一种基板静电测试装置的制造方法

文档序号:8942112阅读:166来源:国知局
一种基板静电测试装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种基板静电测试装置,属于显示装置制造技术领域。
【背景技术】
[0002]液晶显示装置因具有功耗低、无辐射等优点,现已占据了平面显示领域的主导地位。现有的液晶显示装置中液晶面板通常包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,其中,阵列基板上设有多个薄膜晶体管以及多个像素电极,像素电极与薄膜晶体管的漏极连接,在彩膜基板上设有与像素电极对应的公共电极。当通过薄膜晶体管为像素电极充电时,像素电极和公共电极之间形成电场,从而可控制像素电极对应的液晶区域内的液晶分子偏转,进而实现液晶显示功能。
[0003]在液晶显示装置的开发技术反馈、产品评价分析等过程中或在将液晶显示装置销售给用户之前,经常需要对装配完毕的阵列基板经过抗静电测试,随着技术的进步和对产品抗静电能力的要求越来越严格,对ESD (Electro-Static discharge,静电释放)检测设备的要求也在不断加高。静电放射角度、放射枪头与产品距离、放电电压精准及稳定性均是需要考虑因素。且由于ESD相关不良解析的要求,对静电传输路径的追踪需求越发明显。
[0004]现有打ESD设备多为手持式,静电释放角度与距离人为影响较大,难以准确控制静电放射角度、放射枪头与产品距离、放电电压等,对静电测试稳定性及准确度较差,实验重复性较差。且无法对静电流转路径进行跟踪显示,不能满足对ESD不良的解析要求。

