主动元件阵列基板的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种主动元件阵列基板，包括基板、多条扫描线、多条数据线、第一及第二像素结构、第一及第二彩色滤光图案。扫描线及数据线位于基板上，其中扫描线沿第一方向延伸。第一与第二像素结构位于基板上且沿第一方向相邻设置，其中第一及第二像素结构分别与扫描线的其中之一及数据线的其中之一电性连接。第一与第二彩色滤光图案位于基板上且分别对应第一及第二像素结构设置，其中第一彩色滤光图案包含第一孔洞，且第一孔洞是由部分第一彩色滤光图案以及第一覆盖部共同环绕而成，且第一覆盖部和第二彩色滤光图案邻接。
【专利说明】
主动元件阵列基板
技术领域
[0001]本发明涉及一种主动元件阵列基板，尤其涉及一种属于彩色滤光图案配置于主动元件阵列上(Color filter on Array，C0A)的主动元件阵列基板。
【背景技术】
[0002]随着液晶显示面板的发展，高解析度已经成为基本需求之一。特别是，为了获得高解析度，必须在相同面积下布局更多像素，因此像素尺寸越来越小。
[0003]近年来，业界提出了将彩色滤光图案整合于主动元件阵列上(Color Filter onArray，C0A)的技术。由于彩色滤光图案是直接形成在主动元件阵列上，故彩色滤光图案与像素结构之间的对位精度不受组立COA基板与对向基板的制程能力限制，借此COA技术适合用来制造高解析度的显示面板。
[0004]—般而言，在COA基板中，彩色滤光图案需要设置多个封闭式孔洞，以使得位于彩色滤光图案上方的像素电极能够通过所述开口与彩色滤光图案下方的薄膜电晶体电性连接。然而，上述开口之间需保持一定的规范距离，故在通过将像素的尺寸缩小以达成高解析度的情况下，不但像素结构的布局受到限制，也容易导致显示面板的开口率低落。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种主动元件阵列基板，其具有良好的空间利用率、开口率及可靠度。
[0006]本发明的主动元件阵列基板包括基板、多条扫描线、多条数据线第一像素结构、第二像素结构、第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案。扫描线以及数据线位于基板上，其中每一扫描线沿第一方向延伸，每一数据线沿第二方向延伸，且第一方向与第二方向相交错。第一像素结构与第二像素结构位于基板上且沿第一方向相邻设置，其中第一像素结构及第二像素结构分别与扫描线的其中之一以及数据线的其中之一电性连接，第一像素结构包括第一主动元件以及第一像素电极，且第二像素结构包括第二主动元件以及第二像素电极。第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案位于基板上且分别对应第一像素结构及第二像素结构设置，其中第一彩色滤光图案包含第一孔洞，且第一孔洞是由部分第一彩色滤光图案以及第一覆盖部共同环绕而成，且第一覆盖部和第二彩色滤光图案邻接。
[0007]基于上述，在本发明的主动元件阵列基板中，通过第一彩色滤光图案包含由部分第一彩色滤光图案以及覆盖部共同环绕而成的孔洞，且所述覆盖部是和与第一彩色滤光图案相邻设置的第二彩色滤光图案邻接，使得主动元件阵列基板可具有良好的空间利用率、开口率及可靠度，并能够应用于高解析度产品上。
[0008]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合所附附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0009]图1是依照本发明一实施方式的主动元件阵列基板的上视示意图。
[0010]图2是图1的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。
[0011]图3是图1中的剖线A-A’的剖面示意图。
[0012]图4是图1中的剖线B-B’的剖面示意图。
[0013]图5至图21分别是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。
[0014]其中，附图标记说明如下:
[0015]10主动元件阵列基板
[0016]100基板
[0017]IlOa侧边
[0018]IlOb侧边
[0019]112a侧边
[0020]112b侧边
[0021]120侧边
[0022]122a侧边
[0023]122b侧边
[0024]130a侧边
[0025]130b侧边
[0026]132a侧边
[0027]132b侧边
[0028]142a侧边
[0029]142b侧边
[0030]152a侧边
[0031]152b侧边
[0032]160侧边
[0033]162a侧边
[0034]162b侧边
[0035]222a侧边
[0036]222b侧边
[0037]252a侧边
[0038]252b侧边
[0039]322a侧边
[0040]322b侧边
[0041 ]CFl?CF7彩色滤光图案
[0042]CFL?18CFL彩色滤光层
[0043]CHl?CH4通道层
[0044]CPl覆盖部
[0045]CP2覆盖部
[0046]2CP2覆盖部
[0047]3CP2覆盖部
[0048]CP3覆盖部
[0049]CP4覆盖部
[0050]CP5覆盖部[0051 ]2CP5覆盖部
[0052]CP6覆盖部
[0053]Dl第一方向
[0054]D2第二方向
[0055]DEl ?DE4 漏极
[0056]DLl?DL5数据线
[0057]GEl ?GE4 栅极
[0058]GI闸绝缘层
[0059]Hl?H4接触窗
[0060]Pl?P4像素结构[0061 ]PEl?PE4 像素电极
[0062]PVl绝缘层
[0063]PV2绝缘层
[0064]Q弧形轮廓
[0065]SEl ?SE4 源极
[0066]SLl?SL2扫描线
[0067]Tl?T4主动元件
[0068]U宽度
[0069]u距离
[0070]V孔洞[0071 ]3V孔洞
[0072]12V孔洞
[0073]W孔洞
[0074]2W孔洞
[0075]3W孔洞
[0076]Ilff孔洞
[0077]12W孔洞
[0078]X孔洞
[0079]3X孔洞
[0080]1X孔洞
[0081]12X孔洞
[0082]Y孔洞
[0083]2 Y孔洞
[0084]3Y孔洞
[0085]12Y孔洞
[0086]Z孔洞
[0087]IlZ孔洞
【具体实施方式】
[0088]图1是依照本发明一实施方式的主动元件阵列基板的上视示意图，其中图1省略绘示部分膜层。图2是图1的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。图3是图1中的剖线A-A’的剖面示意图。图4是图1中的剖线B-B’的剖面示意图。
[0089]请同时参照图1至图4，主动元件阵列基板10包括基板100、多条扫描线SLl?SL2、多条数据线DLl?DL5、多个像素结构Pl?P4以及包括多个彩色滤光图案CFl?CF6的彩色滤光层CFL。另外，在本实施方式中，主动元件阵列基板10还包括绝缘层PVl以及绝缘层PV2。
[0090]基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其类似材质。扫描线SLl?SL2、数据线DLl?DL5位于基板100上。扫描线SLl?SL2与数据线DLl?DL5的延伸方向不相同，较佳的是扫描线SLl?SL2的延伸方向与数据线DLl?DL5的延伸方向相交错。详细而言，在本实施方式中，扫描线SLl?SL2的延伸方向为第一方向Dl，且数据线DLl?DL5的延伸方向为第二方向D2，其中第一方向Dl与第二方向D2相交错。
[0091]此外，扫描线SLl?SL2与数据线DLl?DL5是位于不相同的膜层，且扫描线SLl?SL2与数据线DLl?DL5之间夹有闸绝缘层GI(于后文进行详细描述)。另外，基于导电性的考虑，扫描线SLl?SL2与数据线DLl?DL5—般是使用金属材料。然而，本发明并不限于此，根据其他实施方式，扫描线SLl?SL2与数据线DLl?DL5也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物等的其他导电材料，或是金属材料与前述其它导电材料的堆叠层。另外一提的是，由于图1仅绘示出局部的主动元件阵列基板10，因此仅示意性地绘示出其中两条扫描线SLl?SL2及五条数据线DLl?DL5。
[0092]像素结构Pl?P4位于基板100上且沿第一方向Dl相邻设置。详细而言，在本实施方式中，像素结构PI与扫描线SLI及数据线DLI电性连接;像素结构P2与扫描线SLI及数据线DL2电性连接;像素结构P3与扫描线SLl及数据线DL3电性连接；以及像素结构P4与扫描线SLl及数据线DL4电性连接。更详细而言，在本实施方式中，像素结构Pl包括主动元件Tl以及像素电极PEl;像素结构P2包括主动元件T2以及像素电极PE2;像素结构P3包括主动元件T3以及像素电极PE3;以及像素结构P4包括主动元件T4以及像素电极PE4。
