显示装置的制作方法

本申请在2016年8月29日申请的日本专利申请2016-166895号为基础主张优先权，并通过参照而将其内容全部并入本说明书中。

本发明涉及一种显示装置。

背景技术：

例如在液晶显示装置等显示装置中，针对每个像素而设置有开关元件。在该开关元件中，若对半导体层的沟道区域照射来自背光源等的光，则会产生漏电流。因此，提出了利用金属层对半导体层的沟道区域进行遮光的技术。

该金属层通常是浮置的。因此，金属布线可能与供给影像信号的信号线、像素电极耦合，使得像素电极的电位受到信号线的电位的影响而发生变动。这种影响在高精细的像素中表现得较为显著。像素电极的电位的变动作为闪变而被视觉确认到，成为导致显示品质降低的一个因素。在以低频对像素进行驱动的情况下，容易视觉确认到该闪变。

技术实现要素：

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够提高显示品质的显示装置。

一个实施方式的显示装置大体上具备：绝缘基板；像素，其配置于显示区域；扫描线，其在所述显示区域中沿第一方向延伸；信号线，其在所述显示区域中沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；屏蔽布线，其配置于所述绝缘基板与所述扫描线之间，与所述扫描线相对且沿所述第一方向延伸；像素电极，其配置于所述像素；以及第一开关元件，其包含第一半导体层且配置于所述显示区域。所述第一半导体层配置于所述扫描线与所述屏蔽布线之间、且具有与所述扫描线交叉的交叉区域。所述屏蔽布线在俯视时与所述交叉区域重叠，并且通过接触部而与所述扫描线电连接。

根据这种结构，能够提供能提高显示品质的显示装置。

附图说明

图1是表示第一实施方式的显示装置的概要结构的俯视图。

图2是表示上述显示装置的像素的配置例的概要俯视图。

图3是1个像素中所包含的3个子像素的概要俯视图。

图4是沿着图3中的iv-iv线的显示面板的概要剖视图。

图5是沿着图3中的v-v线的第一基板的概要剖视图。

图6是沿着图3中的vi-vi线的第一基板的概要剖视图。

图7是沿着图3中的vii-vii线的第一基板的概要剖视图。

图8是第二开关元件的概要剖视图。

图9是概要地表示第二实施方式中的间隔件的剖视图。

图10是间隔件附近的显示装置的概要俯视图。

图11是表示第三实施方式中的接触部的配置例的概要俯视图。

图12是虚拟像素以及配置于该虚拟像素的接触部的概要俯视图。

具体实施方式

参照附图对几个实施方式进行说明。

此外，本公开只不过是一例，本领域技术人员在确保发明的主旨的前提下通过适当的变更而容易想到的发明，当然也包含在本发明的范围中。另外，有时为了使说明更加明确，与实际情形相比而示意性地表现附图，但附图只不过是一例，并不限定本发明的解释。在各图中，有时对于连续配置的相同或相似的要素省略附图标记。另外，在本说明书和各附图中，有时对与在已经出现的附图中描述的结构要素发挥相同或相似的功能的结构要素，标注相同的参照附图标记并将重复的详细说明省略。

在各实施方式中，作为显示装置的一例而公开了液晶显示装置。但各实施方式并不妨碍在各实施方式中公开的各技术思想对其他种类的显示装置的应用。作为其他种类的显示装置，例如设想为具有有机电致发光显示元件的自发光型的显示装置、具有电泳元件的电子纸型的显示装置等。

[第一实施方式]

图1是表示第一实施方式的显示装置1的概要结构的俯视图。显示装置1具备显示面板2、驱动器ic3以及背光源bl。显示面板2具备第一基板sub1(阵列基板)、第二基板sub2(相对基板)以及液晶层lc。液晶层lc是显示功能层的一例。在图1的例子中，第一基板sub1的尺寸大于第二基板sub2的尺寸。第一基板sub1以及第二基板sub2以将3条边对齐的方式进行贴合。液晶层lc封入于第一基板sub1与第二基板sub2之间。

