配向层的形成方法和液晶面板的形成方法
【专利摘要】一种配向层的形成方法和液晶面板的形成方法。其中所述配向层的形成方法包括：在基板上形成配向材料层；对所述配向材料层进行取向处理；在所述取向处理之后，采用过热蒸汽或者过热气体进行清洗工艺；在所述清洗工艺之后，进行降温烘干工艺直至形成配向层。所述配向层的形成方法节省了工艺步骤，提高了工艺产出，简化工艺过程，提高工艺节拍。
【专利说明】配向层的形成方法和液晶面板的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种配向层的形成方法和液晶面板的形成方法。【背景技术】
[0002]液晶显示器以体积小，重量轻，低辐射等优点广泛应用于各种领域。液晶显示器的工作原理为:通过改变施加在液晶上的电压改变液晶分子的偏转角度，从而控制偏振光旋转方向和偏振状态，以实现液晶显示器显示状态的改变。
[0003]通常液晶分子排列是随机取向且分布是杂乱无章的，为了使液晶分子能够沿着一个方向排列，需要对液晶面板中的彩膜基板和阵列基板的至少其中之一进行配向。配向方法为在彩膜基板和阵列基板朝向液晶的一侧形成配向层并进行取向处理，使得配向层作用于液晶分子，从而使液晶分子能够有规律的排列，进而在阵列基板和彩膜基板上施加电压后可以控制液晶分子旋转预定角度(Pretilt angle)。此预定角度在液晶显示中的作用有:
1.使液晶分子具有均匀且稳定的初始取向状态；2.防止施加电压时产生畴错。
[0004]但是现有配向层的形成方法在清洁阶段不能很好地去除杂质，杂质容易残留，使液晶配向效果变差。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是提供一种配向层的形成方法和液晶面板的形成方法，以防止配向层的形成过程中杂质残留。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种配向层的形成方法，包括:在基板上形成配向材料层；对所述配向材料层进行取向处理；在所述取向处理之后，采用过热蒸汽或者过热气体进行清洗工艺；在所述清洗工艺之后，进行降温烘干工艺直至形成配向层。与现有技术相t匕，本发明的技术方案具有以下优点:
[0007]在去除杂质时，不需要进行专门的加热固烤处理步骤，而是在配向材料层取向处理后利用过热蒸汽或者过热气体进行清洗工艺，并在后续采用降温烘干工艺，使取向处理后的配向材料层并被完全去除干净，节省了工艺步骤，提高了工艺产出，简化工艺过程，提高工艺节拍。
[0008]进一步，本发明提供一种液晶面板的形成方法包括:提供相对设置的两个基板；在至少一个所述基板上采用本发明所提供的配向层的形成方法形成配向层。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是本发明实施例所提供的配向层的形成方法各步骤对应的流程示意图；
[0010]图2是本发明实施例所提供的配向层的形成方法中其中一个多段式降温的过程示意图；
[0011]图3是本发明实施例所提供的配向层的形成方法中另一个多段式降温的过程示意图；[0012]图4是本发明实施例所提供的配向层的形成方法中又一个多段式降温的过程示意图。
【具体实施方式】
[0013]现有配向层的形成方法在清洁阶段不能很好地去除杂质，容易留下残留，使液晶配向效果变差。
[0014]为此，本发明提供一种新的配向层的形成方法，所述形成方法在去除杂质时，采用过热蒸汽或者过热气体进行清洗工艺，并在后续采用降温烘干工艺，使取向处理后的配向材料层的杂质及分解产物被完全去除干净，由于利用清洗工艺和降温烘干工艺同时起到去除光照后分解产物的作用，因此节省了工艺步骤，提高了工艺产出，简化工艺过程，提高工艺节拍。
[0015]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0016]本发明实施例提供一种配向层的形成方法，所述形成方法各步骤如图1所示。
[0017]请参考图1，进行步骤Sll:在基板上形成配向材料层。
[0018]本实施例中，所述基板可以为液晶显示面板中的彩膜基板或者阵列基板，并且形成配向材料层的表面为彩膜基板或者阵列基板朝向后续液晶层的表面。所述基板的材质可以为玻璃板或塑料板，塑料板可以为聚氯乙烯材料板(Polyvinylchloride, PVC)等。在基板上形成配向材料层之前可以对基板进行洗净处理，去除基板上可能存在的污染颗粒，然后对基板进行烘干处理。
[0019]所述配向材料层的材料为聚酰胺酸(polyamide acid)、聚酰胺酸酯(polyamicacid ester)和聚酰亚胺(polyimide)中的至少一种。聚酰胺酸、聚酰胺酸酯和聚酰亚胺材质的配向材料层一般比较稳定，即使在150°C?250°C，也不与水蒸气等发生不良反应。