[0093]在本实施方式中，主动元件Tl?T4分别可以是薄膜电晶体，其中主动元件Tl包括栅极GEl、通道层CHl、漏极DEI以及源极SE I;主动元件T2包括栅极GE2、通道层CH2、漏极DE2以及源极SE2;主动元件T3包括栅极GE3、通道层CH3、漏极DEl以及源极SE3;以及主动元件T4包括栅极GE4、通道层CH4、漏极DE4以及源极SE4。详细而言，栅极GEl?GE4与扫描线SLl为一连续的导电图案，此表示栅极GEl?GE4与扫描线SLl彼此电性连接，且栅极GEl?GE4与扫描线SLl为同一膜层、具有同一材质。另外，源极SEl与数据线DLl为一连续的导电图案、源极SE2与数据线DL2为一连续的导电图案、源极SE3与数据线DL3为一连续的导电图案、及源极SE4与数据线DL4为一连续的导电图案，此表示源极SEl与数据线DLl彼此电性连接、源极SE2与数据线DL2彼此电性连接、源极SE3与数据线DL3彼此电性连接、源极SE4与数据线DL4彼此电性连接，且源极SEl?SE4与数据线DLl?DL5为同一膜层、具有同一材质。此外，在本实施方式中，通道层CHl?CH4的材料例如是非晶硅材料。
[0094]另外，在本实施方式中，闸绝缘层GI共形地形成在基板100上，且配置在栅极GEl?GE4与通道层CHl?CH4之间。闸绝缘层GI的材料包括无机材料(例如:氧化娃、氮化娃、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料或上述的组合。另外，在本实施方式中，主动元件Tl?T4是以底部栅极型薄膜电晶体为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施方式中，主动元件Tl?T4也可以是顶部栅极型薄膜电晶体。
[0095]另外，绝缘层PVl共形地形成于基板100上，且覆盖源极SEl?SE4及漏极DEl?DE4，以提供绝缘与保护的功能。绝缘层PVl的材料包括无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料、或上述的组合，且绝缘层PVl的材质可以与闸绝缘层GI相同或不同。
[0096]另外，像素电极PEl?PE4分别与主动元件Tl?T4电性连接。详细而言，像素电极PEl通过接触窗Hl与漏极DEl电性连接;像素电极PE2通过接触窗H2与漏极DE2电性连接;像素电极PE3通过接触窗H3与漏极DE3电性连接；以及像素电极PE4通过接触窗H4与漏极DE4电性连接。在本实施方式中，像素电极PEl?PE4的材质例如是透明导电层，其包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物(indium-tin-oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、招锡氧化物(aluminum tin oxide，AT0)、招锌氧化物(aluminum zinc oxide，AZ0)、铟锗锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层。另外，像素电极PEl?PE4可以是本领域技术人员所周知的任一像素电极。也就是说，像素电极PEl?PE4并不以图1中所绘的米字型图案为限。另外一提的是，由于图1仅绘示出局部的主动元件阵列基板10，因此仅示意性地绘示出四个像素结构Pl?P4。
[0097]彩色滤光图案CFl?CF6位于基板100上且对应像素结构设置。也就是说，主动元件阵列基板10是彩色滤光图案配置于主动元件阵列上(Color filter on Array，C0A)的主动元件阵列基板。详细而言，在本实施方式中，彩色滤光图案CF2对应像素结构Pl设置;彩色滤光图案CF3对应像素结构P2设置;彩色滤光图案CF4对应像素结构P3设置；以及彩色滤光图案CF5对应像素结构P4设置。另外，虽然图1仅示意性地绘示出四个像素结构Pl?P4，但所属技术领域中具有通常知识者应可理解，彩色滤光图案CFl是对应与像素结构PI相邻的像素结构设置，而彩色滤光图案CF6是对应与像素结构P4相邻的像素结构设置。
[0098]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CFl?CF6分别是对应位在同一行上的像素结构而设置。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，彩色滤光图案CFl?CF6分别也可以是对应一个像素结构而设置。
[0099]另外，绝缘层PV2形成于基板100上，且覆盖彩色滤光层CFL，以提供绝缘与保护的功能。绝缘层PV2的材料包括无机材料(例如:氧化娃、氮化娃、氮氧化娃或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料、或上述的组合，且绝缘层PV2的材质可以与闸绝缘层G1、绝缘层PVl相同或不同。
[0100]进一步而言，彩色滤光图案CFl?CF6分别可以是红色滤光图案、绿色滤光图案或蓝色滤光图案。也就是说，在本实施方式中，彩色滤光层CFL是由三种颜色的滤光图案所构成。具体而言，在本实施方式中，彩色滤光图案CFl例如是蓝色滤光图案、彩色滤光图案CF2例如是红色滤光图案、彩色滤光图案CF3例如是绿色滤光图案、彩色滤光图案CF4例如是蓝色滤光图案、彩色滤光图案CF5例如是红色滤光图案、及彩色滤光图案CF6例如是绿色滤光图案。
[0101 ]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF2包含孔洞V，其中孔洞V是由部分的彩色滤光图案CF2以及覆盖部CPl共同环绕而成，如图2及图4所示。详细而言，请同时参照图1、图2及图4，所述孔洞V对应接触窗Hl设置，而通过接触窗Hl与漏极DEl电性连接的像素电极PEl的一部分延伸至孔洞V内但却未延伸至覆盖部CPl上。也就是说，在本实施方式中，即使在地形较深的孔洞V中，仍可通过微影蚀刻制程形成所预期的像素电极PE1。
[0102]另外，在本实施方式中，覆盖部CPl和彩色滤光图案CF3彼此相邻接，如图2及图4所示。也就是说，在本实施方式中，覆盖部CPl和彩色滤光图案CF3为同一膜层、具有同一材质。
[0103]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF3和彩色滤光图案CF2部分地重叠。详细而言，如图2及图3所示，彩色滤光图案CF3覆盖住一部分的彩色滤光图案CF2，其中彩色滤光图案CF2的侧边IlOb与彩色滤光图案CF3重叠。也就是说，在本实施方式中，彩色滤光图案CF3是在彩色滤光图案CF2形成之后才形成的。
[0104]另外，由于覆盖部CPl和彩色滤光图案CF3彼此相邻接，故覆盖部CPl亦会覆盖住一部分的彩色滤光图案CF2。详细而言，如图2所示，覆盖部CPl与彩色滤光图案CF2部分地重叠，且彩色滤光图案CF2的与覆盖部CPl重叠的所述部分具有弧形轮廓Q。值得一提的是，在本实施方式中，在形成彩色滤光图案CF2之后且形成彩色滤光图案CF3之前，彩色滤光图案CF2本身具有一开放式孔洞，而在形成彩色滤光图案CF3之后，覆盖部CPl即覆盖住一部分的所述开放式孔洞以及所述弧形轮廓Q而形成孔洞V ο如此一来，在本实施方式中，通过覆盖部CPl覆盖住所述弧形轮廓Q，可避免彩色滤光图案CF2的弧形轮廓Q(即彩色滤光图案CF2的转角处)在后续可靠度试验中发生破裂，因而提高可靠度。
[0105]值得一提的是，与彩色滤光图案中设置封闭式孔洞的现有主动元件阵列基板相比，通过彩色滤光图案CF2具有开放式孔洞，使得像素结构Pl可具有较佳的空间利用率，借以提高开口率，并使得孔洞的设计可不受彩色滤光图案的制程解析度的限制。如此一来，像素结构Pl能够被设计成较小的尺寸，借此使得主动元件阵列基板10可有效地应用于高解析度产品上。
[0106]另外，如图2所示，覆盖部CPl具有相对的侧边112a和侧边112b，其中覆盖部CPl的侧边112b与彩色滤光图案CF2的侧边IlOb切齐。另外，在本实施方式中，覆盖部CPl的侧边1128和侧边11213之间的最小距离11为241]1至1541]1。
[0107]另外，如图2所示，彩色滤光图案CF2和彩色滤光图案CFl部分地重叠。详细而言，彩色滤光图案CFl覆盖住一部分的彩色滤光图案CF2，其中彩色滤光图案CF2的侧边I 1a与彩色滤光图案CFl重叠。也就是说，在本实施方式中，彩色滤光图案CFl是在彩色滤光图案CF2形成之后才形成的。
[0108]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF3包含孔洞W，其中孔洞W是由部分的彩色滤光图案CF3以及覆盖部CP2共同环绕而成，如图2及图4所示。详细而言，请同时参照图1、图2及图4，所述孔洞W对应接触窗H2设置，而通过接触窗H2与漏极DE2电性连接的像素电极PE2的一部分延伸至孔洞W内但却未延伸至覆盖部CP2上。也就是说，在本实施方式中，即使在地形较深的孔洞W中，仍可通过微影蚀刻制程形成所预期的像素电极PE2。