显示面板2在第一基板sub1与第二基板sub2重叠的区域中具有：显示区域da，其形成有用于显示图像的像素px；以及显示区域da的周围的周边区域sa。并且，显示面板2还具有第一基板sub1和第二基板sub2未重叠的端子区域ta(非相对区域)。

第一基板sub1在显示区域da中具备：多条扫描线g，它们沿第一方向x延伸且在第二方向y上排列；以及多条信号线s，它们沿第二方向y延伸且在第一方向x上排列。在图1的例子中，由直线示出了扫描线g以及信号线s，但扫描线g以及信号线s也可以弯曲或蛇行。以下，将与第一方向x以及第二方向y正交的方向(显示装置1的厚度方向)称为第三方向z。另外，将从第一基板sub1朝向第二基板sub2的方向称为上方(或者简称为上)，将从第二基板sub2朝向第一基板sub1的方向称为下方(或者，简称为下)。另外，将在从第二基板sub2朝向第一基板sub1的方向上观察称为俯视。

在图1的例子中，驱动器ic3安装于端子区域ta。背光源bl配置于显示面板2的下方、且与显示区域da相对。背光源bl从下方将光向显示区域da照射。例如，背光源bl具备：平板状的导光板；以及多个光源，它们沿导光板的端面排列。

第一基板sub1具备：第一驱动器4(栅极驱动器)，其连接有各扫描线g；以及第二驱动器5(源极驱动器)，其连接有各信号线s。在图1的例子中，第一驱动器4在周边区域sa中沿显示区域da的在第二方向y上延伸的一个边而设置，第二驱动器5在周边区域sa中设置于显示区域da与端子区域ta之间。第一驱动器4以及第二驱动器5在其他方式中可以设置于第一基板sub1，也可以设置于第一基板sub1的外部。另外，可以沿显示区域da的在第二方向y上延伸的两条边而设置一对第一驱动器4。

像素px包含多个子像素sp。各子像素sp相当于例如由相邻的2条扫描线g和相邻的2条信号线s划分出的区域。此外，在本公开中，有时还将子像素简称为像素。

在图1的例子中，1个像素px中包含3个子像素sp。这些子像素sp例如分别对红色(r)、绿色(g)、蓝色(b)进行显示。但是，像素px可以包含更多的子像素sp。另外，像素px中所包含的子像素sp的颜色并不局限于红色、绿色、蓝色，也可以是白色、黄色等其他颜色。

在各子像素sp中，第一基板sub1具备第一开关元件sw1、以及像素电极pe。在各子像素sp延伸有设置为相对于多个子像素sp共用的共用电极ce。共用电极ce可以设置于第一基板sub1，也可以设置于第二基板sub2。从驱动器ic3对共用电极ce供给共用电压vcom。

驱动器ic3对第一驱动器4以及第二驱动器5进行控制。第二驱动器5对各信号线s供给影像信号。第二驱动器5也可以执行使向相邻的信号线s供给的影像信号的极性反转的列反转驱动。

第一驱动器4具有多个垂直电路40。例如，各垂直电路40包含移位寄存器、缓存器。各垂直电路40的移位寄存器按顺序依次对传送脉冲进行传送。各垂直电路40的缓存器分别与对应的扫描线g连接。移位寄存器中输入有传送脉冲的垂直电路40的缓存器将扫描信号向与其自身连接的扫描线g供给。

垂直电路40具备多个开关元件。通过这些开关元件的协作而对扫描线g的电压进行控制。这些开关元件中的至少一部分与利用图8而后述的第二开关元件sw2相当。第二驱动器5等周边区域sa中的其他电路可以具备第二开关元件sw2。

若将扫描信号向与某第一开关元件sw1对应的扫描线g供给，则向与该第一开关元件sw1连接的信号线s供给的影像信号被向与该第一开关元件sw1连接的像素电极pe供给。此时，在像素电极pe与共用电极ce之间形成有电场，该电场作用于液晶层lc。通过这种动作能够将各子像素sp控制为使来自背光源bl的光透射的状态(on)、不透射的状态(off)中的某一状态。

