光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置与流程

本公开的实施例涉及一种光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置。

背景技术：

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(光刻胶)将掩膜版上的图形转移到待刻蚀基片上的技术。光刻技术的主要流程例如包括：将光源发出的光通过掩膜版照射到涂覆有一层光刻胶薄膜的待刻蚀基片表面，使得曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影工艺溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶)，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀工艺将该图形转移到待刻蚀基片上。

技术实现要素：

本公开至少一实施例提供一种光刻方法，包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，其中，所述衬底基板包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；在所述衬底基板上涂覆一层光刻胶，其中，所述光刻胶涂覆在所述中间区域和所述周边区域中；烘干所述光刻胶，同时对涂覆在所述周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，在烘干所述光刻胶之后，所述方法还包括：至少对涂覆在所述中间区域的所述光刻胶进行第二曝光处理。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，在所述第二曝光处理之后，所述方法还包括：对涂覆在所述中间区域和所述周边区域的所述光刻胶进行显影工艺，以在所述衬底基板的所述中间区域中形成光刻胶图案，并去除所述周边区域中的所述光刻胶；其中，所述光刻胶图案用作刻蚀掩膜。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，所述第一曝光处理包括：采用导光装置对曝光光源发出的光进行引导，使得经所述导光装置引导的光的出射范围对应于所述周边区域。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，所述光刻胶为正性光刻胶。

本公开至少一实施例提供一种柔性基板的制备方法，包括：在支撑基板上形成柔性材料层，其中，所述支撑基板包括柔性基板形成区域和围绕所述柔性基板形成区域的周边区域；在所述柔性材料层上采用光刻工艺进行构图，其中，所述光刻工艺包括涂覆一层光刻胶并烘干所述光刻胶，所述光刻胶涂覆在所述柔性基板形成区域和所述周边区域中；在烘干所述光刻胶的同时，对涂覆在所述周边区域的所述光刻胶进行第一曝光处理。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，在烘干所述光刻胶之后，所述方法还包括：至少对涂覆在所述柔性基板形成区域的所述光刻胶进行第二曝光处理。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，所述光刻胶为正性光刻胶。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，在所述第二曝光处理之后，所述方法还包括：对涂覆在所述柔性基板形成区域和所述周边区域中的所述光刻胶进行显影工艺，以在所述柔性基板形成区域形成光刻胶图案，并去除所述周边区域的所述光刻胶；其中，所述光刻胶图案用作刻蚀掩膜以用于所述构图。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，所述第一曝光处理包括：采用导光装置对曝光光源发出的光进行引导，使得经所述导光装置引导的光的出射范围对应于所述周边区域。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，所述光的出射范围形成为矩形框形状，所述矩形框的边框的宽度为8-15mm。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法，还包括：在所述光刻工艺后，将所述柔性材料层从所述支撑基板上剥离，以形成柔性基板。

本公开至少一实施例提供一种光刻胶烘干装置，包括：至少一个承载机台，包括用于承载被操作基板的承载区；加热装置，用于烘干所述承载机台上的所述被操作基板；曝光装置，包括曝光光源以及导光装置；其中，所述导光装置配置为可对所述曝光光源发出的光进行引导，使得经所述导光装置引导的光的出射范围对应于所述被操作基板的边缘区域。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻胶烘干装置，还包括：限位结构，设置在所述承载机台上，用于限定所述承载区。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻胶烘干装置中，所述导光装置配置为经所述导光装置引导的光的出射范围形成为矩形框形状，所述矩形框的边框的宽度为8-15mm。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻胶烘干装置中，所述曝光装置包括四个曝光光源和四个导光装置；其中，所述四个导光装置分别用于引导所述四个曝光光源发出的光，以使经所述四个导光装置引导的光的出射范围分别对应于所述矩形框的四条边。

本公开至少一实施例提供的光刻方法，通过在烘干光刻胶的同时对位于周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理，可以节约生产时间，并可以使位于周边区域中的光刻胶得到更充分的曝光。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为本公开一实施例提供的一种光刻方法的流程图；