[0109]另外，在本实施方式中，覆盖部CP2和彩色滤光图案CF4彼此相邻接，如图2及图4所示。也就是说，在本实施方式中，覆盖部CP2和彩色滤光图案CF4为同一膜层、具有同一材质。
[0110]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF4和彩色滤光图案CF3部分地重叠。详细而言，如图2及图3所示，彩色滤光图案CF4覆盖住一部分的彩色滤光图案CF3，其中彩色滤光图案CF3的侧边120与彩色滤光图案CF4重叠。也就是说，在本实施方式中，彩色滤光图案CF4是在彩色滤光图案CF3形成之后才形成的。
[0111]另外，由于覆盖部CP2和彩色滤光图案CF4彼此相邻接，故覆盖部CP2亦会覆盖住一部分的彩色滤光图案CF3。详细而言，如图2所示，覆盖部CP2与彩色滤光图案CF3部分地重叠，且彩色滤光图案CF3的与覆盖部CP2重叠的所述部分具有弧形轮廓Q。值得一提的是，在本实施方式中，在形成彩色滤光图案CF3之后且形成彩色滤光图案CF4之前，彩色滤光图案CF3本身具有一开放式孔洞，而在形成彩色滤光图案CF4之后，覆盖部CP2即覆盖住一部分的所述开放式孔洞以及所述弧形轮廓Q而形成孔洞Wο如此一来，在本实施方式中，通过覆盖部CP2覆盖住所述弧形轮廓Q，可避免彩色滤光图案CF3的弧形轮廓Q(即彩色滤光图案CF3的转角处)在后续可靠度试验中发生破裂，因而提高可靠度。
[0112]值得一提的是，与彩色滤光图案中设置封闭式孔洞的现有主动元件阵列基板相比，通过彩色滤光图案CF3具有开放式孔洞，使得像素结构P2可具有较佳的空间利用率，借以提高开口率，并使得孔洞的设计可不受彩色滤光图案的制程解析度的限制。如此一来，像素结构P2能够被设计成较小的尺寸，借此使得主动元件阵列基板10可有效地应用于高解析度产品上。
[0113]另外，如图2所示，覆盖部CP2具有相对的侧边122a和侧边122b，其中覆盖部CP2的侧边122b与彩色滤光图案CF3的侧边120切齐。另外，在本实施方式中，覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离u为2μηι至15μηι。
[0114]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF4包含孔洞X，且孔洞X由彩色滤光图案CF4围绕而成。详细而言，请同时参照图1、图2及图4，所述孔洞X对应接触窗Η3设置，而通过接触窗Η3与漏极DE3电性连接的像素电极ΡΕ3的一部分延伸至孔洞X内但却未延伸至彩色滤光图案CF4上。也就是说，在本实施方式中，即使在地形较深的孔洞X中，仍可通过微影蚀刻制程形成所预期的像素电极ΡΕ3。
[0115]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF5和彩色滤光图案CF4部分地重叠。详细而言，如图2及图3所示，彩色滤光图案CF4覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5，其中彩色滤光图案CF5的侧边130a与彩色滤光图案CF4重叠。也就是说，在本实施方式中，彩色滤光图案CF4是在彩色滤光图案CF5形成之后才形成的。
[0116]进一步而言，由于彩色滤光图案CF4是在彩色滤光图案CF3以及彩色滤光图案CF5形成之后才形成的(即彩色滤光图案CF4同时覆盖与其相邻的彩色滤光图案CF3以及彩色滤光图案CF5)，故通过孔洞X为一封闭式孔洞，借此可提高主动元件阵列基板10的可靠度。
[0117]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF5包含孔洞Y，其中孔洞Y是由部分的彩色滤光图案CF5以及覆盖部CP3共同环绕而成，如图2及图4所示。详细而言，请同时参照图1、图2及图4，所述孔洞Y对应接触窗H4设置，而通过接触窗H4与漏极DE4电性连接的像素电极PE4的一部分延伸至孔洞Y内但却未延伸至覆盖部CP3上。也就是说，在本实施方式中，即使在地形较深的孔洞Y中，仍可通过微影蚀刻制程形成所预期的像素电极PE4。
[0118]另外，在本实施方式中，覆盖部CP3和彩色滤光图案CF6彼此相邻接，如图2及图4所示。也就是说，在本实施方式中，覆盖部CP3和彩色滤光图案CF6为同一膜层、具有同一材质。
[0119]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF6和彩色滤光图案CF5部分地重叠。详细而言，如图2及图3所示，彩色滤光图案CF6覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5，其中彩色滤光图案CF5的侧边130b与彩色滤光图案CF6重叠。也就是说，在本实施方式中，彩色滤光图案CF6是在彩色滤光图案CF5形成之后才形成的。
[0120]另外，由于覆盖部CP3和彩色滤光图案CF6彼此相邻接，故覆盖部CP3亦会覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5。详细而言，如图2所示，覆盖部CP3与彩色滤光图案CF5部分地重叠，且彩色滤光图案CF5的与覆盖部CP3重叠的所述部分具有弧形轮廓Q。值得一提的是，在本实施方式中，在形成彩色滤光图案CF5之后且形成彩色滤光图案CF6之前，彩色滤光图案CF5本身具有一开放式孔洞，而在形成彩色滤光图案CF6之后，覆盖部CP3即覆盖住一部分的所述开放式孔洞以及所述弧形轮廓Q而形成孔洞Y ο如此一来，在本实施方式中，通过覆盖部CP3覆盖住所述弧形轮廓Q，可避免彩色滤光图案CF5的弧形轮廓Q(即彩色滤光图案CF5的转角处)在后续可靠度试验中发生破裂，因而提高可靠度。
[0121]值得一提的是，与彩色滤光图案中设置封闭式孔洞的现有主动元件阵列基板相比，通过彩色滤光图案CF5具有开放式孔洞，使得像素结构P4可具有较佳的空间利用率，借以提高开口率，并使得孔洞的设计可不受彩色滤光图案的制程解析度的限制。如此一来，像素结构P4能够被设计成较小的尺寸，借此使得主动元件阵列基板10可有效地应用于高解析度产品上。
[0122]另外，如图2所示，覆盖部CP3具有相对的侧边132a和侧边132b，其中覆盖部CP3的侧边132b与彩色滤光图案CF5的侧边130b切齐。另外，在本实施方式中，覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离u为2μηι至15μηι。
[0123]另外，在上述图1至图4的实施方式中，彩色滤光图案CF2的孔洞V、彩色滤光图案CF3的孔洞W、彩色滤光图案CF4的孔洞X、以及彩色滤光图案CF5的孔洞Y所设置的位置具有一致的方向。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，彩色滤光图案CF2的孔洞V、彩色滤光图案CF3的孔洞W、彩色滤光图案CF4的孔洞X、以及彩色滤光图案CF5的孔洞Y所设置的位置也可以具有交错的方向。以下，将参照图5进行详细说明。
[0124]图5是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图5及图2，图5的彩色滤光层2CFL与图2的彩色滤光层CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4中的符号参照前述说明。
[0125]请参照图5，在本实施方式中，彩色滤光图案CF3包含孔洞2W，且孔洞2W由彩色滤光图案CF3围绕而成。也就是说，在本实施方式中，孔洞2W为一封闭式孔洞。另外，根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF3中的孔洞2W亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞2W内但却未延伸至彩色滤光图案CF3上。
[0126]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF2的孔洞V与彩色滤光图案CF3的孔洞2W的配置方向是相反的。
[0127]值得一提的是，在本实施方式中，彩色滤光图案CF2的孔洞V与彩色滤光图案CF3的孔洞2W之间仍存在有覆盖部CPl及彩色滤光图案CF3，且与孔洞V及孔洞2W对应设置的像素电极皆不会延伸至覆盖部CP及彩色滤光图案CF3上，借此搭配彩色滤光图案CF2及彩色滤光图案CF3的像素结构不易发生短路问题，进而提升制程良率。
