一种阵列基板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术：

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是目前市场上应用最为广泛的显示产品，其生产工艺技术十分成熟，产品良率高，生产成本相对较低，市场接受度高。

目前，液晶显示面板已经广泛使用在液晶电视、液晶显示器等电子装置中。目前液晶显示面板的制造中，均为通过一整块的基板切割得到多个液晶显示面板。而对于该整块基板，需要进行配向。

传统的配向法为磨刷配向法，可以提供液晶分子较强的配向能力，但是在磨刷的过程中，由于利用绒布接触式的摩擦势必会带来静电，如果静电得不到有效释放，就会在基板上累积；而当静电超过产品承受阈值时，就会产生各种静电不良现象。

现有产品设计中，摩擦配向过程产生的静电如果得不到有效释放，就只能通过数据线向显示面板的有效显示区进行释放，从而击穿距离较近的1个或多个阵列基板沟道，产生点不良或者线不良造成液晶显示面板显示异常。

技术实现要素：

本发明提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有阵列基板因配向过程产生静电而使显示面板显示异常的问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提出了一种阵列基板，所述阵列基板包括第一金属层、第二金属层以及像素区域，所述第一金属层与所述第二金属层相交，所述阵列基板还包括：

静电消除区，形成于所述第一金属层上，所述静电消除区依次由隔离层以及第三金属层叠加构成。

根据本发明一优选实施例，所述阵列基板包括至少一个所述静电消除区。

根据本发明一优选实施例，当所述静电消除区位于所述第一金属层上时，所述第三金属层与所述第二金属层由同一道光罩工艺制成；

所述静电消除区还位于所述第二金属层上时，所述第三金属层的材料与所述第一金属层由同一道光罩工艺制成。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属层为栅极扫描线，所述第二金属层为数据线。

根据本发明一优选实施例，所述隔离层为栅绝缘层、有源层、间绝缘层中的至少一种。

本发明还提出了一种显示装置，包括阵列基板，其中，所述阵列基板包括第一金属层、第二金属层以及像素区域，所述第一金属层与所述第二金属层相交，所述阵列基板还包括：

静电消除区，形成于所述第一金属层，所述静电消除区依次由隔离层以及第三金属层叠加构成。

根据本发明一优选实施例，所述阵列基板包括至少一个所述静电消除区。

根据本发明一优选实施例，当所述静电消除区位于所述第一金属层上时，所述第三金属层与所述第二金属层由同一道光罩工艺制成；

所述静电消除区还位于所述第二金属层上，所述第三金属层的材料与所述第一金属层由同一道光罩工艺制成。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属层为栅极扫描线，所述第二金属层为数据线。

根据本发明一优选实施例，所述隔离层为栅绝缘层、有源层、间绝缘层中的至少一种。

本发明的有益效果为：相比于现有技术，本发明通过在第一金属层或第二金属层上设置静电消除区，所述静电消除区由隔离层和第三金属层叠构成，形成避雷针结构，以带走摩擦配向过程中所产生的静电，保护阵列基板不被该静电击穿，提高所述阵列基板的良品率。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明现有技术中一种阵列基板的像素结构图；

图2为本发明优选实施例一一种阵列基板的像素结构图；

图3为本发明优选实施例一一种阵列基板局部放大的像素结构图；

图4为本发明优选实施例二一种阵列基板的像素结构图；

图5为本发明优选实施例二一种阵列基板局部放大的像素结构图；

图6为本发明优选实施例二一种阵列基板局部放大的膜层结构图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

图1所示为现有技术中一种阵列基板的像素结构图，所述阵列基板包括第一金属层10、第二金属层20以及像素区域30，所述第一金属层与所述第二金属层相交，相邻的俩第一金属层和相邻的第二金属层相互交叠，定义出像素区域30，所述像素区域包括TFT开关以及像素电极；在现有产品设计中，基板之间的摩擦配向过程会产生静电，该静电如果得不到有效释放，就只能通过数据线向显示面板的有效显示区进行释放，从而击穿距离较近的1个或多个阵列基板沟道，产生点不良或者线不良造成液晶显示面板显示异常，下面具体实施例能有效解决上述技术问题。

