一种像素结构、液晶面板及其工艺方法
【专利摘要】本发明涉及一种像素结构、液晶面板及其工艺方法。一种像素结构，包含：基板；薄膜晶体管，设置于所述基板上方，所述薄膜晶体管包含栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极；至少一个凸起，所述凸起采用薄膜晶体管任一层同种材料制成，所述凸起位于所述漏极下方；钝化膜，覆盖于所述薄膜晶体管上方；公共电极，设置于所述钝化膜上方；上部绝缘膜，设置于所述公共电极上方；过孔，贯穿所述上部绝缘膜及所述钝化膜；像素电极，设置于所述上部绝缘膜上方，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。这种像素结构能够减小像素电极与薄膜晶体管（TFT）漏极相连的过孔尺寸，从而有效防止过孔上方液晶偏转不正常造成的漏光等现象。同时能够通过一步工艺同时制造TFT和凸起，无需额外工艺步骤，节省成本。
【专利说明】一种像素结构、液晶面板及其工艺方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种像素结构，包含该像素结构的液晶面板，以及制造该像素结构的工艺方法。
【背景技术】
[0002]目前的像素结构如图1所示，在基板100上，设置有栅极101，在栅极上方设置有栅极绝缘层102，有源层103设置于栅极绝缘层102上方，且位于栅极101上方。在有源层103上方绝缘地设置源极104以及漏极105，源极104、漏极105上方依次形成有覆盖整个基板的无机钝化膜106和有机钝化膜107。在有机钝化膜107上形成公共电极108，公共电极108上方形成上部绝缘膜109,上部绝缘膜109上形成像素电极110。漏极105具有漏极延伸部105a，漏极延伸部105a通过贯穿上部绝缘膜109、有机钝化膜107以及无机钝化膜107的过孔111与像素电极110相连接。
[0003]这种结构中，由于漏极与像素电极用过孔连接，过孔上方液晶无法正常偏转、取向混乱，导致漏光。作为对策，目前一般都在过孔上方采用黑矩阵(BM)遮挡，这会造成光透过率的降低。随着近年来液晶屏像素(PPI)的增加，过孔尺寸对透过率的影响越来越明显。
【发明内容】
[0004]本发明旨在提供一种像素结构，能够减少像素结构中漏极与像素电极连接的过孔尺寸。
[0005]一种像素结构，包含:基板；薄膜晶体管，设置于所述基板上方，所述薄膜晶体管包含栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极；至少一个凸起，所述凸起采用薄膜晶体管任一层同种材料制成，所述凸起位于所述漏极下方；钝化膜，覆盖于所述薄膜晶体管上方；公共电极，设置于所述钝化膜上方；上部绝缘膜，设置于所述公共电极上方；过孔，贯穿所述上部绝缘膜及所述钝化膜；像素电极，设置于所述上部绝缘膜上方，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
[0006]一种液晶面板，包含上述的像素结构。
[0007]一种制造像素结构的工艺方法，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极，同时在所述栅极的一侧形成有凸起结构；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层；在有源层上表面绝缘地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
[0008]一种制造像素结构的工艺方法，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层，同时在对应栅极一侧的位置形成凸起结构；在栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层；，在有源层上表面绝缘地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
[0009]一种制造像素结构的工艺方法，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层，同时在所述有源层的一侧形成凸起结构；在所述有源层上表面分离地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
[0010]一种制造像素结构的工艺方法，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极，同时在所述栅极的一侧形成第一凸起结构；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层，同时在有源层对应第一凸起的位置形成第二凸起结构；在所述有源层上表面分离地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述第一凸起和第二凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
[0011]本发明具有如下一种或多种的技术效果:
[0012]1，能够减小像素电极与薄膜晶体管(TFT)漏极相连的过孔尺寸，从而有效防止过孔上方液晶偏转不正常造成的漏光等现象。
[0013]2，能够减小过孔上方黑矩阵(BM)的尺寸，从而提高透光率。
[0014]3，能够通过一步工艺同时形成TFT和凸起，无需额外工艺步骤，节省成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为现有技术的像素结构示意图；
[0016]图2为本发明第一实施例提供的像素结构俯视图示意图；
[0017]图3为图2中A-A’的剖视图；
[0018]图4为本发明提供的像素结构抽象几何图示意图；
