专利名称：液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及ー种液晶显示装置。
背景技术：
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)因具有低辐射性、厚度薄和耗电低等特点而被广泛应用于平板显示领域中。对于绝大多数桌面TFT-LCD都是采用TN (Twisted Nematic，扭转向列)模式，然而，TN型液晶显示器的第一电极和第二电极是分别形成在上下两个基板上，其液晶分子是在与基板正交的平面内旋转，由于液晶分子的光学各向异性，导致光从不同角度经过液晶分子后进入人眼的光程不同，因此其显示效果不同，必然导致视角的问题。为了解决视角问题，对于TN型液晶显示器，由于在个人和办公环境对视角要求不高，因此一般采用加贴视角补偿膜的方法。对于电视及手持PAD (Personal Digital Assistant，个人数字助理)产品来说视角要求较高，几种新型的液晶显示模式，例如MVA(Multi-domain Vertical Alignment,多畴垂直取向)模式、OCB (Optically CompensatedBend/Optically Compensated Birefringence,光学补偿弯曲排列/光学补偿双折射)模式、FFS (Fringe Field Switching,边缘电场开关)模式、IPS (In-Plane Switch，面内切换)模式等广视角技术被应用到相关产品中。对于TN模式加视角补偿膜的方式，其技术门槛低，因此应用广泛，然而，由于补偿膜是固定的，不能对任意灰阶任意角度进行补偿，因此TN模式固有的灰阶反转现象依旧存在。对于MVA模式，由于其采用负性液晶及凸起物或者是复杂电极排列，因此其响应时间及制程复杂性较差。此外，对于VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式显示器,具有严重的触摸云纹(Mura)，不宣与触控技术结合。对于OCB模式，虽然其具有固有的光学自补偿效果，并具有较高的响应速度，但是其液晶分子的特殊排列会造成开机启动问题，且为解决此问题所带来的制程均一性问题是业界的一大难题。对于FFS模式及IPS模式，其技术门槛高，专利垄断，使用费用较高。因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
发明内容
本发明要解决的主要技术问题是提供ー种液晶显示装置，其不同于现有的IPS和FFS模式的液晶显示装置，且具有较广的视角范围和较高的穿透率。为解决上述技术问题，本发明提供了ー种液晶显示装置，其包括第一基板、与所述第一基板相对设置的第二基板、夹设在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层。所述液晶层中的液晶分子为负性液晶分子。所述第一基板包括多条扫描线以及多条数据线，其中所述多条扫描线和所述多条数据线相互交叉以限定出多个像素区域。而每个像素区域分别包括像素电极以及多个彼此电性连接的第一公共电极，其中所述像素电极与所述第一公共电极分别位于不同层上。所述像素电极包括多个第一像素电极部分和多个第二像素电极部分。所述多个第一像素电极部分与所述多个第二像素电极部分电性连接在一起，其中，所述多个第一像素电极部分与所述多个第二像素电极部分分别位于同一层中，且所述多个第一像素电极部分与所述多个第二像素电极部分相互交叉以限定出多个子像素区域。此外，所述第二基板进ー步包括第二公共电极。本发明的液晶显示装置采用三电极架构，并搭配负性液晶分子，其不同于现有的IPS和FFS模式液晶显示装置，对打破IPS和FFS模式液晶显示装置的技术垄断具有重要的意义。本发明的液晶显示装置在第二基板上进ー步设置第二公共电极，其对第一基板和第ニ基板进行薄化处理之后即可进行相应制程，其并不需要如现有的IPS和FFS模式液晶显示装置需要先对第一基板和第二基板进行薄化处理，再在第二基板的外表面另镀ー层ITO层来防止静电云纹(Mura)，因此本发明的液晶显示装置エ序简单，省去了薄化处理后再在第二基板的外表面另镀ー层ITO层的过程，从而省去了中间的搬运等过程，良率高，制程时间也比传统的IPS和FFS模式的液晶显示装置短很多。