[0128]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF5包含孔洞2Υ，其中孔洞2Υ是由部分的彩色滤光图案CF5以及覆盖部2CP2共同环绕而成。根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF5中的孔洞2Y亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞2Y内但却未延伸至覆盖部2CP2上。
[0129]另外，在本实施方式中，覆盖部2CP2和彩色滤光图案CF4彼此相邻接。也就是说，在本实施方式中，覆盖部2CP2和彩色滤光图案CF4为同一膜层、具有同一材质。
[0130]另外，由于覆盖部2CP2和彩色滤光图案CF4彼此相邻接，且彩色滤光图案CF4覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5，故覆盖部2CP2亦会覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5。详细而言，覆盖部2CP2与彩色滤光图案CF5部分地重叠，且彩色滤光图案CF5的与覆盖部2CP2重叠的所述部分具有弧形轮廓Q。值得一提的是，在本实施方式中，在形成彩色滤光图案CF5之后且形成彩色滤光图案CF4之前，彩色滤光图案CF5本身具有一开放式孔洞，而在形成彩色滤光图案CF4之后，覆盖部2CP2即覆盖住一部分的所述开放式孔洞以及所述弧形轮廓Q而形成孔洞2Y ο如此一来，在本实施方式中，通过覆盖部2CP2覆盖住所述弧形轮廓Q，可避免彩色滤光图案CF5的弧形轮廓Q(即彩色滤光图案CF5的转角处)在后续可靠度试验中发生破裂，因而提高可靠度。
[0131]值得一提的是，与彩色滤光图案中设置封闭式孔洞的现有主动元件阵列基板相比，通过彩色滤光图案CF5具有开放式孔洞，使得搭配彩色滤光图案CF5的像素结构可具有较佳的空间利用率，借以提高开口率，并使得孔洞的设计可不受彩色滤光图案的制程解析度的限制。如此一来，所述像素结构能够被设计成较小的尺寸，借此使得具有彩色滤光层2CFL的主动元件阵列基板可有效地应用于高解析度产品上。
[0132]另外，在本实施方式中，覆盖部2CP2具有相对的侧边222a和侧边222b，其中覆盖部2CP2的侧边222b与彩色滤光图案CF5的侧边130a切齐。另外，在本实施方式中，覆盖部2CP2的侧边222a和侧边222b之间的最小距离u为2μηι至15μηι。
[0133]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF4的孔洞X与彩色滤光图案CF5的孔洞2Υ的配置方向是相反的。
[0134]同样地，值得一提的是，在本实施方式中，彩色滤光图案CF4的孔洞X与彩色滤光图案CF5的孔洞2Υ之间仍存在有覆盖部2CP2及彩色滤光图案CF4，且与孔洞X及孔洞2Υ对应设置的像素电极皆不会延伸至覆盖部2CP2及彩色滤光图案CF4上，借此搭配彩色滤光图案CF4及彩色滤光图案CF5的像素结构不易发生短路问题，进而提升制程良率。
[0135]另外，在前述图1至图4的实施方式中，彩色滤光图案CF2?CF5分别都只有一个孔洞，即彩色滤光图案CF2具有孔洞V、彩色滤光图案CF3具有孔洞W、彩色滤光图案CF4具有孔洞X、以及彩色滤光图案CF5具有孔洞Y。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，彩色滤光图案CF2?CF5分别也可以具有一个以上的孔洞。以下，将参照图6进行详细说明。
[0136]图6是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图6及图2，图6的彩色滤光层3CFL与图2的彩色滤光层CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4中的符号参照前述说明。
[0137]请参照图6，在本实施方式中，彩色滤光图案CF2除了包含孔洞V外，还包含孔洞3V，其中孔洞3V是由部分的彩色滤光图案CF2以及覆盖部CP4共同环绕而成。根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF2中的孔洞3V亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞3V内但却未延伸至覆盖部CP4上。
[0138]另外，在本实施方式中，覆盖部CP4和彩色滤光图案CFl彼此相邻接。也就是说，在本实施方式中，覆盖部CP4和彩色滤光图案CFl为同一膜层、具有同一材质。
[0139]另外，由于覆盖部CP4和彩色滤光图案CFl彼此相邻接且彩色滤光图案CFl覆盖住一部分的彩色滤光图案CF2，故覆盖部CP4亦会覆盖住一部分的彩色滤光图案CF2。详细而言，覆盖部CP4与彩色滤光图案CF2部分地重叠，且彩色滤光图案CF2的与覆盖部CP4重叠的所述部分具有弧形轮廓Q。值得一提的是，在本实施方式中，在形成彩色滤光图案CF2之后且形成彩色滤光图案CFl之前，彩色滤光图案CF2本身具有一开放式孔洞，而在形成彩色滤光图案CFl之后，覆盖部CP4即覆盖住一部分的所述开放式孔洞以及所述弧形轮廓Q而形成孔洞3V。如此一来，在本实施方式中，通过覆盖部CP4覆盖住所述弧形轮廓Q，可避免彩色滤光图案CF2的弧形轮廓Q(即彩色滤光图案CF2的转角处)在后续可靠度试验中发生破裂，因而提高可靠度。
[0140]值得一提的是，与彩色滤光图案中设置封闭式孔洞的现有主动元件阵列基板相比，通过彩色滤光图案CF2具有开放式孔洞，使得搭配彩色滤光图案CF2的像素结构可具有较佳的空间利用率，借以提高开口率，并使得孔洞的设计可不受彩色滤光图案的制程解析度的限制。如此一来，所述像素结构能够被设计成较小的尺寸，借此使得具有彩色滤光层3CFL的主动元件阵列基板可有效地应用于高解析度产品上。
[0141]另外，在本实施方式中，覆盖部CP4具有相对的侧边142a和侧边142b，其中覆盖部CP4的侧边142b与彩色滤光图案CF2的侧边IlOa切齐。另外，在本实施方式中，覆盖部CP4的侧边142a和侧边142b之间的最小距离u为2μηι至15μηι。
[0142]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF3除了包含孔洞W外，还包含孔洞3W，其中孔洞3W由彩色滤光图案CF3围绕而成。也就是说，在本实施方式中，孔洞3W为一封闭式孔洞。另外，根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF3中的孔洞3W亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞3W内但却未延伸至彩色滤光图案CF3上。
[0143]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF4除了包含孔洞X外，还包含孔洞3Χ，其中孔洞3Χ由彩色滤光图案CF4围绕而成。也就是说，在本实施方式中，孔洞3Χ为一封闭式孔洞。另外，根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF4中的孔洞3Χ亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞3Χ内但却未延伸至彩色滤光图案CF4上。
[0144]另外，彩色滤光图案CF5除了包含孔洞Y外，还包含孔洞3Υ，其中孔洞3Υ是由部分的彩色滤光图案CF5以及覆盖部3CP2共同环绕而成。根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF5中的孔洞3Υ亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞3Υ内但却未延伸至覆盖部3CP2上。
[0145]另外，在本实施方式中，覆盖部3CP2和彩色滤光图案CF4彼此相邻接。也就是说，在本实施方式中，覆盖部3CP2和彩色滤光图案CF4为同一膜层、具有同一材质。
[0146]另外，由于覆盖部3CP2和彩色滤光图案CF4彼此相邻接，且彩色滤光图案CF4覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5，故覆盖部3CP2亦会覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5。详细而言，覆盖部3CP2与彩色滤光图案CF5部分地重叠，且彩色滤光图案CF5的与覆盖部3CP2重叠的所述部分具有弧形轮廓Q。值得一提的是，在本实施方式中，在形成彩色滤光图案CF5之后且形成彩色滤光图案CF4之前，彩色滤光图案CF5本身具有一开放式孔洞，而在形成彩色滤光图案CF4之后，覆盖部3CP2即覆盖住一部分的所述开放式孔洞以及所述弧形轮廓Q而形成孔洞3Y ο如此一来，在本实施方式中，通过覆盖部3CP2覆盖住所述弧形轮廓Q，可避免彩色滤光图案CF5的弧形轮廓Q(即彩色滤光图案CF5的转角处)在后续可靠度试验中发生破裂，因而提高可靠度。