[0019]图5为本发明第二实施例提供的像素结构示意图；
[0020]图6为本发明第三实施例提供的像素结构示意图；
[0021]图7为本发明第四实施例提供的像素结构示意图；
[0022]图8为本发明第五实施例提供的像素结构示意图；
[0023]图9为本发明提供的像素结构抽象几何示意图。
【具体实施方式】
[0024]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的几种实施例，而非全部实施方式，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0025]实施例一[0026]请参照图2，为本发明像素结构的第一实施例示意图，在本实施例中，基板上包括扫描线201与数据线211，二者绝缘交叉形成像素单元区域。
[0027]请参照图3，为图2沿中A-A’的剖视图。结合图2和图3可以看出，该像素结构包括一基板，基板上方设置有栅极201，栅极201的一侧还形成有第一凸起212，可选地，第一凸起212的厚度与栅极201的厚度相同，且二者采用相同材料制成，由于二者采用相同材料、具有相同厚度，第一凸起212可以与栅极201采用同一张掩模板，在一步工序中制成，省去制备凸起的额外工序。栅极上方设置有栅极绝缘层202，有源层203设置于栅极绝缘层202上方，且位于栅极201上方，有源层203同层上对应于第一凸起的位置形成有第二凸起213，可选地，第二凸起213的厚度与有源层的厚度相同，且二者采用相同材料制成由于二者采用相同材料、具有相同厚度，因此第一凸起213可以与有源层203采用同一张掩模板，在一步工序中制成，省去制备凸起的额外工序。在有源层203上方分离地设置源极204以及漏极205，漏极205具有漏极延伸部205a，漏极延伸部205a覆盖第一凸起212及第二凸起213，源极204、漏极205上方依次形成有覆盖整个基板的无机钝化膜206和有机钝化膜207。在有机钝化膜207上形成公共电极208，公共电极208上方形成上部绝缘膜209，上部绝缘膜209上形成像素电极210。像素电极210通过贯穿上部绝缘膜209、有机钝化膜207以及无机钝化膜207的过孔211与漏极延伸部205a相连接。
[0028]请参照图4，图4是本发明像素结构抽象几何图，其中，Cl1为现有技术过孔顶部宽度，d2为本发明过孔顶部宽度，d3为现有技术过孔底部宽度，Ad为本发明相比于现有技术过孔顶部宽度减小的尺寸，h为现有技术过孔深度，h2为本发明过孔深度，Ah为本发明相比于现有技术过孔深度减小的尺寸，Θ为过孔侧壁与垂直方向的夹角。由图4可知:
[0029]Δ d=d1-d2= (d3+2*h1tan θ ) - (d3+2*h2tan θ )=2*tan θ (K1-K2) =2*tan θ Δh...........................................................(I)
[0030]其中，θ值与工艺相关，Ah与本发明中凸起的厚度相关，从公式(I)中可知Λ h越大，减小过孔尺寸的效果越明显。在本实施例中，取tan Θ =0.15,
Δ h =5000A, di= 10000A，则Δ d= 1500λ,因此本实施例中，过孔的尺寸比现有技术减
小了 15%。
[0031]由于过孔上方液晶偏转取向混乱，目前过孔上方通常采用黑矩阵(BM)遮挡，这会造成光透过率的降低，本发明可以有效减小过孔尺寸，从而减小BM尺寸，提高光的透过率。
[0032]可选地，第一凸起212和第二凸起213位于过孔211或像素电极210与漏极205接触面的正下方，因此可以更有效地起到减小漏极205和像素电极210的垂直距离，从而减小过孔211的尺寸。
[0033]可选地，第一凸起212和第二凸起213可以分别由一个凸起组成，也可以由多个凸起叠加而成，凸起的形状可以是圆柱形、圆锥形、棱柱形等，只要能起到抬高漏极延伸部205a厚度作用的凸起，都在本发明的思想之内。
[0034]可选地，公共电极208为片状，像素电极210为条状。
[0035]本发明还包含一种制造像素结构的工艺方法，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极，同时在所述栅极的一侧形成有凸起结构；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层；在有源层上表面绝缘地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
[0036]本实施例中，第一凸起212和第二凸起213都采用其所在层的TFT材料，与其所在层的TFT采用同一个掩模板，同一步刻蚀工艺制成，无需额外步骤，可简化生产工艺，提升生产效率，节省成本。由于本实施例中采用的是普通掩模板，相较于灰度掩模板价格更低廉，因此可以节省成本。此外，采用两个凸起相结合的方法，可以在不增加额外步骤、无需使用复杂掩模板的同时，增加凸起总厚度，从而更有效地减小凸起的尺寸。
[0037]实施例二
[0038]请参照图5，为本发明第二实施例的示意图。本实施例与第一实施例的区别之处在于，本实施例的凸起312形成于栅极绝缘层302上。可选地，采用灰度掩模板，在同一步刻蚀工艺中，刻蚀出具有凸起的栅极绝缘层，本实施例的优势是，采用与栅极绝缘层同种材料、在同一步工艺中制成，节省了一道刻蚀工艺，简化工艺，节省成本。此外，栅极绝缘层材料成本相对较为低廉，采用栅极绝缘层作为凸起相比于其他方法，可以降低成本。
[0039]根据公式(1)，当tan θ =ο.15，Ah=1550()A, di=10000A, m Δ d=4650A,因此本实施例中，过孔的尺寸比现有技术减小了 46.5%。