图2为本公开一实施例提供的一种光刻方法的操作示意图；

图3为本公开一实施例提供的另一种光刻方法的流程图；

图4为本公开一实施例提供的一种柔性基板的制备方法的流程图；

图5为本公开一实施例提供的一种柔性基板在制备过程中的示意图；

图6为本公开一实施例提供的另一种柔性基板的制备方法的流程图；

图7为本公开一实施例提供的一种光刻胶烘干装置示意图；

图8为本公开一实施例提供的另一种光刻胶烘干装置示意图；

图9为本公开一实施例提供的再一种光刻胶烘干装置示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

光刻工艺通常包括光刻胶涂覆、曝光、显影和刻蚀等工序。在利用光刻工艺在衬底基板上形成图案化的功能层时，由于光刻胶涂覆的不均匀性或曝光的不均匀性，衬底基板的边缘区域和中间区域可能会存在光刻胶涂覆不均匀或者光刻胶曝光不均匀等问题，导致位于边缘区域的光刻胶无法受到充分的曝光。

例如，在柔性基板的制备工艺中，通常需要借助一支撑基板来形成柔性基板，首先在支撑基板之上通过涂覆聚合物材料、固化等步骤形成柔性基板，然后在柔性基板上采用例如光刻工艺来制备至少一个功能层，该功能层制备完成后再将柔性基板从支撑基板上剥离。在制备过程中，柔性基板材料通常形成于支撑基板的中间部位，因此在柔性基板上形成功能层时，光刻胶不可避免地会同时涂覆在支撑基板的边缘部位，例如柔性基板和支撑基板的交界位置。由于柔性基板通常形成为具有一定的厚度，因此支撑基板的边缘部位与柔性基板的表面存在高度差，例如20μm的高度差，因此支撑基板的边缘部位往往会堆积相对较厚的光刻胶，该部分光刻胶难以被后续的曝光工艺完全曝光，因此这些堆积的光刻胶在显影工艺后容易形成残留。由于残留光刻胶的粘连作用，柔性基板在后续剥离工艺中可能会出现难以从支撑基板上分离等问题；另外，残留的光刻胶还可能会影响对柔性基板上各功能层的构图，使形成的功能层的图案偏离目标图案。

例如，为完全去除支撑基板边缘部位的光刻胶，通常可以在曝光工艺后额外增加边缘曝光工艺，例如在对应于支撑基板边缘15mm的宽度范围内进行补充曝光，使支撑基板边缘部位的光刻胶得到充分曝光，进而该光刻胶可以在后续的显影工艺中被完全溶解去除。但是，该边缘曝光工艺往往会增加生产时间，影响产量，使得制造成本增加。另一方面，实际生产中，为保证产量，每块基板的生产时间通常有限，因此所增加的边缘曝光工艺的时间不可过长，使得该边缘曝光工艺有时也难以将支撑基板边缘部位的光刻胶充分曝光，仍然导致光刻胶残留，该残留的光刻胶不仅会影响柔性基板的剥离工艺，还可能影响对柔性基板上功能层的构图工艺。

本公开至少一实施例提供一种光刻方法，包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，其中，衬底基板包括中间区域和围绕中间区域的周边区域；在衬底基板上涂覆一层光刻胶，其中，光刻胶涂覆在中间区域和周边区域中；烘干光刻胶，同时对涂覆在周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。

本公开至少一实施例提供的一种柔性基板的制备方法，包括：在支撑基板上形成柔性材料层，其中，支撑基板包括柔性基板形成区域和围绕柔性基板形成区域的周边区域；在柔性材料层上采用光刻工艺进行构图，其中，光刻工艺包括涂覆一层光刻胶并烘干光刻胶，光刻胶涂覆在柔性基板形成区域和周边区域中；在烘干光刻胶的同时，对涂覆在周边区域的光刻胶进行第一曝光处理。

