阵列基板及显示装置的制作方法

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术：

随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，简称：tft-lcd)已在平板显示领域中占据了主导地位。

但目前，发明人在研究过程中发现，tft-lcd中显示区的周边在外围走线区影响下，容易出现摩擦取向阴影和液晶扩散不均匀等情况，使得显示区的周边不能正常显示，出现周边暗态漏光或者亮态暗区等不良情况，降低了显示产品良率。

需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

本公开的目的在于提供一种阵列基板及显示装置，提高显示产品良率。

根据本公开的一个方面，提供了一种阵列基板，具有显示区和设置在所述显示区至少一侧的外围走线区，其中，所述阵列基板包括衬底基板，所述显示区包括形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管及公共电极；所述外围走线区包括形成在所述衬底基板上的第一引线、栅极信号线及公共信号线；

所述薄膜晶体管包括栅极，所述第一引线与所述栅极同层设置并电连接；

所述栅极信号线位于所述第一引线背离所述衬底基板的一侧，并通过第一转接结构与所述第一引线电连接；

所述公共信号线位于所述第一引线背离所述衬底基板的一侧，以及位于所述栅极信号线靠近所述显示区的一侧，所述公共信号线与所述公共电极电连接；

其中，所述第一转接结构位于所述公共信号线远离所述显示区的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一转接结构包括：

至少一个第一过孔，其在所述衬底基板上的正投影位于所述栅极信号线在所述衬底基板上的正投影内，且所述第一过孔至少暴露出部分所述栅极信号线；

至少一个第二过孔，其在所述衬底基板上的正投影位于所述第一引线在所述衬底基板上的正投影内，且所述第二过孔至少暴露出部分所述第一引线；

第一转接部，位于所述栅极信号线远离衬底基板的一侧，所述第一转接部通过所述第一过孔与所述栅极信号线电连接，并通过所述第二过孔与所述第一引线电连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述公共信号线和所述栅极信号线在第一方向上延伸；

所述第一引线包括在所述第一方向上延伸的第一转接引线段及在第二方向上延伸的第一主引线段，所述第一转接引线段在所述衬底基板的正投影位于所述栅极信号线与所述公共信号线在所述衬底基板上的正投影之间；所述第一主引线段分别与所述第一转接引线段及所述薄膜晶体管的栅极电连接，且所述第一主引线段在所述衬底基板上的正投影与所述公共信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠；

其中，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一转接引线段在所述衬底基板上的正投影内；且所述第二方向与所述第一方向相交。

在本公开的一种示例性实施例中，

所述第一过孔设置有多个并在所述第一方向上间隔排布；

所述第二过孔设置有多个并在所述第一方向上间隔排布。

在本公开的一种示例性实施例中，所述显示区还包括像素电极，所述薄膜晶体管包括漏电极，所述像素电极位于所述漏电极远离所述衬底基板的一侧，并与所述漏电极相连接；

所述第一转接部与所述像素电极同层设置。

在本公开的一种示例性实施例中，所述外围走线区还包括形成在所述衬底基板上的第二引线，所述第二引线与所述栅极同层设置并与所述公共电极电连接；

所述公共信号线通过第二转接结构与所述第二引线电连接；

其中，所述第二转接结构位于所述公共信号线远离所述显示区的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二转接结构包括：

至少一个第三过孔，其在所述衬底基板上的正投影位于所述公共信号线在所述衬底基板上的正投影内，且所述第三过孔至少暴露出部分所述公共信号线；

至少一个第四过孔，其在所述衬底基板上的正投影位于所述第一引线在所述衬底基板上的正投影内，且所述第四过孔至少暴露出部分所述第二引线；

第二转接部，位于所述公共信号线远离衬底基板的一侧，所述第二转接部通过所述第三过孔与所述公共信号线电连接，并通过所述第四过孔与所述第二引线电连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述公共信号线和所述栅极信号线在第一方向上延伸；

所述第二引线包括在所述第一方向上延伸的第二转接引线段及在第二方向上延伸的第二主引线段，所述第二转接引线段在所述衬底基板的正投影位于所述栅极信号线与所述公共信号线在所述衬底基板上的正投影之间；所述第二主引线段分别与所述第二转接引线段及所述公共电极电连接，且所述第二主引线段在所述衬底基板上的正投影与所述公共信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠；

其中，所述第四过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第二转接引线段在所述衬底基板上的正投影内；且所述第二方向与所述第一方向相交。