图2是表示像素px的配置例的概要俯视图。在显示区域da中，像素px沿第一方向x以及第二方向y排列为矩阵状。在图2的例子中，各种颜色(r，g，b)的子像素sp沿第一方向x排列。另外，红色的子像素sp(r)沿第二方向y排列，绿色的子像素sp(g)沿第二方向y排列，蓝色的子像素sp(b)沿第二方向y排列。此外，子像素sp的配置并不局限于该例子。

在周边区域sa配置有虚拟像素dpx。虚拟像素dpx是有助于对图像的显示的像素，并在俯视时与后述的遮光层21重叠。在图2的例子中，在显示区域da的第一方向x的两侧，与子像素sp相邻地配置有2个虚拟像素dpx。与各子像素sp相邻地配置的虚拟像素dpx的数量可以是1个，也可以是3个以上。

扫描线g横穿显示区域da且还向周边区域sa伸出。在本实施方式中，屏蔽布线sld与各扫描线g并行布设。屏蔽布线sld与扫描线g同样地沿第一方向x延伸，并横穿显示区域da且还向周边区域sa伸出。此外，屏蔽布线sld也可以不向周边区域sa伸出。

屏蔽布线sld经由接触部cp而与扫描线g电连接。在本实施方式中，接触部cp设置于显示区域da。在图2的例子中，相对于1组扫描线g以及屏蔽布线sld而仅示出了1个接触部cp，但也可以设置更多的接触部cp。另外，在图2的例子中，对于绿色的子像素sp设置有接触部cp，但也可以对于其他颜色的子像素sp而设置接触部cp。

图3是1个像素px中所包含的3个子像素sp的概要俯视图。第一开关元件sw1具备例如由氧化物半导体构成的第一半导体层sc1。在图3的例子中，第一半导体层sc1配置于相邻的信号线s之间且与扫描线g交叉。即，第一半导体层sc1具有与扫描线g交叉的交叉区域ca(沟道区域)。此外，第一半导体层sc1的形状并不局限于图3所示的形状。

第一半导体层sc1在位置p1处与中继电极re电连接。中继电极re在位置p2处与像素电极pe电连接。并且，第一半导体层sc1在位置p3处与信号线s电连接。交叉区域ca处于位置p1、p2之间。在图3的例子中，在位置p1且在第一半导体层sc1的上表面配置有导电性的第一保护层pm1，在位置p2且在第一半导体层sc1的上表面配置有导电性的第二保护层pm2。这些保护层pm1，pm2例如能够由金属材料形成。

在图3的例子中，像素电极pe具有沿第二方向y延伸的2个狭缝sl。但是，像素电极pe可以具有更多的狭缝sl，也可以不具有狭缝sl。

屏蔽布线sld沿着扫描线g在第一方向x上延伸。屏蔽布线sld配置于扫描线g的下方，在屏蔽布线sld与扫描线g之间配置有第一半导体层sc1。在图3的例子中，屏蔽布线sld在俯视时与所有扫描线g重叠。即，第一半导体层sc1的交叉区域ca在俯视时与屏蔽布线sld重叠。

若来自背光源bl的光向交叉区域ca照射，则有可能在第一开关元件sw1产生漏电流。屏蔽布线sld具有作为对来自上述背光源bl的光进行遮挡的遮光膜的作用，防止该光向交叉区域ca照射。此外，只要屏蔽布线sld在俯视时与交叉区域ca重叠即可，其形状并不局限于图3所示的形状。

在图3的例子中，屏蔽布线sld的第二方向y上的宽度大于扫描线g的第二方向y上的宽度。由此，能够更可靠地对交叉区域ca进行遮光。屏蔽布线sld的宽度无需如图所示那样为固定的，例如厚度可以在与交叉区域ca重叠的部分和其他部分不同。