此外，本发明的液晶显示装置的穿 透率较高，且功耗较低，且本发明可以随意地调整各电极的结构和排布方式从而在ー个像素区域内实现多畴模式，其可以改善视角，改善色偏现象，从而达到更好的显示效果。通过以下參考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当參考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅カ图概念地说明此处描述的结构和流程。
图I是本发明实施例的液晶显示装置的结构示意 图2为图I中的液晶显示装置的第一基板的平面示意 图3为图2中的部分子像素区域的局部放大 图4a是沿图2中A-A线的剖面示意 图4b是沿图2中B-B线的剖面示意 图4c是沿图2中C-C线的剖面示意 图5是图I中液晶显示装置的等电势效果 图6a是图I中液晶显示装置在像素电极与第二公共电极之间的压差为OV时的液晶分子指向矢示意 图6b是图I中液晶显示装置在像素电极与第二公共电极之间的压差为5V时的液晶分子指向矢示意 图7a是本发明实施方式的液晶显示装置的穿透率效果 图7b是另ー种液晶显示装置的穿透率效果 图7c是本发明实施方式的液晶显示装置与另ー种液晶显示装置的穿透率-电压的效果对比 图8是本发明实施方式的液晶显示装置的穿透率-时间的效果 图9a是本发明实施方式的液晶显示装置的视角范围的示意图；图9b是另一种液晶显不装置的视角范围的不意 图10是本发明实施方式的液晶显示装置与另ー种液晶显示装置的色差-角度的效果对比 图Ila是本发明实施方式的液晶显示装置在一个像素区域内实现两个畴的效果示意
图Ilb是本发明实施方式的液晶显示装置在一个像素区域内实现四个畴的效果示意
图Ilc是本发明实施方式的液晶显示装置在一个像素区域内实现四个畴的穿透率的效果不意图；以及 图12是本发明实施方式的第一基板的制造流程的示意图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。需要说明的是，为了图示的清楚起见，本发明的附图仅显示了与本发明的创作点相关的结构特征，而对于其他的结构特征则进行了省略。图I为本发明实施例的液晶显示装置的结构示意图。如图I所示，本发明的液晶显示装置100包括相对设置的第一基板110和第二基板120、以及夹设于第一基板110和第ニ基板120之间的液晶层130。具体地，图2-3及图4a_4c掲示了图I所示的第一基板110的结构示意图，其中为了图示的简洁和清楚起见，图2仅掲示了第一基板110的其中一个像素区域P的平面结构。如图2-3并结合參照图4a-4c所示，本发明的液晶显示装置100的第一基板110包括透明基底111以及形成在透明基底111上的多条扫描线112、多条数据线113及形成在扫描线112和数据线113交叉位置处的薄膜晶体管114。薄膜晶体管114包括与扫描线112电性连接的栅极1141、半导体层1142、与数据线113电性连接的源极1143、以及与像素电极115电性连接的漏极1144。多条扫描线112和多条数据线113相互交叉以限定出多个像素区域P，即每相邻两条扫描线112和每相邻两条数据线113之间相互交叉从而限定出一个像素区域P。优选地，扫描线112和数据线113彼此相互垂直。每个像素区域P分别包括像素电极115和多个彼此电性连接的第一公共电极116。其中，如图2-3所示，像素电极115为网状结构，其包括多个第一像素电极部分1151和多个第二像素电极部分1152。第一像素电极部分1151和第二像素电极部分1152位于同一层中，且彼此相互交叉以限定出多个子像素区域P1。多个第一像素电极部分1151呈彼此大致平行排列的条形，且其彼此电性连接在一起，而多个第二像素电极部分1152也呈彼此大致平行排列的条形，且其彼此电性连接在一起。此外，多个第一像素电极部分1151和多个第ニ像素电极部分1152也彼此电性连接在一起，从而组成了像素区域P中的像素电极115，并电性连接至薄膜晶体管114的漏极1144。