[0147]值得一提的是，与彩色滤光图案中设置封闭式孔洞的现有主动元件阵列基板相比，通过彩色滤光图案CF5具有开放式孔洞，使得搭配彩色滤光图案CF5的像素结构可具有较佳的空间利用率，借以提高开口率，并使得孔洞的设计可不受彩色滤光图案的制程解析度的限制。如此一来，所述像素结构能够被设计成较小的尺寸，借此使得具有彩色滤光层3CFL的主动元件阵列基板可有效地应用于高解析度产品上。
[0148]另外，在本实施方式中，覆盖部3CP2具有相对的侧边322a和侧边322b，其中覆盖部3CP2的侧边322b与彩色滤光图案CF5的侧边130a切齐。另外，在本实施方式中，覆盖部3CP2的侧边322a和侧边322b之间的最小距离u为2μηι至15μηι。
[0149]另外，在前述图1至图4、图5及图6的实施方式中，任一覆盖部的相对设置的两侧边之间的最小距离u皆为2μηι至15μηι，例如覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离u为2μπι至15μπι。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，覆盖部的相对设置的两侧边之间的最小距离也可以是介在其他范围之间。以下，将参照图7至图12进行详细说明。
[0150]图7是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图7及图2，图7的彩色滤光层4CFL与图2的彩色滤光层CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4中的符号参照前述说明。
[0151 ]详细而言，请同时参照图7及图2，图7的彩色滤光层4CFL与图2的彩色滤光层CFL之间的差异主要在于:在图7的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、以及覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离u皆为5μπι至25μπι;而在图2的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、以及覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离u皆介于2μπι至15μπι之间。
[0152]值得说明的是，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、以及覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离u皆介5μπι至25μπι之间，使得覆盖部CPl、覆盖部CP2及覆盖部CP3能够更完整地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF3及彩色滤光图案CF5的转角处，借此更进一步提高可靠度。
[0153]图8是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图8及图5，图8的彩色滤光层5CFL与图5的彩色滤光层2CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图5中的符号参照前述说明。
[0154]详细而言，请同时参照图8及图5，图8的彩色滤光层5CFL与图5的彩色滤光层2CFL之间的差异主要在于:在图8的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、以及覆盖部2CP2的侧边222a和侧边222b之间的最小距离u皆介于5μηι至25μηι之间；而在图5的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离u、以及覆盖部2CP2的侧边222a和侧边222b之间的最小距离u皆介于2μηι至15μηι之间。
[0155]值得说明的是，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、以及覆盖部2CP2的侧边222a和侧边222b之间的最小距离u皆介于5μπι至25μπι之间，使得覆盖部CPl及覆盖部2CP2能够更完整地覆盖住彩色滤光图案CF2及彩色滤光图案CF5的转角处，借此更进一步提高可靠度。
[0156]另外，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、以及覆盖部2CP2的侧边222a和侧边222b之间的最小距离u皆介于5μπι至25μπι之间，使得与图5的实施方式相比，孔洞2W能够设置在更靠近孔洞V的位置以及孔洞X能够设置在更靠近孔洞2Υ的位置。如此一来，在本实施方式中，搭配彩色滤光图案CF3及彩色滤光图案CF4的像素结构能够具有较佳的空间利用率，借以提高开口率。
[0157]图9是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图9及图6，图9的彩色滤光层6CFL与图6的彩色滤光层3CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图6中的符号参照前述说明。
[0158]详细而言，请同时参照图9及图6，图9的彩色滤光层6CFL与图6的彩色滤光层3CFL之间的差异主要在于:在图9的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、覆盖部3CP2的侧边322a和侧边322b之间的最小距离U、以及覆盖部CP4的侧边142a和侧边142b之间的最小距离u皆介于5μηι至25μηι之间；而在图6的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离u、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离u、覆盖部3CP2的侧边322a和侧边322b之间的最小距离U、以及覆盖部CP4的侧边142a和侧边142b之间的最小距离u皆介于2μηι至15μηι之间。
[0159]值得说明的是，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、覆盖部3CP2的侧边322a和侧边322b之间的最小距离U、以及覆盖部CP4的侧边142a和侧边142b之间的最小距离u皆介于5μπι至25μπι之间，使得覆盖部CP1、覆盖部CP2、覆盖部CP3、覆盖部3CP2及覆盖部CP4能够更完整地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF3、及彩色滤光图案CF5的转角处，借此更进一步提高可靠度。
[0160]另外，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、覆盖部3CP2的侧边322a和侧边322b之间的最小距离U、以及覆盖部CP4的侧边142a和侧边142b之间的最小距离u皆介于5μπι至25μπι之间，使得与图6的实施方式相比，孔洞3W能够设置在更靠近孔洞V的位置、孔洞3Χ能够设置在更靠近孔洞W的位置、以及孔洞X能够设置在更靠近孔洞3Υ的位置。如此一来，在本实施方式中，搭配彩色滤光图案CF3及彩色滤光图案CF4的像素结构能够具有较佳的空间利用率，借以提高开口率。
[0161]图10是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图10及图2，图10的彩色滤光层7CFL与图2的彩色滤光层CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4中的符号参照前述说明。
[0162]详细而言，请同时参照图10及图2，图10的彩色滤光层7CFL与图2的彩色滤光层CFL之间的差异主要在于:图10的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U皆小于图2的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U。
[0163]值得说明的是，如前文所述，由于图10的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPljL洞W的邻近于覆盖部CP2、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U皆小于图2的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U，故在图10的实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、以及覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离u皆介于2μπι至15μπι之间，即可使得覆盖部CP1、覆盖部CP2及覆盖部CP3能够有效地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF3及彩色滤光图案CF5的转角处，借以提高可靠度。