扫描线g、信号线s、中继电极re以及屏蔽布线sld均能够由金属材料形成。像素电极pe例如能够由铟锡氧化物(ito)等透明的导电材料形成。图3中虽未示出，但上述共用电极ce与像素电极pe相对。关于共用电极ce，也能够由ito等透明的导电材料形成。

图3中由点划线示出的区域相当于对光进行遮挡的遮光层21。遮光层21与信号线s、扫描线g、第一开关元件sw1、屏蔽布线sld、以及中继电极re相对。遮光层21在子像素sp中具有开口ap。像素电极pe向该开口ap伸出。

上述接触部cp具备：第一突起pt1，其从扫描线g突出；第二突起pt2，其从屏蔽布线sld突出；以及导电层cl。导电层cl在位置p4处与第一突起pt1以及第二突起pt2接触。导电层cl例如能够由金属材料形成，但也可以由ito等透明的导电材料形成。在图3的例子中，第一突起pt1以及第二突起pt2均在第二方向y上突出。但是，第一突起pt1以及第二突起pt2可以在与第一方向x交叉的其他方向上突出。

这样，在图3中的接触部cp，扫描线g和屏蔽布线sld经由导电层cl而电连接。此外，接触部cp的构造并不限于图示的构造。例如，在扫描线g和屏蔽布线sld重叠的区域中可以不使用第一突起pt1以及第二突起pt2，而是直接或者经由导电层cl地将扫描线g和屏蔽布线sld电连接。

在图3的例子中，接触部cp设置于绿色的子像素sp。并且，在设置有接触部cp的位置，遮光层21的第二方向y上的宽度扩大，由此，所有接触部cp在俯视时都与遮光层21重叠。

图4是沿着图3中的iv-iv线的显示面板2的概要剖视图。第一基板sub1具备第一绝缘基板10、第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、第四绝缘层14、第五绝缘层15、第六绝缘层16、第七绝缘层17、第一取向膜18、上述第一开关元件sw1、上述中继电极re、上述像素电极pe以及上述共用电极ce。

第一绝缘基板10例如是透明的玻璃基板或者树脂基板。第一绝缘层11将第一绝缘基板10的上表面(与第二基板sub2的相对面)覆盖。第二绝缘层12将第一绝缘层11覆盖。第三绝缘层13将第二绝缘层12覆盖。第一半导体层sc1形成于第三绝缘层13的上方。

第一保护层pm1在上述位置p1处将第一半导体层sc1的上表面覆盖。第四绝缘层14将第一保护层pm1、从第一保护层pm1露出的第一半导体层sc1以及第三绝缘层13覆盖。第五绝缘层15将第四绝缘层14覆盖。

中继电极re形成于第五绝缘层15的上方。中继电极re在位置p1经由在第四绝缘层14以及第五绝缘层15设置的第一接触孔c1而与第一保护层pm1接触。

第六绝缘层16将中继电极re以及第五绝缘层15覆盖。第六绝缘层16例如由有机树脂材料形成、且在各绝缘层11～17中最厚。利用第六绝缘层16对有可能因第一开关元件sw1而产生的凹凸实施平坦化。共用电极ce形成于第六绝缘层16的上方。第七绝缘层17将共用电极ce以及第六绝缘层16覆盖。

像素电极pe形成于第七绝缘层17的上方。第一取向膜18将像素电极pe以及第七绝缘层17覆盖。像素电极pe在上述的位置p2处经由在第六绝缘层16以及第七绝缘层17设置的第二接触孔c2而与中继电极re接触。

第二基板sub2具备第二绝缘基板20、彩色滤光层22、外涂层23、第二取向膜24以及上述遮光层21。第二绝缘基板20例如是透明的玻璃基板或者树脂基板。遮光层21形成于第二绝缘基板20的下表面(与第一基板sub1的相对面)。彩色滤光层22将遮光层21以及第二绝缘基板20的下表面覆盖。彩色滤光层22被着色成与各子像素sp对应的颜色。外涂层23将彩色滤光层22覆盖。第二取向膜24将外涂层23覆盖。液晶层lc配置于第一取向膜18与第二取向膜24之间。

