显影剂承载构件、显影组件、处理盒和图像形成装置的制造方法_2

文档序号:8318286阅读:来源:国知局
辊14的端部上提供的辊(在附图 中未示出)设置在40 μ m。显影辊14的表面在压靠感光鼓1以形成显影压合部分N时变 形,由此可以在稳定的接触状态下执行显影。此外,在显影辊14接触感光鼓1的显影压合 部分N中,显影辊14以相对于感光鼓1的117%的圆周速度比率在与感光鼓1的旋转方向 (r方向)相等的方向(R方向)旋转。换句话说,感光鼓1被设置为能够旋转以使得在显影 压合部分N中它的表面移动方向与显影辊14相同,而显影辊14以高于感光鼓1的旋转速 度旋转。设置此圆周速度差以便向调色剂施加剪切力,从而降低它的实质附着力以使得改 善通过电场的可控性。
[0045] 现在将描述构成第一实施例的具体电压。通过向充电棍2施加-1050V,感光鼓1 的表面被均匀地充电到-500V,并且结果形成暗电势VcL由激光光学装置3将形成图像的 图像部分的电势(明电势VI)调整到-100V。此时通过向显影辊14施加-300V的电压,负 极性调色剂被转移到图像部分(光电势Vl的区域),由此执行反转显影。此外,IVd-Vdc 将被称为Vback,并且Vback被设置为200V。顺便提及,根据此实施例的图像形成装置具有 充当用于向显影辊14施加电压的施加部件的电源。
[0046] 在第一实施例中,单组分、非磁性的调色剂被用作充当显影剂的调色剂12。调整调 色剂12以便包含粘合剂树脂和电荷控制剂,并且通过对其添加流化剂等作为外部添加剂 来制造以便具有负极性。此外,利用聚合方法制造调色剂12,并且将其调节到大约5 μ m的 平均粒子大小。
[0047] 此外,充电到显影组件4的显影剂容器13中的调色剂的量被设置在能够打印3000 个片材的具有5%的图像比率的转换的图像的量。通过重复地打印一个点线并且留下十九 个点线不打印而形成的图像可以被引用为具有5%的图像比率的水平线的特定示例。
[0048] 在图像形成处理期间,由图像形成装置驱动感光鼓1以在附图中箭头r的方向以 120_/秒的旋转速度旋转。此外,根据此实施例的图像形成装置包括低速模式,在低速模式 中处理速度被设置在低于正常速度的60mm/秒,以便保证在传递厚的记录片材(厚的片材) 期间执行定影所需的热量。注意在此实施例中,仅仅在两个处理模式中执行操作,但是根据 记录片材的厚度等,可以提供多个处理模式以使得可以执行对应于各个处理模式的控制。
[0049] (第二实施例)
[0050] 接下来,参考图3,将描述第二实施例。图3是显示根据第二实施例的盒的配置的 示意性截面图。根据第二实施例的图像形成装置是使用转印类型的电子照相处理并且包括 调色剂再循环处理(无清洁器系统)的激光打印机。已经省略与上面描述的第一实施例的 图像形成装置相同的重复描述,并且下面将仅仅描述差别。与第一实施例的主要差别是省 略清洁感光鼓1的清洁刀片9,并且循环未转印的调色剂。未转印的调色剂被循环以便不会 不利地影响诸如充电之类的其它处理,并且被在显影组件4中收集。更具体地,第一实施例 的配置被如下修改。
[0051 ] 关于充电,使用与第一实施例的充电辊2类似的充电辊,但是以防止充电辊2被调 色剂污染的目的来提供充电辊接触构件20。100 μ m聚酰亚胺膜被用作充电辊接触构件20, 并且聚酰亚胺膜以不多于l〇(N/m)的线压接触充电辊2。使用聚酰亚胺,因为它具备用于向 调色剂施加负电荷的摩擦起电充电特性。甚至当充电辊2被具有与它的充电极性相反的极 性(正极性)的调色剂污染时,充电辊接触构件20也将调色剂的电荷从正切换到负以使得 充电辊2可以快速排出调色剂并且排出的调色剂可以被收集在显影组件4中。
[0052] 此外,为了改善显影组件4的调色剂收集性能,暗电势Vd的绝对值和Vback的值 被设置为大的。更具体地,通过将施加于充电辊2的电压设置在-1350V,来将感光鼓1的表 面设置在-800V的均匀表面电势VcL此外,通过将显影偏压设置在-300V来将Vback设置 在 500V。
[0053] 〈第一不例〉
[0054] 接下来,利用图4,将描述根据第一示例的显影辊14。图4是显示根据第一示例的 显影辊的透视图。在图4所示的此示例中使用的显影辊被如下制造。
[0055] 包含导电剂的导电橡胶层14bl设置在具有Φ6πιπι的外径并且充当导电支持构件 的芯金属电极14a的周边上,由此获得Φ 11. 5mm的外径。这里,任何典型类型的橡胶,诸如 硅橡胶、聚氨酯橡胶、乙烯丙烯共聚物(EPDM)、醇类橡胶、或它的混合物,可以被用作橡胶层 的材料。