【发明内容】

[0005]本发明要解决的技术问题是:如何方便精准重复检测基板的抗静电性能。
[0006]为实现上述发明目的本发明提供一种基板静电测试装置,包括基板载台、设置在基板载台上方的静电发生装置和控制装置;
[0007]所述基板载台上设置有静电感应装置;
[0008]所述静电发生装置和所述静电感应装置与所述控制装置通信连接;
[0009]所述控制装置控制所述静电发生装置放射静电,所述静电感应装置感应从基板流转的静电信息并传输至所述控制装置,所述控制装置根据所述静电信息处理并生成静电检测结果。
[0010]可选地,还包括静电发生装置支架,所述静电感应装置设置在所述静电发生装置支架上;
[0011 ] 所述静电发生装置还包括静电放射调节装置,所述静电放射调节装置调节所述静电发生装置的静电放射参数。
[0012]可选地,所述静电放射调节装置与所述控制装置通信连接;
[0013]所述静电放射调节装置根据所述控制装置的控制命令调节所述静电放射参数。
[0014]可选地,所述静电放射参数包括:
[0015]静电放射角度、静电放射距离、静电放电次数、静电放电电压、静电放射位置中的任意一种或多种。
[0016]可选地,所述静电感应装置是分布在所述基板载台表面的多个静电探测器。
[0017]可选地,所述多个静电探测器是均匀分布在所述基板载台表面的。
[0018]可选地,还包括基板固定装置;
[0019]所述基板固定装置设置在所述基板载台表面。
[0020]可选地,所述基板固定装置包括设置在基板载台表面的真空吸附吸盘和与所述真空吸附吸盘连接的真空吸附管路。
[0021]可选地,所述静电检测结果是静电传输路径图像。
[0022]本发明提供的基板静电测试装置,可通过静电放射调节装置精确调节静电发生装置释放静电的角度与距离、电压大小与放电次数、设置放电位置等静电释放电参数,满足测量稳定、准确、重复性等要求。通过检测区域均匀分布静电探测器,可检测静电流转路径,在控制装置上生成静电传输路径图像,便于跟踪分析。本发明可检测跟踪静电传输路径,帮助分析静电损伤原因,辅助不良解析,对产品静电薄弱处改善。
【附图说明】
[0023]图1是本发明基板静电测试装置结构示意图;
[0024]图2是本发明基板载台结构不意图;
[0025]图3是是本发明基板固定装置结构示意图;
[0026]图4是图3中基板固定装置的真空盘俯视不意图。
【具体实施方式】
[0027]下面结合附图和实施例,对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
[0028]如图1所示,本发明提供一种基板静电测试装置,包括用于放置基板5的基板载台1、设置在基板载台I上方的静电发生装置2和控制装置3 ;基板载台I上设置有静电感应装置4 ;静电发生装置2和静电感应装置4与控制装置3通信连接;控制装置3控制静电发生装置I放射静电,静电感应装置4感应从基板5流转的静电信息并传输至控制装置3,控制装置3根据静电信息处理并生成静电检测结果。下面对本发明提供的基板静电测试装置展开详细的说明。
[0029]如图1所示,本发明提供的基板静电测试装置还包括静电发生装置支架6,静电发生装置2优选设置在静电发生装置支架6上;静电发生装置2还包括静电放射调节装置7,静电放射调节装置7调节静电发生装置2的静电放射参数。静电放射调节装置7优选设置在静电发生装置支架6上。如图1所示,静电放射调节装置7与控制装置3通信连接;静电放射调节装置7根据控制装置3的控制命令调节静电放射参数。静电放射参数包括:静电放射角度、静电放射距离、静电放电次数、静电放电电压、静电放射位置中的任意一种或多种。
[0030]如图1、图2所示,静电感应装置4是分布在基板载台I表面的多个静电探测器。多个静电探测器是均匀分布在基板载台I表面的。每个静电探测器接收静电发生装置2发出的各种静电流转过基板5的静电信息。每个静电探测器将接收到的静电信息传输至控制装置3。控制装置3根据每个静电探测器将接收到的静电信息分析得出静电检测结果,静电检测结果优选是静电传输路径图像,图像中包括静电流转路径。通过静电传输路径图像便于跟踪分析静电损伤原因,改善产品性能。
[0031]如图3所示,本发明提供的基板静电测试装置,还包括基板固定装置;基板固定装置设置在基板载台I的表面,用于在测试基板的抗静电性能时固定基板5。如图4,优选地基板固定装置包括设置在基板载台I表面的真空吸附吸盘8和与真空吸附吸盘连接的真空吸附管路9。如图3所示,在测试基板5的抗静电性能时,真空吸附管路9向真空吸附吸盘8抽真空,使基板5稳定固定在基板载台I上。
[0032]综上所述,本发明提供的基板静电测试装置,可通过静电放射调节装置精确调节静电发生装置释放静电的角度与距离、电压大小与放电次数、设置放电位置等静电释放电参数,满足测量稳定、准确、重复性等要求。通过检测区域均匀分布静电探测器,可检测静电流转路径,在控制装置上生成静电传输路径图像,便于跟踪分析。本发明可检测跟踪静电传输路径,帮助分析静电损伤原因,辅助不良解析,对产品静电薄弱处改善。
[0033]以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种基板静电测试装置,其特征在于:包括基板载台、设置在基板载台上方的静电发生装置和控制装置; 所述基板载台上设置有静电感应装置; 所述静电发生装置和所述静电感应装置与所述控制装置通信连接; 所述控制装置控制所述静电发生装置放射静电,所述静电感应装置感应从基板流转的静电信息并传输至所述控制装置,所述控制装置根据所述静电信息处理并生成静电检测结果O2.如权利要求1所述的基板静电测试装置,其特征在于,还包括静电发生装置支架,所述静电感应装置设置在所述静电发生装置支架上; 所述静电发生装置还包括静电放射调节装置,所述静电放射调节装置调节所述静电发生装置的静电放射参数。3.如权利要求2所述的基板静电测试装置,其特征在于,所述静电放射调节装置与所述控制装置通信连接; 所述静电放射调节装置根据所述控制装置的控制命令调节所述静电放射参数。4.如权利要求2所述的基板静电测试装置,其特征在于,所述静电放射参数包括: 静电放射角度、静电放射距离、静电放电次数、静电放电电压、静电放射位置中的任意一种或多种。5.如权利要求1所述的基板静电测试装置,其特征在于,所述静电感应装置是分布在所述基板载台表面的多个静电探测器。6.如权利要求5所述的基板静电测试装置,其特征在于,所述多个静电探测器是均匀分布在所述基板载台表面的。7.如权利要求1所述的基板静电测试装置,其特征在于,还包括基板固定装置; 所述基板固定装置设置在所述基板载台表面。8.如权利要求7所述的基板静电测试装置,其特征在于,所述基板固定装置包括设置在基板载台表面的真空吸附吸盘和与所述真空吸附吸盘连接的真空吸附管路。9.如权利要求1-8任意一项所述的基板静电测试装置,其特征在于,所述静电检测结果是静电传输路径图像。
【专利摘要】本发明公开了一种基板静电测试装置,包括基板载台、设置在基板载台上方的静电发生装置和控制装置;基板载台上设置有静电感应装置;静电发生装置和静电感应装置与控制装置通信连接;控制装置控制静电发生装置放射静电,静电感应装置感应从基板流转的静电信息并传输至控制装置,控制装置根据静电信息处理并生成静电检测结果。本发明可通过静电放射调节装置精确调节静电发生装置静电释放电参数,满足测量稳定、准确、重复性等要求。本发明通过检测区域均匀分布静电探测器,可检测静电流转路径,在控制装置上生成静电传输路径图像,便于跟踪分析。本发明可检测跟踪静电传输路径,帮助分析静电损伤原因,辅助不良解析,对产品静电薄弱处改善。
【IPC分类】G02F1/13, G01R31/00
【公开号】CN105158945
【申请号】CN201510684858
【发明人】于刚
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年10月20日
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