一种新型ITO导电玻璃的制作方法

本实用新型涉及液晶显示技术领域，更具体地涉及一种新型ITO导电玻璃。

背景技术：

随着市场对中小尺寸显示屏的需求越来越大，对其性能提出了更高和更严格的要求，目前市场对低电压、高亮度和低功耗产品尤为青睐。因此降低显示屏功耗，提升亮度作为一个主要目标，而减少金属导电膜上的损耗可作为一项重要的指标，可通过优化金属走线的设计，降低走线电阻来实现。

如图1所示，行业内通过磁控溅射镀膜方法和黄光制程在包含ITO层1’的玻璃基板1’下面制作金属导电膜2’，起辅助ITO电极的作用，主要降低周围引线的电阻，并可降低阴极负载。现有的金属导电膜2’一般包括两个外层Mo层21’和中间Al层22’，其中Mo层21’的作用是为了Al层22’与ITO层1’结合得更好和保护Al层22’。而选择金属导电膜2’的厚度要考虑MoAlMo作为辅助金属，其导电性能要良好，而且在图案制程中容易蚀刻，试验中可考虑改变各层的厚度来测试器件的最终性能表现，优化调整金属导电膜2’的厚度。目前金属导电膜2’第一层Mo层21’厚度控制在400 Å左右，Al层22’厚度控制在3000~6000 Å，第二层Mo层21’厚度控制在800 Å左右，为了降低驱动电流在周边线路上的损耗，面电阻在2 Ω左右。黄光制程中首先在金属导电膜2’上通过Slit Coater（刮涂）涂上光刻胶，然后紫外光下曝光在掩膜Mask下的基板，其中正性胶可以被一定浓度的TMAH显影液溶解洗掉，而将未曝光的部分保留下来，在基板上形成所需要的图案，最后通过Al液蚀刻掉不需要的金属层，形成非显示区内的金属导电膜2’。但是如此做法有个弊端，如图2所示，由于Al的金属活性比其他金属强，在蚀刻过程中Al层22’薄膜侧蚀严重，线宽变窄，其导电电阻由于横截面积变小而变大，最终导致器件的功耗增大，可靠性不通过。因此，如何制作经济性好，可靠性好且满足低功耗的中小尺寸显示屏是本实用新型所要解决的技术问题。

技术实现要素：

为了解决所述现有技术的不足，本实用新型提供了一种减轻金属导电膜侧蚀、可靠性好的新型ITO导电玻璃。

本实用新型所要达到的技术效果通过以下方案实现：一种新型ITO导电玻璃，包括ITO层和设在ITO层下的金属导电膜，其特征在于，所述金属导电膜包括从上往下依次层叠的第一Mo层、第一Al层、第二Mo层、第二Al层和第三Mo层。

优选地，所述第二Mo层厚度为100~500 Å。

优选地，所述第一Mo层的厚度为300-1000 Å。

优选地，所述第三Mo层的厚度为200-800 Å。

优选地，所述第一Al层和第二Al层厚度分别控制在1000~4000 Å。

优选地，所述金属导电膜的面电阻为0.05-0.2 Ω。

优选地，所述ITO导电玻璃采用磁控溅射工艺制作。

优选地，所述ITO导电玻璃蚀刻的蚀刻液为硝酸、磷酸和醋酸的混合液。

本实用新型具有以下优点：

通过将金属导电膜的Mo层、Al层、Mo层上再镀一层Al层、Mo层，形成MoAlMoAlMo层金属导电膜，可在蚀刻时减轻金属导电膜侧蚀问题，保证金属导电膜的走线线宽，还可减小金属导电膜的电阻，降低功耗，也可降低可靠性过程金属导电膜的腐蚀。

附图说明

图1为现有技术ITO导电玻璃包含ITO层和金属导电膜的示意图；

图2为图1中金属导电膜侧蚀的示意图；

图3为本实用新型中ITO导电玻璃包含ITO层和金属导电膜的示意图；

图4为图3中金属导电膜侧蚀的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语 “上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层ITO膜加工制作成的。液晶显示器专用的ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。如图3所示，一种新型ITO导电玻璃，包括ITO层1和设在ITO层下的金属导电膜2，所述金属导电膜2包括从上往下依次层叠的第一Mo层21、第一Al层22、第二Mo层23、第二Al层24和第三Mo层25。从图4中可看出，增设了第二Al层24和第三Mo层25后，所述金属导电膜2的第一Al层22和第二Al层24的侧蚀现象有效减轻，进而在蚀刻时减轻金属导电膜2侧蚀问题，保证金属导电膜2的走线线宽，还可减小金属导电膜2的电阻，降低功耗，也可降低可靠性过程金属导电膜2的腐蚀。

作为进一步改进，所述第二Mo层23只是起搭接作用，膜厚尽可能薄，厚度大约在100~500 Å，相当于在原有厚度的Al层中间再镀上一层第二Mo层23，把单层Al层分成两层。

本实用新型中，所述第一Mo层21的厚度控制在300-1000 Å左右，所述第三Mo层25的厚度控制在200-800 Å左右，所述第一Al层22和第二Al层24厚度分别控制在1000~4000 Å。同时，为了降低驱动电流在周边线路上的损耗，所述金属导电膜2的面电阻在0.05-0.2 Ω左右。优选地，所述第一Mo层21的厚度为800Å，所述第二Mo层23的厚度为200Å，所述第三Mo层25的厚度为400Å，所述第一Al层22和第二Al层24的厚度分别为4000 Å，可使金属导电膜的电阻降到最小，测试可靠性最佳。

磁控溅射镀膜过程中通常采用湿法蚀刻来去除最终所需图案以外的金属导电膜2，该方法利用金属与特定溶液间所进行的化学反应，来去除未被光刻胶覆盖的金属。所选择的蚀刻液为硝酸、磷酸和醋酸的混合液。在蚀刻过程中，主要关注蚀刻线条是否蚀刻干净以及线条是否整齐，其中必须注意以下几点：

1、金属导电膜2蚀刻过程需要关注蚀刻线宽，为了得到理想线宽，必须清楚地了解当前设备运行状况和蚀刻液的大致浓度，当发现线宽逐渐增大，说明蚀刻液能力下降，需重新添加。

2、蚀刻液从上至下喷洒在镀有金属导电膜2的玻璃基板上，在理想的蚀刻速度下，金属导电膜2经过蚀刻线后，金属脱落，且线条整齐。蚀刻过程需要配合蚀刻走速和蚀刻液槽的长度。

3、蚀刻的同时还需要考虑其他因素，如实际膜厚偏差、蚀刻液温度波动、蚀刻液浓度改变等对蚀刻效果带来的误差，同时也要防止蚀刻过度。

最后需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明实施例的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解依然可以对本发明实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明实施例技术方案的范围。