[0164]图11是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图11及图5，图11的彩色滤光层8CFL与图5的彩色滤光层2CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图5中的符号参照前述说明。
[0165]详细而言，请同时参照图11及图5，图11的彩色滤光层8CFL与图5的彩色滤光层2CFL之间的差异主要在于:图11的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPl、以及孔洞2Υ的邻近覆盖部2CP2的宽度U皆小于图5的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPl、以及孔洞2Υ的邻近覆盖部2CP2的宽度U。
[0166]值得说明的是，如前文所述，由于图11的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、以及孔洞2Υ的邻近覆盖部2CP2的宽度U皆小于图5的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPl、以及孔洞2Υ的邻近覆盖部2CP2的宽度U，故在图11的实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离u、以及覆盖部2CP2的侧边222a和侧边222b之间的最小距离u皆介于2μπι至15μπι之间，即可使得覆盖部CPl以及覆盖部2CP2能够有效地覆盖住彩色滤光图案CF2及彩色滤光图案CF5的转角处，借以提高可靠度。
[0167]图12是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图12及图6，图12的彩色滤光层9CFL与图6的彩色滤光层3CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图6中的符号参照前述说明。
[0168]详细而言，请同时参照图12及图6，图12的彩色滤光层9CFL与图6的彩色滤光层3CFL之间的差异主要在于:图12的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞Y的邻近覆盖部CP3、孔洞3Υ的邻近覆盖部3CP2、以及孔洞3V的邻近于覆盖部CP4的宽度U皆小于图6的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPl、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞Y的邻近覆盖部CP3、孔洞3Υ的邻近覆盖部3CP2以及孔洞3V的邻近于覆盖部CP4的宽度U0
[0169]值得说明的是，如前文所述，由于图12的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPljL洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞Y的邻近覆盖部CP3、孔洞3Y的邻近覆盖部3CP2、以及孔洞3V的邻近于覆盖部CP4的宽度U皆小于图6的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞Y的邻近覆盖部CP3、孔洞3Y的邻近覆盖部3CP2以及孔洞3V的邻近于覆盖部CP4的宽度U，故在图11的实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、覆盖部3CP2的侧边322a和侧边322b之间的最小距离U、以及覆盖部CP4的侧边142a和侧边142b之间的最小距离u皆介于2μπι至15μπι之间，即可使得覆盖部CP1、覆盖部CP2、覆盖部CP3、覆盖部3CP2及覆盖部CP4能够有效地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF3及彩色滤光图案CF5的转角处，借以提高可靠度。
[0170]另外，在前述图1至图12的实施方式中，彩色滤光层CFL?9CFL分别皆是由红色滤光图案、绿色滤光图案及蓝色滤光图案所构成。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，彩色滤光层也可以是由红色滤光图案、绿色滤光图案、蓝色滤光图案以及白色滤光图案所构成。以下，将参照图13至图21进行详细说明。
[0171]图13是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图13及图2，图13的彩色滤光层10CFL与图2的彩色滤光层CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4中的符号参照前述说明。
[0172]请参照图13，在本实施方式中，彩色滤光层10CFL除了包括彩色滤光图案CFl?CF6夕卜，还包括彩色滤光图案CF7。详细而言，在本实施方式中，彩色滤光图案CFl?CF7分别可以是红色滤光图案、绿色滤光图案、蓝色滤光图案或白色滤光图案。也就是说，在本实施方式中，彩色滤光层10CFL是由四种颜色的滤光图案所构成。具体而言，在本实施方式中，彩色滤光图案CFl例如是白色滤光图案、彩色滤光图案CF2例如是红色滤光图案、彩色滤光图案CF3例如是绿色滤光图案、彩色滤光图案CF4例如是蓝色滤光图案、彩色滤光图案CF5例如是红色滤光图案、彩色滤光图案CF6例如是绿色滤光图案、及彩色滤光图案CF7例如是白色滤光图案。
[0173]在本实施方式中，彩色滤光图案CF4包含孔洞10Χ，且孔洞1X是由部分彩色滤光图案CF4以及覆盖部CP5共同环绕而成。根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF4中的孔洞1X亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞1X内但却未延伸至覆盖部CP5上。
[0174]另外，在本实施方式中，覆盖部CP5和彩色滤光图案CF7彼此相邻接。也就是说，在本实施方式中，覆盖部CP5和彩色滤光图案CF7为同一膜层、具有同一材质。
[0175]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF7和彩色滤光图案CF4部分地重叠。详细而言，彩色滤光图案CF7覆盖住一部分的彩色滤光图案CF4，其中彩色滤光图案CF4的侧边160与彩色滤光图案CF7重叠。也就是说，在本实施方式中，彩色滤光图案CF7是在彩色滤光图案CF4形成之后才形成的。
[0176]进一步而言，由于覆盖部CP5和彩色滤光图案CF7彼此相邻接，故覆盖部CP5亦会覆盖住一部分的彩色滤光图案CF4ο详细而言，覆盖部CP5与彩色滤光图案CF4部分地重叠，且彩色滤光图案CF4的与覆盖部CP5重叠的所述部分具有弧形轮廓Q。值得一提的是，在本实施方式中，在形成彩色滤光图案CF4之后且形成彩色滤光图案CF7之前，彩色滤光图案CF4本身具有一开放式孔洞，而在形成彩色滤光图案CF7之后，覆盖部CP5即覆盖住一部分的所述开放式孔洞以及所述弧形轮廓Q而形成孔洞1Xο如此一来，在本实施方式中，通过覆盖部CP5覆盖住所述弧形轮廓Q，可避免彩色滤光图案CF4的弧形轮廓Q(即彩色滤光图案CF4的转角处)在后续可靠度试验中发生破裂，因而提高可靠度。
[0177]值得一提的是，与彩色滤光图案中设置封闭式孔洞的现有主动元件阵列基板相比，通过彩色滤光图案CF4具有开放式孔洞，使得搭配彩色滤光图案CF4的像素结构可具有较佳的空间利用率，借以提高开口率，并使得孔洞的设计可不受彩色滤光图案的制程解析度的限制。如此一来，所述像素结构能够被设计成较小的尺寸，借此使得具有彩色滤光层10CFL的主动元件阵列基板可有效地应用于高解析度产品上。
[0178]另外，在本实施方式中，覆盖部CP5具有相对的侧边152a和侧边152b，其中覆盖部CP5的侧边152b与彩色滤光图案CF4的侧边160切齐。另外，在本实施方式中，覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u为2μηι至15μηι。
[0179]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF7包含孔洞Z，且孔洞Z由彩色滤光图案CF7围绕而成。也就是说，在本实施方式中，孔洞Z为一封闭式孔洞。另外，根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF7中的孔洞Z亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞Z内但却未延伸至彩色滤光图案CF7上。
