阵列基板、显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]将触控面板和显示面板一体化的触控显示装置，由于减少了基板的使用、具有更轻更薄的优点，因此，已经成为目前应该最广泛的触控显示装置。一般的，触控显示装置包括on-cell结构和in-cell结构，其中，in-cell结构是将触控面板功能嵌入到像素中，on-cell结构是将触控面板功能嵌入到彩色滤光片和偏光板之间。
[0003]对于in-cell结构的触控显示装置而言，需将显示面板的公共电极划分为一个个的触控电极，触控电极通过触控引线与驱动电路连接，以通过触控引线向触控电极输入触控信号和公共电压信号。但是，由于触控引线与触控电极连接的过孔设置在栅极线的上方，因此，触控引线容易与栅极线耦合，造成信号的干扰，影响显示面板的显示效果。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有技术中由于触控引线与栅极线耦合干扰，影响显示面板显示效果的问题。
[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]一种阵列基板，包括:
[0007]衬底；
[0008]设置于所述衬底同一侧的多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括像素电极，所述像素电极为具有至少一个拐角的条状电极；
[0009]在垂直于所述衬底方向上与所述像素电极相对设置的公共电极层，所述公共电极层包括多个触控电极；
[0010]在垂直于所述衬底方向上与所述公共电极层相对设置的引线层，所述引线层包括多条触控引线，所述触控引线与所述触控电极电连；其中，所述触控引线与对应的所述触控电极通过至少一个过孔电连接；所述过孔位于所述像素电极的拐角处。
[0011]一种显示面板，包括:
[0012]如上所述的阵列基板；
[0013]与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；
[0014]位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
[0015]一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
[0016]与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点:
[0017]本发明所提供的阵列基板、显示面板和显示装置，栅极线和数据线绝缘交叉限定出的多个像素单元中，该像素单元中的像素电极为具有至少一个拐角的条状电极，触控引线与对应的触控电极通过至少一个过孔电连接，且该过孔位于所述像素电极的拐角处，从而避免了触控引线的过孔与栅极线的交叠，减小了由于触控引线与栅极线的耦合而影响显示面板显示效果的问题。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0019]图1为本发明的一个实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0020]图2为图1所示的阵列基板的一种实施方式的局部放大图；
[0021]图3为图1所示的阵列基板的另一种实施方式的局部放大图；
[0022]图4为图2所示的阵列基板的一种切面结构示意图；
[0023]图5为图2所不的阵列基板的另一种切面结构不意图；
[0024]图6为图2所示的阵列基板的又一种切面结构示意图；
[0025]图7为本发明的另一个实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0027]本发明的一个实施例提供了一种阵列基板，参考图1和图2，图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图2为图1所示阵列基板的一种实施方式的局部放大图。
[0028]该阵列基板包括衬底10、设置于衬底10同一侧的多条栅极线11和多条数据线12，该栅极线11和数据线12绝缘交叉限定出多个像素单元13，该像素单元13包括薄膜晶体管130和具有至少一个拐角的像素电极131，其中，至少三个像素单元13构成显示单元，例如，红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元构成一个显示单元。
[0029]参考图2，该阵列基板还包括公共电极层和引线层。在垂直于衬底10的方向上，公共电极层与像素电极131相对设置，且该公共电极层包括多个触控电极140，每一触控电极140都与多个像素单元13对应设置；在垂直于衬底10的方向上，引线层与公共电极层相对设置，且引线层包括多条触控引线141，该触控引线141的一端与对应的触控电极140连接，另一端与驱动电路电连接，以通过触控引线141向触控电极140中输入触控信号和公共信号。其中，触控引线141与对应的触控电极140通过至少一个过孔142电连接；该过孔142位于像素电极131的拐角处。
[0030]本实施例中，可选的，像素单元为多畴结构，像素电极为具有至少一个拐角的折线状电极。其中，所述多畴结构可以为双畴结构、三畴结构、四畴结构或五畴结构，当然，本发明并不仅限于此。其中，双畴结构的像素单元中的像素电极为具有一个拐角的折线状电极，三畴结构的像素单元中的像素电极为具有两个拐角的折线状电极，四畴结构或五畴结构以此类推，在此不再赘述。
[0031]以双畴结构的像素单元为例，如图2所示，像素电极131为具有一个拐角的折线状电极，该折线状电极由两个直线形子电极构成，这两个直线形子电极之间具有一预设角度的拐角。其中，触控引线141的延伸方向与数据线12的延伸方向相同，且在垂直于衬底10的方向上，触控引线141与数据线12至少部分交叠，基于此，触控引线141上的过孔142位于两个直线形子电极之间的拐角处。其中，触控引线141与数据线12至少部分交叠包括部分交叠和全部交叠，触控引线141与数据线12部分交叠是指触控引线141为直线、数据线12为具有拐角的折线，触控引线141与数据线12全部交叠是指触控引线141和数据线12均为具有拐角的折线且拐角的位置相同，或者触控引线141和数据线12均为直线。
[0032]在多畴像素结构中，由于拐角处的电场并非理想的平行电场，因此，使得液晶分子的方向也不在理想的方向上，进而导致液晶分子对光线的折射发生偏差，使得拐角区域透过率较低，即拐角区域出现黑畴，影响光线的透过率。本发明中，将过孔142设置在像素电极131的拐角处，既不会影响拐角处的透过率，又可以减小现有技术中过孔位置处的黑矩阵的面积，提升开口率，还能减少触控引线141与数据线12的交叠，减小由于触控引线141与栅极线12的耦合而影响显示面板显示效果的问题。
[0033]进一步地，过孔142位于像素电极131之间的缝隙处，即在垂直于衬底10的方向上，过孔142与像素电极131不交叠，从而不影响像素单元的开口率。为了进一步提高像素单元的开口率，过孔142在垂直于衬底10的方向上可以与数据线12至少部分交叠，最优的，在垂直于衬底10的方向上，过孔142在数据线12的投影完全位于数据线12上。当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，在垂直于衬底10的方向上，过孔142也可以不与数据线12交叠，即过孔142可以位于像素电极131拐角处的数据线12的左右两侧。
[0034]本实施例中，触控引线141可以通过一个过孔142与对应的触控电极140电连接，也可以通过多个过孔142与对应的触控电极140电连接，如图3所示，在垂直于衬底10的方向上，触控电极140与多个像素单元13对应，即在垂直于衬底10的方向上，触控引线141与多个像素单元13交叠，多个过孔142可以位于与同一触控引线141交叠的不同像素单元13中，且每一像素单元13对应的过孔142均位于对应像素单元