专利名称：反射型液晶显示器的反射层的制造方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种反射型液晶显示器的反射层的制造方法。
背景技术：
目前，在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,TFT-IXD)具有体积小、功耗低、制造成本低以及无福射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。其中，薄膜晶体管液晶显示器通过几伏的有效电压驱动液晶分子，以使其作为光开关，改变光透射率而显示信息。由于液晶分子本身并不能发光，因此需要独立的光源，在液晶显示器上设置一反射镜，以使得液晶显示器通过反射镜使用环境光作为光源，该液晶显示器为反射型液晶显示器。此外，反射型液晶显示器利用液晶的特性来省去背光源，进而降低功耗。现有技术中反射型液晶显示器的反射层采用生长高 反射的薄膜的方法来提高光的反射率，存在工艺流程多、反射率低以及成本高的问题。因此，需要提供一种反射型液晶显示器的反射层的制造方法。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种反射型液晶显示器的反射层的制造方法，以形成高效的漫反射层。为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种反射型液晶显示器的反射层的制造方法，其包括提供一基板，基板包括反射区域和非反射区域；利用光阻覆盖基板上的非反射区域；将基板置于溅射腔体内，在基板上的反射区域沉积反射金属层；在溅射腔体内通入反应气体，并且利用射频磁控溅射轰击反射金属层表面，使得反射金属层表面与反应气体反应产生金属化合物，以形成反射层。其中，反射金属层为Al-Ni合金层。其中，反应气体为N2，金属化合物为A1N。其中，反应气体为O2，金属化合物为Al2O3。其中，反应气体为Ar和N2的混合气体或O2和N2的混合气体，其中，Ar和N2的混合气体中Ar和N2的比例范围为0. 1-10，O2和N2的混合气体中O2和N2的比例范围为O.1-10。为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是提供一种反射型液晶显示器的反射层的制造方法，其包括提供一基板，基板包括反射区域和非反射区域；利用光阻覆盖基板上的非反射区域；将基板置于溅射腔体内，在基板上的反射区域沉积电极金属层；向腔体内通入反应气体，并且沉积反射层金属，使得反射层金属在沉积到电极金属层表面的过程中与反应气体生成金属化合物，以形成反射层。其中，反射层金属为Al。其中，反应气体为N2，金属化合物为A1N。
其中，反应气体为O2，金属化合物为Al2O3。其中，反应气体为Ar和N2的混合气体或O2和N2的混合气体，其中，Ar和N2的混合气体中Ar和N2的比例范围为0. 1-10，O2和N2的混合气体中O2和N2的比例范围为O.1-10。本发明的有益效果是区别于现有技术的情况，本发明的反射型液晶显示器的反射层的制造方法通过射频磁控溅射轰击反射金属层表面或者在腔体内沉积反射层金属，以形成凹凸不平的反射层，具有漫反射特性，并且本发明反射层的制造方法的工艺简单，并且具有反射率高以及低成本的优点。
图I是根据本发明第一实施例的反射层的制造方法的流程图；图2是根据本发明第一实施例的反射层的基板的结构示意图； 图3是图2中非反射区域覆盖光阻的结构示意图；图4是根据本发明第一实施例的反射层的结构示意图；图5是根据本发明第二实施例的反射层的制造方法的流程图；图6是根据本发明第二实施例的反射层的结构示意图。
具体实施例方式本发明提供一种反射型液晶显示器的反射层的制造方法，该制造方法不仅可以应用于反射型液晶显示器，也可应用于半穿半反型液晶显示器等相关领域。下文将以该制造方法应用于反射型液晶显示器为例，对本发明的技术方案进行详细说明。请参见图1，图I是根据本发明第一实施例的反射层的制造方法的流程图。如图I所示，本实施例所揭示的反射层的制造方法包括以下步骤步骤SI :提供一基板，基板包括反射区域和非反射区域；步骤S2 :利用光阻覆盖基板上的非反射区域；步骤S3 :将基板置于溅射腔体内，在基板上的反射区域沉积反射金属层；步骤S4 :在溅射腔体内通入反应气体，并且利用射频磁控溅射轰击反射金属层表面，使得反射金属层表面与反应气体反应产生金属化合物，以形成反射层。如图2所示，步骤SI还包括在基板10上制造TFT (Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)器件11，其中，TFT器件11为非反射区域，在基板10的反射区域上设置有SiNx层15。在本实施例中，基板10优选为玻璃。如图3所示，在步骤S2中，利用光阻12覆盖基板10上的TFT器件11。其中光阻12的厚度为2 8μπι。在步骤S3中，反射金属层13沉积在反射区域的SiNx层15上，如图4所示。其中，反射金属层13为Al-Ni合金层。在步骤S4中，当反应气体为N2时,利用射频磁控溅射轰击反射金属层13的表面，以使反射金属层13的表面与反应气体N2发生反应，生成具有高反射率的金属化合物Α1Ν，以形成反射层14。当反应气体为O2时，利用射频磁控溅射轰击反射金属层13的表面，以使反射金属层13的表面与反应气体O2发生反应，生成具有高反射率的金属化合物Al2O3,以形成反射层14。在其他实施例中，本领域的技术人员完全可以选取混合气体作为反应气体，例如-Ar和N2的混合气体或O2和N2的混合气体，其中，Ar和N2的混合气体中Ar和N2的比例范围为0. 1-10，O2和N2的混合气体中O2和N2的比例范围为0. 1-10。