在本公开的一种示例性实施例中，

所述第三过孔设置有多个并在所述第一方向上间隔排布；

所述第四过孔设置有多个并在所述第一方向上间隔排布。

在本公开的一种示例性实施例中，所述显示区还包括像素电极，所述薄膜晶体管包括漏电极，所述像素电极位于所述漏电极远离所述衬底基板的一侧，并与所述薄膜晶体管的漏电极相连接；

所述第二转接部与所述像素电极同层设置。

在本公开的一种示例性实施例中，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，所述栅极信号线、所述公共信号线、所述源电极和所述漏电极同层设置。

根据本公开的一个方面，提供了一种显示装置，其包括上述任一项所述的阵列基板。

本公开提供的技术方案可以达到以下有益效果：

本公开所提供的阵列基板及显示装置，通过将用于连接栅极信号线和第一引线的第一转接结构设置在公共信号线远离显示区的一侧，可增大第一转接结构距显示区的距离，从而可避免第一转接结构处产生的电场对显示区造成较大影响，即：避免显示区周边出现液晶扩散不均问题，且减少摩擦弱区，使得显示区的周边区域液晶能够正常取向，从而可提高产品良率及显示效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了相关技术中阵列基板的各层结构示意图；

图2示出了本公开实施例提供的阵列基板的各层结构示意图；

图3示出了图2所示的阵列基板在c-c方向上的截面示意图；

图4示出了图2所示的阵列基板在d-d方向上的截面示意图；

图5示出了本公开实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。

另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。

需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。

在本公开中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。

在本公开中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

本公开的实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板可应用于液晶显示装置中，且该阵列基板可采用阵列基板行驱动(英文：gatedriveronarray，简称：goa)技术。

如图2所示，阵列基板可具有显示区a和设置在显示区a至少一侧的外围走线区b，且阵列基板包括衬底基板11，其中：

显示区a可包括形成在衬底基板11上的薄膜晶体管12及公共电极13。此薄膜晶体管12可包括栅极120、有源层121、源电极122、漏电极123，需要说明的是，该栅极120与有源层121之间还可设置第一绝缘层14，以使栅极120与有源层121之间相互绝缘；此第一绝缘层14可采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料。

需要说明的是，薄膜晶体管12可为顶栅型，也可为底栅型。在本公开的实施例中主要以薄膜晶体管12为底栅型为例进行说明。如图2和图3所示，在薄膜晶体管12为底栅型时，栅极120形成在衬底基板11上，此栅极120可包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能；第一绝缘层14形成在衬底基板11上并覆盖栅极120，此第一绝缘层14可采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料；有源层121形成在第一绝缘层14背离衬底基板11的一侧，有源层121可包括氢化非晶硅(a-si：h)层121a和形成在氢化非晶硅层121a两端的高浓度掺杂的n型导电层121b；源电极122和漏电极123分别与有源层121两端的高浓度掺杂的n型导电层121b连接，该源电极122和漏电极123可包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(al/ti/al)等。

而为了保证显示区a的透光率，公共电极13可采用ito(氧化铟锡)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等透明材料制作而成；也就是说，由于公共电极13采用的材料与薄膜晶体管12的栅极120和源、漏极的材料不同，因此，该公共电极13与薄膜晶体管12的栅极120和源、漏极可采用不同构图工艺制作而成。

举例而言，如图2和图3所示，本实施例的公共电极13可在形成薄膜晶体管12的栅极120之前形成在衬底基板11上，也就是说，在制作阵列基板时，可先采用一构图工艺在衬底基板11上形成公共电极13，然后再采用另一构图工艺在衬底基板11上形成薄膜晶体管12的栅极120。需要说明的是，公共电极13与栅极120虽然都形成在衬底基板11上，但公共电极13与栅极120之间相互断开，即：公共电极13与栅极120之间无电性连接。

但应当理解的是，在栅极120的材料与公共电极13的材料相同时，也可采用一次构图工艺同时在衬底基板11上形成栅极120和公共电极13。此外，公共电极13不仅可在形成薄膜晶体管12的栅极120之前形成在衬底基板11上，也可在其之后形成，视具体情况而定。

另外，如图2和图3所示，显示区a还可包括像素电极15，为了保证显示区a的透光率，像素电极15可采用ito(氧化铟锡)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等透明材料制作而成；此像素电极15可形成在源电极122、漏电极123远离衬底基板11的一侧；且像素电极15可与漏电极123相连接，理应了解的是，在形成源电极122、漏电极123之后，且形成像素电极15之前，还可形成一层第二绝缘层16，为了实现像素电极15与漏电极123的连接，可在第二绝缘层16上开孔160，此开孔160可至少露出部分漏电极123的表面，而像素电极15可通过此开孔160与漏电极123电连接。

