液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种液晶显示装置的制造方法。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具备轻薄、节能、无福射等诸多优点，因此已经逐渐取代传统的阴极射线管(CRT)显示器。目前液晶显示器被广泛地应用于高清晰数字电视、台式计算机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、移动电话、数码相机等电子设备中。
[0003]常见的液晶显示器可分为窄视角的扭曲向列型(Twisted Nematic，TN)LCD、超扭曲向列型(Super Twisted Nematic，STN)LCD、双层超扭曲向列型(Double IayerSuperTwisted Nematic，DSTN)LCD 以及宽视角的边缘场开关技术(Fringe Field Switching，FFS)LCD、平面转换(In — Plane Switching, IPS) LCD 与垂直配向技术(VerticalAlignment, VA)IXD。其中，IPS由于其可视角度大、色彩真实、画面出色等各种优势而被广泛地应用于显示设备中。
[0004]图1为现有技术中的LCD在制作过程中的部分剖面结构示意图，如图1所示，LCD的阵列基板(Array)包括玻璃基板10、设置在玻璃基板10上的由第一道光罩制程形成的栅极金属层111、设置在第一栅极金属层111上的栅极绝缘层112、设置在栅极绝缘层112上由第二道光罩制程形成的硅岛图案层113、设置在栅极绝缘层112上的由第三道光罩制程形成的像素电极114、设置在像素电极114上由第四道光罩制程形成的源一漏极金属层以及设置在源一漏极金属层上的由第五道制程形成的接触孔层116、设置在接触孔层116上的氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)薄膜层12以及涂布在ITO薄膜层12上的光阻层13，其中，源一漏极金属层包括源极115a与漏极115b。通常，阵列基板在进行曝光显影时，阵列基板被放置在曝光机台(图中未示出)上，具有目标图案的光罩放置在阵列基板的上方，然后光线从光罩上方照射到阵列基板的光阻层13，进而再通过显影以在ITO薄膜层12上形成目标图案。然而阵列基板在曝光显影的过程中，光线通过光阻层13照射到ITO薄膜层12时，光线可经由透明的ITO薄膜层12照射到曝光机台上，而现有技术中的曝光机台由铝制材料制成，光线照射到曝光机台表面时，会在曝光机台的表面发生反光，反射的光线经由玻璃基板10的ITO薄膜层12作用在光阻层13，使得光阻层13在曝光显影过程中发生异常，进而导致ITO薄膜层12形成的目标图案异常，进而导致LCD的阵列基板产生斑点(mura)。
[0005]目前，现有技术采用以下三种方法消除LCD的阵列基板在曝光、显影过程中由反光导致的mura，其分别如下:方法一是将铝制材料的曝光机台更换为黑陶瓷材质制作的曝光机台，以抑制其反光，从而消除mura ;方法二是增加光阻层13的厚度，将原来1.2微米的光阻层13厚度增加到1.5微米的厚度；方法三是在防静电液中添加黑色不反光物质，将其涂布到曝光机台表面，以消除曝光机台的反光性。然而，对于方法一来说，更换黑陶瓷的曝光机台成本很高，平均每台造价在约需310万人民币，而方法二的改善效果不是很明显，且成本也过高，方法三种的不反光静电液对人体有害，且容易腐蚀曝光机台。
[0006]因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
【发明内容】
[0007]鉴于以上问题，本发明提供一种液晶显示装置的制造方法，其可以消除曝光过程中由反光导致的mura现象，工艺简单且成本低。
[0008]本发明提供一种液晶显示装置的制造方法，其包括步骤:在玻璃基板上形成晶体管元件与像素电极；依次在所述晶体管元件上形成导电层、金属层以及光阻层；对所述光阻层进行曝光、显影；对所述金属层进行第一次蚀刻；对所述导电层进行蚀刻；对所述光阻层进行剥膜处理；对所述金属层进行第二次蚀刻，去除所述金属层。
[0009]进一步地，所述制造方法还包括:在所述导电层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层。
[0010]进一步地，所述第一金属层的材料为铝。
[0011]进一步地，所述第一金属层的厚度为250纳米。
[0012]进一步地，所述第二金属层的材料为钼。
[0013]进一步地，所述第二金属层的厚度为50纳米。
[0014]进一步地，所述导电层的材质为透明薄膜。
[0015]进一步地，所述在玻璃基板上形成晶体管元件与像素电极的步骤包括:在所述玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜、曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案；采用化学气相沉淀法连续成膜，经掩膜、曝光及干蚀刻法形成硅岛图案；采用溅射成膜法形成透明电极，经掩膜、曝光及干蚀刻法形成像素电极图案；采用溅射成膜法成膜，经掩膜、曝光、蚀刻形成源极、漏极以及信号线图案；采用溅射法成膜，经掩膜、曝光、干蚀刻法形成接触孔图案。
[0016]本发明的液晶显示装置的制造方法通过在导电层上增加金属层，使得在曝光过程中，光线不会通过透明的导电层照射到曝光机台，进而避免了由于曝光机台反光导致的光阻层在曝光显影过程中发生的异常，进而避免了阵列基板产生mura现象，工艺简单且成本低。
【附图说明】
[0017]图1为现有技术中的LCD在制作过程中的部分剖面结构示意图。