优选地，第一像素电极部分1151和第二像素电极部分1152相互垂直，第一像素电极部分1151大致沿平行于扫描线112的方向进行排列，而第二像素电极部分1152大致沿平行于数据线113的方向进行排列，从而能够使得液晶显示装置100具有更加规整的像素结构。而像素区域P中的多个第一公共电极116也呈彼此大致平行排列的条形，且其彼此电性连接在一起，并电性连接至公共电极总线(未标示)。在本发明实施例中，每个像素区域P中，每两个相邻的第二像素电极部分1152之间可设置一个对应的第一公共电极116，其沿大致平行于第二像素电极部分1152的方向进行排列。每个第一公共电极116可居中地设置在每两个相邻的第二像素电极部分1152之间。优选地，第一公共电极116可设置为垂直于像素电极115中的第一像素电极部分1151，平行于第二像素电极部分1152。当然，本领域技术人员可以理解的是，第一公共电极116与第一像素电极部分1151之间也可设置一定的夹角,例如,第一公共电极116与第一像素电极部分1151之间的夹角在50至150度之间的范围内，从而可以使液晶分子具有更快的响应速度。
第一公共电极116与像素电极115分别位于不同层上并且其间夹设有绝缘层，以电性绝缘第一公共电极116与像素电极115。在本发明中，像素电极115的第一像素电极部分1151和第二像素电极部分1152以及第一公共电极116均为透明电极，其可以例如是由ITO (Indium Tin Oxide,氧化铟锡)等透明导电材料形成。优选地，每个像素区域P分别包括至少两个以上的子像素区域P1，图2所示的子像素区域Pl的数目仅仅是为了方便说明而设，其不作为对本发明的限制，本发明的子像素区域Pl的数目可以根据实际液晶显示装置的尺寸和实际制程条件合理选择。在本发明的一种实施方式中，第一像素电极部分1151和第二像素电极部分1152的宽度LI可设计在2至5微米(μ m)之间的范围内，由于第一像素电极部分1151和第二像素电极部分1152的正上方会出现向错线(disclination line),所以第一像素电极部分1151和第二像素电极部分1152的宽度LI越细越好，但是考虑到实际制程能力的限制，依据制程良率，优选地将第一像素电极部分1151和第二像素电极部分1152的宽度LI设为2_5微米较好。优选地，第一公共电极116的宽度L2也可设计在2至5微米(μ m)之间的范围内。在本发明的一种实施方式中，在像素区域P中，每两个相邻第一像素电极部分1151之间的间隙宽度L3可设计在O至6微米(μ m)之间的范围内，而每两个相邻第二像素电极部分1152之间的间隙宽度L4也可设计在O至6微米(μ m)之间的范围内，这样的尺寸设计是考虑实际电场分量的利用率，太大则达不到理想效果。而每两个相邻第一公共电极116之间的间隙宽度L5可设计在3至8微米(μ m)之间的范围内，其主要是考虑到实际制程的能力，大于此范围将会得不到较为理想的效果，小于此范围则实际制作比较困难，因此，优选地将每两个相邻第一公共电极116之间的间隙宽度L5设计在3至8微米(μ m)之间的范围内。请返回參阅图I，本发明的液晶显示装置100在第二基板120上进ー步设置第二公共电极121，其可以是面电极，均匀地设置在第二基板120上。第二公共电极121也是透明电极，其可以例如是由ITO (Indium Tin Oxide,氧化铟锡)等透明导电材料形成。也就是说，在本发明中，不但在第一基板110上既设置像素电极115又设置第一公共电极116，还进一歩在第二基板120上设置第二公共电极121，从而形成三电极架构。此夕卜，本发明的液晶显示装置100中的液晶层130中的液晶分子131采用负性的液晶分子。此外，本发明的液晶显示装置100还进一歩包括设置在第一基板110上的第一配向膜117和第一偏光片118,以及设置在第二基板120上的第二配向膜127和第二偏光片128。其中，如图2所示，在本发明中，第一配向膜117的摩擦方向a与第二配向膜127的摩擦方向b相反,第一偏光片118的第一偏光片透过轴方向c与第二偏光片128的第二偏光片透过轴方向d相互垂直。在本发明的ー实施方式中，设置在第一基板110上的第一公共电极116与第二配向膜127的摩擦方向b具有夹角α，其在60至85度之间的范围内，从而可使液晶层130中的液晶分子131初始就具有沿ー个方向扭转的カ矩，具有较大的力矩和较快的响应时间，且可以使液晶分子131沿同一方向进行扭转，増加了液晶显示装置的穿透率，并且由于摩擦配向可以使得液晶层130中的液晶分子131具有预倾角，其在O至4度之间的范围内，使液晶分子在电场力作用下保持水平面内旋转，具有高视角特征。
