专利名称：正型光致抗蚀剂剥离剂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在光刻胶的剥离中不腐蚀基板、且能有效地除去光致抗蚀剂膜，特别是剥离性能优异的正型光致抗蚀剂剥离剂组合物。
背景技术：
常规半导体元件或液晶面板元件的制造步骤首先在硅片等基板上形成蒸镀得到的导电性金属膜等绝缘膜。然后，在上述膜上均一地涂布光致抗蚀剂，选择性地对其进行曝光、显影，形成图案。接下来，将该图案作为掩模选择性地蚀刻上述导电性金属膜或绝缘膜，随后，用剥离液除去不要的光致抗蚀剂层。目前，从安全性、剥离性观点考虑使用各种有机类剥离液除去上述残留的光致抗蚀剂层。而蚀刻工艺，根据其蚀刻条件在抗蚀剂表面引发复杂的化学反应，并在这种化学反应下形成表面层变质的抗蚀剂。即，变质的抗蚀剂引发用于干式蚀刻的等离子气体与基板及感光液之间的反应而生成副产品。一般情况下，如果不能稳定地去除变质的高分子物质，那么在蚀刻的图案上或在图案和图案之间就会产生抗蚀剂的残渣。这种残渣会成为在后续的成膜、照相平版印刷、蚀刻等工艺中出现断线及短路现象的主要原因，而上述问题会导致产品的可靠性、生产效率及性能降低。现有的剥离剂对铝和铜等具有腐蚀作用。且不能满足加工图案趋于微细化的要求。基于上述各种理由，需要一种即使采用上述的有机溶剂进行处理，在对铝和铜等腐蚀小的同时，也能完全去除抗蚀剂基板上的残留物，具有强剥离能力的组合物。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是在于需要提供一种在光刻胶的剥离中不腐蚀基板、且能有效地除去光致抗蚀剂膜的正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，从而弥补现有技术上的不足。为了解决上述技术问题，本发明提供了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于包括a) 1-20重量份的N，N- 二乙基羟胺；b) 1-70重量份的二甘醇单烷基醚；c) 1-5重量份的[式I]所示的化合物；d) 1-5重量份的[式2]所示的化合物；
权利要求
1.一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于包括a) 1-20重量份的N，N- ニ乙基羟基胺；b) 1-70重量份的ニ甘醇单烷基醚；c) 1-5重量份的[式I]所示的化合物；d) 1-5重量份的[式2]所示的化合物；
2.根据权利要求1所述的正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，还含有e)O. 01-10重量份的非离子表面活性剤。
3.根据权利要求1所述的正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，还含有f)20-90重量份的非质子极性溶剤。
4.根据权利要求1所述的正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，所述的ニ甘醇单烷基醚是选自丁基こニ醇、丁基ニこニ醇、丁基三甘醇、甲基こニ醇、甲基ニこニ醇、甲基三こニ醇、及甲基丙ニ醇中的至少ー种化合物。
5.根据权利要求3所述的正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，所述的非质子极性溶剂是选自ニ甲基亚砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、N, N- ニ甲基こ酰胺、N, N- ニ甲基甲酰胺、N，N-ニ甲基咪唑啉酮、及Y-丁内酯中的至少ー种化合物。
6.根据权利要求2所述的正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，所述的非离子表面活性剂，是选自聚氧丙烯こニ醇醚、聚氧丙烯こ基醚、聚氧丙烯甲基醚、聚氧丙稀丁基醚、聚氧こ烯聚丙ニ醇醚、聚氧こ烯聚丙こ基醚、聚氧こ烯聚丙甲基醚、聚氧こ烯聚丙丁基醚中的至少ー种化合物。
7.如权利要求1所述的正型光致抗蚀剂剥离剂组合物在光刻胶剥离中的应用。
8.ー种如[式I]所示的化合物
全文摘要
本发明提供了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括a)1-20重量份的N，N-二乙基羟胺；b)1-70重量份的二甘醇单烷基醚；c)1-5重量份的[式1]所示的化合物；d)1-5重量份的[式2]所示的化合物；[式1]，其中R’为氢，或具有1至4个碳原子的烷基，[式2]。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物不腐蚀基板、且能有效地除去光致抗蚀剂膜，因此具有很强的实用性。
文档编号G03F7/42GK102998915SQ20121024620
公开日2013年3月27日 申请日期2012年7月17日 优先权日2012年7月17日
发明者张峰 申请人:张峰