用于EUV光刻的防护薄膜组件的制作方法

技术特征：

1.一种用于EUV光刻的防护薄膜组件，包括：

第一无机层，包括消光系数小于或等于0.02的无机材料；

第一结合层，设置在第一无机层上，并且包括具有属于儿茶酚基团的官能团的有机材料；以及

强度增强层，设置在第一结合层上，并且包括碳纳米结构，

其中，第一结合层增大第一无机层与强度增强层之间的结合强度。

2.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第一无机层包括Zr、Mo、Y、Si、Rb、Sr、Nb或Ru。

3.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第一结合层包括多巴胺、聚多巴胺、去肾上腺素、聚去肾上腺素、肾上腺素或聚肾上腺素。

4.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第一结合层的厚度小于或等于10nm。

5.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，所述碳纳米结构包括石墨烯或碳纳米管。

6.如权利要求5所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，强度增强层是碳纳米管网格。

7.如权利要求1所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，还包括：

第二结合层，设置在强度增强层上，并且包括具有属于儿茶酚基团的官能团的有机材料；

第二无机层，设置在第二结合层上，并且包括消光系数小于或等于0.02的无机材料。

8.如权利要求7所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第二结合层增大强度增强层与第二无机层之间的结合强度。

9.如权利要求7所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第二结合层包括多巴胺、聚多巴胺、去肾上腺素、聚去肾上腺素、肾上腺素或聚肾上腺素。

10.如权利要求7所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，第二无机层包括Zr、Mo、Y、Si、Rb、Sr、Nb或Ru。

11.一种用于EUV光刻的防护薄膜组件，所述防护薄膜组件为多孔薄膜式防护薄膜组件，所述多孔薄膜式防护薄膜组件包括多个孔和消光系数小于或等于0.02的材料，其中，所述孔的直径小于或等于1μm。

12.如权利要求11所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，其中，所述薄膜式防护薄膜组件包括Zr、Mo、Y、Si、Rb、Sr、Nb或Ru。

13.如权利要求11所述的用于EUV光刻的防护薄膜组件，还包括盖层，所述盖层设置在所述多孔薄膜式防护薄膜组件上并且由消光系数小于或等于0.02的材料制成。

14.一种制造用于EUV光刻的防护薄膜组件的方法，所述方法包括：

制备具有纳米尺寸的孔的多孔结构；

通过将模板材料注入所述多孔结构的孔内，形成具有与所述多孔结构的形状互补的形状的模板；

去除所述多孔结构；

通过使用防护薄膜组件材料涂覆所述模板，形成包括所述多孔结构的形状的多孔薄膜式防护薄膜组件；以及

去除所述模板。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述多孔结构包括阳极化的铝。

16.如权利要求14所述的方法，其中，所述模板材料是PDMS或PMMA。

17.如权利要求14所述的方法，其中，将模板材料注入所述多孔结构的孔内的步骤包括：通过在注入模板材料之后保持真空持续特定持续时间，增大所述多孔结构的孔被填充有模板材料的填充率。

18.如权利要求14所述的方法，其中，所述防护薄膜组件材料包括Zr、Mo、Y、Si、Rb、Sr、Nb或Ru。