[0020]形成配向材料层的过程可以为:采用转涂布(spin coating)、狭缝涂布(slitcoating)或其它方法在基板上涂布配向液，配向液的主要成分可以为聚酰亚胺，聚酰亚胺薄膜具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性，能在_269°C?280°C的温度范围内长期使用，短时可达到400°C的高温，配向液的溶剂成分可以包括N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙二醇单丁醚(BC)和Y-丁内酯(BL)。NMP用于溶解聚酰亚胺，BC用于提高印刷性，BL用于协助溶解聚酰亚胺；然后对所述配向液进行预烘烤，预烘烤温度可以为100°C?150°C之间，预烘烤的时间可以为15min?30min。预烘烤使大部分溶剂挥发去除。
[0021]请继续参考图1，进行步骤S12:对所述配向材料层(此时配向材料层为预烘烤后的配向液)进行取向处理。所述取向处理可以为光配向处理、摩擦配向处理或者离子束配向处理。
[0022]采用摩擦配向处理之前，可以对预烘烤处理后的配向液进行固烤处理，固烤处理的温度可以为230°C左右。摩擦配向处理具体过程可以为:利用尼龙、人造丝或棉绒等材料(统称为摩擦布)按一定方向对配向材料层进行处理，以使处理后的配向材料层表面形成沟槽，从而对液晶分子具有一定的锚定能力，后续能够使液晶分子按一定的预倾角进行稳定和均一的排列。[0023]摩擦配向处理之后通常配向材料层表面会还有杂质，因此需要进行除杂处理。
[0024]采用离子束配向处理前，可以对预烘烤处理后的配向液进行固烤处理，固烤处理的温度可以为230°C左右。离子束配向处理具体过程可以为:将具有配向材料层的基板移入真空腔室中，采用离子枪产生离子，再经过过滤处理使离子形成线状离子束，线状离子束扫描撞击配向材料层的不同区域，从而达到取向处理。具体地，配向材料层的配向材料主链的特定部分被离子束断开，用于在预定的方向上配向液晶分子，侧链用于形成预倾斜角。
[0025]离子束配向处理之后，由于主链的断裂形成了小分子杂质，通常也需要进行除杂处理。
[0026]光配向处理是利用偏极化的紫外光(UV)以特定方向照射配向膜引发光学各向异性，为一种非接触式配向技术。光配向材料形成配向膜的变化机制可分为光交联反应机制、光降解反应机制、光异构化反应机制、光再取向反应机制等，其中光降解反应机制所形成的光配向材料具有热安定性和配向稳定性的优点，本实施例具体采用光降解机制进行光配向处理。
[0027]需要特别说明的是，当采用本实施例的形成方法进行光配向处理时，在光配向处理之前，配向材料层仍然处于预烘烤后的状态，在进行了本光配向处理步骤之后，不需要再对配向材料层进行固烤处理，因此，采用本实施例的形成方法的光配向处理可以节省固烤步骤。
[0028]对于平面转换模式(IPS)或者边缘场开关模式(FFS)的液晶面板，如果采用摩擦配向处理形成配向层，易导致表层划伤、灰尘和静电等问题，但是采用光配向处理形成配向层就可以避免上述问题，因此，对于IPS模式和FFS模式的液晶面板，本实施例选择用光配向处理形成配向层。
[0029]本实施例中，将光源发出的紫外光线通过偏振器形成偏振紫外光，偏振紫外光与配向材料层(预烘烤处理后的配向液)之间设置光罩，光罩对应暴露配向材料层对应于各个像素所在位置。通过光罩对配向材料层进行光线照射。
[0030]当光降解型配向材料层受到特定光照(通常光照为线偏振紫外光)后，配向材料层中的酰亚胺基团被激发，产生自由基，引发高分子降解，与UV光的偏振方向同方向的分子长链被降解，垂直于UV光的偏振方向的高分子依然具有大量未被降解的酰亚胺基团，在范德华力的作用下，高分子产生配向。
[0031]光照后的分解产物对液晶分子的取向仍有影响，为此，还要对这些分解产物进行去除。然而，分解产物(尤其是分子较大的分解产物)，不易去除，并且这些分解产物残留后可能导致后续利用此基板形成的液晶面板时，使液晶面板出现对比度低、漏光和残影等问题。
[0032]由以上分析可知，无论采用何种取向处理，在取向处理之后均需要进行除杂处理，特别是采用光配向处理，需要对分解产物进行去除。
[0033]为此，本实施例在所述取向处理之后，如图1所示，进行步骤S13:采用过热蒸汽或者过热气体进行清洗工艺。
[0034]本实施例中，所述过热蒸汽为过热水蒸气。由于过热水蒸气廉价易得，并且使用安全，因此通常情况下可以采用过热水蒸气进行清洗。并且所述过热水蒸气的温度范围为100°C?250V。具体的，所述过热水蒸气的温度可以为100°C、150°C、180°C、200°C、210°C、220O、230O、240O、245°C或 250°C。
[0035]在本发明的其他实施方式中，所述过热蒸汽可以为过热有机蒸汽。当采用过热有机蒸汽时可采用过热乙醇蒸汽，这是由于乙醇廉价易得，并且不含毒性，使用安全。