图4所示的构造是能够应用于像素电极pe和共用电极ce设置于第一基板sub1的ips(in-planeswitching：平面转换)模式、特别是ffs(fringefieldswitching：边缘场开关)模式的结构。但是，显示装置1的构造并不局限于此。例如，共用电极ce也可以设置于第二基板sub2。另外，共用电极ce在第一基板sub1可以配置为比像素电极pe靠液晶层lc侧。

图5是沿着图3中的v-v线的第一基板sub1的概要剖视图。第二保护层pm2在上述位置p3处将第一半导体层sc1的上表面覆盖。第二保护层pm2由第四绝缘层14覆盖。

信号线s形成于第五绝缘层15的上方、且由第六绝缘层16覆盖。信号线s在位置p3处通过在第四绝缘层14以及第五绝缘层15设置的第三接触孔c3而与第二保护层pm2接触。在共用电极ce的上方形成有金属布线ml。金属布线ml与信号线s相对、且沿信号线s延伸(也可参照后述的图6)。此外，图3中并未示出金属布线ml。

图6是沿着图3中的vi-vi线的第一基板sub1的概要剖视图。屏蔽布线sld形成于第二绝缘层12的上方、且由第三绝缘层13覆盖。第一半导体层sc1的交叉区域ca的下表面隔着第三绝缘层13而与屏蔽布线sld相对，并且上表面隔着第四绝缘层14而与扫描线g相对。

图7是沿着图3中的vii-vii线的第一基板sub1的概要剖视图。在上述位置p4处设置有将第三绝缘层13、第四绝缘层14以及第五绝缘层15贯穿的第四接触孔c4。在第四接触孔c4，扫描线g的一部分从第五绝缘层15露出，屏蔽布线sld的一部分从第三绝缘层13、第四绝缘层14以及第五绝缘层15露出。导电层cl通过第四接触孔c4而与扫描线g以及屏蔽布线sld双方接触。在图7的例子中，导电层cl的一部分还向第五绝缘层15的上方延伸。导电层cl由第六绝缘层16覆盖。

图8是第二开关元件sw2的概要剖视图。第二开关元件sw2具备例如由多晶硅构成的第二半导体层sc2、栅极电极ge、源极电极se以及漏极电极de。

第二半导体层sc2形成于第一绝缘层11的上方、且由第二绝缘层12覆盖。栅极电极ge形成于第二绝缘层12的上方、且由第三绝缘层13覆盖。栅极电极ge隔着第二绝缘层12而与第二半导体层sc2相对。

源极电极se以及漏极电极de形成于第五绝缘层15的上方。在第二绝缘层12、第三绝缘层13、第四绝缘层14以及第五绝缘层15设置有第五接触孔c5以及第六接触孔c6。源极电极se经由第五接触孔c5而与第二半导体层sc2接触。漏极电极de经由第六接触孔c6而与第二半导体层sc2接触。

在以上的图2至图8所示的构造中，扫描线g形成于第一层。本实施方式中的第一层相当于第四绝缘层14的上方(根据其他观点，为第五绝缘层15的下方)的层。扫描线g例如能够通过在第四绝缘层14的上方成膜成为上述扫描线g的基础的金属层之后对该金属层实施图案化而形成。

另外，屏蔽布线sld以及栅极电极ge形成于第二层。本实施方式中的第二层相当于第二绝缘层12的上方(根据其他观点，为第三绝缘层13的下方)的层。屏蔽布线sld以及栅极电极ge例如能够通过在第二绝缘层12的上方成膜成为屏蔽布线sld以及栅极电极ge的基础的金属层之后对该金属层实施图案化，而利用相同的工艺及材料而形成。