图5掲示了本发明实施方式的液晶显示装置的等电势效果图。如图5所示，本发明实施方式的液晶显示装置100不但在第一基板110上的像素电极115与第一公共电极116之间形成相应的第一电场，而且在第一基板110上的像素电极115与第二基板120上的第二公共电极121之间形成相应的第二电场，因此其电场等电势不同于现有的IPS和FFS模式液晶显示装置，本发明实施方式的液晶显示装置100的液晶分子131受两个电场的双重作用，可以使负性液晶分子保持很好的水平面内排列，不产生较大的倾角，从而提高穿透率。本发明实施方式的液晶显示装置不同于现有的IPS和FFS模式液晶显示装置，对打破IPS和FFS模式液晶显示装置的技术垄断具有重要的意义。图6a为本发明实施方式的液晶显示装置在像素电极与第二公共电极之间的压差为OV时的液晶分子指向矢示意图，图6b为本发明实施方式的液晶显示装置在像素电极与第二公共电极之间的压差为5V时的液晶分子指向矢示意图。在本发明实施方式中，液晶显示装置中的液晶分子采用负性液晶分子。如图6a所示，在压差为OV时，液晶显示装置100中的液晶分子131统ー规整地进行排布；如图6b所示，在压差为5V时，液晶显示装置100中的液晶分子131在两个电场的双重作用下，平滑地进行扭转。图7c掲示了本发明实施方式的液晶显示装置与另ー种液晶显示装置的穿透率效果对比图。其中本发明实施方式的液晶显示装置为如图1-4所示的液晶显示装置，其包括三电极结构并搭配负性液晶分子；而另ー种液晶显示装置中，其并没有在第二基板上进ー步设置第二公共电极，且其液晶层中的液晶分子为正性液晶分子，即两电极结构并搭配正性液晶分子。图7a为本发明实施方式的液晶显示装置的穿透率效果图，图7b为上述另ー种液晶显示装置的穿透率的效果图，而图7c为本发明实施方式的液晶显示装置与上述另ー种液晶显示装置的穿透率-电压的效果对比图，其中图7c中的曲线①为本发明实施方式液晶显示装置的穿透率与电压的关系曲线，而曲线②为另ー种液晶显示装置的穿透率与电压的关系曲线。如图7a与7b所示，本发明实施方式的液晶显示装置与另ー种液晶显示装置相比较，本发明实施方式的液晶显示装置其穿透率更高，且其更加规整。此外，如图7c所示，本发明实施方式的液晶显示装置与另ー种液晶显示装置相比较，本发明实施方式的液晶显示装置其穿透率更高，例如在6V的电压下，本发明实施方式的液晶显示装置其穿透率比另ー种液晶显示装置的穿透率提高了大致10%。
图8掲示了本发明实施方式的液晶显示装置的穿透率-时间的效果图。如图8所示，本发明实施方式的液晶显示装置采用负性液晶分子，其在模拟实验下，开启的响应时间Ton大致为23. 9晕秒(ms),而关闭的响应时间Toff大致为13. 41晕秒(ms),而现有的液晶显示装置中若采用负性液晶分子，其开启的响应时间Ton—般均在50毫秒(ms)以上。而在模拟实验下，采用正性液晶分子的FFS模式液晶显示装置，其开启的响应时间大致为18.5毫秒(ms)，而其关闭的响应时间大致为13. 24毫秒(ms)，即本发明实施方式的液晶显示装置的开启的响应时间Ton大于采用正性液晶分子的FFS模式液晶显示装置，而本发明实施方式的液晶显示装置的关闭的响应时间Toff与采用正性液晶分子的FFS模式液晶显示装置大致相同。由此可见，本发明实施方式的采用负性液晶分子的液晶显示装置与采用正性液晶分子的液晶显示装置的响应时间大致相同，其差别不大，均可达到现有液晶显示装置相当的水平。图9a和9b掲示了本发明实施方式的液晶显示装置与上述另ー种液晶显示装置的视角范围的效果对比，其中在上述另ー种液晶显示装置中，其并没有在第二基板上进ー步设置第二公共电极，且其液晶层中的液晶分子为正性液晶分子，即两电极结构并搭配正性 液晶分子。