本公开至少一实施例提供一种光刻胶烘干装置，包括：至少一个承载机台，包括用于承载被操作基板的承载区；加热装置，用于烘干承载机台上的被操作基板；曝光装置，包括曝光光源以及导光装置；其中，导光装置配置为可对曝光光源发出的光进行引导，使得经导光装置引导的光的出射范围对应于被操作基板的边缘区域。

下面通过几个具体的实施例对本公开的光刻方法、柔性基板的制备方法及光刻胶烘干装置进行说明。

本公开至少一实施例提供一种光刻方法，该光刻方法例如可以用于制备柔性基板等。如图1所示，该光刻方法包括步骤s101-s103。

步骤s101：提供形成有待刻材料层的衬底基板，该衬底基板包括中间区域和围绕中间区域的周边区域。

如图2所示，衬底基板101包括中间区域1011和围绕中间区域1011的周边区域1012。例如，待刻材料层可以形成在中间区域1011中，或者形成在中间区域1011以及周边区域1012中。

例如，衬底基板101可以为玻璃、石英等材质的基板。待刻材料层例如可以采用有机材料或无机材料等。例如，当待刻材料层用于形成电极或引线等导电结构时，待刻材料可以为金属材料、多晶硅或导电氧化物(例如ito、igzo等)等；当待刻材料层用于形成提供绝缘以及过孔等的绝缘层时，待刻材料可以为有机绝缘材料或无机绝缘材料等，本实施例对此不做限定。

步骤s102：在衬底基板上涂覆一层光刻胶，该光刻胶涂覆在中间区域和周边区域中。

如图2所示，在中间区域1011以及周边区域1012中涂覆光刻胶(图中未示出)，该光刻胶例如用于对待刻材料层进行构图，以将待刻材料层图案化。本实施例中，该光刻胶例如采用正性光刻胶，该正性光刻胶在曝光后，可以在显影工艺中被溶解去除。

步骤s103：烘干光刻胶，同时对涂覆在周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。

本实施例中，可以采用烘干工艺对涂覆的光刻胶进行干燥处理。此时，例如可以采用一加热装置，例如红外加热装置，对光刻胶进行加热，以加快光刻胶中溶剂的挥发，进而达到烘干的效果。

本实施例中，在烘干工艺之前，例如还可以进行真空预烘干工艺，即将涂覆有光刻胶的衬底基板放置于真空环境下，利用溶剂在真空环境下蒸发速率增加的现象，来去除光刻胶中的大部分溶剂。该预烘干工艺可以进一步缩短烘干工艺的时间，提高生产效率。

本实施例中，在烘干光刻胶的同时，对位于周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理，即光刻胶的烘干工艺与第一曝光处理同时进行。该处理方式可以节约工艺时间，并且使位于周边区域中的光刻胶得到充分曝光。

例如，如图2所示，第一曝光处理采用曝光装置102进行，曝光装置102包括曝光光源1021和导光装置1022。例如，第一曝光处理可以包括：采用导光装置1022对曝光光源1021发出的光进行引导，使得经导光装置1022引导的光的出射范围对应于衬底基板101的周边区域1012，从而第一曝光处理可以完成对位于周边区域1012中的光刻胶的曝光。

例如，本实施例中，经导光装置1022引导的光的出射范围形成为矩形框形状，该矩形框的边框的宽度约为8-15mm，例如10mm、12mm或者15mm等。本实施例中，矩形框的边框的宽度是指矩形框中相邻的内框边缘与外框边缘的距离。如图2所示，d示出了矩形框的边框的宽度。该宽度可以根据实际需求进行配置。本实施例中，由于衬底基板101的周边区域1012的形状通常为矩形框形状，因此将导光装置1022进行相应的配置，使得经导光装置1022引导的光的出射范围可以更准确的对应于周边区域1012，从而可以提高曝光光源1021的利用率，也可以使曝光位置更准确。