[0036]在本发明的另外一些实施方式中，也可以采用过热气体进行所述清洗工艺，所述过热气体可以为过热惰性气体。当采用过热惰性气体时，可采用过热氩气，这是由于氩气工业应用广泛，并且性质稳定，不会与其他膜层发生反应引起材料劣化。
[0037]所述清洗工艺可以在蒸汽腔室中进行，即将具有所述配向材料层的所述基板设置于蒸汽腔室中，然后通入过热水蒸气进行清洗。为了使清洗效果更好，可以使所述基板具有所述配向材料层的表面朝下设置，从而使过热水蒸气在通入蒸汽腔室时更好地作用在所述配向材料层。
[0038]所述清洗工艺的清洗时间范围为Imin?60min，具体清洗时间可根据实际情况调整，例如为 lmin、10min、20min、30min、40min、50min 或 60min。
[0039]本实施例所采用的清洗工艺利用过热蒸汽进行清洗，能够去除在取向处理步骤中产生的杂质及分解产物。但是，由于采用过热水蒸气清洗，为了确保基板上没有水分子残留，需要对基板进行烘干处理。
[0040]为此，本实施例在采用过热蒸汽或者过热气体进行清洗工艺之后，如图2所示，进行步骤S14，在所述清洗工艺之后，进行降温烘干工艺直至形成配向层。
[0041]本实施例中，采用多段降温烘干处理进行所述降温烘干工艺，所述多段降温烘干处理的初始温度为所述过热蒸汽的清洗温度，所述多段降温烘干处理的终止温度为20°C?25 0C，所述初始温度与所述终止温度的差值为降温差值。
[0042]请参考图2，在一个具体的例子中，采用三段降温烘干处理。三段降温烘干处理的初始温度为200°C (即前述清洗工艺过程中过热蒸汽的清洗温度设置为200°C )，三段降温烘干处理的终止温度为20°C，因此降温差值为180°C。
[0043]第一段降温烘干处理从零时刻开始，第一段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的10%?20%，具体选择用15%，因此第一段降温烘干处理降低的温度为1800C X 15%= 27°C，此时第一段降温烘干处理的恒定烘干温度为200°C -27°C= 173°C。第一段降温烘干处理的降温速度范围可以为1°C /min?15°C /min，具体选择用1°C /min,则第一段降温烘干处理的降温时间为27min，即第27min温度降至173°C。第一段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用60min,即第87min第一段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0044]第二段降温烘干处理从第87min后开始，第二段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的25%?35%，具体选择用30%，因此第二段降温烘干处理降低的温度为1800C \30%=541:，此时第二段降温烘干处理的恒定烘干温度为1731:-541:=1191:，第二段降温烘干处理的降温速度范围可以为1°C /min?15°C /min，具体选择用2V /min，则第二段降温烘干处理的降温时间为27min，即第114min温度降至119°C。第二段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用40min,即第154min第二段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0045]第三段降温烘干处理从第154min后开始，第三段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的50%?60%，具体选择用55%，因此第三段降温烘干处理降低的温度为180°C X55%= 99°C，此时第三段降温烘干处理的恒定烘干温度为119°C -99°C= 20°C，第三段降温烘干处理的降温速度范围可以为1°C /min?15°C /min，具体选择用4°C /min，则第三段降温烘干处理的降温时间为约25min，即第179min温度降至20°C。第三段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用30min,即第209min第三段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0046]经过三段降温烘干处理之后，最终得到不含杂质及分解产物，并且表面干燥的配向层。
[0047]请参考图3，在另一个具体的例子中，采用四段降温烘干处理。四段降温烘干处理的初始温度为220°C (即前述清洗工艺过程中过热蒸汽的清洗温度设置为220°C )，四段降温烘干处理的终止温度为20°C，因此降温差值为200°C。
