基板、制作方法及显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种基板、制作方法及显示面板。

背景技术：

液晶显示装置具有轻薄、功耗低和低辐射等优点，被广泛应用于各种领域。但是现有技术中的显示装置存在反射率高的问题，在显示装置的出光侧会形成反光，在强光下看不清显示装置显示的内容。所以通常要求在保持显示装置透过率的同时降低显示装置的反射率，从而提高显示质量。

现有降低反射率的技术方案中，通常在显示面板的结构上加入了两层1/4波片，如在偏光片的膜层中和彩膜基板的膜层中各增加一层1/4波片，虽然能降低反射率，但是由于增设的1/4波片，使得透过率下降，从而影响显示质量。

因此，在不影响产品性能的前提下，如何降低显示装置的反射率是亟需解决的问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供了一种基板、制作方法及显示面板，用以不影响产品显示质量的前提下降低显示装置的反射率。

一方面，本发明提供了一种基板，包括衬底基板、形成在所述衬底基板上黑矩阵；

所述黑矩阵至少包括第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层位于所述衬底基板的一侧，所述第二遮光层位于所述第一遮光层远离所述衬底基板的一侧，其中，

所述第一遮光层的折射率小于所述第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率，所述第二遮光层上靠近所述第一遮光层的一侧包括微结构，所述微结构为朝向所述衬底基板的凸起；

所述黑矩阵的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂。

一方面，本发明提供了一种基板的制作方法，包括步骤：

提供衬底基板；

混合黑矩阵所需的原料形成黑矩阵材料，所述黑矩阵所需的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂；

将所述黑矩阵材料涂布在所述衬底基板上，形成黑矩阵层；

对所述黑矩阵层进行烘烤得到黑矩阵，烘烤后所述黑矩阵分层，分为第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层位于所述衬底基板的一侧，所述第二遮光层位于所述第一遮光层远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一遮光层的折射率小于所述第二遮光层的折射率并且大于衬底基板折射率。

另一方面，本发明还提供了一种显示面板，包括上述的基板、与所述基板相对设置的第二基板、以及夹设于所述基板与所述第二基板之间的液晶层。

与现有技术相比，本发明提供的基板、制作方法及显示面板，至少实现了如下的有益效果：

本发明的基板中黑矩阵至少包括第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层位于衬底基板的一侧，第二遮光层位于第一遮光层远离衬底基板的一侧，第一遮光层的折射率小于第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率，第二遮光层上靠近第一遮光层的一侧包括微结构，微结构为朝向衬底基板的凸起中一部分光线经过第一遮光层时由于第一遮光层的折射率小于第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率，根据r＝(n1-n2)²/(n1+n2)²可知在衬底基板与第一遮光层的接触界面表面的反射率较低；

本发明中第二遮光层上靠近第一遮光层的一侧包括微结构，微结构为朝向衬底基板的凸起，经过第一遮光层的光再到达第二遮光层时，由于在第二遮光层上包括微结构，所以光线在微结构的表面发生漫反射，通过微结构将原本的镜面反射转化为漫反射，可进一步降低反射率；

本发明中黑矩阵的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂，这些组分混合后为涂布在衬底基板上当进行烘烤时即可自动分为第一遮光层和第二遮光层；

本发明中的黑矩阵为基板上原本就应该制作的黑矩阵，所以不增加制程的前提下能够降低反射率，还能够保证充分的遮光性；

本发明不需要增设1/4波片，不影响正常显示。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明提供的基板的一种平面结构示意图；

图2是图1中a-a’向的一种剖面图；

图3是图1中a-a’向的一种剖面图；

图4是本发明提供的基板的又一种平面结构示意图；

图5是图1中a-a’向的又一种剖面图；

图6是本发明提供的一种基板的制作方法流程图；

图7是本发明提供的又一种基板的制作方法流程图；

图8是本发明提供的显示面板的一种平面结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

参照图1和图2，图1是本发明提供的基板的一种平面结构示意图，图2是图1中a-a’向的一种剖面图。图1中基板100，包括衬底基板1、形成在衬底基板1上黑矩阵2；图2中黑矩阵2至少包括第一遮光层21和第二遮光层22，第一遮光层21位于衬底基板1的一侧，第二遮光层22位于第一遮光层21远离衬底基板1的一侧，第一遮光层21的折射率小于第二遮光层22的折射率并且大于衬底基板1的折射率，第二遮光层22上靠近第一遮光层21的一侧包括微结构23，微结构23为朝向衬底基板1的凸起。

