显示基板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术：

在平板显示技术领域，薄膜晶体管液晶显示器件(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低等优点，逐渐在当今平板显示市场占据了主导地位。

TFT-LCD的主要结构为对盒的阵列基板和彩膜基板。阵列基板包括交叉分布的多条栅线和多条数据线，用于限定多个像素区域，每一像素区域包括像素电极和薄膜晶体管，栅线与薄膜晶体管的栅电极电性连接，数据线与薄膜晶体管的源电极电性连接，像素电极与薄膜晶体管漏电极电性连接，通过控制打开薄膜晶体管，向像素电极传输像素电压。

TN型TFT-LCD采用的是常白模式。常白模式就是光通过下侧的偏振片后，成为线偏振光，通过未加电压的液晶后，发生了旋光效应，偏振方向旋转90度，刚好与上侧偏振片的光轴方向相同，所以当液晶不加电时，TFT-LCD是亮的，是常白模式。对于常白模式，若在生产过程中产生像素不良在后端显示为亮点，需要进行暗点化维修，即，通过切割断开漏极和像素电极之间的连接，并通过焊接将相应的栅信号引入到像素电极达到暗点化的目的。

但是，由于像素电极由透明导电材料制得，质脆容易崩裂，导致焊接成功率低。

技术实现要素：

本实用新型提供一种显示基板及显示装置，用以解决通过焊接方式将栅线信号引入至像素电极时，焊接成功率低的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例中提供一种显示基板，包括：

多条栅线和多条数据线，所述栅线和数据线交叉分布限定多个像素区域；

多个显示单元，每一显示单元包括：

一设置在所述像素区域内的像素电极；

一用于向所述像素电极传输电压的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与栅线电性连接，源电极与数据线电性连接，漏电极与像素电极电性连接，其中，

所述漏电极在所述显示基板所在平面上的正投影与所述栅线在所述显示基板所在平面上的正投影部分交叠，形成一交叠区域。

如上所述的显示基板，优选的是，所述薄膜晶体管还包括有源层，所述漏电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述显示基板所在平面上的正投影与所述有源层在所述显示基板所在平面上的正投影至少部分交叠，所述第二部分在所述显示基板所在平面上的正投影与所述有源层在所述显示基板所在平面上的正投影完全不交叠；

其中，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度，且所述第二部分在所述显示基板所在平面上的正投影与所述栅线在所述显示基板所在平面上的正投影部分交叠，形成所述交叠区域。

如上所述的显示基板，优选的是，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极，所述栅电极与所述栅线为一体结构；

每一显示单元的像素电极和薄膜晶体管位于栅线的相对两侧，所述漏电极从所述栅线的一侧至少延伸至栅线的上方，与对应的像素电极电性连接。

如上所述的显示基板，优选的是，相邻两个像素区域之间具有两条栅线；

每一像素区域包括两个在栅线的延伸方向上间隔一定距离设置的像素电极，位于一数据线两侧的相邻两列像素电极对应的薄膜晶体管与该数据线电性连接，并与不同的栅线电性连接。

如上所述的显示基板，优选的是，薄膜晶体管位于相邻两个像素区域之间的两条栅线之间，且位于相同两条栅线的薄膜晶体管中，相邻的两个薄膜晶体管在第一平面上的正投影部分交叠，所述第一平面与数据线的延伸方向平行且垂直于所述显示基板所在的平面。

如上所述的显示基板，优选的是，对于一像素区域的两个像素电极，其中一个像素电极对应的薄膜晶体管与位于该像素区域一侧的一条栅线电性连接，另一个像素电极对应的薄膜晶体管与位于该像素区域的相对另一侧的一条栅线电性连接。

如上所述的显示基板，优选的是，相邻两个像素区域之间设置具有第一栅线和第二栅线；

所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一栅电极与所述第一栅线为一体结构，所述第二薄膜晶体管的第二栅电极与所述第二栅线为一体结构；

所述第一栅电极位于所述第一栅线的背离所述第二栅线的一侧，所述第二栅电极位于所述第一栅线和第二栅线之间；

所述第一栅线与所述第二栅电极对应的位置具有与所述第二栅电极形状配合的弯折结构。

本实用新型实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本实用新型的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，通过设置漏电极在显示基板所在平面上的正投影与栅线在显示基板所在平面上的正投影部分交叠，形成交叠区域，从而可以在所述交叠区域进行焊接，以短接像素电极和栅线，并切割漏电极，使栅线上的测试信号传输至像素电极，对显示装置的像素不良进行维修。为了达到短接像素电极和栅线的目的，实际焊接的是漏电极和栅线，由于两者均为金属材料，提高了焊接成功率，有利于产品的维修成功率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1表示本实用新型实施例中显示基板的结构示意图一；