[0048]第一段降温烘干处理从零时刻开始，第一段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的5%?15%，具体选择用10%，因此第一段降温烘干处理降低的温度为200°C X 10%=20°C，此时第一段降温烘干处理的恒定烘干温度为220°C -20°C= 200°C。第一段降温烘干处理的降温速度范围可以为l°c /min?15°C /min，具体选择用1°C /min，则第一段降温烘干处理的降温时间为20min，即第20min温度降低至200°C。第一段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用60min,即第80min第一段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0049]第二段降温烘干处理从第SOmin后开始，第二段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的15%?25%，具体选择用20%，因此第二段降温烘干处理降低的温度为2000C X20% = 400C，此时第二段降温烘干处理的恒定烘干温度为200°C -40°C = 160°C，第二段降温烘干处理的降温速度范围可以为l°c /min?15°C /min，具体选择用2V /min，则第二段降温烘干处理的降温时间为20min，即第IOOmin时温度降低至160°C。第二段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用50min,即第150min第二段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0050]第三段降温烘干处理从第150min后开始，第三段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的25%?35%，具体选择用30%，因此第三段降温烘干处理降低的温度为2000C X30% = 60°C，此时第三段降温烘干处理的恒定烘干温度为160°C-60°C= 100°C，第三段降温烘干处理的降温速度范围可以为l°c /min?15°C /min，具体选择用10°C /min，则第三段降温烘干处理的降温时间为lOmin，即第160min时温度降低至100°C。第三段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用30min,即第190min时第三段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0051]第四段降温烘干处理从第190min后开始，第四段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的35%?45%，具体选择用40%，因此第四段降温烘干处理降低的温度为2000C X40%= 80°C，此时第四段降温烘干处理的恒定烘干温度为100°C -80°C= 20°C，第四段降温烘干处理的降温速度范围可以为l°c /min?15°C /min，具体选择用15°C /min，则第四段降温烘干处理的降温时间约为53min，即第243min时温度降低至约243°C。第四段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用30min,即第273min时第四段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0052]经过四段降温烘干处理之后，不仅配向材料层表面的杂质及分解产物被全部去除干净，而且降温过程更加缓和，可以更好地保护配向材料层，从而得到质量良好的配向层。
[0053]请参考图4，在又一个具体的例子中，采用五段降温烘干处理。五段降温烘干处理的初始温度为245°C (即前述清洗工艺过程中过热蒸汽的清洗温度设置为245°C )，五段降温烘干处理的终止温度为25°C，因此降温差值为220°C。