另外，信号线s、导电层cl、中继电极re、源极电极se以及漏极电极de形成于第三层。本实施方式中的第三层相当于第五绝缘层15的上方(根据其他观点，为第六绝缘层16的下方)的层。信号线s、导电层cl、中继电极re、源极电极se以及漏极电极de例如能够通过在第五绝缘层15以及各接触孔c1、c3～c6的上方成膜成为这些的基础的金属层之后对该金属层实施图案化，而利用相同的工艺及材料而形成。

各接触孔c1、c3～c6例如能够通过相同的蚀刻工艺而形成。为了降低由多晶硅构成的第二半导体层sc2与源极电极se以及漏极电极de的接触电阻，在形成这些电极之前，需要利用氢氟酸水溶液对因各接触孔c5、c6而露出的第二半导体层sc2的表面进行清洗。在进行该清洗时，各接触孔c1、c3的内部也暴露于氢氟酸水溶液中。由氧化物半导体构成的第一半导体层sc1会被氢氟酸水溶液侵蚀，但在本实施方式中在第一半导体层sc1的表面设置有各保护层pm1、pm2。因此，能够对第一半导体层sc1进行保护。

信号线s、导电层cl、中继电极re、源极电极se以及漏极电极de例如具有利用钛或者钛合金夹着铝或者铝合金的层叠构造。但是，这些要素也可以是金属材料的单层构造。

扫描线g、屏蔽布线sld以及栅极电极ge例如由钼钨(mow)合金等金属材料形成。作为一例，这些要素为单层构造，但也可以是层叠构造。

在以上说明的本实施方式中，在第一半导体层sc1的交叉区域ca的下方配置有屏蔽布线sld。因此，能够抑制上述漏电流而提高显示装置1的可靠性。

假设在屏蔽布线sld浮置的情况下，屏蔽布线sld与信号线s、像素电极pe耦合，像素电极pe的电位可能受到信号线s的电位的影响而变动。像素电极pe的电位的变动作为闪变而被视觉确认，该电位的变动成为导致显示品质下降的一个因素。与此相对，在本实施方式中，扫描线g与屏蔽布线sld电连接。因此，扫描线g和屏蔽布线sld的电位相同，像素电极pe的电位不会经由屏蔽布线sld而对信号线s的电位造成影响。因此，抑制了闪变的产生而提高了显示装置1的显示品质。

近年来，像素的高精细化得到发展。在高精细的像素中，因信号线s和像素电极pe的耦合而引起的闪变会显著出现，但若是本实施方式的结构，则即使在对像素px实施高精细化的情况下也能够适当地抑制闪变。

另外，为了实现低耗电化，有时将通常为60hz左右的显示装置1的驱动频率例如设定为30hz、15hz这样的低值。若为高频则难以通过人的眼睛视觉确认上述的因像素电位的变动而引起的闪变，但在这种低频驱动中则容易视觉确认到闪变。如本实施方式这样，通过抑制像素电位的变动，即使在低频驱动中也能够抑制视觉确认到闪变的情况。

屏蔽布线sld与配置于周边区域sa的第二开关元件sw2的栅极电极ge在同层中由相同的材料形成。因此，能够在一个工艺中形成屏蔽布线sld和栅极电极ge，从而能够降低制造成本。

除了以上效果以外，还能通过本实施方式而获得各种优异的效果。

[第二实施方式]

对第二实施方式进行说明。对与第一实施方式相同的要素标注相同的附图标记。未特别提及的结构及效果与第一实施方式相同。

在本实施方式中，作为显示区域da中的接触部cp的优选的配置方式的例子而公开了用于维持液晶层lc的盒厚的间隔件与接触部cp之间的关系。

图9是概要地表示间隔件ss的一例的剖视图。间隔件ss配置于第一基板sub1与第二基板sub2之间。作为一例，间隔件ss设置于第二基板sub2，其前端与第一基板sub1接触。间隔件ss可以配置于上述外涂层23与第二取向膜24之间，也可以配置于第二取向膜24的下方。图9中仅示出了1个间隔件ss，但在显示区域da配置有多个间隔件ss。