黑矩阵的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂。

本发明中的衬底基板1可选的为玻璃。

图2中仅示出了微结构23为具有弯曲向衬底基板1的曲面的情况，当然还可以为其它形式的微结构。此外图2中仅示出了微结构23在第二遮光层22中是紧密排列的，当然也可以非紧密排列，这里不做具体限定。

可以理解的是在黑矩阵2之间可以为开口区。

图2中在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，第一遮光层21的厚度与第二遮光层22的厚度不同，当然也可以相同，这里不做具体限定。

现有技术中，衬底基板1位于靠近环境光的一侧，环境光经过衬底基板1在黑矩阵2的表面容易发生反射，根据菲涅尔公式可以知道，接触界面表面反射率为r＝(n1-n2)²/(n1+n2)²，n1和n2为两个接触界面的折射率。由于黑矩阵2与玻璃之间的折射率相差较大，所以反射率也较高。黑矩阵2起到遮光作用是不可缺少的一部分。

图2中第一遮光层21的折射率na小于第二遮光层22的折射率nb，则一部分光线经过第一遮光层21时由于第一遮光层21的折射率na小于第二遮光层22的折射率nb，并且第一遮光层21的折射率na介于衬底基板1和第二遮光层22的折射率之间，根据r＝(n1-n2)²/(n1+n2)²可知在衬底基板1与第一遮光层21的接触界面表面的反射率较低，；另一方面第二遮光层22上靠近第一遮光层21的一侧包括微结构23，微结构23为朝向衬底基板1的凸起，经过第一遮光层21的光再到达第二遮光层22时，由于在第二遮光层22上包括微结构23，所以光线在微结构23的表面发生漫反射，通过微结构23将原本的镜面反射转化为漫反射，可进一步降低反射率；同时本发明中黑矩阵的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂，这些组分混合后为涂布在衬底基板上当进行烘烤时即可自动分为第一遮光层21和第二遮光层22。

此外，本发明中的黑矩阵2为基板上原本就应该制作的黑矩阵，所以不增加制程的前提下能够降低反射率，还能够保证充分的遮光性。

本实施例的基板，至少具有以下技术效果：

本实施例中一部分光线经过第一遮光层21时由于第一遮光层21的折射率na小于第二遮光层22的折射率nb，并且第一遮光层21的折射率na介于衬底基板1和第二遮光层22的折射率之间，根据r＝(n1-n2)²/(n1+n2)²可知在衬底基板1与第一遮光层21的接触界面表面的反射率较低

本发明中第二遮光层22上靠近第一遮光层21的一侧包括微结构23，微结构23为朝向衬底基板1的凸起，经过第一遮光层21的光再到达第二遮光层22时，由于在第二遮光层22上包括微结构23，所以光线在微结构23的表面发生漫反射，通过微结构23将原本的镜面反射转化为漫反射，可进一步降低反射率；

本发明中黑矩阵的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂，这些组分混合后为涂布在衬底基板上当进行烘烤时即可自动分为第一遮光层21和第二遮光层22。

本发明中的黑矩阵2为基板上原本就应该制作的黑矩阵，所以不增加制程的前提下能够降低反射率，还能够保证充分的遮光性。

本发明不需要增设1/4波片，不影响正常显示。

经大量实验证明，本发明提供的基板反射率(即衬底基板上做了具有低反射的黑矩阵层)在5.1％左右，现有技术中的基板反射率(即衬底基板上做了常规的黑矩阵层)一般在6.6％左右，可见本发明的基板反射率降低了22.8％左右，反射率降低明显。