[0056] 在第一示例中,橡胶层14b 1由2. 5mm的硅橡胶和10 μ m的聚氨酯层形成。可以通 过将碳粒子、金属粒子、离子导电粒子等作为导电剂分散在橡胶层Hbl中来获得期望的电 阻值,并且在第一示例中,使用碳粒子。此外,通过调整硅橡胶的量和充当填充剂的硅石的 量以便调整显影辊14的总硬度来制造橡胶层Hbl以具有期望的硬度。
[0057] 此外,通过在制造的橡胶层14bl上执行真空沉积,将大约300nm的氧化铝膜14b2 形成为表面层。更具体地,通过在真空中通过电子束加热蒸发A1203颗粒以使得蒸发的 A1203颗粒被层压到橡胶层14bl的表面上,来形成氧化铝膜14b2。
[0058] 这里,在表面层的材料分析期间,铝和氧的存在通过X射线光电子光谱(XPS)确 认,因此利用固态核磁共振(固态NMR)计算在铝原子周围配位四个、五个、和六个氧原子的 状态的相应比例。
[0059] 图8示出NMR测量结果的示例。各个化学位移指示图8所示的归属于每个配位数 的在铝周围存在的配位原子数。在第一示例中,配位元素是氧。
[0060] 接下来,通过划分每个峰以计算由每个峰占据的表面面积,来确定对应于各个配 位数的配位状态的比例。在第一示例中,四配位占据15%,五配位占据30%,并且六配位占 据55%。换句话说,确认六配位以高于四配位的比例存在。
[0061] 当四配位、五配位、和六配位的各个存在比例被设置为σ 4、〇 5、〇 6并且当J = σ 6八〇 4+σ 6) X 100时,这意味着如果J大于50%,则六配位的比例高于四配位的比例,并 且如果J小于50%,则六配位的比例低于四配位的比例。在第一示例中,J = 78%。
[0062] 此外,利用扫描电子显微镜(SEM)观察显影辊14的横截面,并且由10点平均来计 算充当表面层的氧化铝膜14b2的平均膜厚度。在第一示例中,氧化铝膜14b2的平均膜厚 度是 0. 30 μ m。
[0063] 此外,在本发明中,显影辊14的总电阻(体积电阻)优选地大于2Χ104Ω并且小 于5 X IO6 Ω。在2 X IO4 Ω或以下,流过充当弹性层的橡胶层Hbl的电流增加,导致需要的 电流量的增加。此外,在5Χ106Ω或以上,在显影期间流过的电流可能被阻隔。在根据第 一示例的显影辊14中,总电阻被设置在5Χ IO5 Ω。
[0064] 〈〈测量显影辊的体积电阻的方法》
[0065] 接下来,利用图5,将描述测量显影辊14的总体积电阻的方法。图5是示出了显影 辊14的总体积电阻的测量的视图。如图5所示,充当测量主体的辊14具有多层结构,所述 多层结构包括由不锈钢等制成的导电芯金属14a、在它的外周边上作为弹性层形成的橡胶 层14bl、和充当表面层的氧化铝膜14b2。此外,显影辊14在纵向的宽度大约为230_。
[0066] 在此总电阻测量方法中,使用由Φ 30mm的不锈钢制成并且以大约48mm/秒的速度 旋转的圆柱形构件G1。在电阻测量期间,显影辊14根据圆柱形构件Gl的旋转而旋转。将 侵入级别限制到圆柱形构件Gl中(保持辊14和圆柱形构件Gl之间的接触区恒定)的端 部辊(未示出)被装配到显影辊14的端部。在具有小于显影辊14的外径的80 μ m外径的 圆柱形形状中形成端部棍。图5中的F表示施加在显影棍14的各个端部(导电芯金属14a 的各个端部)上的负载,并且在测量期间,显影辊14被Ikg力的总负载,即在每个侧上500g 的力,向圆柱形构件Gl侧按压。
[0067] 此外,在测量方法中使用图5所示的测量电路G3。测量电路G3由电源Ein、电阻器 Ro、和电压计Eout构成。在此测量方法中,在Ein:300V(DC)处执行测量。此外,具有100Ω 到lOMQ的电阻值的电阻器可以被用作电阻器R〇。注意电阻器R0用于测量弱电流,并且因 此优选地具有充当测量主体的显影辊14的电阻的KT 2倍与KT4倍之间的电阻值。换句话 说,当显影辊14的电阻值为大约IX IO6 Ω时,电阻器R0的电阻值优选地大约IkQ。当使 用测量电路G3时,显影辊14的电阻值Rb由Rb = RoX (Ein/Eout - 1) Ω计算。注意将在 施加电压之后十秒获得的值测量为Eout。
[0068] 〈〈表面层的体积电阻率的测量》
[0069] 接下来,利用图6,将描述显影辊的每个层的体积电阻率。图6是示出了显影辊的 每个层的体积电阻
当前第2页1 2 3 4 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1