[0054]第一段降温烘干处理从零时刻开始，第一段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的5%?15%，具体选择用10%，因此第一段降温烘干处理降低的温度为220°C X10%=22°C，此时第一段降温烘干处理的恒定烘干温度为245°C -22°C= 223°C。第一段降温烘干处理的降温速度范围可以为1°C /min?15°C /min，具体选择用1°C /min，则第一段降温烘干处理的降温时间为22min，即第22min温度降低至223°C。第一段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用50min,即第72min时第一段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0055]第二段降温烘干处理从第72min后开始，第二段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的10%?20%，具体选择用15%，因此第二段降温烘干处理降低的温度为220°C X 15% = 33°C，此时第二段降温烘干处理的恒定烘干温度为223°C _33°C = 190°C，第二段降温烘干处理的降温速度范围可以为1°C /min?15°C /min，具体选择用3°C /min，则第二段降温烘干处理的降温时间为llmin，即第83min温度降低至190°C。第二段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用30min,即第113min时第二段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0056]第三段降温烘干处理从第113min后开始，第三段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的15%?25%，具体选择用20%，因此第三段降温烘干处理降低的温度为2200C X20% = 440C，此时第三段降温烘干处理的恒定烘干温度为190°C -44°C = 146°C，第三段降温烘干处理的降温速度范围可以为1°C /min?15°C /min，具体选择用4°C /min，则第三段降温烘干处理的降温时间为llmin，即第124min温度降低至146°C。第三段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用30min,即第154min时第三段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0057]第四段降温烘干处理从第154min后开始，第四段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的20%?30%，具体选择用25%，因此第四段降温烘干处理降低的温度为2200C X25%= 55°C，此时第四段降温烘干处理的恒定烘干温度为146°C -55°C= 91°C，第四段降温烘干处理的降温速度范围可以为1°C /min?15°C /min，具体选择用5°C /min，则第四段降温烘干处理的降温时间为llmin，即第165min温度降低至91°C。第四段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用30min,即第195min时第二段降温烘干处理的恒定烘干结束。
[0058]第五段降温烘干处理从第195min后开始，第五段降温烘干处理降低的温度可以为降温差值的25%?35%，具体选择用30%，因此第五段降温烘干处理降低的温度为2200C X 30% = 660C，此时第五段降温烘干处理的恒定烘干温度为91 °C -66°C = 25°C，第五段降温烘干处理的降温速度范围可以为1°C /min?15°C /min，具体选择用6°C /min，则第五段降温烘干处理的降温时间为llmin，即第206min温度降低至25°C。第五段降温烘干处理在降温后的恒定烘干时间可以为30min?60min,具体选用30min,即第236min时第五段降温烘干处理的恒定烘干结束。[0059]经过五段降温烘干处理之后，不仅配向材料层表面的杂质及分解产物被全部去除干净，而且降温过程进一步缓和，可以进一步保护配向材料层，进一步提高最终得到的配向
层质量。
[0060]在经过上述降温烘干处理之后，本实施例形成配向层。
[0061]本实施例所提供的配向层的形成方法中，在去除杂质时，不需要进行专门的加热固烤处理步骤，而是在配向材料层取向处理后利用过热水蒸气进行清洗工艺，并在后续采用降温烘干工艺，使取向处理后的配向材料层的杂质及分解产物被完全去除干净，由于利用清洗工艺和降温烘干工艺同时起到去除光照后分解产物的作用，因此节省了工艺步骤，提高了工艺产出，简化工艺过程，提高工艺节拍。
[0062]本发明又一实施例还提供一种液晶面板的形成方法，所述形成方法包括:提供相对设置的两个基板，其中，两个基板分别为彩膜基板和阵列基板的其中之一。
[0063]阵列基板经过成膜、曝光和蚀刻等工序的循环，最终在表面做出所需要的TFT阵列的图形来，流入CELL(成盒)制程。彩膜基板经过成膜、曝光和蚀刻等工序的循环，最终在表面上做出所需要的R、G、B三原色的图形来，流入CELL制程。在CELL制程制程前段，在至少一个所述基板上采用前述实施例所述的形成方法形成所述配向层。具体在所述基板上形成所述配向层的过程可参考前述实施例相应内容。后续再进行液晶滴下(ODF)和液晶盒真空贴合等工序，直至最终形成液晶面板。