[0018]图2为本发明一实施例所提供的液晶显示装置的制造方法的步骤流程图。
[0019]图3a为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第一道光罩制程所形成元件的平面结构示意图。
[0020]图3b为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第二道光罩制程所形成元件的平面结构示意图。
[0021]图3c为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第三道光罩制程所形成元件的平面结构示意图。
[0022]图3d为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第四道光罩制程所形成元件的平面结构示意图。
[0023]图3e为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第五道光罩制程所形成元件的平面结构示意图。
[0024]图4a至4k为图2所示的液晶显示装置的制造方法在制作过程中的液晶显示装置的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的液晶显示装置的制造方法其【具体实施方式】、方法、步骤、结构、特征及功效，详细说明如后。
[0026]有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。通过【具体实施方式】的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
[0027]请同时参考图2、图3a至图3e与图4a至4k，图2为本发明一实施例所提供的液晶显示装置的制造方法的步骤流程图，图3a为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第一道光罩制程所形成元件的平面结构示意图，图3b为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第二道光罩制程所形成元件的平面结构示意图，图3c为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第三道光罩制程所形成元件的平面结构示意图，图3d为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第四道光罩制程所形成元件的平面结构示意图，图3e为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第五道光罩制程所形成元件的平面结构示意图，图4a至4k为图2所示的液晶显示装置的制造方法在制作过程中的液晶显示装置的剖面结构示意图。如图2所示，本发明提供的液晶显示装置的制造方法包括步骤:
[0028]Sll:在玻璃基板上形成晶体管元件与像素电极。
[0029]在本步骤中，首先通过首先提供一玻璃基板10，然后在玻璃基板10上通过五道光罩制程形成晶体管元件(图2中未示出，请参考图3a至3e与图4a至4e)与像素电极(图2中未示出，请参考图3与图4)。
[0030]进一步地，步骤Sll中在玻璃基板10上通过五道光罩制程形成晶体管元件与像素电极包括以下步骤:
[0031]第一道光罩制程:在玻璃基板10上先采用溅射方法形成栅极材料膜，然后经过掩膜在栅极材料膜上通过曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极金属层。
[0032]具体地，请同时参考图3a与图4a，图3a为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第一道光罩制程所形成栅极金属层111的平面结构示意图。其中，掩膜过程指的是将所需线路印制在胶片之类材料上，形成掩膜板。曝光过程指的是在玻璃基板10的栅极材料膜上涂布光阻液，将掩膜板放置在栅极材料膜上方进行光照，进而通过显影以及蚀刻将所需线路转移到栅极材料膜上，所形成的栅极金属层111如图3a所示。需要说明的是，在本步骤中，栅极材料膜为金属材料构成，例如铝、钼、钛、钽、镉或其他金属导电材料。
[0033]第二道光罩制程:采用化学气相沉淀法连续成膜，经过掩膜、曝光及干蚀刻法形成硅岛图案层。
[0034]在本步骤中，请同时参考图3b与图4b，图3b为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第二道光罩制程所形成硅岛图案层的平面结构示意图。其中，首先通过化学气相沉淀法(Chemical Vapor Deposit1n)在第一道光罩制程所形成的栅极金属层111上形成一层栅极绝缘层112，然后再通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposit1n, PECVD)在栅极绝缘层112上连续成膜，以形成非掺杂a — si膜113，进而经过掩膜、曝光及干蚀刻法形成如图3b所示的硅岛图案层113。需要说明的是，该绝缘层112的材料可以是无机材料(例如为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝等)或有机材料(例如为光致抗蚀剂、苯丙环丁烯、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类等)。
[0035]第三道光罩制程:采用溅射成膜法形成透明电极，经过掩膜、曝光及干蚀刻法形成像素电极图案。
[0036]在本步骤中，请同时参考图3c与图4c，图3c为图2所示的液晶显示装置的制造方法中第三道光罩制程所形成像素电极114的平面结构示意图。