图2表示图1的局部结构示意图；

图3表示本实用新型实施例中显示基板的结构示意图二；

图4表示图3的局部结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

结合图1和图3所示，本实用新型实施例中提供一种显示基板，包括：

多条栅线10和多条数据线60，栅线10和数据线60交叉分布限定多个像素区域；

多个显示单元，每一显示单元包括：

一设置在所述像素区域内的像素电极1；

一用于向像素电极1传输电压的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极2与栅线10电性连接，源电极3与数据线60电性连接，漏电极4与像素电极1电性连接，其中，漏电极4在所述显示基板所在平面上的正投影与栅线10在所述显示基板所在平面上的正投影部分交叠，形成一交叠区域100。

相应地，上述的显示基板的制作方法，包括：

形成多条栅线和多条数据线，所述栅线和数据线交叉分布限定多个像素区域；

形成多个显示单元，形成每一显示单元的步骤包括：

在所述像素区域内形成一像素电极；

形成一用于向所述像素电极传输电压的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与栅线电性连接，源电极与数据线电性连接，漏电极与像素电极电性连接，其中，所述漏电极在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分交叠，形成一交叠区域。

本实用新型的技术方案设置漏电极4在显示基板所在平面上的正投影与栅线10在显示基板所在平面上的正投影部分交叠，形成交叠区域100，从而可以在靠近薄膜晶体管的有源层的附近切割漏电极4(例如：沿图1和图3中的虚线切割漏电极4)，将漏电极4分为彼此绝缘的第一部分40和第二部分41，第一部分40与薄膜晶体管的有源层接触设置，第二部分41与像素电极1电性连接，且第二部分41在所述显示基板所在平面上的正投影与栅线10在所述显示基板所在平面上的正投影部分交叠，形成交叠区域100。并在交叠区域100进行焊接，短接漏电极4的第二部分41和栅线10，即，短接像素电极1和栅线10。短接成功后，可以通过栅线10向像素电极1传输电压信号，对显示装置的像素不良进行维修。为了达到短接像素电极1和栅线10的目的，实际焊接的是漏电极4的第二部分41和栅线10，由于两者均为金属材料，提高了焊接成功率，提高维修成功率。

需要说明的是，本实用新型中的每一显示单元对应一个像素，每一显示单元包括一个薄膜晶体管和一个像素电极。

其中，薄膜晶体管的栅电极2可以与栅线10一体成型，由同一栅金属薄膜制得。源电极3可以与数据线60一体成型，漏电极4与源电极3为同层结构，由同一源漏金属薄膜制得。栅金属和源漏金属可以为Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属薄膜和源漏金属薄膜可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。漏电极4和像素电极1之间设置有钝化层，漏电极4和像素电极1可以通过位于所述钝化层中的过孔电性连接。

本实施例中的显示基板可以采用双栅结构，具体结构为：相邻两行像素区域之间设置两条栅线10，栅线10数量加倍。栅线10和数据线60限定的每一像素区域包括两个在栅线10的延伸方向上间隔一定距离设置的像素电极1，位于一数据线60两侧的相邻两列像素电极1对应的薄膜晶体管与该数据线60电性连接，并与不同的栅线10电性连接，从而减少了一半的数据线60，减小了边框，降低了生产成本。对于双栅结构，每一像素区域包括两个像素电极，对应两个像素。

为了便于描述，设定漏电极4包括第一部分40和第二部分41，第一部分40和第二部分41为一体结构，且第一部分40与薄膜晶体管的有源层接触设置，即，第一部分40在所述显示基板所在平面上的正投影与所述有源层在所述显示基板所在平面上的正投影至少部分交叠。第二部分41与像素电极1电性连接，且第二部分41在所述显示基板所在平面上的正投影与所述有源层在所述显示基板所在平面上的正投影完全不交叠。其中，第二部分41在所述显示基板所在平面上的正投影与栅线10在所述显示基板所在平面上的正投影部分交叠，形成交叠区域100。