继续参照图2，在一些可选的实施例中，黑矩阵的原料按如下重量份混合而成：

添加剂包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂。

可选的，本发明提供的一个实施例中，黑矩阵的原料按如下重量份混合而成：

可选的，本发明提供的一个实施例中，黑矩阵的原料按如下重量份混合而成：

可选的，本发明提供的一个实施例中，黑矩阵的原料按如下重量份混合而成：

可选的，本发明提供的一个实施例中，黑矩阵的原料按如下重量份混合而成：

可选的，本发明提供的一个实施例中，黑矩阵的原料按如下重量份混合而成：

可选的，本发明提供的一个实施例中，黑矩阵的原料按如下重量份混合而成：

本发明中黑矩阵的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂，按照上述重量份的原理混合后的黑矩阵，涂布在衬底基板上当进行烘烤时即可自动分为第一遮光层21和第二遮光层22，一部分光线经过第一遮光层21时由于第一遮光层21的折射率na小于第二遮光层22的折射率nb，并且第一遮光层21的折射率na介于衬底基板1和第二遮光层22的折射率之间，根据r＝(n1-n2)²/(n1+n2)²可知在衬底基板1与第一遮光层21的接触界面表面的反射率较低，(最后加粗这句话不用删除)

微结构具有弯曲向所述衬底基板的曲面，或者所述微结构为棱锥型。参照图2和图3，图3是图1中a-a’向的一种剖面图，图2中微结构23具有弯曲向衬底基板1的曲面，图3中微结构23为棱锥型。

图3中黑矩阵2至少包括第一遮光层21和第二遮光层22，第一遮光层21位于衬底基板1的一侧，第二遮光层22位于第一遮光层21远离衬底基板1的一侧，第一遮光层21的折射率小于第二遮光层22的折射率并且大于衬底基板1的折射率，第二遮光层22上靠近第一遮光层21的一侧包括微结构23，图3中微结构23为棱锥型。

本发明中第二遮光层22上靠近第一遮光层21的一侧包括微结构23，微结构23为朝向衬底基板1的凸起，经过第一遮光层21的光再到达第二遮光层22时，由于在第二遮光层22上具有图2或图3中的微结构23，所以光线在微结构23的表面发生漫反射，通过微结构23将原本的镜面反射转化为漫反射，可进一步降低反射率。

微结构23在第一方向x上的最大高度为0.1-2μm，第一方向x为垂直于衬底基板所在平面的方向。

继续参照图2，黑矩阵2至少包括第一遮光层21和第二遮光层22，第一遮光层21位于衬底基板1的一侧，第二遮光层22位于第一遮光层21远离衬底基板1的一侧，第一遮光层21的折射率小于第二遮光层22的折射率并且大于衬底基板1的折射率，第二遮光层22上靠近第一遮光层21的一侧包括微结构23，微结构在第一方向上的最大高度为a，a在0.1-2μm之间，此时能够最大程度的将入射光在微结构23表面发生漫反射，漫反射的光越多当然反射的光越少，通过微结构23将原本的镜面反射转化为漫反射，可有效地降低反射率。

微结构23在第二方向上的宽度为4-30μm，第二方向y与第一方向x相交。

继续参照图2，黑矩阵2至少包括第一遮光层21和第二遮光层22，第一遮光层21位于衬底基板1的一侧，第二遮光层22位于第一遮光层21远离衬底基板1的一侧，第一遮光层21的折射率小于第二遮光层22的折射率并且大于衬底基板的折射率，第二遮光层22上靠近第一遮光层21的一侧包括微结构23，微结构23在第二方向上的宽度为b，b的宽度在4-30μm之间，此时能够最大程度的将入射光在微结构23表面发生漫反射，漫反射的光越多当然反射的光越少，通过微结构23将原本的镜面反射转化为漫反射，可有效地降低反射率。

在一些可选的实施例中，基板100为彩膜基板，还包括形成在衬底基板1上的彩膜层。

参照图4，图4是本发明提供的基板的又一种平面结构示意图。图4中基板100为彩膜基板，包括衬底基板1、形成在衬底基板1上黑矩阵2、以及还包括形成在衬底基板1上的彩膜层3，当然可以理解的是彩膜层3可以包括r、g、b，这里不做具体限定；当然该实施例中的黑矩阵2仍然至少包括第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层位于衬底基板的一侧，第二遮光层位于第一遮光层远离衬底基板1的一侧，第一遮光层的折射率小于第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率，第二遮光层上靠近第一遮光层的一侧包括微结构，微结构为朝向衬底基板的凸起。

