液晶显示设备及其制造方法
【专利说明】液晶显示设备及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2013年12月31日提交的韩国专利申请N0.10-2013-0169083的优先权，通过引用将其结合于此用于一切目的，如同全面在此阐述一样。
技术领域
[0003]本公开涉及先进的水平面内切换(AH-1PS)型液晶显示设备(IXD)及其制造方法。
【背景技术】
[0004]IXD使用液晶面板和背光单元来显示图像。现有地，使用扭曲向列(TN)型IXD。另选地，广泛使用了垂直取向(VA)型和面内转换(IPS)型IXD。
[0005]最近，开发了 AH-1PS型IXD。AH-1PS型IXD提供比IPS型IXD好的视角和对比度。
[0006]图1是例示根据相关技术的AH-1PS型IXD的截面图。
[0007]参照图1，IXD包括阵列基板，阵列基板包括显示区OA和非显示区NA。
[0008]在阵列基板中，在基板10上形成有薄膜晶体管Tr、连接到薄膜晶体管Tr的像素电极52、以及公共电极51。在非显示区NA中，形成选通线(未示出)、数据线20、在选通线的端部的选通焊盘25和在数据线20的端部的数据焊盘26。
[0009]薄膜晶体管Tr包括栅极11、在栅极11上的栅绝缘层12、在栅绝缘层12上的有源层23、以及在有源层23上的源极22和漏极21。薄膜晶体管Tr具有逆交错结构(invertedstaggered structure) ο另选地，薄膜晶体管Tr可以具有共面结构。
[0010]在薄膜晶体管Tr上形成有第一钝化层41和第二钝化层42。第二钝化层42用作平整层。当不需要平整时，第二钝化层42可以省略。
[0011]在第二钝化层42上形成有公共电极51。在公共电极51上形成第三钝化层43并且覆盖公共电极51。在第三钝化层43上形成有像素电极52。
[0012]在这个构造中，在公共电极51和像素电极52之间形成了边缘场，因而液晶分子的排列通过边缘场改变。
[0013]在相关技术IXD中，通过6或者7个那么多的掩模处理制造用于IXD的阵列基板。例如，用一个掩模处理来制造用于LCD的阵列基板以形成栅极11，用一个或者两个掩模处理来形成有源层23和源极22及漏极21，用一个掩模处理来对第一钝化层41和第二钝化层42构图，用一个掩模处理来形成公共电极51，用一个掩模处理来对第三钝化层43构图，以及用一个处理来形成像素电极。
[0014]因此，现有的AH-1PS型IXD的制造处理效率低并且制造成本增大。
【发明内容】
[0015]因此，本发明旨在提供一种基本避免了由于现有技术的限制和缺点造成的一个或者更多个问题的液晶显示设备(LCD)。
[0016]本发明的优点是提供能够减少制造处理并降低成本的LCD。
[0017]本发明的其它特征及优点将在以下的说明书中进行阐述，并且一部分根据本说明书将是清楚的，或者可以从本发明的实践获知。本发明的这些和其它优点可以通过在书面说明书及其权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。
[0018]为了实现这些和其它优点，并且根据本发明的目的，如这里实施和广泛描述的，一种液晶显示设备包括:栅极；栅绝缘层，其位于所述栅极上；有源层，其对应于所述栅极位于所述栅绝缘层上；源极和漏极，其位于所述有源层上；第一钝化层，其位于所述源极和所述漏极上；公共电极，其位于所述第一钝化层上；第二钝化层，其位于所述公共电极上，覆盖所述公共电极，并且具有以所述公共电极的厚度与所述第一钝化层分开的区域；像素电极，其位于所述第二钝化层上，并且通过漏接触孔连接到所述漏极；以及公共线，其位于与所述像素电极相同的层，并且连接到所述公共电极。
[0019]在另一个方面，一种液晶显示设备包括:栅极；栅绝缘层，其位于所述栅极上；有源层，其对应于所述栅极位于所述栅绝缘层上；源极和漏极，其位于所述有源层上；第一钝化层，其位于所述源极和所述漏极上；第二钝化层，其位于所述第一钝化层上；公共电极，其位于所述第二钝化层上，并且露出所述第二钝化层的一部分；第三钝化层，其位于所述公共电极上，并且具有与所述第二钝化层分开的区域，其中所述公共电极不位于所述分开的区域；像素电极，其位于所述第三钝化层上，并且通过漏接触孔连接到所述漏极；以及公共线，其位于与所述像素电极相同的层，并且连接到所述公共电极。