举例而言，此像素电极15可与公共电极13在垂直于衬底基板11的方向(如图3所示的z方向)相对设计，其中，像素电极15可为狭缝150电极(即：电极上开设有狭缝150)，而公共电极13可为板状电极(即：电极为一整块并未开设狭缝)；通过同一平面内像素电极15所产生的电场和公共电极13间产生的电场形成多为电场，使在电极之间和电极正上方的所有液晶分子发生偏转，可提高液晶的工作效率，且增加了透光效率。但不限于此，像素电极15和公共电极13也可设置为其他结构，视具体情况而定。

其中，像素电极15、公共电极13及薄膜晶体管12可组成一个像素单元，该显示区a可具有阵列排布的多个像素单元。

如图2所示，显示区a还可包括数据线17，此数据线17可在第一方向y(即：列方向)上延伸，且数据线17可设置有多条，多条数据线17在第二方向x上间隔排布，第二方向x可与第一方向y相交，可选地，第二方向x与第一方向y正交。该数据线17可包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能；在一些实施例中，此数据线17可与薄膜晶体管12的源电极122、漏电极123同层设置，并与源电极122电连接。

如图2和图4所示，外围走线区b可包括形成在衬底基板11上的第一引线18、栅极信号线19及公共信号线20。具体地：

第一引线18与薄膜晶体管12的栅极120同层设置并与栅极120电连接。

栅极信号线19可在第一方向y上延伸。该栅极信号线19可位于第一引线18背离衬底基板11的一侧，应当理解的是，第一引线18与栅极信号线19之间需设置有绝缘材料层，也就是说，在形成第一引线18之后及形成栅极信号线19之前，还需要形成绝缘材料层。其中，在栅极信号线19与薄膜晶体管12的源电极122、漏电极123同层设置时，该第一引线18与栅极信号线19之间的绝缘材料层可为第一绝缘层14。需要说明的是，为了实现栅极信号线19向薄膜晶体管12的栅极120输送信号，需使栅极信号线19与第一引线18电连接，由于第一引线18与栅极信号线19之间设置有第一绝缘层14，因此，可在外围走线区b设置第一转接结构21，栅极信号线19可通过第一转接结构21与第一引线18电连接。

公共信号线20可在第一方向y上延伸。该公共信号线20可包括vdd电源线、vss电源线等。公共信号线20可位于栅极信号线19靠近显示区a的一侧，且公共信号线20可与公共电极13电连接。由于外围走线区b设置了与薄膜晶体管12的栅极120同层设置的第一引线18，为了避免公共信号线20与第一引线18交叉连接，可将公共信号线20设置在第一引线18背离衬底基板11的一侧，应当理解的是，公共信号线20与第一引线18之间需设置绝缘材料层，也就是说，在形成第一引线18之后及形成公共信号线20之前，还需形成绝缘材料层。其中，在公共信号线20与薄膜晶体管12的源电极122、漏电极123同层设置时，该第一引线18与公共信号线20之间的绝缘材料层可为第一绝缘层14。

在本公开的实施例中，通过将第一引线18与薄膜晶体管12的栅极120同层设置，以及将公共信号线20设置在第一引线18背离衬底基板11的一侧，相比于相关技术中将公共信号线20与薄膜晶体管12的栅极120同层设置、以及将第一引线18设置在公共信号线20背离衬底基板11的一侧的方案(如图1所示)，一方面可避免公共信号线20与第一引线18交叉连接，另一方面可使第一转接结构21设计在公共信号线20远离显示区a的一侧。

其中，通过将用于连接栅极信号线19和第一引线18的第一转接结构21设置在公共信号线20远离显示区a的一侧，在保证栅极信号线19能够控制显示区a中薄膜晶体管12的开关同时，还可增大第一转接结构21距显示区a的距离，相比于相关技术中将第一转接结构21设置在公共信号线20靠近显示区a一侧的方案(如图1所示)，可降低第一转接结构21处产生的电场对显示区a处液晶的影响，即：缓解显示区a周边出现液晶扩散不均问题，且减少摩擦弱区，使得显示区a的周边区域液晶能够正常取向，从而可提高产品良率及显示效果。

需要说明的是，前述提到公共信号线20、栅极信号线19也可不与薄膜晶体管12的源电极122、漏电极123同层设置，视具体情况而定。本公开的实施例中，通过将公共信号线20、栅极信号线19与薄膜晶体管12的源电极122、漏电极123同层设置，可减少工艺步骤，降低成本。

