一种显示基板及显示装置的制作方法

文档序号:11627495阅读:153来源:国知局
一种显示基板及显示装置的制造方法

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及显示装置。



背景技术:

静电释放(electro-staticdischarge,esd)单元是薄膜晶体管液晶显示基板(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay,tft-lcd)以及有源矩阵有机电致发光显示基板(active-matrixorganiclightemittingdiode,amoled)的重要组成部分。静电释放单元,用于降低在显示基板的制造过程中,诸如显影、刻蚀、模组绑定(bonding)等多个工序中可能对显示基板产生的静电损伤,从而提高显示基板的良率。

如图1所示,现有技术中静电释放单元由两个电容c1、c2和一个薄膜晶体管t构成。在信号端signal的信号线上聚集大量静电时,电容c1的左侧电极就会变为高电位,通过电荷感应作用,电容c1的右侧电极也变为高电位,从而开启薄膜晶体管t,此时,信号端的静电就可以通过薄膜晶体管t向静电导出线端esdbusline释放。基于相似的原理,在静电导出线端积累大量静电时,则由电容c2控制薄膜晶体管t开启,从而将静电导出线端的静电经薄膜晶体管t释放到信号端的各信号线上,从而被对应的信号电源导出。

然而,由于电容的体积较大,因此,在现有的显示基板设计中,静电放电单元占用了很大的布线空间,使得显示基板的显示区相对面积较小,边框区的相对面积较大。并且,在如图1所示的静电释放单元中,仅通过薄膜晶体管t进行静电释放,一旦薄膜晶体管t发生损坏,则会造成静电释放单元失效,从而无法释放静电,增加了显示基板被静电击穿的风险。因此,如何减小静电放电单元占用了很大的布线空间,并提高静电释放单元的可靠性是目前本领域技术人员亟需解决的技术问题。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明实施例提供一种显示基板及显示装置,用以解决现有技术中存在的如何减小静电放电单元占用了很大的布线空间,并提高静电释放单元的可靠性的问题。

因此,本发明实施例提供的一种显示基板,包括:设置于所述显示基板显示区的信号线,以及设置于所述显示基板边框区的静电释放单元和静电导出线,其中,

所述静电释放单元,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管;

所述第一薄膜晶体管的漏极和栅极分别与所述信号线连接;

所述第二薄膜晶体管的漏极和栅极分别与所述静电导出线连接;

所述第一薄膜晶体管的源极、所述第二薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的栅极分别与第一节点连接;

所述第三薄膜晶体管的漏极和所述第四薄膜晶体管的漏极分别与所述信号线连接;

所述第三薄膜晶体管的源极和所述第四薄膜晶体管的源极分别与所述静电导出线连接。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述第四薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管的沟道长宽比相同。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述静电释放单元,还包括:第五薄膜晶体管;

所述第五薄膜晶体管的漏极和栅极分别与所述信号线连接;

所述第五薄膜晶体管的源极与所述第一节点连接。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述第五薄膜晶体管和所述第一薄膜晶体管的沟道长宽比相同。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述静电释放单元,还包括:第六薄膜晶体管;

所述第六薄膜晶体管的漏极和栅极分别与所述静电导出线连接;

所述第六薄膜晶体管的源极与所述第一节点连接。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述第六薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的沟道长宽比相同。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述信号线为数据信号线、栅极信号线、控制信号线、时钟信号线、测试信号线其中之一或组合。

在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述静电导出线接地,或,所述静电导出线为公共电极线。

本发明实施例提供了一种显示装置,包括上述显示基板。

本发明有益效果如下:

本发明实施例提供的一种显示基板及显示装置,包括:设置于显示基板显示区的信号线,以及设置于显示基板边框区的静电释放单元和静电导出线,其中,静电释放单元,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管;由于第一薄膜晶体管的漏极和栅极分别与信号线连接,第一薄膜晶体管的源极、第三薄膜晶体管的栅极分别与第一节点连接,第三薄膜晶体管的漏极和第四薄膜晶体管的漏极分别与信号线连接,第三薄膜晶体管的源极和第四薄膜晶体管的源极分别与静电导出线连接,因此,在信号线上聚集大量静电时,可以导通第一薄膜晶体管,进而开启第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管,从而使得信号线上的静电可以通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管向静电导出线释放,并由静电导出线将静电导出。并且,由于第二薄膜晶体管的漏极和栅极分别与静电导出线连接,第二薄膜晶体管的源极、第三薄膜晶体管的栅极分别与第一节点连接,第三薄膜晶体管的漏极和第四薄膜晶体管的漏极分别与信号线连接,第三薄膜晶体管的源极和第四薄膜晶体管的漏极分别与静电导出线连接,因此,在静电导出线聚集大量静电时,可以导通第二薄膜晶体管,进而开启第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管,从而使得静电导出线上的静电可以通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管向信号线释放,并由与信号线对应的信号电源将静电导出。

