技术总结
本发明涉及一种用于去除基片上多余光刻胶的新型光刻胶剥离液。该剥离液包括用于溶解的有机溶剂，加快去胶速率的解交联催化剂，以及避免基片腐蚀的防腐蚀保护剂。该光刻胶剥离液能够缩短平常去胶周期，对人体和环境都没有毒性，而且对于曝光后发生交联的光刻胶，尤其是负性光刻胶，能够彻底清除，以防止影响其后的使用性能。除此以外，本发明还提供了利用这种光刻机剥离液工艺过程，其中不需要加热、振荡等过程，从而能够提高去胶速度，并且能够避免辅助措施有可能对基片造成的破坏等。
技术研发人员：李冰;陈昕;罗杰·森特;李海波;于晓伟
受保护的技术使用者：北京科华微电子材料有限公司;北京科华丰园微电子科技有限公司
文档号码：201310276907
技术研发日：2013.07.03
技术公布日：2017.02.08