图9a为本发明实施方式的液晶显示装置的视角范围的示意图，其采用负性液晶分子；而图％为上述另ー种液晶显示装置的视角范围的示意图，其采用正性液晶分子。如图9a和9b所示，本发明实施方式的采用负性液晶分子的液晶显示装置，其水平视角较高。此外，如图9a所示，本发明实施方式的采用负性液晶分子的液晶显示装置在对比度为10时，其边缘视角分别为52. 9度、50. O度、53. 2度和50. 4度；而如图9b所示，另ー种采用正性液晶分子的液晶显示装置，在对比度为10时，其边缘视角分别为49. 4度、49. 5度、54. I度和54. I度，因此本发明实施方式的采用负性液晶分子的液晶显示装置其水平视角范围高于上述另ー种采用正性液晶分子的液晶显示装置，其视角范围均达到与现有液晶显示装置相当的水平。图10为本发明实施方式的液晶显示装置与另ー种液晶显示装置的色差-角度的效果对比图，其中，另ー种液晶显示装置为现有的IPS模式液晶显示装置。其中图10的曲线①和②均是在相同的模拟条件下生成的，而曲线①为本发明实施方式的液晶显示装置的色差与角度的关系曲线，曲线②为另ー种液晶显示装置的色差与角度的关系曲线。如图10所示，本发明实施方式的液晶显示装置与现有的IPS模式液晶显示装置相比较，在角度变化过程中，其色差的变化较小，即本发明实施方式的液晶显示装置其色差效果比较好。在本发明具体实施例中，在任一个像素区域P内，第一像素电极部分1151、第二像素电极部分1152和第一公共电极116其除了可以沿直线排列方式以外，还可以在同一个像素区域P内呈弯折状排列，当在液晶显示装置工作吋，则液晶分子131会在一个像素区域P内至少形成两个不同的转动区域，在一个像素区域P内形成至少两个畴(domain),因此，可以明显改善液晶显示装置的色偏(color shift)现象，由此可见，本发明的液晶显示装置100可以随意地调整相应的像素电极和第一公共电极的方向和排布方式，以在ー个像素区域P内实现多畴(multi-domain)模式,从而改善视角，不受现有的IPS和FFS模式液晶显示装置的专利限制。本发明的液晶显示装置100中，第一像素电极部分1151大致沿平行于所述数据线和所述扫描线的其中之一排列，第二像素电极部分1152则大致沿平行于所述数据线和所述扫描线中的另ー个排列。
图Ila为本发明实施方式的液晶显示装置在一个像素区域P内实现两个畴的效果示意图，而图Iib为本发明实施方式的液晶显示装置在一个像素区域P内实现四个畴的效果示意图，而图Ilc为本发明实施方式的液晶显示装置在一个像素区域P内实现四个畴的穿透率的效果示意图。如图Ila-Ilc所示，本发明实施方式的液晶显示装置可通过相应的像素电极和第一公共电极的方向和排布方式，从而将一个像素区域P分为左右两个区域(如图Ila所示)，以实现两个畴；或者将ー个像素区域P分为上下左右四个区域(如图Ilb-Ilc所示)，以实现四个畴，因此ー个像素区域P内的液晶分子可分别形成左右两个不同的转动区域或者形成上下左右四个不同的转动区域，从而通过增加畴的数量，改善色偏现象，获得更好的显示效果。综上所述，本发明实施方式的液晶显示装置采用三电极架构，并搭配负性液晶分子，其不同于现有的IPS和FFS模式液晶显示装置，对打破IPS和FFS模式液晶显示装置的技术垄断具有重要的意义。另，本发明实施方式的液晶显示装置在第二基板上进ー步设置第二公共电极，其对第一基板和第二基板进行薄化处理之后即可进行相应制程，其并不需要如现有的IPS和FFS模式液晶显示装置需要先对第一基板和第二基板进行薄化处理，再 在第二基板的外表面另镀ー层ITO层来防止静电云纹(Mura)，因此本发明实施方式的液晶显示装置エ序简単，省去了薄化处理后再在第二基板的外表面另镀ー层ITO层的过程，从而省去了中间的搬运等过程，良率高，制程时间也比传统的IPS和FFS模式的液晶显示装置短很多。此外，本发明实施方式的液晶显示装置的穿透率较高，且功耗较低，且本发明可以随意地调整相应的像素电极和第一公共电极的方向和排布方式，从而在一个像素区域内实现多畴模式，其可以改善视角，改善色偏现象，从而达到更好的显示效果。另，本发明实施方式的第一基板110可以采用如下六道光罩制程来制造。图12为本发明实施方式的第一基板Iio的制造流程。