因此,在本发明实施例提供的静电释放单元中,静电可以通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管两条路径进行释放,即使第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管其中之一发生损坏,仍可以通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管中未损坏的一个释放静电,从而提高了静电释放单元的可靠性,降低了显示基板被静电击穿的风险。并且,在信号线或静电导出线上聚集的大量静电,同时通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管两条路径进行释放,增强了静电释放单元释放静电的能力,使得大量静电得以及时、迅速释放,避免了静电释放不及时对显示基板造成的损伤。

此外,由于薄膜晶体管的体积比电容的体积小,因此,与现有技术中由两个电容和一个薄膜晶体管组成的静电放电单元相比,本发明实施例由四个薄膜晶体管组成的静电放电单元的体积较小,从而可以减小静电放电单元的布线空间,以实现显示基板的窄边框设计。

附图说明

图1为现有技术中静电释放单元的结构示意图;

图2至图5分别为本发明实施例提供的静电释放单元的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图,对本发明实施例提供的显示基板及显示装置的具体实施方式进行详细的说明。

本发明实施例提供的一种显示基板,包括:设置于显示基板显示区的信号线,以及设置于显示基板边框区的静电释放单元和静电导出线,其中,

如图2至图5所示,静电释放单元,包括:第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2、第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4;

第一薄膜晶体管t1的漏极和栅极分别与信号线l1连接;

第二薄膜晶体管t2的漏极和栅极分别与静电导出线l2连接;

第一薄膜晶体管t1的源极、第二薄膜晶体管t2的源极、第三薄膜晶体管t3的栅极分别与第一节点a连接;

第三薄膜晶体管t3的漏极和第四薄膜晶体管t4的漏极分别与信号线l1连接;

第三薄膜晶体管t3的源极和第四薄膜晶体管t4的源极分别与静电导出线l2连接。

在本发明实施例提供的上述显示基板中,由于第一薄膜晶体管t1的漏极和栅极分别与信号线l1连接,第一薄膜晶体管t1的源极、第三薄膜晶体管t3的栅极分别与第一节点a连接,第三薄膜晶体管t3的漏极和第四薄膜晶体管t4的漏极分别与信号线l1连接,第三薄膜晶体管t3的源极和第四薄膜晶体管t4的源极分别与静电导出线l2连接,因此,在信号线l1上聚集大量静电时,可以导通第一薄膜晶体管t1,进而开启第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4,从而使得信号线l1上的静电可以通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4向静电导出线l2释放,并由静电导出线l2将静电导出。并且,由于第二薄膜晶体管t2的漏极和栅极分别与静电导出线l2连接,第二薄膜晶体管t2的源极、第三薄膜晶体管t3的栅极分别与第一节点a连接,第三薄膜晶体管t3的漏极和第四薄膜晶体管t4的漏极分别与信号线l1连接,第三薄膜晶体管t3的源极和第四薄膜晶体管t4的源极分别与静电导出线l2连接,因此,在静电导出线l2聚集大量静电时,可以导通第二薄膜晶体管t2,进而开启第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4,从而使得静电导出线l2上的静电可以通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4向信号线l1释放,并由与信号线l1对应的信号电源将静电导出。

因此,在本发明实施例提供的静电释放单元中,静电可以通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4两条路径进行释放,即使第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4其中之一发生损坏,仍可以通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4中未损坏的一个释放静电,从而提高了静电释放单元的可靠性,降低了显示基板被静电击穿的风险。并且,在信号线l1或静电导出线l2上聚集的大量静电,同时通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4两条路径进行释放,可以增强静电释放单元释放静电的能力,使得大量静电得以及时、迅速释放,避免了静电释放不及时对显示基板造成的损伤。

此外,由于薄膜晶体管的体积比电容的体积小,因此,与现有技术中由两个电容和一个薄膜晶体管组成的静电放电单元相比,本发明实施例由第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2、第三薄膜晶体管t3和第三薄膜晶体管t4这四个薄膜晶体管组成的静电放电单元的体积较小,从而可以减小静电放电单元的布线空间,以实现显示基板的窄边框设计。

薄膜晶体管的沟道长宽比确定了源极和漏极之间流过的电流量,比值越大,流过的电流越大。因此,需根据设计参量和要求确定薄膜晶体管的沟道的长和宽,以获得所需的长宽比。

较佳地,为了使静电释放单元可以起到快速均衡释放静电的作用,在本发明实施例提供的上述显示基板中,可以设置第四薄膜晶体管t4和第三薄膜晶体管t3的沟道长宽比相同,从而使得在通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4进行静电释放时,流经第三薄膜晶体管t3的源极和漏极的电流与流经第四薄膜晶体管t4的源极和漏极的电流相同,进而做到了快速均衡释放静电。