实施例一

图2所示为优选实施例一一种阵列基板像素结构图，所述阵列基板包括第一金属层101、第二金属层102以及像素区域103，所述第一金属层101与所述第二金属层102相交，相邻的俩第一金属层101和相邻的第二金属层102相互交叠，定义出一个像素区域103，像素区域103中的具体结构属于公知技术，这里不再赘述。

在本发明中，所述阵列基板包括：玻璃基板、缓冲层、第一金属层101、有源层、栅绝缘层、间绝缘层、第二金属层102以及钝化层；

所述缓冲层设置于所述玻璃基板的表面，所述第一金属层101形成于所述缓冲层表面，所述第一金属层101经图案化处理，形成薄膜晶体管的栅极与栅线；

所述有源层设置于所述第一金属层101的表面；所述栅绝缘层设置于所述有源层的表面，并将所述有源层与所述第一金属层101覆盖；利用化学方法在所述有源层上沉积栅极绝缘层，在本实施例中，所述栅极绝缘层的材料为氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等其他材料；所述间绝缘层，设置于所述栅绝缘层表面，用以将所述第一金属层101及所述第二金属层102隔离；

所述第二金属层102，可以采用磁控溅射工艺在所述柔性有机层表面形成所述第二金属层102，所述第二金属层102经图案化处理，形成源电极和漏电极；钝化层，形成于所述第二金属层102表面，优选的，所述钝化层材料通常为氮化矽化合物；

在本实施例中，所述第一金属层101和所述第二金属层102均可以利用磁控溅射工艺沉积金属层薄膜，所述第一金属层101的材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。

所述阵列基板还包括静电消除区104，图3所示为所述静电消除区104的放大结构图，在本实施例中，所述静电消除区104形成于所述第一金属层101，即所述第一金属层101为栅极扫描线，所述静电消除区104依次由隔离层105以及第三金属层106叠加构成，每一所述像素区域103对应至少一个所述静电消除区104；

所述静电消除区104的隔离层105由栅绝缘层、有源层、间绝缘层中的至少一种构成，其中，所述静电消除区104的栅绝缘层、有源层或间绝缘层与阵列基板中的栅绝缘层、有源层、间绝缘层在同一道光罩工艺中制成，节约成本，提高效率；所述静电消除区104的第三金属层106与所述第二金属层102的材料相同，并且所述第三金属层106与所述第二金属层102由同一道光罩工艺制成；另外，所述静电消除区104位于栅极扫描线上，但是未超出栅极扫描线的界限。

实施例二

图4所示为本发明优选实施例二的像素结构图，所述阵列基板包括第一金属层201、第二金属层202以及像素区域203，所述第一金属层201与所述第二金属层202相交，相邻的俩第一金属层201和相邻的第二金属层202相互交叠，定义出一个像素区域203；

在本发明中，所述阵列基板包括：玻璃基板、缓冲层、第一金属层201、有源层、栅绝缘层、间绝缘层、第二金属层202以及钝化层；

所述阵列基板还包括静电消除区204，图5所示为所述静电消除区204的放大结构图，在本实施例中，所述静电消除区204形成于所述第二金属层202下面，如图6所示，被所述第二金属层202所覆盖，即所述第二金属层202为数据线，第一金属层206与第二金属层202之间被其他绝缘层材料所隔离，所述静电消除区204依次由隔离层205以及第三金属层206叠加构成，每一所述像素区域对应至少一个所述静电消除区204；

所述静电消除区204的隔离层205由栅绝缘层、有源层、间绝缘层中的至少一种构成，其中，所述静电消除区204的栅绝缘层、有源层或间绝缘层与阵列基板中的栅绝缘层、有源层、间绝缘层在同一道光罩工艺中制成，节约成本，提高效率；所述静电消除区204的第三金属层206与所述第一金属层201的材料相同，并且所述第三金属层206与所述第一金属层201由同一道光罩工艺制成；另外，所述静电消除区204位于栅极扫描线上，但是未超出栅极扫描线的界限。

其中，虽然在第一金属层201或第二金属层202上设置静电消除区204，但是由于第一金属层201，即栅极扫描线的线宽较数据线的大，因此在栅极扫描线上设置静电消除区204，降低了工艺难度，增加了制程效率；因此，在实际生产中，优选在栅极扫描线上设置静电消除区204。