在一些实施例中，如图2和图4所示，外围走线区b还可包括第二引线22，此第二引线22与薄膜晶体管12的栅极120同层设置，并与公共电极13电连接；由于公共信号线20在形成薄膜晶体管12的栅极120之后形成，因此，为了使得公共信号线20能够通过第二引线22与公共电极13电连接，该外围走线区b还可包括第二转接结构23，公共信号线20可通过第二转接结构23与第二引线22电连接。

可选地，如图2所示，该第二转接结构23可位于公共信号线20远离显示区a的一侧，在保证公共信号线20能够向显示区a的公共电极13传输信号的同时，还可增大第二转接结构23距显示区a的距离，从而可降低第二转接结构23处产生的电场对显示区a处液晶的影响，即：缓解显示区a周边出现液晶扩散不均问题，且减少摩擦弱区，使得显示区a的周边区域液晶能够正常取向，从而可提高产品良率及显示效果。

需要说明的是，为了实现第二引线22与显示区a内的公共电极13的连接，该第二引线22的部分可延伸至显示区a，也就是说，第二引线22中的一部分可位于外围走线区b以与公共信号线20电连接，另一部分可位于显示区a，第二引线22中位于显示区a的部分可在第二方向x上延伸，以与在第二方向x上排布的多个像素单元的公共电极13电连接。

下面结合附图对本公开的阵列基板的结构进行详细说明。

如图2和图4所示，第一转接结构21可包括第一转接部210、至少一个第一过孔211和至少一个第二过孔212；其中，第一过孔211在衬底基板11上的正投影位于栅极信号线19在衬底基板11上的正投影内，且第一过孔211至少暴露出部分栅极信号线19；第二过孔212在衬底基板11上的正投影位于第一引线18在衬底基板11上的正投影内，且第二过孔212至少暴露出部分第一引线18；第一转接部210位于栅极信号线19远离衬底基板11的一侧，第一转接部210通过第一过孔211与栅极信号线19电连接，并通过第二过孔212与第一引线18电连接。

可选地，该第一转接部210可采用ito(氧化铟锡)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等透明材料制作而成。该第一转接部210可与像素电极15同层设置，以减少阵列基板的加工步骤，从而降低成本。

其中，在第一转接部210与像素电极15同层设置时，第一过孔211可贯穿第二绝缘层16并露出栅极信号线19；而第二过孔212可贯穿第一绝缘层14和第二绝缘层16并露出第一引线18。

在一些实施例中，第一引线18可包括在第一方向y上延伸的第一转接引线段181及在第二方向x上延伸的第一主引线段180，第一转接引线段181在衬底基板11的正投影位于栅极信号线19与公共信号线20在衬底基板11上的正投影之间；第一主引线段180分别与第一转接引线段181及薄膜晶体管12的栅极120电连接，且第一主引线段180在衬底基板11上的正投影与公共信号线20在衬底基板11上的正投影存在交叠，也就是说，第一主引线段180跨过公共信号线20。

其中，第二过孔212在衬底基板11上的正投影位于第一转接引线段181在衬底基板11上的正投影内；也就是说，第一转接部210可与第一转接引线段181电连接，以实现栅极信号线19与第一引线18之间的电连接，由于第一转接引线段181的延伸方向与栅极信号线19的延伸方向相同，因此，可增大第一转接部210与第一转接引线段181和栅极信号线19之间的连接面积，从而可保证第一引线18与栅极信号线19之间的连接稳定性。

可选地，第一过孔211可设置有多个，并在第一方向y上间隔排布；且第二过孔212可设置有多个，并在第一方向y上间隔排布，这样设计可进一步提高栅极信号线19与第一引线18的连接稳定性。

如图2和图4所示，第二转接结构23可包括第二转接部230、至少一个第三过孔231及至少一个第四过孔232；其中，第三过孔231在衬底基板11上的正投影位于公共信号线20在衬底基板11上的正投影内，且第三过孔231至少暴露出部分公共信号线20；第四过孔232在衬底基板11上的正投影位于第一引线18在衬底基板11上的正投影内，且第四过孔232至少暴露出部分第二引线22；第二转接部230位于公共信号线20远离衬底基板11的一侧，第二转接部230通过第三过孔231与公共信号线20电连接，并通过第四过孔232与第二引线22电连接。

可选地，该第二转接部230可采用ito(氧化铟锡)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等透明材料制作而成。该第二转接部230可与像素电极15同层设置，以减少阵列基板的加工步骤，从而降低成本。

其中，在第二转接部230与像素电极15同层设置时，第三过孔231可贯穿第二绝缘层16并露出公共信号线20；而第四过孔232可贯穿第一绝缘层14和第二绝缘层16并露出第二引线22。