彩膜基板中原本需要设置黑矩阵，该黑矩阵是起到遮光和防止混色的的作用，本发明中将黑矩阵2至少包括第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层位于衬底基板的一侧，第二遮光层位于第一遮光层远离衬底基板1的一侧，第一遮光层的折射率小于第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率，第二遮光层上靠近第一遮光层的一侧包括微结构，微结构为朝向衬底基板的凸起，能够实现在不增加制程的前提下能够大大降低反射率，还能够保证充分的遮光性。

参照图5，图5是图1中a-a’向的又一种剖面图。图5中还包括平坦化层4，平坦化层4位于第二遮光层22远离衬底基板1的一侧。

图5中黑矩阵2至少包括第一遮光层21和第二遮光层22，第一遮光层21位于衬底基板1的一侧，第二遮光层22位于第一遮光层21远离衬底基板1的一侧，第一遮光层21的折射率小于第二遮光层22的折射率并且大于衬底基板的折射率，第二遮光层22上靠近第一遮光层21的一侧包括微结构23，微结构23为朝向衬底基板1的凸起。图5中示出微结构23为具有弯曲向衬底基板1的曲面的情况，当然还可以为其它形式的微结构。此外图5中仅示出了微结构23在第二遮光层22中是非紧密排列的，当然也可以紧密排列，这里不做具体限定。当然黑矩阵的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂。至于黑矩阵中原料的含量可按照上述实施例中任一实施例的重量份混合，这里不再赘述。

由于在第二遮光层22上靠近第一遮光层21的一侧包括微结构23，微结构23为朝向衬底基板1的凸起，所以在第二遮光层22远离第一遮光层21的一侧会出现凹不平的情况，通过平坦化层4的设置可以将第二遮光层22远离第一遮光层21的一侧表面变平整，这里可选的平坦化层4的材料为聚酰亚胺，聚酰亚胺有很好的化学稳定性，优良的机械性能、高绝缘性、耐高温、高介电常数、耐辐射和不可燃。

基于同一发明思想本发明还提供了一种基板的制作方法，参照图6，图6是本发明提供的一种基板的制作方法流程图，包括步骤：

s101：提供衬底基板；

s102：混合黑矩阵所需的原料形成黑矩阵材料，黑矩阵所需的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂；

s103：将黑矩阵材料涂布在衬底基板上，形成黑矩阵层；

s104：对黑矩阵层进行烘烤得到黑矩阵，烘烤后黑矩阵分层，分为第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层位于衬底基板的一侧，第二遮光层位于第一遮光层远离衬底基板的一侧，其中，第一遮光层的折射率小于第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率。

本发明中黑矩阵的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂，这些组分混合后为涂布在衬底基板上当进行烘烤时即可自动分为第一遮光层和第二遮光层，黑矩阵分为第一遮光层和第二遮光层后，由于第一遮光层的折射率小于第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率，根据r＝(n1-n2)²/(n1+n2)²可知在衬底基板与第一遮光层的接触界面表面的反射率较低。

在一些可选的实施例中，在对黑矩阵层进行烘烤得到黑矩阵之前，还包括：采用灰阶掩膜版对黑矩阵层进行曝光及显影，在黑矩阵层远离衬底基板的一侧形成微结构，微结构为朝向衬底基板的凸起。参照图7，图7是本发明提供的又一种基板的制作方法流程图，包括步骤：

s201：提供衬底基板；

s202：混合黑矩阵所需的原料形成黑矩阵材料，黑矩阵所需的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂；

s203：将黑矩阵材料涂布在衬底基板上，形成黑矩阵层；

s204：采用灰阶掩膜版对黑矩阵层进行曝光及显影，在黑矩阵层远离衬底基板的一侧形成微结构，微结构为朝向衬底基板的凸起；

s205：对黑矩阵层进行烘烤得到黑矩阵，烘烤后黑矩阵分层，分为第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层位于衬底基板的一侧，第二遮光层位于第一遮光层远离衬底基板的一侧，其中，第一遮光层的折射率小于第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率。