本发明通过在阵列基板中的栅极扫描线或数据线上设置至少一个静电消除区，所述静电消除区由隔离层和第三金属层叠构成，形成避雷针结构，以带走摩擦配向过程中所产生的静电，保护阵列基板不被该静电击穿，提高制程工艺的良品率。

实施例三

本发明还提出了一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括第一金属层101、第二金属层102以及像素区域103，所述第一金属层101与所述第二金属层102相交，相邻的俩第一金属层101和相邻的第二金属层102相互交叠，定义出一个像素区域103，像素区域103中的具体结构属于公知技术，这里不再赘述。

在本发明与具体实施例一类似，如图2所示，所述阵列基板包括：玻璃基板、缓冲层、第一金属层101、有源层、栅绝缘层、间绝缘层、第二金属层102以及钝化层；

所述阵列基板还包括静电消除区104，图3所示为所述静电消除区104的放大结构图，在本实施例中，所述静电消除区104形成于所述第一金属层101，即所述第一金属层101为栅极扫描线，所述静电消除区104依次由隔离层105以及第三金属层106叠加构成，每一所述像素区域103对应至少一个所述静电消除区104；

所述静电消除区104的隔离层105由栅绝缘层、有源层、间绝缘层中的至少一种构成，其中，所述静电消除区104的栅绝缘层、有源层或间绝缘层与阵列基板中的栅绝缘层、有源层、间绝缘层在同一道光罩工艺中制成，节约成本，提高效率；所述静电消除区104的第三金属层106与所述第二金属层102的材料相同，并且所述第三金属层106与所述第二金属层102由同一道光罩工艺制成；另外，所述静电消除区104位于栅极扫描线上，但是未超出栅极扫描线的界限。

实施例四

本实施例与具体实施例二类似，如图4所示，所述阵列基板包括第一金属层201、第二金属层202以及像素区域203，所述第一金属层201与所述第二金属层202相交，相邻的俩第一金属层201和相邻的第二金属层202相互交叠，定义出一个像素区域203；

在本发明中，所述阵列基板包括：玻璃基板、缓冲层、第一金属层201、有源层、栅绝缘层、间绝缘层、第二金属层202以及钝化层；

所述阵列基板还包括静电消除区204，图5所示为所述静电消除区204的放大结构图，在本实施例中，所述静电消除区204形成于所述第二金属层202下面，如图6所示，被所述第二金属层202所覆盖，即所述第二金属层202为数据线，第一金属层206与第二金属层202之间被其他绝缘层材料所隔离，所述静电消除区204依次由隔离层205以及第三金属层206叠加构成，每一所述像素区域对应至少一个所述静电消除区204；

所述静电消除区204的隔离层205由栅绝缘层、有源层、间绝缘层中的至少一种构成，其中，所述静电消除区204的栅绝缘层、有源层或间绝缘层与阵列基板中的栅绝缘层、有源层、间绝缘层在同一道光罩工艺中制成，节约成本，提高效率；所述静电消除区204的第三金属层206与所述第一金属层201的材料相同，并且所述第三金属层206与所述第一金属层201由同一道光罩工艺制成；另外，所述静电消除区204位于栅极扫描线上，但是未超出栅极扫描线的界限。

其中，虽然在第一金属层201或第二金属层202上设置静电消除区204，但是由于第一金属层201，即栅极扫描线的线宽较数据线的大，因此在栅极扫描线上设置静电消除区204，降低了工艺难度，增加了制程效率；因此，在实际生产中，优选在栅极扫描线上设置静电消除区204。

本发明提出了一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板包括第一金属层、第二金属层以及像素区域，所述第一金属层与所述第二金属层相交，所述阵列基板还包括静电消除区，形成于所述第一金属层或所述第二金属层上，所述静电消除区由隔离层以及第三金属层叠加构成。本发明通过在阵列基板中的第一金属层或第二金属层上设置至少一个静电消除区，形成避雷针结构，以带走摩擦配向过程中所产生的静电，保护阵列基板不被该静电击穿，提高制程工艺的良品率。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。