[0040]本发明还包含一种制造像素结构的工艺方法，包含::提供一基板；在基板上方形成栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层，同时在对应栅极一侧的位置形成凸起结构；在栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层；，在有源层上表面绝缘地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
[0041]实施例三
[0042]请参照图6，为本发明第三实施例的示意图。本实施例与第一实施例的区别之处在于，本实施例的凸起412只形成于栅极401同层上。凸起412的厚度可以等于栅极401的厚度，也可以大于栅极401的厚度，当凸起的厚度大于栅极401的厚度时，采用灰度掩模板在一步工艺中刻蚀出具有不同厚度的栅极层。本实施例的优势是，采用与栅极401层同种材料制作凸起、在同一步工艺中制成，节省了一道刻蚀工艺，简化工艺，节省成本。当凸起412的厚度等于栅极401的厚度，凸起412的图案与栅极401可以采用同一张普通掩模板刻蚀，简单方便，由于普通掩模板相较于灰度掩模板价格更低廉，因此可以节省成本。当凸起412的厚度大于栅极401的厚度时，减小过孔的效果更优异。
[0043]根据公式(I),当凸起的厚度等于栅极厚度时，取tan Θ =0.15, Ah =2700Α.di=10000A,则Ad=810A，过孔的尺寸比现有技术减小了 8.1%;当凸起的厚度大于栅极
厚度时，取tan0=0.15, Ah=155()0A, d尸IOO(X)A,则δd=4650九因此本实施例中，
过孔的尺寸比现有技术减小了 46.5%。
[0044] 本发明还包含一种制造像素结构的工艺方法，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极，同时在所述栅极的一侧形成第一凸起结构；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层，同时在有源层对应第一凸起的位置形成第二凸起结构；在所述有源层上表面分离地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述第一凸起和第二凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
[0045]实施例四
[0046]请参照图7，为本发明第四实施例的示意图。本实施例与第一实施例的区别之处在于，本实施例的凸起512只形成于有源层同层上。凸起的厚度可以等于TFT有源层503的厚度，也可以大于TFT有源层503的厚度，当凸起的厚度大于TFT有源层503的厚度时，采用灰度掩模板在一步工艺中刻蚀出具有不同厚度的有源层503。本实施例的优势是，采用与有源层同种材料制作凸起、在同一步工艺中制成，节省了一道刻蚀工艺，简化工艺，节省成本。当凸起512的厚度等于有源层的厚度，凸起512的图案与TFT有源层503可以采用一张普通掩模板刻蚀，简单方便，由于普通掩模板相较于灰度掩模板价格更低廉，因此可以节省成本。当凸起512的厚度大于TF T有源层503的厚度时，减小过孔的效果更优异。
[0047]根据公式(1)，当凸起的厚度等于TFT有源层厚度时，取tan Θ =0.15，Δ
h=2400A, di=10000A,则Ad=243A，过孔的尺寸比现有技术减小了 2.4% ;当凸
起的厚度大于TFT有源层厚度时，取tan Θ =0.15，Δ h =1550()A, d!=10000A,则
Δ?=4650λ,因此本实施例中，过孔的尺寸比现有技术减小了 46.5%。
[0048]本发明还包含一种制造像素结构的工艺方法，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层，同时在所述有源层的一侧形成凸起结构；在所述有源层上表面分离地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
[0049]实施例五
[0050]请参照图8，为本发明第五实施例的示意图。本实施例是本发明在顶栅像素结构中的应用。从图8可以看出，基板600上方设置有遮光层603 (LSM)，遮光层603上方设置有有源层603，有源层603上方铺设有覆盖整个基板的栅极绝缘层602，栅极绝缘层602上方设置有栅极601，栅极上方设置有第一绝缘层620，第一绝缘层620上方绝缘地设置有源极604和漏极605，其中，第一绝缘层620包含凸起612，凸起612的材料与第一绝缘层620相同，二者通过灰度掩模板在同一步工艺中形成，因此工艺简单，又能减小过孔。位于漏极605下方。源极604、漏极605上方覆盖一层或多层的钝化膜，并设置有贯穿钝化膜的过孔，钝化膜上方设置有像素电极610，像素电极610通过过孔与漏极605电连接。
[0051]可选地，本发明的像素结构中还可以包含刻蚀阻挡层(ESL)。
[0052]本发明中，凸起形成后，其上方会形成若干层覆盖层，由于凸起的侧边与水平方向有一定夹角，而各覆盖层都具有一定厚度，因此铺完该层材料后覆盖层形成的凸起宽度比原凸起的宽度有所增加。为了更好地使漏极与像素电极接触，可选地，与像素电极相接触的覆盖层凸起宽度大于或等于像素电极宽度。请参照图9，为本发明原凸起及其上方覆盖层抽象几何图，其中，假设上方覆盖层的厚度均一，S1为原凸起厚度，S2为上方覆盖层凸起宽度，L1为原凸起厚度，L2为上方覆盖层厚度，β为原凸起侧边与垂直方向的夹角，由工艺水平及工艺参数决定，Λ S为上方覆盖层凸起比原凸起宽度增加的尺寸。则由几何推导可得:
[0053]S2= Δ S+Sf〗* (L2/cos β -L2 tan β ) +S1...................................................(2)
[0054]如果原凸起上方设置有η层覆盖层，则依此类推，可计算第η层的覆盖层凸起宽度Sn0在本发明中，为了使漏极与像素电极电连接更充分可靠，Sn (即漏极层凸起的宽度)应当大于或等于像素电极底部宽度。