本发明通过灰阶掩膜版可以在黑矩阵层远离衬底基板都得一侧形成所需要的轮廓形状的微结构，形成的微结构能够将光线的镜面反射转换为漫反射，降低反射率。

继续参照图6，烘烤的温度为220-240℃，烘干的时间为20-40min。

烘烤的目的一方面使黑矩阵层干燥，另一方面经过烘烤后黑矩阵自动分层，即分为第一遮光层和第二遮光层，当烘烤的温度为220-240℃，烘干的时间为20-40min时可实现黑矩阵自动分层，这种黑矩阵材料涂布后通过烘烤实现折射率不同的分层结构，工艺简单。

在一些可选的实施例中，在对黑矩阵层进行烘干得到黑矩阵之后，还包括在衬底基板上涂布色阻材料形成彩膜层。

在制作时通过掩膜版依次在衬底基板上涂布r、g、b或其它颜色的色阻材料形成彩膜层。对于彩膜基板来说原本需要设置黑矩阵，该黑矩阵是起到遮光和防止混色的的作用，在衬底基板上依次制作黑矩阵和彩膜层，并没有增加制作工序，能够保证充分的遮光性，还能够大大降低反射率。

在一些可选的实施例中，在形成彩膜层之后还包括形成平坦化层，平坦化层覆盖黑矩阵和彩膜层。

由于在第二遮光层上靠近第一遮光层的一侧包括微结构，微结构为朝向衬底基板的凸起，以及彩膜层与黑矩阵在垂直于衬底基板所在平面方向上的高度不同，所以会出现凹不平的情况，通过平坦化层的设置可以将黑矩阵和彩膜层的表面变平整。

基于同一发明原理，本发明还提供了一种显示面板，包括本发明提供的基板、与基板相对设置的第二基板、以及夹设于基板与第二基板之间的液晶层。参照图8，图8是本发明提供的显示面板的一种平面结构示意图。本实施例的显示面板200包括基板100、与基板100相对设置的阵列基板(图中未示出)、以及夹设于基板与第二基板之间的液晶层(图中未示出)，其中，基板100包括了本发明上述任一实施例提供的黑矩阵2。本发明实施例提供的显示面板，具有本发明实施例提供的基板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的基板、制作方法及显示面板，至少实现了如下的有益效果：

本发明的基板中黑矩阵至少包括第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层位于衬底基板的一侧，第二遮光层位于第一遮光层远离衬底基板的一侧，第一遮光层的折射率小于第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率，第二遮光层上靠近第一遮光层的一侧包括微结构，微结构为朝向衬底基板的凸起中一部分光线经过第一遮光层时由于第一遮光层的折射率小于第二遮光层的折射率并且大于衬底基板的折射率，根据r＝(n1-n2)²/(n1+n2)²可知在衬底基板与第一遮光层的接触界面表面的反射率较低；

本发明中第二遮光层上靠近第一遮光层的一侧包括微结构，微结构为朝向衬底基板的凸起，经过第一遮光层的光再到达第二遮光层时，由于在第二遮光层上包括微结构，所以光线在微结构的表面发生漫反射，通过微结构将原本的镜面反射转化为漫反射，可进一步降低反射率；

本发明中黑矩阵的原料至少包括炭黑、双酚芴环氧丙烯酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、双(2-甲氧基乙基)醚、二甘醇甲基乙基醚、和添加剂，其中所述添加剂至少包括有机硅化合物、氟取代有机物、丙烯酸树脂、和聚乙烯树脂，这些组分混合后为涂布在衬底基板上当进行烘烤时即可自动分为第一遮光层和第二遮光层；

本发明中的黑矩阵为基板上原本就应该制作的黑矩阵，所以不增加制程的前提下能够降低反射率，还能够保证充分的遮光性。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。