专利名称：薄膜晶体管基板的制作方法
技术领域：
本实用新型属于显示领域，特别是有关于ー种可防止资料线与扫瞄线电性连接的金属氧化物薄膜晶体管基板。
背景技术：
近年来，由于半导体制程技术的进步，薄膜晶体管基板的制造越趋容易、快速。在制造液晶面板用的薄膜晶体管基板时，除了在基板上形成复数个薄膜晶体管之夕卜，同时也会形成复数条扫瞄线和复数条数据线。扫瞄线用以控制薄膜晶体管的开关；数据线传送数据讯号给薄膜晶体管。如图I所示，为习知非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)液晶面板之扫瞄线和数据线之交越处之结构剖面图。在基板Iio上形成扫瞄线120。然后，于基板110上形成闸极绝缘层(gate insulation layer) 130,并覆盖该扫猫线120。而后,在闸极绝缘层130上形成数据线140,。最后在闸极绝缘层130上形成保护层(passivation layer) 150,并覆盖数据线140。由于闸极绝缘层130在扫瞄线120的转角处成膜可能不良，因此容易造成闸极绝缘层130在扫瞄线120的转角处覆盖不良，即称为爬坡断线，如此将可能使数据线140就容易与扫瞄线120电性连接。因此，便有需要提供ー种可防止数据线与扫瞄线电性连接的薄膜晶体管基板，以解决前述的问题。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供ー种薄膜晶体管基板，以避免数据线与扫瞄线电性连接。本实用新型是这样实现的，ー种薄膜晶体管基板，包括一基板；复数条扫瞄线，形成在所述基板上；ー闸极绝缘层，形成在所述基板上，井覆盖所述扫瞄线；复数个第一蚀刻停止层，形成在所述闸极绝缘层上；复数条数据线，形成在所述闸极绝缘层上，并分别覆盖所述第一蚀刻停止层，其中每ー该数据线和每一所述扫瞄线之交越处定义有ー爬坡区，在所述爬坡区内，第一蚀刻停止层及闸极绝缘层位于所述数据线与扫瞄线之间；以及一保护层，形成在所述闸极绝缘层上，井覆盖所述数据线。作为本实用新型的优选技术方案其中相邻两条数据线和相邻两条扫瞄线所形成之区域具有一画素，所述画素包括一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括ー闸极，形成在所述基板上；闸极绝缘层，形成在所述基板上，并覆盖所述闸极；一金属氧化物半导体层，形成在所述闸极绝缘层上；一第二蚀刻停止层，形成在所述金属氧化物半导体层上，其中第二蚀刻停止层与第一蚀刻停止层在同一道光罩制程中以相同材料形成；以及一源极以及一基极，该源极以及该基极形成在所述闸极绝缘层上，井覆盖所述金属氧化物半导体层。[0011]本实用新型之薄膜晶体管基板在数据线和扫瞄线之交越处的爬坡区增加了第一蚀刻停止层，可防止数据线与扫瞄线短路的情形。另外，在形成薄膜晶体管时，在半导体层上形成第二蚀刻停止层，故爬坡区之第一蚀刻停止层可与薄膜晶体管之第二蚀刻停止层在同一道光罩制程中以相同材料形成，就可以避免制程成本上的増加。
·[0013]为了让本实用新型之上述目的、特征和优点能更清楚明白，下文将配合所附图示，作详细说明如下。
图I为现有非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)液晶面板之扫瞄线和数据线之交越处之结构剖面图；图2为本实用新型实施例之薄膜晶体管基板之上视图；图3为本实用新型实施例薄膜晶体管基板之ー个画素之上视图；图4为本实用新型实施例薄膜晶体管基板之结构剖面图。
具体实施方式
如图2所示，为本实用新型之一实施例之薄膜晶体管基板200。薄膜晶体管基板200包括复数条数据线210以及复数条扫瞄线220。每相邻两条的数据线210和每相邻两条的扫瞄线220所围成之区域定义为ー个画素230。每一条数据线210和每一条扫瞄线220之交越处定义为ー爬坡区240。如图3所示，为薄膜晶体管基板之ー个画素之上视图。图3中的AB线段之剖面显示图4中，AB区间为爬坡区240之剖面图。图3中的⑶线段之剖面显示图4中，C D区间为薄膜晶体管250之剖面图。下列为薄膜晶体管基板200之结构，并配合图4加以说明在基板410上形成扫瞄线220与门极460。因为扫瞄线220与闸极460为同一种材料，因此可由同一道光罩制程完成。基板410可以是玻璃基板、石英基板或是其它的基板。扫瞄线220与门极460的材料例如铝、铬、钽或其它金属材料。其形成方法包括薄膜沈积制程、微影制程以及蚀刻制程。其中，薄膜沈积制程可以是溅镀(sputtering)、电镀(electroplating)、旋镀(spincoating)、印制(printing)、无电电镀(electrolessplating)、或其它合适的方法。图中爬坡区240的扫猫线220与薄膜晶体管250的闸极460互相电性连接。于基板410上形成闸极绝缘层430，并覆盖扫瞄线220以与门极460。闸极绝缘层430的材质例如ニ氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅等介电材料。其形成方法可为化学气相沈积法。在薄膜晶体管250的闸极绝缘层430上形成金属氧化物半导体层470。