本实施例中，设置漏电极4的第二部分41的宽度大于第一部分40的宽度，通过增加第二部分41的宽度，可以增加形成的交叠区域100的面积，进一步提高焊接成功率。

为了实现漏电极4在所述显示基板所在平面上的正投影与栅线10在所述显示基板所在平面上的正投影部分交叠(以下简称漏电极4和栅线10部分正对)，形成交叠区域100，可以在不改变漏电极4结构的前提下，合理设置薄膜晶体管、栅线和像素电极的位置关系来实现；也可以通过改变漏电极4的结构来实现，例如：在漏电极4上增加一体成型的分支结构，由所述分支结构与栅线10部分正对，形成交叠区域100。

在一个具体的实施方式中，通过以下方式来实现漏电极4与栅线10的部分正对：

结合图1和图2所示，设置所述薄膜晶体管的栅电极2与栅线10为一体结构。每一显示单元的像素电极1和薄膜晶体管位于栅线10的相对两侧，漏电极4从栅线10的一侧至少延伸至栅线10的上方，与对应的像素电极1电性连接，使得漏电极4与栅线10部分正对，形成交叠区域100。

其中，漏电极4从栅线10的一侧至少延伸至栅线10的上方包括以下两种情形：漏电极4从栅线10的一侧延伸至栅线10的上方(图1中示意)；漏电极4从栅线10的一侧延伸至相对的另一侧，上述两种情形都能够实现漏电极4与栅线10的部分正对。

进一步地，还可以设置漏电极4的第二部分41的线宽大于第一部分40的线宽，以增加交叠区域100的面积，提高焊接成功率。

对于采用双栅结构的显示基板，相邻两个像素区域之间具有两条栅线10。每一像素区域包括两个在栅线10的延伸方向上间隔一定距离设置的像素电极1，位于一数据线60两侧的相邻两列像素电极1对应的薄膜晶体管与该数据线60电性连接，并与不同的栅线10电性连接。具体可以为：对于一像素区域的两个像素电极1，其中一个像素电极1对应的薄膜晶体管与位于该像素区域一侧的一条栅线10电性连接，另一个像素电极1对应的薄膜晶体管与位于该像素区域的相对另一侧的一条栅线10电性连接。其中，薄膜晶体管可以设置在位于两个像素区域之间的两条栅线10之间，使像素电极1和对应的薄膜晶体管位于栅线10的相对两侧，漏电极4从栅线10的一侧至少延伸至栅线10的上方，与对应的像素电极1电性连接，实现漏电极4与栅线10部分正对，形成交叠区域100。

可以理解的是，漏电极4从栅线10的一侧至少延伸至栅线10的上方，实现漏电极4与栅线10部分正对的方式不仅适用于双栅结构的显示基板，也适用于单栅结构的显示基板。

由于双栅结构在相邻两个像素区域之间具有两条栅线10，宽度较大，势必会降低像素开口率。

为了解决上述技术问题，可以将薄膜晶体管设置在位于相邻两个像素区域之间的两条栅线10之间，且位于相同两条栅线10的薄膜晶体管中，相邻的两个薄膜晶体管在第一平面上的正投影部分交叠，所述第一平面与数据线的延伸方向平行且垂直于所述显示基板所在的平面。即，在栅线10的延伸方向上，相邻两个薄膜晶体管在数据线60的延伸方向上不完全错开设置，从而减小双栅结构的宽度，增加像素开口率。

上述具体实施方式通过改变薄膜晶体管、栅线和像素电极的位置关系，使得漏电极和对应的像素电极位于栅线的两侧，漏电极从栅线的一侧至少延伸至栅线的上方，与对应的像素电极电性连接，来实现漏电极和栅线的部分正对，形成交叠区域。在该交叠区域进行焊接可以短接漏电极和栅线，达到短接像素电极和栅线的目的，从而可以通过栅线向像素电极传输电压信号，对显示装置的像素不良进行维修。

在上述具体实施方式中，对于双栅结构的显示基板，通过将薄膜晶体管设置在位于相邻两个像素区域之间的两条栅线10之间，来实现漏电极和栅线的部分正对，形成交叠区域。进一步地，在栅线10的延伸方向上，设置相邻两个薄膜晶体管在数据线60的延伸方向上不完全错开设置，来减小双栅结构的宽度，增加像素开口率。

在另一个具体的实施方式中，对于双栅结构的显示基板，通过以下方式来实现漏电极4与栅线10的部分正对：

结合图3和图4所示，为了便于描述，定义相邻两个像素区域之间具有第一栅线11和第二栅线12，定义与第一栅线10连接的薄膜晶体管为第一薄膜晶体管20，与第二栅线12连接的薄膜晶体管为第二薄膜晶体管30。