[0064]本实施例的形成方法由于采用了前述实施例的形成方法在至少一个所述基板上形成配向层，因此同样具有节省工艺步骤，提高工艺产出，简化工艺，提高工艺节拍的优点。
[0065]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种配向层的形成方法，其特征在于，包括: 在基板上形成配向材料层； 对所述配向材料层进行取向处理； 在所述取向处理之后，采用过热蒸汽或者过热气体进行清洗工艺； 在所述清洗工艺之后，进行降温烘干工艺直至形成配向层。
2.如权利要求1所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述取向处理为光配向处理、摩擦配向处理或者离子束配向处理。
3.如权利要求1所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述过热蒸汽的温度范围为100。。~250。。。
4.如权利要求1所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述清洗工艺的清洗时间范围为 Imin ~60min。
5.如权利要求1所述的配向层的形成方法，其特征在于，采用多段降温烘干处理进行所述降温烘干工艺，所述多段降温烘干处理的初始温度为所述过热蒸汽的清洗温度，所述多段降温烘干处理 的终止温度为20°C~25°C，所述初始温度与所述终止温度的差值为降温差值。
6.如权利要求5所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述多段降温烘干处理为三段降温烘干处理，第一段降温烘干处理降低的温度为所述降温差值的10%~20%，第二段降温烘干处理降低的温度为所述降温差值的25%~35%，第三段降温烘干处理降低的温度为所述降温差值的50%~60%，每段降温烘干处理降温后的恒定烘干时间为30min~60mino
7.如权利要求5所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述多段降温烘干处理为四段降温烘干处理，其中第一段降温烘干处理降低的温度为降温差值的5%~15%，第二段降温烘干处理降低的温度为降温差值的15%~25%，第三段降温烘干处理降低的温度为降温差值的25%~35%，第四段降温烘干处理降低的温度为降温差值的35%~45%，每段降温烘干处理降温后的稳定烘干时间为20min~60min。
8.如权利要求5所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述多段降温烘干处理为五段降温烘干处理，其中第一段降温烘干处理降低的温度为降温差值的5%~15%，第二段降温烘干处理降低的温度为降温差值的10%~20%，第三段降温烘干处理降低的温度为降温差值的15%~25%，第四段降温烘干处理降低的温度为降温差值的20%~30%，第五段降温烘干处理降低的温度为降温差值的25%~35%，每段降温烘干处理降温后的稳定供干时间为IOmin~60min。
9.如权利要求6、7或8所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述多段降温烘干处理的降温速度范围为1°C /min~15°C /min。
10.如权利要求1所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述配向材料层的材料为聚酰胺酸、聚酰胺酸酯和聚酰亚胺中的至少一种。
11.如权利要求1所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述过热蒸汽为过热水蒸气或者过热有机蒸气；所述过热气体为过热惰性气体。
12.如权利要求11所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述过热有机蒸汽为过热乙醇蒸汽。
13.如权利要求12所述的配向层的形成方法，其特征在于，所述过热气体为过热氩气。
14.一种液晶面板的形成方法，其特征在于，包括: 提供相对设置的两个基板； 在至少一个所述基板上采用权利要求1至13任一项所述的配向层的形成方法形成配向层。
【文档编号】G02F1/1333GK104020612SQ201410293191
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年6月25日 优先权日:2014年6月25日
【发明者】曹兆铿, 周波, 叶舟 申请人:上海天马微电子有限公司, 天马微电子股份有限公司