以下參照图12并结合图2及图4a-4c对本发明实施方式的第一基板110的制造过程进行详细的描述。如图12并结合图2及图4a_4c所示，在步骤Sll中，形成第一金属层，并采用第一道光罩对第一金属层进行图案化。具体地，在透明基底111上依次形成第一金属层和第一光阻层，以第一道光罩图案对第一光阻层进行曝光显影，从而形成第一光阻层图案，再以第一光阻层图案为遮罩对第一金属层进行刻蚀以实现图案化，从而形成扫描线112、薄膜晶体管114的栅极1141和公共电极总线，随后，移除第一光阻层。在步骤S12中，依次形成栅极绝缘层1191、非晶硅层和掺杂非晶硅层，并采用第二道光罩制程对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行图案化。具体地，在具有图案化的第一金属层的透明基底111上依次形成栅极绝缘层1191、非晶硅层、掺杂非晶硅层以及第ニ光阻层，以第二道光罩图案对第二光阻层进行曝光显影，从而形成第二光阻层图案，再以第二光阻层图案为遮罩对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行刻蚀以实现图案化，从而形成薄膜晶体管114的半导体层1142，随后，移除第二光阻层。在步骤S13中，形成第一透明导电材料层，并采用第三道光罩制程对第一透明导电材料层进行图案化。具体地，在形成第二道光罩图案后的透明基底111上依次形成第一透明导电材料层和第三光阻层，以第三道光罩图案对第三光阻层进行曝光显影，从而形成第三光阻层图案，再以第三光阻层图案为遮罩对第一透明导电材料层进行刻蚀以实现图案化，从而形成像素电极115
在步骤S14中，形成第二金属层，并采用第四道光罩制程对第二金属层进行图案化。具体地，在形成第三道光罩图案后的透明基底111上依次形成第二金属层和第四光阻层，以第四道光罩图案对第四光阻层进行曝光显影，从而形成第四光阻层图案，再以第四光阻层图案为遮罩对第二金属层进行刻蚀以实现图案化，从而由经过图案化的第二金属层形成数据线113、薄膜晶体管114的源极1143和漏极1144，像素电极115与薄膜晶体管114的漏极1144直接电性接触，随后，移除第四光阻层。在步骤S15中，形成钝化层1192，并采用第五道光罩制程对钝化层1192进行图案化。
具体地，在形成第四道光罩图案后的透明基底111上依次形成钝化层1192和第五光阻层，以第五道光罩图案对第五光阻层进行曝光显影，从而形成第五光阻层图案，再以第五光阻层图案为遮罩对钝化层1192和钝化层1192下方的栅极绝缘层1191进行刻蚀以实现图案化，从而形成需要跨接电路部分的过孔(图未示)，随后，移除第五光阻层。在步骤S16中，形成第二透明导电材料层，并采用第六道光罩制程对第二透明导电材料层进行图案化。具体地，在形成第五道光罩图案后的透明基底111上依次形成第二透明导电材料层和第六光阻层，以第六道光罩图案对第六光阻层进行曝光显影，从而形成第六光阻层图案，再以第六光阻层图案为遮罩对第二透明导电材料层进行刻蚀以实现图案化，从而形成多个彼此电性连接的第一公共电极116，其与步骤Sll中形成的公共电极总线电性连接，随后，移除第六光阻层。经过以上步骤Sll- S16，形成了本发明第一实施方式的第一基板100。本文中应用了具体个例对本发明的液晶显示装置的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。
权利要求
1.ー种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括 第一基板； 第二基板，与所述第一基板相对设置； 液晶层，夹设在所述第一基板与所述第二基板之间，所述液晶层中的液晶分子为负性液晶分子； 其中，所述第一基板包括 多条扫描线；以及 多条数据线，其中所述多条扫描线和所述多条数据线相互交叉以限定出多个像素区域； 其中，每个像素区域分别包括 像素电极，其包括 多个第一像素电极部分； 多个第二像素电极部分，所述多个第一像素电极部分与所述多个第二像素电极部分电性连接在一起，其中，所述多个第一像素电极部分与所述多个第二像素电极部分分别位于同一层中，且所述多个第一像素电极部分与所述多个第二像素电极部分相互交叉以限定出多个子像素区域； 多个彼此电性连接的第一公共电极，其中所述像素电极与所述第一公共电极分别位于不同层上； 其中，所述第二基板包括第二公共电极。