金属氧化物半导体层470的材料包括铟锌氧化物(ΙηΖηΟ，ΙΖ0)或铟镓锌氧化物(InGaZnO，IGZ0)。在本实施例中，优选以铟镓锌氧化物作为金属氧化物半导体层470的材料，说明如后。在爬坡区240的闸极绝缘层430上形成第一蚀刻停止层441，以及在薄膜晶体管250的金属氧化物半导体层470上形成第二蚀刻停止层442。第二蚀刻停止层442与第一蚀刻停止层441在同一道光罩制程中以相同材料而形成。第一蚀刻停止层441与第二蚀刻停止层442的材料为例如硅氧化合物(SiOx)、硅氮化合物(SiNx)或是氧化铝(Al2O3)等具绝缘材料。第二蚀刻停止层442具有在后续制程中可保护铟镓锌氧化物特性之材料。例如，若保护层之形成制程中的化学气相沉积(PECVD)所使用的SiH4,体会释出H2，第二蚀刻停止层442可保护铟镓锌氧化物，以避免铟镓锌氧化物变为导体。在爬坡区240的闸极绝缘层430上形成数据线210，并覆盖第一蚀刻停止层441 ；同时，在薄膜晶体管250的闸极绝缘层430上形成源极481与基极482，并覆盖金属氧化物半导体层470。因为数据线210、源极481与基极48 2为同一种材料，因此可由同一道制程完成。数据线210、源极481与基极482的材料例如铝、铬、钽或其它金属材料。其形成方法包括薄膜沈积制程、微影制程以及蚀刻制程等制程。其中，蚀刻制 程又分为是使用电浆的干式蚀刻制程或是使用蚀刻液的湿式蚀刻制程。图中爬坡区240的数据线210与薄膜晶体管250的源极481互相电性连接。在闸极绝缘层430上形成保护层450，并覆盖数据线210、源极481与基极482。保护层450的材料例如是氮化硅，其形成的方法例如是电浆化学气相沈积法。在薄膜晶体管250的基极482上方形成接触窗490，以及在保护层450上方形成画素电极420，该画素电极420藉由接触窗490与该基极482电性连接。画素电极420的材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或氧化锌(ZnO)等金属氧化物或有机材料，其形成方法例如派镀(sputtering)、电镀(electroplating)、旋镀(spincoating)、印制(printing)、无电电镀(electrolessplating)或其它合适的方法。因此，本实施例之薄膜晶体管基板在数据线和扫瞄线之交越处的爬坡区增加了第ー蚀刻停止层，可防止数据线与扫瞄线短路(亦即电性连接)的情形。另外，在形成薄膜晶体管时，在半导体层上也须要形成第二蚀刻停止层，故爬坡区之第一蚀刻停止层可与薄膜晶体管之第二蚀刻停止层在同一道光罩制程中以相同材料而形成，就可以避免制程成本上的增加。综上所述，乃仅记载本实用新型为呈现解决问题所采用的技术手段之实施方式或实施例而已，并非用来限定本实用新型实施之范围。即凡与本实用新型申请范围文义相符，或依本实用新型范围所做的均等变化与修饰，皆为本实用新型范围所涵盖。
权利要求1.ー种薄膜晶体管基板，包括 一基板； 复数条扫瞄线，形成在所述基板上； ー闸极绝缘层，形成在所述基板上，井覆盖所述扫瞄线； 复数个第一蚀刻停止层，形成在所述闸极绝缘层上； 复数条数据线，形成在所述闸极绝缘层上，并分别覆盖所述第一蚀刻停止层，其中每ー数据线和每ー扫瞄线之交越处定义有ー爬坡区，在所述爬坡区内，所述第一蚀刻停止层及闸极绝缘层位于所述数据线与扫瞄线之间；以及 一保护层，形成在所述闸极绝缘层上，井覆盖所述数据线。
2.如权利要求I所述之薄膜晶体管基板，其特征在于，其中相邻两条数据线和相邻两条扫瞄线所形成之区域具有一画素，所述画素包括一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括 ー闸极，形成在所述基板上； 所述闸极绝缘层，形成在所述基板上，并覆盖所述闸极； 一金属氧化物半导体层，形成在所述闸极绝缘层上； 一第二蚀刻停止层，形成在所述金属氧化物半导体层上，其中所述第二蚀刻停止层与第一蚀刻停止层在同一道光罩制程中以相同材料形成；以及 一源极以及一基极，所述源极以及基极形成在所述闸极绝缘层上，井覆盖所述金属氧化物半导体层。
3.如权利要求2所述之薄膜晶体管基板，其特征在于，更包括 一接触窗，形成在所述基极的上方；以及 一画素电极，形成在所述保护层上方，并藉由所述接触窗与基极电性连接。
专利摘要本实用新型适用于显示领域，提供了一种薄膜晶体管基板，包括一基板；复数条扫瞄线，形成在该基板上；一闸极绝缘层，形成在该基板上，并覆盖该些扫瞄线；复数个第一蚀刻停止层，形成在该闸极绝缘层上；复数条数据线，形成在该闸极绝缘层上，并分别覆盖该些第一蚀刻停止层，其中每一该数据线和每一该扫瞄线之交越处定义有一爬坡区，在该爬坡区内该第一蚀刻停止层及该闸极绝缘层位于该数据线与该扫瞄线之间；以及一保护层，形成在该闸极绝缘层上，并覆盖该些数据线。
文档编号G02F1/1368GK202633311SQ201220139859
公开日2012年12月26日 申请日期2012年4月5日 优先权日2012年4月5日
发明者陆富财, 陈盈惠 申请人:深圳华映显示科技有限公司, 中华映管股份有限公司