[0180]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF7和彩色滤光图案CF5部分地重叠。详细而言，彩色滤光图案CF7覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5，其中彩色滤光图案CF5的侧边130a与彩色滤光图案CF7重叠。也就是说，在本实施方式中，彩色滤光图案CF7是在彩色滤光图案CF5形成之后才形成的。
[0181]进一步而言，由于彩色滤光图案CF7是在彩色滤光图案CF4以及彩色滤光图案CF5形成之后才形成的(即彩色滤光图案CF7同时覆盖与其相邻的彩色滤光图案CF4以及彩色滤光图案CF5)，故通过孔洞Z为一封闭式孔洞，借此可提高具有彩色滤光层10CFL的主动元件阵列基板的可靠度。
[0182]另外，在上述图13的实施方式中，彩色滤光图案CF2的孔洞V、彩色滤光图案CF3的孔洞W、彩色滤光图案CF4的孔洞10X、彩色滤光图案CF5的孔洞Y以及彩色滤光图案CF7的孔洞Z所设置的位置具有一致的方向。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，彩色滤光图案CF2的孔洞V、彩色滤光图案CF3的孔洞W、彩色滤光图案CF4的孔洞10X、彩色滤光图案CF5的孔洞Y以及彩色滤光图案CF7的孔洞Z所设置的位置也可以具有交错的方向。以下，将参照图14进行详细说明。
[0183]图14是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图14及图13，图14的彩色滤光层11CFL与图13的彩色滤光层1CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图13中的符号参照前述说明。
[0184]请参照图14，在本实施方式中，彩色滤光图案CF3包含孔洞11W，且孔洞IlW由彩色滤光图案CF3围绕而成。也就是说，在本实施方式中，孔洞IlW为一封闭式孔洞。另外，根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF3中的孔洞IlW亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞IlW内但却未延伸至彩色滤光图案CF3上。
[0185]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF2的孔洞V与彩色滤光图案CF3的孔洞IlW的配置方向是相反的。
[0186]值得一提的是，在本实施方式中，彩色滤光图案CF2的孔洞V与彩色滤光图案CF3的孔洞IlW之间仍存在有覆盖部CPl及彩色滤光图案CF3，且与孔洞V及孔洞IlW对应设置的像素电极皆不会延伸至覆盖部CPl及彩色滤光图案CF3上，借此搭配彩色滤光图案CF2及彩色滤光图案CF3的像素结构不易发生短路问题，进而提升制程良率。
[0187]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF7包含孔洞11Z，且孔洞IlZ由彩色滤光图案CF7围绕而成。也就是说，在本实施方式中，孔洞IlZ为一封闭式孔洞。另外，根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF7中的孔洞IlZ亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞IlZ内但却未延伸至彩色滤光图案CF7上。
[0188]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF4的孔洞1X与彩色滤光图案CF7的孔洞IIZ的配置方向是相反的。
[0189]值得一提的是，在本实施方式中，彩色滤光图案CF4的孔洞1X与彩色滤光图案CF7的孔洞IlZ之间仍存在有覆盖部CP5及彩色滤光图案CF7，且与孔洞1X及孔洞IlZ对应设置的像素电极皆不会延伸至覆盖部CP5及彩色滤光图案CF7上，借此搭配彩色滤光图案CFlS彩色滤光图案CF7的像素结构不易发生短路问题，进而提升制程良率。
[0190]另外，在前述图13的实施方式中，彩色滤光图案CF2?CF5、CF7分别都只有一个孔洞，即彩色滤光图案CF2具有孔洞V、彩色滤光图案CF3具有孔洞W、彩色滤光图案CF4具有孔洞10X、彩色滤光图案CF5具有孔洞Y、以及彩色滤光图案CF7具有孔洞Z。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，彩色滤光图案CF2?CF5、CF7分别也可以具有一个以上的孔洞。以下，将参照图15进行详细说明。
[0191]图15是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图15及图13，图15的彩色滤光层12CFL与图13的彩色滤光层1CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图13中的符号参照前述说明。
[0192]请参照图15，在本实施方式中，彩色滤光图案CF2除了包含孔洞V外，还包含孔洞12V，其中孔洞12V是由部分的彩色滤光图案CF2以及覆盖部CP6共同环绕而成。根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF2中的孔洞12V亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞12V内但却未延伸至覆盖部CP6上。
[0193]另外，在本实施方式中，覆盖部CP6和彩色滤光图案CFl彼此相邻接。也就是说，在本实施方式中，覆盖部CP6和彩色滤光图案CFl为同一膜层、具有同一材质。
[0194]另外，由于覆盖部CP6和彩色滤光图案CFl彼此相邻接，且彩色滤光图案CFl覆盖住一部分的彩色滤光图案CF2，故覆盖部CP6亦会覆盖住一部分的彩色滤光图案CF2。详细而言，覆盖部CP6与彩色滤光图案CF2部分地重叠，且彩色滤光图案CF2的与覆盖部CP6重叠的所述部分具有弧形轮廓Q。值得一提的是，在本实施方式中，在形成彩色滤光图案CF2之后且形成彩色滤光图案CFl之前，彩色滤光图案CF2本身具有一开放式孔洞，而在形成彩色滤光图案CFl之后，覆盖部CP6即覆盖住一部分的所述开放式孔洞以及所述弧形轮廓Q而形成孔洞12V。如此一来，在本实施方式中，通过覆盖部CP6覆盖住所述弧形轮廓Q，可避免彩色滤光图案CF2的弧形轮廓Q(即彩色滤光图案CF2的转角处)在后续可靠度试验中发生破裂，因而提高可靠度。
[0195]值得一提的是，与彩色滤光图案中设置封闭式孔洞的现有主动元件阵列基板相比，通过彩色滤光图案CF2具有开放式孔洞，使得搭配彩色滤光图案CF2的像素结构可具有较佳的空间利用率，借以提高开口率，并使得孔洞的设计可不受彩色滤光图案的制程解析度的限制。如此一来，所述像素结构能够被设计成较小的尺寸，借此使得具有彩色滤光层12CFL的主动元件阵列基板可有效地应用于高解析度产品上。
[0196]另外，在本实施方式中，覆盖部CP6具有相对的侧边162a和侧边162b，其中覆盖部CP6的侧边162b与彩色滤光图案CF2的侧边IlOa切齐。另外，在本实施方式中，覆盖部CP6的侧边162a和侧边162b之间的最小距离u为2μηι至15μηι。
[0197]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF3除了包含孔洞W外，还包含孔洞312W，其中孔洞12W由彩色滤光图案CF3围绕而成。也就是说，在本实施方式中，孔洞12W为一封闭式孔洞。另外，根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF3中的孔洞12W亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞12W内但却未延伸至彩色滤光图案CF3上。
[0198]另外，在本实施方式中，彩色滤光图案CF^了包含孔洞1X外，还包含孔洞12Χ，其中孔洞12Χ由彩色滤光图案CF4围绕而成。也就是说，在本实施方式中，孔洞12Χ为一封闭式孔洞。另外，根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF4中的孔洞12Χ亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞12Χ内但却未延伸至彩色滤光图案CF4上。
[0199]另外，彩色滤光图案CF5除了包含孔洞Y外，还包含孔洞12Υ，其中孔洞12Υ是由部分的彩色滤光图案CF5以及覆盖部2CP5共同环绕而成。根据上文图1至图4的实施方式，本领域技术人员应可理解，彩色滤光图案CF5中的孔洞12Υ亦是对应用以使像素电极与漏极电性连接的接触窗而设置，且所述像素电极的一部分延伸至孔洞12Υ内但却未延伸至覆盖部2CP5上。