2.如权利要求I所述的液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极位于所述第一公共电极之下。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在干，所述像素电极中所述多个第一像素电极部分和所述多个第二像素电极部分以及所述多个第一公共电极分别为大致平行排列的条形，所述第一公共电极大致平行于所述第二像素电极部分。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在干，所述第一像素电极部分大致垂直于所述第二像素电极部分，所述第一像素电极部分大致沿平行于所述数据线和所述扫描线的其中之一排列，所述第二像素电极部分大致沿平行于所述数据线和所述扫描线中的另ー个排列。
5.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一公共电极与所述像素电极的所述第一像素电极部分之间具有一定的夹角，且所述夹角在50至150度之间的范围内。
6.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，每个所述第一像素电极部分的宽度在2至5微米之间的范围内，每个所述第二像素电极部分的宽度在2至5微米之间的范围内，每个所述第一公共电极的宽度在2至5微米之间的范围内。
7.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，每两个相邻的所述第一像素电极部分之间的间隙宽度在O至6微米之间的范围内，每两个相邻的所述第二像素电极部分之间的间隙宽度在O至6微米之间的范围内，每两个相邻的所述第一公共电极之间的间隙宽度在3至8微米之间的范围内。
8.如权利要求I所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置进ー步包括第一配向膜，设置在所述第一基板上，且其具有第一摩擦方向； 第二配向膜，设置在所述第二基板上，且其具有第二摩擦方向，其中所述第二摩擦方向与所述第一摩擦方向相反； 其中，所述第一公共电极的排列方向与所述第二摩擦方向之间具有一个夹角，且所述夹角在60至85度之间的范围内。
9.如权利要求I所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置进ー步包括 第一偏光片，设置在所述第一基板上，且其具有第一偏光片透过轴方向； 第二偏光片，设置在所述第二基板上，且其具有第二偏光片透过轴方向，其中 所述第二偏光片透过轴方向与所述第一偏光片透过轴方向垂直。
10.如权利要求I所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶层中的液晶分子具有预倾角，其在O至4度之间的范围内。
11.如权利要求I所述的液晶显示装置，其特征在于，每个所述像素区域分别包括至少两个以上的子像素区域。
全文摘要
本发明公开了一种液晶显示装置，其包括第一基板、与第一基板相对设置的第二基板、夹设在第一基板与第二基板之间的液晶层。第一基板包括多条扫描线以及多条数据线，其中多条扫描线和多条数据线相互交叉以限定出多个像素区域。而每个像素区域分别包括像素电极以及多个彼此电性连接的第一公共电极，其中像素电极与第一公共电极分别位于不同层上。此外，第二基板进一步包括第二公共电极，其设置在第二基板上。其中，液晶层中的液晶分子为负性液晶分子。本发明的液晶显示装置不同于现有的IPS和FFS模式的液晶显示装置，且具有较广的视角范围和较高的穿透率。
文档编号G02F1/1343GK102692770SQ20121018674
公开日2012年9月26日 申请日期2012年6月7日 优先权日2012年6月7日
发明者廖家德, 李永谦, 邱郁雯, 钟德镇 申请人:昆山龙腾光电有限公司