图10是间隔件ss的附近的显示装置1的概要俯视图。此处，省略了图3中示出的第一开关元件sw1、像素电极pe的图示。虚线圆相当于间隔件ss的俯视形状。间隔件ss例如配置于扫描线g和信号线s交叉的区域。

遮光层21具有在俯视时与扫描线g以及信号线s重叠的格子形状。并且，遮光层21还在间隔件ss的周围具有扩大部分21a。接触部cp在俯视时与扩大部分21a重叠。

在图10的例子中，扩大部分21a相当于使遮光层21的宽度以比间隔件ss的直径更大的直径与间隔件ss形成为同心圆状的方式扩大的部分。在间隔件ss的附近，液晶层lc中液晶分子的取向会变得紊乱，但通过设置扩大部分21a则能够防止该紊乱对显示图像的影响。

此外，在图10的例子中，间隔件ss以及扩大部分21a配置于红色(r)的子像素sp与绿色(g)的子像素sp之间，接触部cp配置于绿色的子像素sp。然而，间隔件ss、扩大部分21a以及接触部cp的配置方式并不局限于该例子。

根据以上的本实施方式的结构，能够利用用于对间隔件ss的附近进行遮光的扩大部分21a而对接触部cp进行遮光。由此，无需仅仅为了接触部cp而扩大遮光层21，能够防止因设置接触部cp而引起的开口ap的面积(开口率)的降低。

[第三实施方式]

对第三实施方式进行说明。对与上述各实施方式相同的要素标注相同的附图标记。未特别提及的结构及效果与第一实施方式相同。

图11是表示像素px、虚拟像素dpx以及接触部cp的配置例的概要俯视图。在本实施方式中，接触部cp配置于周边区域sa。更具体而言，在图11的例子中，接触部cp配置于虚拟像素dpx。

作为一例，接触部cp能够在显示区域da的第一方向x的两侧分别配置于距显示区域da最近的虚拟像素dpx。但是，接触部cp也可以配置于其他虚拟像素dpx。另外，接触部cp可以在周边区域sa中设置于虚拟像素dpx以外的位置。

图12是虚拟像素dpx以及配置于该虚拟像素dpx的接触部cp的概要俯视图。与通常的子像素sp同样地，虚拟像素dpx具备第一开关元件sw1以及像素电极pe。但是，在虚拟像素dpx的附近并未配置信号线s。因此，第一开关元件sw1的第一半导体层sc1未与信号线s连接。

虚拟像素dpx配置于周边区域sa，因此，其整体在俯视时与遮光层21重叠。因此，不会从外部视觉确认到虚拟像素dpx。通过设置这样的虚拟像素dpx，能够对显示区域da的各子像素sp进行保护以防其受到静电破坏，从而能够提高显示装置1的可靠性。

接触部cp具有与图3的例子相同的构造。由于在周边区域sa整体上设置有遮光层21，所以接触部cp也与遮光层21重叠。

根据本实施方式的结构，由于将接触部cp设置于周边区域sa，因此，接触部cp不会对显示区域da中的各子像素sp的开口率造成影响。另外，在将接触部cp配置于虚拟像素dpx的情况下，无需在周边区域sa另外确保接触部cp的配置空间，能够实现显示装置1的狭窄边框化。

以上，只要包含本发明的主旨，本领域技术人员能够以作为本发明的实施方式所说明的显示装置为基础适当地进行设计变更而实施的全部显示装置也属于本发明的范围。

应当理解为，在本发明的思想范畴内，只要是本领域技术人员能够想到的各种变形例，这些变形例也属于本发明的范围。例如，只要具备本发明的主旨，本领域技术人员针对上述各实施方式适当地进行结构要素的追加、删除或者设计变更所得的发明、或者进行工序的追加、省略或者条件变更所得的发明也包含在本发明的范围内。

另外，应当理解为，对于通过各实施方式中说明的方式带来的其他作用效果，根据本说明书的记载明确可知的作用效果或能够由本领域技术人员适当想到的作用效果，当然也能通过本发明而实现。