需要说明的是，“第一”“第二”仅是便于描述，不具有其它限定意义。

其中，第一薄膜晶体管20的第一栅电极21与第一栅线11为一体结构，第二薄膜晶体管30的第二栅电极31与第二栅线12为一体结构。且第一栅电极21位于第一栅线11的背离第二栅线12的一侧，第二栅电极31位于第一栅线11和第二栅线12之间。第一栅线11与第二栅电极31对应的位置具有与第二栅电极31形状配合的弯折结构50，呈锯齿型咬合设计，对比图1和图3，相对于上一具体实施方式，本具体实施方式更有利于减小双栅结构的宽度，增加显示开口率。

本具体实施方式中同样可以设置：对于一像素区域的两个像素电极1，其中一个像素电极1对应的薄膜晶体管与位于该像素区域一侧的一条栅线电性连接，另一个像素电极1对应的薄膜晶体管与位于该像素区域的相对另一侧的一条栅线电性连接。

进一步地，为了缩短漏电极的长度，降低损耗，设置第一薄膜晶体管20与位于第一栅线11同一侧的像素电极1电性连接，第二薄膜晶体管12与位于第二栅线12相对一侧的像素电极1电性连接。虽然，第一薄膜晶体管20和对应的像素电极1位于第一栅线11的同一侧，由于第一栅电极21与第一栅线11为一体结构，漏电极4与第一栅电极21的部分正对相当于漏电极4与第一栅线11的部分正对。可以增加第一栅电极21的面积，来增加交叠区域100的面积，提高焊接成功率。而第二薄膜晶体管30与对应的像素电极1位于第二栅线12的两侧，漏电极4从第二栅线12的一侧至少延伸至第二栅线12的上方，与第二栅线12部分正对，形成交叠区域100。

以上技术方案通过两种方式来实现漏电极4与栅线部分正对，形成交叠区域100。可以理解的是，薄膜晶体管与对应的像素电极位于栅线的同一侧，通过漏电极与栅电极的部分正对来实现漏电极与栅线的部分正对的方式也适用于单栅结构的显示基板，只需增加栅电极的面积，以保证交叠区域具有足够大的面积即可。

上述两个具体实施方式中，还可以设置漏电极4的第二部分41的宽度大于第一部分40的宽度，且第二部分41在所述显示基板所在平面上的正投影与栅线10在所述显示基板所在平面上的正投影部分交叠，形成交叠区域100。通过增加第二部分41的宽度，可以增加形成的交叠区域100的面积，进一步提高焊接成功率。关于漏电极4的第一部分40和第二部分41的定义在上面内容中已经描述，在此不再详述。

需要说明的是，以上内容中薄膜晶体管与栅线电性连接是指：薄膜晶体管的栅电极与栅线电性连接，薄膜晶体管与数据线电性连接是指：薄膜晶体管源电极与数据线电性连接。薄膜晶体管及与其对应的像素电极是指同一显示单元的薄膜晶体管和像素电极。

本实用新型实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板，以通过焊接的方式短接像素电极和栅线，提高焊接成功率。然后可以通过栅线向像素电极传输电压信号，对显示装置的像素不良进行维修，例如：对常白模式显示装置的暗点化维修，提高维修成功率。

本实用新型实施例中还提供一种如上所述的显示装置的维修方法，包括：

在靠近薄膜晶体管的有源层位置切割漏电极，将漏电极分为彼此绝缘的第一部分和第二部分，所述第一部分靠近薄膜晶体管的有源层，所述第二部分与像素电极电性连接，且所述第二部分在所述显示基板所在平面上的正投影与所述栅线在所述显示基板所在平面上的正投影部分交叠，形成所述交叠区域；

在所述交叠区域进行焊接，短接所述漏电极的第二部分和栅线；

通过栅线向像素电极传输电压信号。

上述维修方法能够提高焊接成功率，从而提高漏电极的第二部分和栅线的短接成功率，使像素电极通过所述第二部分和栅线电性连接。然后通过栅线向像素电极传输电压信号，对显示基板的像素不良进行维修，提高维修成功率。

本实用新型的技术方案尤其适用于对常白模式显示装置(例如：TN型的TFT-LCD)的维修，在切割漏电极后，通过焊接方式短接像素电极和栅线，将栅线上的栅信号引入至像素电极，以进行暗点化维修。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。