例如，该曝光光源1021可以根据工艺需要选择，例如可以为可见光光源、紫外光光源、远紫外光光源等，可以为准分子激光器、气体二氧化碳激光器等，可以为点状光源、线状光源等。导光装置1022可以包括透镜、反射镜、导光柱、分光器等，以将曝光光源发出的光以预定形状(点状、线状等)引导到预定位置。

例如，本实施例中，第一曝光处理的曝光能量大于1000mj/cm²。例如，第一曝光处理的曝光强度大于20mw/cm²，相应地，第一曝光处理的曝光时间大于50s。本实施例中，第一曝光处理的曝光能量可以根据光刻胶的材料、形成厚度等进行选择，并且根据所选择的曝光能量以及可利用的生产时间来相应选择曝光强度以及曝光时间，本实施例对此不做限定。

在一个实施例中，如图3所示，在烘干光刻胶之后，光刻方法还可以包括步骤s104-s105。

步骤s104：至少对涂覆在中间区域的光刻胶进行第二曝光处理。

本实施例中，第二曝光处理可以仅包括对位于中间区域的光刻胶进行曝光；也可以包括对位于中间区域和周边区域的光刻胶同时进行曝光。

例如，对位于中间区域的光刻胶进行曝光使得在后续显影工艺中可以在中间区域形成光刻胶图案，该光刻胶图案可以作为对待刻蚀材料层进行构图的掩模。例如，第二曝光处理还可以包括对周边区域的光刻胶进行曝光，此时，位于周边区域的光刻胶获得了两次曝光处理，即第一次曝光处理和第二次曝光处理，从而可以确保位于周边区域的光刻胶被曝光完全。

步骤s105：对涂覆在中间区域和周边区域的光刻胶进行显影工艺。

本实施例中，同时对位于中间区域和周边区域的光刻胶进行显影工艺。例如，当光刻胶采用正性光光刻胶时，通过显影工艺，可以溶解去除被曝光的光刻胶，从而在衬底基板的中间区域中形成光刻胶图案，该光刻胶图案用作刻蚀掩膜，以在刻蚀工艺对待刻材料层进行构图；同时，该显影工艺还可以去除周边区域中的光刻胶。

本实施例中，在显影工艺后，该光刻方法还包括对待刻材料层进行刻蚀工艺，即采用位于中间区域的光刻胶图案作为刻蚀掩模对待刻材料层进行构图，以形成图案化的功能层。该刻蚀工艺可以为湿法刻蚀或干法刻蚀。

本实施例提供的光刻方法通过在烘干光刻胶的同时对位于周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理，可以节约生产时间，并可以使位于周边区域中的光刻胶得到更充分的曝光。另外，由于在烘干光刻胶的过程中，光刻胶还未完全固化，在烘干过程的加热状态下光刻胶更易于感光分解，因此在烘干光刻胶的同时进行第一曝光处理还可以提高第一曝光处理的曝光效率。该光刻方法例如可以用于制备具有显示电路以及驱动电路等功能层的阵列基板等结构；该阵列基板可以是柔性的，也可以是非柔性的。在该应用下，该光刻方法可以在制备过程中对位于阵列基板边缘部位的光刻胶进行充分曝光，从而在显影工艺后阵列基板上不会产生残余光刻胶，使获得的光刻胶图案更准确，进而通过光刻工艺形成的显示电路以及驱动电路等功能层的图案更符合预期图案；另外，当所制备的阵列基板为柔性基板时，柔性基板的边缘不产生残余光刻胶可以使柔性阵列基板的剥离工艺更加简单易行。

本公开至少一实施例提供一种柔性基板的制备方法，如图4所示，该制备方法包括步骤s201-s202。

步骤s201：在支撑基板上形成柔性材料层，该支撑基板包括柔性基板形成区域和围绕柔性基板形成区域的周边区域。

如图5所示，支撑基板201包括柔性基板形成区域2011和围绕柔性基板形成区域2011的周边区域2012。例如，柔性材料层形成在柔性基板形成区域2011中；当然，由于工艺精度等原因或者其他需求，柔性材料层也可能形成在部分周边区域2012中。