[0020]在另一个方面，一种制造液晶显示设备的方法包括以下步骤:在基板上形成选通线、栅极和选通焊盘；在所述选通线、所述栅极和所述选通焊盘上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成数据线、源极、漏极和数据焊盘；在所述数据线、所述源极、所述漏极和所述数据焊盘上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成公共层；在所述公共层上形成第二钝化层；对所述第二钝化层进行第一干法蚀刻；对通过经第一干法蚀刻的所述第二钝化层所露出的所述公共层进行第一湿法蚀刻以形成公共图案；对所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层进行第二干法蚀刻；对通过经第二干法蚀刻的所述第二钝化层所露出的所述公共图案进行第二湿法蚀刻以形成公共电极；以及在所述第二钝化层上形成像素电极和公共线。
[0021]应当理解的是，前面的一般描述和后面的具体描述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
【附图说明】
[0022]附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，结合到本申请中且构成本申请的一部分，这些附图例示了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
[0023]图1是例示根据相关技术的AH-1PS型IXD的截面图；
[0024]图2是例示根据本发明的实施方式的AH-1PS型IXD的截面图；以及
[0025]图3A到图3K是例示根据本发明的实施方式的制造LCD的方法的截面图。
【具体实施方式】
[0026]下面将详细描述示例性实施方式，在附图中例示出了其示例。在整个附图中可以用相同的附图标记代表相同或类似构件。
[0027]图2是例示根据本发明的实施方式的AH-1PS型IXD的截面图。
[0028]参照图2，IXD包括阵列基板，阵列基板包括用于显示图像的显示区OA和非显示区NA。显示区OA对应于像素区。
[0029]在阵列基板中，栅极111形成在基板110上的像素区中，栅绝缘层112形成在栅极111上，并且有源层123形成在栅绝缘层112上。源极122和漏极121形成在有源层123上并且彼此隔开。第一钝化层141和第二钝化层142形成在源极122和漏极121上。公共电极151形成在第二钝化层142上，并且第三钝化层143形成在公共电极151上。在第三钝化层143上形成有像素电极152。
[0030]栅极111、有源层123、以及源极122和漏极121形成薄膜晶体管Tr。当选通信号施加于栅极111时，薄膜晶体管Tr导通，并且提供到源极122的数据电压通过薄膜晶体管Tr施加于像素电极152。
[0031]栅极111可以从选通线(未示出)延伸，并且从连接到液晶面板的选通驱动器向栅极111提供选通信号。
[0032]栅极111可以优选地由不透明材料制成，因而可以遮挡有源层123的沟道免受背光。
[0033]源极122可以从数据线120延伸，并且从连接到液晶面板的数据驱动器向源极122提供数据电压。漏极121连接到像素电极152。
[0034]源极122和漏极121可以使用金属材料(例如铜(Cu))由单层结构形成。
[0035]另选地，源极122和漏极121可以具有多层结构，所述多层结构包括铜层和在铜层下方的其它金属层。为此，铜层对有源层123具有差的粘接性能，因而对有源层123具有较好的粘接性能的其它金属层被形成在铜层下方。
[0036]有源层123可以由非晶硅制成。另选地，针对有源层123，可以使用多晶硅或者氧化物半导体。
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