥离能力降低，同时对铜层腐蚀加重。本发明所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，使用温度无特别限定，优选45-55°C，低于45°C时，光致抗蚀剂膜层剥离速率慢，生产时间上是不经济的；高于55°C时，虽然光致抗蚀剂膜层剥离速率增大，但组分挥发量增大，对体系的稳定性不利，同时会增加设备负荷。以下的本发明实施例，用于对本发明进行进一步说明，但本发明并不限于以下实施例。用作测试的板大小为5 X 5cm，光致抗蚀剂层厚为120 μ m.配制500mL剥离液，水浴 55-65°C，搅拌条件下，把测试板浸于剥离液液中30分钟。取出，水洗，干燥，显微镜下观察剥离效果，氧化程度，基材腐蚀程度。表1光致抗蚀剂剥离液组合物(wt % )
权利要求
1.一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于包含(1)无机碱，含量为0.l"35wt% ；(2)有机碱，含量为0.01-50wt% ；(3)水溶性有机溶剂，含量为l-60wt%；(4)防腐蚀剂，含量为0.05-15wt%；(5)余量为水。
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于，所述的无机碱与有机碱的质量配比为无机碱有机碱=1 30 30 1。
3.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于所述的无机碱包括氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂中的一种或两种。
4 根据权利要求2所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于所述的有机碱包括烷醇胺或/和季胺碱中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于所述的水溶性有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、烷基醇醚中的一种或两种以上任意混合。
6.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于所述的防腐蚀剂包括芳香族羟基化合物或/和唑类化合物中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于所述芳香族羟基化合物包括没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种；唑类化合物包括三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。
8.根据权利要求1至7任一所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于(1)无机碱，含量为0. 5-20wt% ；(2)有机碱，含量为0.l-30wt% ；(3)水溶性有机溶剂，含量为5-40wt%；(4)防腐蚀剂，含量为0.I-IOwt% ；(5)余量为水。
9.根据权利要求8所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于(1)无机碱，含量为I-IOwt%；(2)有机碱，含量为l-20wt%；(3)水溶性有机溶剂，含量为10-25wt%；(4)防腐蚀剂，含量为0.5-8wt%；(5)余量为水。
10.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂的剥离液组合物，用于封装基板的光致抗蚀剂膜的剥离，也用于PCB、FPC、TFT、IXD的光致抗蚀剂膜的剥离。
全文摘要
本发明提供一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包括无机碱、有机碱、水溶性有机溶剂、防腐蚀剂和水。无机碱和有机碱的质量配比为，无机碱∶有机碱＝1∶30～30∶1。本发明的剥离液尤其适用于厚度为100μm以上的厚干膜的剥离，可以在较低温度(45-55℃)、较短时间(＜30min)条件下，完全剥离厚干膜。
文档编号G03F7/42GK102163011SQ20111010968
公开日2011年8月24日 申请日期2011年4月29日 优先权日2011年4月29日
发明者常积东, 张军, 李承孝 申请人:西安东旺精细化学有限公司