进一步地,在保证第四薄膜晶体管t4和第三薄膜晶体管t3的沟道长宽比相同,且设置第四薄膜晶体管t4和第三薄膜晶体管t3的沟道长宽比与如图1所示的现有技术中的薄膜晶体管t的沟道长宽比一致时,试验结果显示,相较于图1所示的静电释放单元,本发明实施例提供的静电释放单元的释放静电的能力较强,从而解决了由于静电释放单元释放静电能力较弱,使大量电荷无法及时、迅速释放,造成显示基板的静电击伤的问题。

当然,在具体实施时,第三薄膜晶体管t3的沟道长宽比也可以与第四薄膜晶体管t4的沟道长宽比不同,在此不做限定。

具体地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,在信号线l1上积累大量静电时,薄膜晶体管t1导通,继而开启薄膜晶体管t3和薄膜晶体管t4,以实现对静电的释放,若薄膜晶体管t1发生损坏,则无法开启薄膜晶体管t3和薄膜晶体管t4,从而造成静电释放单元失效,增加了显示基板被静电击穿的风险。

因此,为了进一步提高静电释放单元的可靠性,降低显示基板被静电击穿的风险,在本发明实施例提供的上述显示基板中,如图3所示,静电释放单元,还可以包括:第五薄膜晶体管t5;

第五薄膜晶体管t5的漏极和栅极分别与信号线l1连接;

第五薄膜晶体管t5的源极与第一节点a连接。

这样设置,通过增加一个与信号线l1连接的第五薄膜晶体管t5,可以使信号线l1上聚集的大量静电导通第一薄膜晶体管t1和/或第五薄膜晶体管t5,继而通过第一薄膜晶体管t1和/或第五薄膜晶体管t5控制第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4的开启,从而将信号线l1上聚集的大量静电通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4释放至静电导出线l2后被导出。如此以来,即使第一薄膜晶体管t1和第五薄膜晶体管t5其中之一发生损坏,仍可以通过另一完好的薄膜晶体管控制第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4的开启,以实现静电的释放,从而进一步提高了静电保护单元的可靠性,降低了静电击穿显示基板的风险。

具体地,为了简化制作工艺,提高生产效率,在本发明实施例提供的上述显示基板中,可以设置第五薄膜晶体管t5和第一薄膜晶体管t1的沟道长宽比相同。当然,在具体实施时,第一薄膜晶体管t1的沟道长宽比也可以与第五薄膜晶体管t5的长宽比不同,在此不做限定。

基于相似的原理,在本发明实施例提供的上述显示基板中,在静电导出线l2上积累大量静电时,薄膜晶体管t2导通,继而开启薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4,以实现对静电的释放,若薄膜晶体管t2发生损坏,则无法开启薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4,从而造成静电释放单元失效,增加了显示基板被静电击穿的风险。

因此,为了进一步提高静电释放单元的可靠性,降低显示基板被静电击穿的风险,在本发明实施例提供的上述显示基板中,如图4所示,静电释放单元,还可以包括:第六薄膜晶体管t6;

第六薄膜晶体管t6的漏极和栅极分别与静电导出线l2连接;

第六薄膜晶体管t6的源极与第一节点a连接。

这样设置,通过增加一个与静电导出线l2连接的第六薄膜晶体管t6,可以使静电导出线l2上聚集的大量静电导通第二薄膜晶体管t2和/或第六薄膜晶体管t6,继而通过第二薄膜晶体管t2和/或第六薄膜晶体管t6控制第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体t4的开启,从而将静电导出线l2上聚集的大量静电通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体t4释放至信号线l1后被导出。如此以来,即使第二薄膜晶体管t2和第六薄膜晶体管t6其中之一发生损坏,仍可以通过另一完好的薄膜晶体管控制第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体t4的开启,以实现静电的释放,从而进一步提高了静电保护单元的可靠性,降低了静电击穿显示基板的风险。

具体地,为了简化制作工艺,提高生产效率,在本发明实施例提供的上述显示基板中,可以设置第六薄膜晶体管t6和第二薄膜晶体管t2的沟道长宽比相同。当然,在具体实施时,第二薄膜晶体管t2的沟道长宽比也可以与第六薄膜晶体管t6的长宽比不同,在此不做限定。

具体地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,为了同时保证在信号线l1和静电导出线l2上聚集的大量静电,可以顺利释放,如图5所示,静电释放单元,还可以同时包括:第五薄膜晶体管t5和第六薄膜晶体管t6;

第五薄膜晶体管t5的源极和第六薄膜晶体管t6分别与第一节点a电性相连;

