一种光掩膜版及曝光系统的制作方法

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种oled光掩膜版、制备方法及曝光系统。

背景技术：

amoled(activematrixorganiclightemittingdiodedisplay，有源矩阵驱动有机发光二极管显示装置)具有低制造成本、高响应速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等优点，有望成为取代lcd(liquidcrystaldisplay，液晶显示器)的下一代新型平面显示器。特别是柔性amoled，因其具有轻薄、可弯曲折叠、能任意改变形状等优点，正越来越受到关注。

amoled在应用时，通常需要设置封装盖板，以达到阻隔水氧的作用。采用的封装盖板可以是玻璃盖板或者薄膜封装(thinfilmencapsulation，tfe)工艺。当采用薄膜封装时，通常在薄膜封装结构上设置有多层薄膜外嵌式(mutilayeroncell)的触控结构。这种多层薄膜外嵌式触控结构包含金属走线，首先在amoled封装层上方镀金属膜，涂覆光刻胶(pr胶)；然后对光刻胶进行曝光，形成所需要的图形；最后对金属层进行刻蚀，移除未曝光的pr胶，即可形成金属层走线。曝光是通过曝光机将光掩模板上的构图图形解析并复制在构图层上，根据瑞利公式：r＝k1*λ/na，dof＝k2*λ/(na)²，其中：r为解像力；k1为工艺因子，一般取0.6～0.8；λ为曝光光线波长；na为收集衍射光的能力，以数值孔径(numericalaperture，简称na)表示，为曝光机的特征光学参数之一；dof即deepoffocus，称为焦点深度，简称焦深，焦点是出现最佳图像的点，焦深是焦点上下的一个范围，在焦深范围内图像连续地保持清晰；k2为工艺因子。可见解像力随着na值的增大而减小(高解像力)，而焦点深度则随着na的增大而迅速减小；根据瑞利公式，na值固定时，dof也为一个固定值，通常为8μm～10μm，当曝光平面段差超过10μm时，曝光机解析能力不能得到保障，经过曝光机曝光后成像失真度增加，导致线宽均一度及形貌恶化，进而导致曝光工艺不良，降低半导体器件的品质。

而在fmloc(filmmulti-layeroncelltouch)显示面板中，显示区域与绑定区域(bonding区域，外围走线区域，非显示区)的段差达10μm左右，当曝光机聚焦到显示区域时，bonding区域会发生光的散射，导致模糊曝光，使得金属层上方的光刻胶无法有效曝光，影响了金属层的有效刻蚀，出现短路现象。

技术实现要素：

本发明的目的在于针对背景技术存在的缺陷，提出一种光掩膜版及曝光系统，可有效解决曝光平面段差较大时不能有效曝光的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种光掩膜版，其特征在于，所述光掩膜版包括带图形的掩膜版，以及设置于带图形的掩膜版上表面或下表面的光学焦深补偿膜，所述光学焦深补偿膜位于段差较小区域的正上方且仅完全覆盖段差较小区域，可改变光的局部焦深。

进一步地，所述光学焦深补偿膜为透明光学材料，具体为相位膜、有机膜等可以改变光特性的材料，如sitin、zrsio等；厚度根据所需要曝光焦深和基板上光刻胶厚度进行调整，具体为1000埃米～10000埃米。

进一步地，所述光学焦深补偿膜可位于带图形的掩膜版(mask)的上表面或者下表面。

一种应用于amoled的fmloc光掩膜版，其特征在于，所述光掩膜版包括衬底2、形成于衬底2之上的金属图形1、以及形成于衬底上表面或下表面的光学焦深补偿膜3，所述光学焦深补偿膜位于非显示区域的正上方且完全覆盖非显示区域，可改变光的局部焦深。

进一步地，所述光学焦深补偿膜为透明光学材料，具体为相位膜、有机膜等可以改变光特性的材料，如sitin、zrsio等；厚度根据所需要曝光焦深和基板上光刻胶厚度进行调整，具体为1000埃米～10000埃米。

进一步地，所述金属图形1采用铬(cr)、氧化铬等材料。

进一步地，所述衬底2可以为常用玻璃、石英材料等。

一种曝光系统，包括上述光掩膜版与oled基板。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

本发明提供了一种光掩膜版及曝光系统，在掩膜版的上表面或下表面添加的光学焦深补偿膜可以对光的相位以及工艺因子k2进行调整，进而改变非显示区域的焦点深度，调节非显示区域的曝光能力，有效解决走线曝光后的短路问题。

附图说明

图1为fmloc(filmmulti-layeroncelltouch)显示面板的结构示意图；

图2为本发明提供的一种光掩膜版的剖面结构示意图；

图3为基于现有光掩膜版的曝光系统的结构示意图；

图4为基于本发明提供的光掩膜版的曝光系统的结构示意图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明光掩模板和曝光系统作进一步详细描述。

如图1所示，为fmloc(filmmulti-layeroncelltouch)显示面板的结构示意图；fmloc(filmmulti-layeroncelltouch)显示面板中，显示区域与绑定区域(bonding区域，外围走线区域，非显示区)的段差达10μm左右，当曝光机聚焦到显示区域时，bonding区域会发生光的散射，导致模糊曝光，使得金属层上方的光刻胶无法有效曝光，影响了金属层的有效刻蚀，出现短路现象，如图3所示。

为解决曝光问题，本发明提供了一种光掩膜版，通过在带图形的掩膜版的上表面或下表面添加光学焦深补偿膜，以改变光的局部焦深，所述光学焦深补偿膜位于非显示区域的正上方且仅完全覆盖非显示区域，如图2所示。所述光学焦深补偿膜可以对光的相位以及工艺因子k2进行调整，进而对非显示区域的焦点深度进行改变，使得此区域的曝光能力得到调制。如图2所示，所述光掩膜版包括衬底2、形成于衬底2之上的金属图形1、以及形成于衬底上表面或下表面的光学焦深补偿膜3。

其中，所述光学焦深补偿膜为透明光学材料，具体为相位膜、有机膜等可以改变光特性的材料，如sitin、zrsio等；厚度根据所需要曝光焦深和基板上光刻胶厚度进行调整，具体为1000埃米～10000埃米。

其中，所述金属图形1为业界常用铬(cr)、氧化铬等材料，其布线密度可以与显示区域一致，也可以与显示区域不一致。

其中，所述衬底2可以为常用玻璃、石英材料等。

实施例

一种应用于amoled的fmloc光掩膜版，其特征在于，所述光掩膜版包括衬底2、形成于衬底2之上的金属图形1、以及形成于衬底上表面的光学焦深补偿膜3。所述光学焦深补偿膜位于非显示区域的正上方且完全覆盖非显示区域，可改变光的局部焦深。

如图4所示，为基于本发明实施例提供的光掩膜版的曝光系统的结构示意图；在显示区域a与非显示区域b(bonding区域)，b区域由于采用了光学焦深补偿膜，改变其曝光工艺环境能得到不用的焦深，进而可以获得高度不一的最佳聚焦平面。具体为：曝光机采用normalmask时，2μm分辨率的聚焦深度为10μm，而实施例添加光学焦深补偿膜后，a区域焦深dof(a)＝k2*λ/(na)²＝10μm，b区域焦深dof(b)＝k3*λ/(na)^2＝18μm，在确保na相同的情况下，通过增加焦深补偿膜的方式，改变工艺因子k，得到不同的焦深。