在一些实施例中，第二引线22可包括在第一方向y上延伸的第二转接引线段221及在第二方向x上延伸的第二主引线段220，第二转接引线段221在衬底基板11的正投影位于栅极信号线19与公共信号线20在衬底基板11上的正投影之间；第二主引线段220分别与第二转接引线段221及公共电极13电连接，且第二主引线段220在衬底基板11上的正投影与公共信号线20在衬底基板11上的正投影存在交叠，也就是说，第二主引线段220跨过公共信号线20。

其中，第四过孔232在衬底基板11上的正投影位于第二转接引线段221在衬底基板11上的正投影内；也就是说，第二转接部230可与第二转接引线段221电连接，以实现公共信号线20与第二引线22之间的电连接，由于第二转接引线段221的延伸方向与公共信号线20的延伸方向相同，因此，可增大第二转接部230与第二转接引线段221和公共信号线20之间的连接面积，从而可保证第二引线22与公共信号线20之间的连接稳定性。

可选地，第三过孔231可设置有多个，并在第一方向y上间隔排布；且第四过孔232可设置有多个，并在第一方向y上间隔排布，这样设计可进一步提高公共信号线20与第二引线22的连接稳定性。

需要说明的是，本公开实施例的阵列基板中的衬底基板11可为单层结构，也可为多层结构；且该衬底基板11可为玻璃等刚性基板，也可为采用聚酰亚胺(pi)等材料制作而成的柔性基板，在本公开的实施例中不作具体限定。

需要说明的是，本公开实施例中的阵列基板主要应用在液晶显示产品中，为了保证产品透光率，该阵列基板中的衬底基板11、第一绝缘层14、第二绝缘层16等绝缘层均可制作成透明状态，因此，虽然本公开实施例中的图2未标示出图3和图4中所示的衬底基板11、第一绝缘层14、第二绝缘层16，但不妨碍本领域技术人员想到衬底基板11、第一绝缘层14、第二绝缘层16在图2中位置。

本公开的实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任一实施例所描述的阵列基板。此显示装置可为液晶显示装置。

根据本公开的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示屏、手机、笔记本电脑等移动装置、手表等可穿戴设备、vr装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。

需要说明的是，该显示装置除了阵列基板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，还可包括彩膜基板、位于显示区的液晶分子、外壳、主电路板、电源线，等等，本领域善解人意可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。

此外，本公开的实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的结构可参考前述实施例所描述的阵列基板的结构，在此不再描述；其中，如图5所示，该制作方法可包括：

步骤s100、提供一衬底基板；

步骤s101、采用一次构图工艺在衬底基板上形成位于显示区的公共电极；

步骤s102、采用一次构图工艺在衬底基板上形成位于显示区的栅极、位于外围走线区的第一引线和位于显示区和外围走线区的第二引线，此第一引线与栅极电连接，第二引线与公共电极电连接；

步骤s103、在衬底基板上形成第二绝缘层，此第二绝缘层覆盖公共电极、栅极、第一引线及第二引线；

步骤s104、在第二绝缘层背离衬底基板的一侧形成位于显示区的有源层；

步骤s105、采用一次构图工艺形成位于显示区的源极、漏极和数据线以及位于外围走线区的栅极信号线和公共信号线，此源极和漏极位于有源层的两侧并与有源层电连接，且数据线与源极电连接；

步骤s106、形成覆盖源极、漏极、数据线、栅极信号线和公共信号线的第二绝缘层；

步骤s107、对第一绝缘层和第二绝缘层进行图案化处理，以形成位于显示区的开孔及位于外围走线区的第一过孔、第二过孔、第三过孔及第四过孔；其中，开孔至少暴露出部分漏极，第一过孔至少暴露出部分栅极信号线，第二过孔至少暴露出部分第一引线，第三过孔至少暴露出部分公共信号线，第四过孔暴露出第二引线；

步骤s108、采用一次构图工艺形成位于显示区的像素电极和位于外围走线区的第一转接部和第二转接部；此像素电极通过开孔与漏极电连接；第一转接部通过第一过孔与第二过孔分别与栅极信号线及第一引线电连接，第二转接部通过第三过孔与第四过孔分别与公共信号线与第二引线电连接。

应当理解的是，本公开实施例的提供的上述制作方法应该具备与本公开实施例提供的阵列基板具有相同的特点和优点，所以，本公开实施例的提供的上述制作方法的特点和优点可以参照上文描述的阵列基板的特点和优点，在此不再赘述。

应当注意，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。此外，上面的一些步骤可以并行执行或顺序执行等等，并不局限于上文描述的具体操作顺序。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。