第五薄膜晶体管t5的漏极和栅极分别与信号线l1连接。

第六薄膜晶体管t6的漏极和栅极分别与静电导出线l2连接。

这样设置,使得信号线l1连接的第一薄膜晶体管t1和第五薄膜晶体管t5起到双保险开关的作用,同时静电导出线l2连接的第二薄膜晶体管t2和第六薄膜晶体管t6也可以起到双保险开关的作用,从而提高了静电释放单元的可靠性,降低了显示基板被静电击穿的风险。并且通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4两条路径释放静电,提高了静电释放的速度,实现了均衡放电的效果;同时因可通过第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4使静电得以释放,即使第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4其中之一发生损坏,仍可以通过另一完好的薄膜晶体管释放静电,从而进一步提高了静电释放单元的可靠性,降低了显示基板被静电击穿的风险。

由上述描述可知,在本发明实施例提供的上述显示基板中,通过在静电释放单元中增加一个作为静电释放路径的薄膜晶体管;和/或,增加一个与信号线l1连接的起开关作用的薄膜晶体管;和/或,增加一个与静电导出线l2连接的起开关作用薄膜晶体管,提高了静电保护单元的可靠性,降低了静电击穿显示基板的风险。因此,在具体实施时,还可以根据实际情况,合理增加与信号线l1连接的薄膜晶体管的数量,与静电导出线l2连接的薄膜晶体管的数量,以及作为静电释放路径的薄膜晶体管的数量,以提高静电保护单元的可靠性,降低静电击穿显示基板的风险,在此不做限定。

值得注意的是,在本发明实施例提供的上述显示基板中,构成静电释放单元的所有薄膜晶体管的源极和漏极可以互换,在此不做限定。

并且,为了降低制作工艺难度,薄膜晶体管一般均采用相同材质的晶体管。因此,在具体实施时,上述全部薄膜晶体管均采用n型薄膜晶体管。

需要说明的是,n型薄膜晶体管在其栅极电位为高电位时处于导通状态,在其栅极电位为低电位时处于截止状态。

在具体实施时,在本发明实施例提供的上述显示基板中,信号线l1可以为数据信号线、栅极信号线、控制信号线、时钟信号线或测试信号线;还可以为数据信号线、栅极信号线、控制信号线、时钟信号线及测试信号线的任意组合;当然,信号线l1还可以为本领域技术人员公知的显示基板中的其他信号线,在此不做限定。

在具体实施时,在本发明实施例提供的上述显示基板中,静电导出线l2可以采用公共电极线,也可以接地设置,在此不做限定。具体地,静电导出线l2的形状可以是折线,也可以是直线,还可以包含环状结构,并且,在本发明实施例中并不限定静电导出线l2的形状。具体地,静电导出线l2一般选用具有较大线宽和较大电流承载能力的放电线。

基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述显示基板,该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示模块、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例,重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的上述显示基板及显示装置,包括:设置于显示基板显示区的信号线,以及设置于显示基板边框区的静电释放单元和静电导出线,其中,静电释放单元,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管;由于第一薄膜晶体管的漏极和栅极分别与信号线连接,第一薄膜晶体管的源极、第三薄膜晶体管的栅极分别与第一节点连接,第三薄膜晶体管的漏极与信号线连接,第三薄膜晶体管的源极与静电导出线连接,因此,在信号线聚集大量静电时,可以导通第一薄膜晶体管,进而开启第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管,从而使得信号线上的静电可以通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管向静电导出线释放,并由静电导出线将静电导出。并且,由于第二薄膜晶体管的漏极和栅极分别与静电导出线连接,第二薄膜晶体管的源极、第三薄膜晶体管的栅极分别与第一节点连接,第三薄膜晶体管的漏极和第四薄膜晶体管的漏极分别与信号线连接,第三薄膜晶体管的源极和第四薄膜晶体管的漏极分别与静电导出线连接,因此,在静电导出线聚集大量静电时,可以导通第二薄膜晶体管,进而开启第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管,从而使得静电导出线上的静电可以通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管向信号线释放,并由与信号线对应的信号电源将静电导出。

因此,在本发明实施例提供的静电释放单元中,静电可以通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管两条路径进行释放,即使第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管其中之一发生损坏,仍可以通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管中未损坏的一个释放静电,从而提高了静电释放单元的可靠性,降低了显示基板被静电击穿的风险。并且,在信号线或静电导出线上聚集的大量静电,同时通过第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管两条路径进行释放,增强了静电释放单元释放静电的能力,使得大量静电得以及时、迅速释放,避免了静电释放不及时对显示基板造成的损伤。

此外,由于薄膜晶体管的体积比电容的体积小,与现有技术中由两个电容和一个薄膜晶体管组成的静电放电单元相比,本发明实施例由四个薄膜晶体管组成的静电放电单元的体积较小,从而可以减小静电放电单元的布线空间,以实现显示基板的窄边框设计。

需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

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