例如，支撑基板201为刚性衬底基板，例如可以为玻璃、石英、不锈钢等材质的基板。柔性材料层例如可以采用聚酰亚胺(pi)等柔性有机材料，本实施例对此不做限定。

例如，上述操作可以在承载机台203上进行。此时，支撑基板201被承载在承载机台203上，并采用限位装置204进行限位以及固定。

步骤s202：在柔性材料层上采用光刻工艺进行构图，该光刻工艺包括涂覆一层光刻胶并烘干光刻胶，该光刻胶涂覆在柔性基板形成区域和周边区域中；在烘干光刻胶的同时，对涂覆在周边区域的光刻胶进行第一曝光处理。

本实施例中，在柔性材料层上采用光刻工艺进行构图可以包括采用光刻工艺对柔性材料层本身进行构图，也可以包括在柔性材料层上采用光刻工艺形成其他功能层，例如形成用于显示的显示电路/器件以及驱动电路等；此时，需要预先在柔性材料层上形成待刻材料层，然后再利用光刻工艺进行构图。例如，该显示电路/器件包括阴极、阳极和发光层等结构，驱动电路包括薄膜晶体管(例如包括开关晶体管、驱动晶体管等)、存储电容、栅线、数据线等结构，本实施例对此不做限定。

例如，本实施例中，第一曝光处理采用曝光装置202进行，曝光装置202包括曝光光源2021和导光装置2022。例如，第一曝光处理可以包括：采用导光装置2022对曝光光源2021发出的光进行引导，使得经导光装置2022引导的光的出射范围对应于周边区域2012，从而第一曝光处理可以完成对位于周边区域2012中的光刻胶的曝光。

例如，本实施例中，经导光装置2022引导的光的出射范围形成为矩形框形状，该矩形框的边框的宽度约为8-15mm，例如10mm、12mm或者15mm等。该宽度可以根据实际需求进行配置。本实施例中，由于支撑基板201的周边区域2012的形状通常为矩形框形状，因此将导光装置2022进行相应的配置，使得经导光装置2022引导的光的出射范围可以更准确的对应于周边区域2012，从而可以提高曝光光源的利用率，也可以使曝光位置更准确。

例如，第一曝光处理的曝光能量大于1000mj/cm²。例如，第一曝光处理的曝光强度大于20mw/cm²，相应地，一次曝光处理的曝光时间大于50s。本实施例中，第一曝光处理的曝光能量可以根据光刻胶的材料、形成厚度等进行选择，并且根据所选择的曝光能量以及可利用的生产时间来相应选择曝光强度以及曝光时间，本实施例对此不做限定。

在一个实施例中，如图6所示，柔性基板的制备方法还可以包括步骤s203-s205。

步骤s203：至少对涂覆在柔性基板形成区域的光刻胶进行第二曝光处理。

本实施例中，第二曝光处理可以仅包括对位于柔性基板形成区域的光刻胶进行曝光；也可以包括对位于柔性基板形成区域和周边区域的光刻胶同时进行曝光。第二曝光处理的曝光能量同样可以根据光刻胶的材料、形成厚度等进行选择，本实施例对此不做限定。

例如，对位于柔性基板形成区域的光刻胶进行曝光使得在后续显影工艺中可以在柔性基板形成区域形成光刻胶图案，该光刻胶图案可以作为刻蚀掩模。例如，第二曝光处理还可以包括对周边区域的光刻胶进行曝光，此时，位于周边区域的光刻胶获得了两次曝光处理，即第一次曝光处理和第二次曝光处理，从而可以确保位于周边区域的光刻胶被曝光完全。