[0055]可选地，本发明所述的凸起和/或漏极采用透明材料制成，这样有利于增加光的透过率。
[0056]本发明所述的漏极可以是源极，源极可以是漏极，二者可以互换。
[0057]本发明还包含一种液晶面板，由本发明所述的像素结构通过阵列方式排列组成。
[0058]此外，虽然本申请文件实施例都以IPS为例，但本发明同样适用于其他显示模式，如有机发光显示。
[0059]除下述五个实施例外，本发明还可以扩展到TFT层任意一层或多层中凸起的组合，虽然未在具体实施例中逐一列出，但同样包含在本发明的思想之内。
【权利要求】
1.一种像素结构，其特征在于，包含: 基板； 薄膜晶体管，设置于所述基板上方，所述薄膜晶体管包含栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极； 至少一个凸起，所述凸起采用薄膜晶体管任一层同种材料制成，所述凸起位于所述漏极下方； 钝化膜，覆盖于所述薄膜晶体管上方； 公共电极，设置于所述钝化膜上方； 上部绝缘膜，设置于所述公共电极上方； 过孔，贯穿所述上部绝缘膜及所述钝化膜； 像素电极，设置于所述上部绝缘膜上方，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起形成于所述栅极同层。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起形成于所述栅极绝缘层同 层。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起形成于所述有源层同层。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起包括第一凸起和形成于所述第一凸起上方的第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起分形成于薄膜晶体管的不同两层。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第一凸起形成于栅极同层，所述第二凸起形成于有源层同层。
7.根据权利要求5或6所述的像素结构，其特征在于，所述第一凸起的厚度与所述栅极相同，所述第二凸起的厚度与所述有源层相同。
8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起的厚度大于或等于薄膜晶体管中与所述凸起材料相同的层的厚度。
9.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起位于对应于所述过孔的正下方。
10.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，覆盖在所述凸起上方的漏极宽度大于或等于与所述漏极接触的像素电极宽度。
11.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起和/或所述漏极采用透明材料制成。
12.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述钝化膜包含有机钝化膜和/或无机钝化膜。
13.一种液晶面板，其特征在于，包含权利要求1-11所述的像素结构。
14.一种制造像素结构的工艺方法，其特征在于，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极，同时在所述栅极的一侧形成有凸起结构；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层；在有源层上表面绝缘地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
15.一种制造像素结构的工艺方法，其特征在于，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层，同时在对应栅极一侧的位置形成凸起结构；在栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层；，在有源层上表面绝缘地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
16.一种制造像素结构的工艺方法，其特征在于，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层，同时在所述有源层的一侧形成凸起结构；在所述有源层上表面分离地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
17.—种制造像素结构的工艺方法，其特征在于，包含:提供一基板；在基板上方形成栅极，同时在所述栅极的一侧形成第一凸起结构；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层，同时在有源层对应第一凸起的位置形成第二凸起结构；在所述有源层上表面分离地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述第一凸起和第二凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极 ，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。
【文档编号】G02F1/1333GK103995381SQ201410155566
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年4月17日 优先权日:2014年4月17日
【发明者】单文泽, 李晓晔 申请人:上海天马微电子有限公司, 天马微电子股份有限公司