区别于现有技术的反射型液晶显示器的反射层制造方法，本实施例通过射频磁控溅射轰击反射金属层 13的表面，以使反射金属层13的表面与反应气体发生反应，生成具有高反射率的金属化合物，且经过轰击的反射金属层13，形成凹凸不平的反射层14，具有漫反射特性。请参见图5，图5是根据本发明第二实施例的反射层的制造方法的流程图。如图5所示，本实施例所揭示的反射层的制造方法包括以下步骤按照图1-3所述的步骤S1-S2，利用光阻12将覆盖基板10上的TFT器件11 ；步骤S31 :将基板10置于溅射腔体内，在基板10上的反射区域沉积电极金属层16 ；步骤S41 向腔体内通入反应气体，并且沉积反射层金属，使得反射层金属在沉积到电极金属层16表面的过程中与反应气体生成金属化合物，以形成反射层14。如图6所示，在步骤S31中，电极金属层16沉积在在反射区域的SiNx层15上。在步骤S41中，反射层金属优选为Al。当反应气体为N2时，在电极金属层16上沉积反射层金属Al，以使反射层金属Al与反应气体N2发生反应，生成具有高反射率的金属化合物AlN,以形成反射层14。当反应气体为O2时,在电极金属层16上沉积反射层金属Al,以使反射层金属Al与反应气体O2发生反应，生成具有高反射率的金属化合物Al2O3,以形成反射层14。在其他实施例中，本领域的技术人员完全可以选取混合气体作为反应气体，例如-Ar和N2的混合气体或O2和N2的混合气体，其中，Ar和N2的混合气体中Ar和N2的比例范围为0. 1-10，O2和N2的混合气体中O2和N2的比例范围为0. 1-10。区别于现有技术的反射型液晶显示器的反射层制造方法，本实施例通过在腔体内沉积反射层金属Al，以使反射层金属Al与反应气体发生反应，生成具有高反射率的金属化合物，形成凹凸不平的反射层14，具有漫反射特性。综上所述，本发明的反射型液晶显示器的反射层的制造方法通过射频磁控溅射轰击反射金属层表面或者在腔体内沉积反射层金属，以形成凹凸不平的反射层，具有漫反射特性，并且本发明反射层的制造方法的工艺简单，并且具有反射率高以及低成本的优点。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种反射型液晶显示器的反射层的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括 提供一基板，所述基板包括反射区域和非反射区域； 利用光阻覆盖所述基板上的非反射区域； 将所述基板置于溅射腔体内，在所述基板上的反射区域沉积反射金属层； 在所述溅射腔体内通入反应气体，并且利用射频磁控溅射轰击所述反射金属层表面，使得所述反射金属层表面与所述反应气体反应产生金属化合物，以形成所述反射层。
2.根据权利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述反射金属层为Al-Ni合盒层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述反应气体为N2,所述金属化合物为 A1N。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述反应气体为O2，所述金属化合物为 Al2O3O
5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述反应气体为-.Ar和N2的混合气体或O2和N2的混合气体，其中，所述Ar和N2的混合气体中Ar和N2的比例范围为0. 1-10,所述O2和N2的混合气体中O2和N2的比例范围为0. 1-10。
6.一种反射型液晶显示器的反射层的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括 提供一基板，所述基板包括反射区域和非反射区域； 利用光阻覆盖所述基板上的非反射区域； 将所述基板置于溅射腔体内，在所述基板上的反射区域沉积电极金属层； 向所述腔体内通入反应气体，并且沉积反射层金属，使得所述反射层金属在沉积到所述电极金属层表面的过程中与所述反应气体生成金属化合物，以形成所述反射层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述反射层金属为Al。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述反应气体为N2，所述金属化合物为 A1N。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述反应气体为O2，所述金属化合物为 Al2O3O
10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述反应气体为Ar和队的混合气体或O2和N2的混合气体，其中，所述Ar和N2的混合气体中Ar和N2的比例范围为0. 1-10,所述O2和N2的混合气体中O2和N2的比例范围为0. 1-10。
全文摘要
本发明提供了一种反射型液晶显示器的反射层的制造方法。其包括提供一基板，基板包括反射区域和非反射区域；利用光阻覆盖基板上的非反射区域；将基板置于溅射腔体内，在基板上的反射区域沉积反射金属层；在溅射腔体内通入反应气体，并且利用射频磁控溅射轰击反射金属层表面，使得反射金属层表面与反应气体反应产生金属化合物，以形成反射层。通过以上方式，本发明具有漫反射特性，并且本发明反射层的制造方法的工艺简单，具有反射率高以及低成本的优点。
文档编号G02B5/08GK102707349SQ20121009284
公开日2012年10月3日 申请日期2012年3月31日 优先权日2012年3月31日
发明者王俊 申请人:深圳市华星光电技术有限公司