步骤s204：对涂覆在柔性基板形成区域和周边区域中的光刻胶进行显影工艺。

本实施例中，同时对位于柔性基板形成区域和周边区域的光刻胶进行显影工艺。例如，当光刻胶采用正性光光刻胶时，通过显影工艺，可以溶解去除被曝光的光刻胶，从而在支撑基板的柔性基板形成区域中形成光刻胶图案，并去除周边区域的光刻胶；该光刻胶图案用作刻蚀掩膜以用于构图，例如用于在柔性材料层上构图形成显示电路以及驱动电路等功能层。

本实施例中，在显影工艺后，进行刻蚀工艺，即采用位于中间区域的光刻胶图案作为刻蚀掩模对预先形成的待刻材料层进行构图，以形成图案化的功能层，例如形成显示电路/器件以及驱动电路等功能层。

步骤s205：将柔性材料层从支撑基板上剥离。

例如，本实施例中，通过多次上述光刻工艺在柔性材料层上完成所需的功能层的构图后，可以采用剥离工艺，例如激光照射剥离工艺，将柔性材料层从支撑基板上剥离，以形成柔性基板。该柔性基板可以用于实现柔性显示，例如可以用于各种显示装置中。

本实施例中，经过第一曝光处理，或者经过第一曝光处理以及第二曝光处理后，位于支撑基板201周边区域2012的光刻胶已被完全曝光，因此在显影工艺中可以被完全溶解去除，在将柔性材料层从支撑基板201上剥离时，柔性材料层不会受到普通工艺中残余光刻胶的粘连而导致剥离困难。因此，本实施例的柔性基板的制备方法不仅可以通过光刻工艺形成图案更加符合预期图案的显示电路以及驱动电路图案等功能层，还可以使柔性基板的剥离工艺更加简单易行。

本公开至少一实施例提供一种光刻胶烘干装置，如图7所示，光刻胶烘干装置20包括至少一个承载机台203、加热装置205以及曝光装置202。承载机台203包括用于承载被操作基板的承载区；加热装置205用于烘干承载机台上的被操作基板；曝光装置202包括曝光光源2021以及导光装置2022；导光装置2022配置为可对曝光光源2021发出的光进行引导，使得经导光装置2022引导的光的出射范围对应于被操作基板的边缘区域。

例如，如图7所示，进一步地，光刻胶烘干装置20包括一个外壳体200，光刻胶烘干装置20的各个构件，例如承载机台203、加热装置205以及曝光装置202等设置在外壳体200内。该外壳体200可以为塑料、金属等材料制备，而且可以包括玻璃窗，以允许操作人员对操作过程进行观察、监控。

例如，本实施例中，加热装置205可以设置在承载机台203的远离曝光装置202的一侧，从而加热装置205不会遮挡曝光装置202发出的光。例如，如图7所示，加热装置205可以设置在承载机台203下方的对应于图中虚线框的位置，例如加热装置205的设置位置对应于承载区，使得加热装置205发出的热量可充分传递至承载区上承载的被操作基板。本实施例中，加热装置205可以为红外加热装置、电阻加热装置等，也可以为加热气体导入装置，该加热气体可以由其他加热气体产生装置提供，本实施例对此不做限定。

例如，如图7所示，光刻胶烘干装置20还可以包括限位结构204，限位结构204设置在承载机台203上，用于限定承载区，即用于限定被操作基板的承载位置，并防止被操作基板产生位置偏移。例如，如图7所示，限位结构204包括多个柱状限位单元，多个柱状限位单元均匀分布在承载区的各条边缘。例如，在其他示例中，限位结构204也包括多条沿承载区的各条边缘设置的围墙。本实施例对限位结构204的具体结构不做限定，只要其可实现限位功能即可。

例如，曝光装置202可以包括感应开关，该感应开关配置为当有物体，例如被操作基板，传送至承载机台203上时，感应开关开启，曝光装置202进行一次曝光处理；当有物体，例如被操作基板，从承载机台203上移除时，感应开关关闭，曝光装置202停止曝光处理。例如，该感应开关为光敏开关，因此可以通过该感应开关的感应光线是否被操作基板遮挡来实现开关的功能。

例如，本实施例中，曝光光源2021可以为紫外光源，该紫外光源例如可以发出波长约在300nm-400nm的紫外光，例如波长约为340nm、360nm或380nm的紫外光；又例如，如前面所述，曝光光源2021也可以为其他类型、形式的光源。

例如，本实施例中，导光装置2022可以包括多个透镜组件，各透镜组件可以对曝光光源2021发出的光进行反射和/或折射，因此可以通过多个透镜组件相互配合来引导光的传播路径；又例如，如前面所述，导光装置2022也可以包括其他光学器件。

例如，本实施例中，导光装置2022配置为经导光装置2022引导的光的出射范围形成为矩形框形状，并且该矩形框的边框的宽度约为8-15mm，例如10mm、12mm或者15mm等。该宽度可以根据实际需求进行配置。由于支撑基板201的周边区域2012的形状通常为矩形框形状，因此可以将导光装置2022进行相应的配置，使得经导光装置2022引导的光的出射范围更准确的对应于周边区域2012，从而可以提高曝光光源2021的利用率，也可以使曝光位置更准确。

例如，曝光装置202进行一次曝光处理的曝光能量设置为大于1000mj/cm²。例如，曝光装置202进行一次曝光处理的曝光强度大于20mw/cm²，相应地，一次曝光处理的曝光时间大于50s。本实施例中，曝光装置202进行一次曝光处理的曝光能量可以根据所使用的光刻胶的材料、形成厚度等进行选择设置，并且根据所选择的曝光能量以及可利用的生产时间来相应选择设置曝光强度以及曝光时间，本实施例对此不做限定。

例如，如图8所示，在一个示例中，曝光装置202可以包括四个曝光光源2021和四个导光装置2022。四个导光装置2022分别用于引导四个曝光光源2021发出的光，以使经四个导光装置2022引导的光的出射范围分别对应于矩形框的四条边。此时，一个导光装置2022配置为将一个曝光光源2021发出的光进行引导，使得经一个导光装置2022引导的光的出射范围形成为宽度约为8-15mm的矩形，从而经四个导光装置2022引导的光的出射范围可以通过拼接而形成矩形框形状。本示例的上述配置可以降低导光装置2022的设计难度。另外，该示例中，四个曝光光源2021和四个导光装置2022的设置位置可以进行变动以使得经四个导光装置2022引导的光的出射范围可以通过拼接而形成不同的形状，进而实现不同的曝光范围。

本实施例中，如图9所示，光刻胶烘干装置20可以包括多个承载机台203(图中示出了两个)，该多个承载机台203可以相互独立，也可以形成为一个整体。多个承载机台203可以同时承载多个支撑基板，从而在一个光刻胶烘干装置20中可以同时进行对多个支撑基板的烘干以及曝光工艺，因此光刻胶烘干装置20还可以提高生产效率。另一方面，当生产效率一定时，光刻胶烘干装置20可以延长对一个支撑基板的工作时间，从而可以对支撑基板进行更加充分的烘干与曝光工艺。

本实施例提供的光刻胶烘干装置可以在烘干光刻胶的同时对位于被操作基板的边缘区域中的光刻胶进行曝光处理，可以节约生产时间，并可以使位于边缘区域中的光刻胶得到更充分的曝光。另外，未完全固化的光刻胶在烘干过程的加热状态下更易于感光分解，因此在烘干光刻胶的同时进行曝光处理还可以提高曝光处理的曝光效率。利用该光刻胶烘干装置进行光刻工艺以在被操作基板上进行构图时，被操作基板的边缘区域不会产生残余光刻胶，使最终获得的光刻胶图案更准确，进而通过光刻工艺所形成的功能层的图案更符合预期图案。例如，在利用该光刻胶烘干装置进行柔性基板的制备时，柔性基板的外围边缘不会残余光刻胶，因此还可以使柔性基板的剥离工艺更加简单易行。

还有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。