[0200]另外，在本实施方式中，覆盖部2CP5和彩色滤光图案CF7彼此相邻接。也就是说，在本实施方式中，覆盖部2CP5和彩色滤光图案CF7为同一膜层、具有同一材质。
[0201]进一步而言，由于覆盖部2CP5和彩色滤光图案CF7彼此相邻接，且彩色滤光图案CF7覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5，故覆盖部2CP5亦会覆盖住一部分的彩色滤光图案CF5。详细而言，覆盖部2CP5与彩色滤光图案CF5部分地重叠，且彩色滤光图案CF5的与覆盖部2CP5重叠的所述部分具有弧形轮廓Q。值得一提的是，在本实施方式中，在形成彩色滤光图案CF5之后且形成彩色滤光图案CF7之前，彩色滤光图案CF5本身具有一开放式孔洞，而在形成彩色滤光图案CF7之后，覆盖部2CP5即覆盖住一部分的所述开放式孔洞以及所述弧形轮廓Q而形成孔洞12Υ。如此一来，在本实施方式中，通过覆盖部2CP5覆盖住所述弧形轮廓Q，可避免彩色滤光图案CF5的弧形轮廓Q(即彩色滤光图案CF5的转角处)在后续可靠度试验中发生破裂，因而提高可靠度。
[0202]值得一提的是，与彩色滤光图案中设置封闭式孔洞的现有主动元件阵列基板相比，通过彩色滤光图案CF5具有开放式孔洞，使得搭配彩色滤光图案CF5的像素结构可具有较佳的空间利用率，借以提高开口率，并使得孔洞的设计可不受彩色滤光图案的制程解析度的限制。如此一来，所述像素结构能够被设计成较小的尺寸，借此使得具有彩色滤光层12CFL的主动元件阵列基板可有效地应用于高解析度产品上。
[0203]另外，在本实施方式中，覆盖部2CP5具有相对的侧边252a和侧边252b，其中覆盖部2CP5的侧边252b与彩色滤光图案CF5的侧边130a切齐。另外，在本实施方式中，覆盖部2CP5的侧边252a和侧边252b之间的最小距离u为2μηι至15μηι。
[0204]另外，在前述图13、图14及图15的实施方式中，任一覆盖部的相对设置的两侧边之间的最小距离u皆为2μηι至15μηι，例如覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u为2μπι至15μπι。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，覆盖部的相对设置的两侧边之间的最小距离u也可以是介在其他范围之间。以下，将参照图16至图21进行详细说明。
[0205]图16是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图16及图13，图16的彩色滤光层13CFL与图13的彩色滤光层1CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图13中的符号参照前述说明。
[0206]详细而言，请同时参照图16及图13，图16的彩色滤光层13CFL与图13的彩色滤光层10CFL之间的差异主要在于:在图16的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离u、以及覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u皆介于5μπι至25μπι之间；而在图13的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、以及覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u皆介于2μπι至15μηι之间。
[0207]值得说明的是，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、以及覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u皆介于5μπι至25μπι之间，使得覆盖部CPl、覆盖部CP2、覆盖部CP3及覆盖部CP5能够更完整地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF3、彩色滤光图案CF4及彩色滤光图案CF5的转角处，借此更进一步提尚可靠度。
[0208]图17是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图17及图14，图17的彩色滤光层14CFL与图14的彩色滤光层11CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图13及图14中的符号参照前述说明。
[0209]详细而言，请同时参照图17及图14，图17的彩色滤光层14CFL与图14的彩色滤光层IlCFL之间的差异主要在于:在图17的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、以及覆盖部CP5的侧边1528和侧边15213之间的最小距离11皆介于541]1至2541]1之间；而在图14的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、以及覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u皆介于2μπι至15μπι之间。
[0210]值得说明的是，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、以及覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u皆介于5μπι至25μπι之间，使得覆盖部CP1、覆盖部CP3及覆盖部CP5能够更完整地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF4及彩色滤光图案CF5的转角处，借此更进一步提高可靠度。
[0211]另外，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、以及覆盖部CP5的侧边152a和侧边15213之间的最小距离11皆介于54111至2541]1之间，使得与图14的实施方式相比，孔洞IIW能够设置在更靠近孔洞V的位置以及孔洞IlZ能够设置在更靠近孔洞1X的位置。如此一来，在本实施方式中，搭配彩色滤光图案CF3及彩色滤光图案CF7的像素结构能够具有较佳的空间利用率，借以提尚开口率。
[0212]图18是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图18及图15，图18的彩色滤光层15CFL与图15的彩色滤光层12CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图13及图15中的符号参照前述说明。
[0213]详细而言，请同时参照图18及图15，图18的彩色滤光层15CFL与图15的彩色滤光层12CFL之间的差异主要在于:在图18的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离u、覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u、覆盖部2CP5的侧边252a和侧边252b之间的最小距离U、以及覆盖部CP6的侧边162a和侧边162b之间的最小距离u皆介于5μηι至25μηι之间；而在图15的实施方式中，覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离U、覆盖部2CP5的侧边252a和侧边252b之间的最小距离U、以及覆盖部CP6的侧边162a和侧边16213之间的最小距离11皆介于24111至1541]1之间。
[0214]值得说明的是，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离U、覆盖部2CP5的侧边252a和侧边252b之间的最小距离U、以及覆盖部CP6的侧边162a和侧边162b之间的最小距离u皆介于5μπι至25μπι之间，使得覆盖部CPl、覆盖部CP2、覆盖部CP3、覆盖部CP5、覆盖部2CP5及覆盖部CP6能够更完整地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF3、彩色滤光图案CF4、及彩色滤光图案CF5的转角处，借此更进一步提高可靠度。
[0215]另外，在本实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离U、覆盖部2CP5的侧边252a和侧边252b之间的最小距离U、以及覆盖部CP6的侧边162a和侧边162b之间的最小距离u皆介于5μπι至25μπι之间，使得与图15的实施方式相比，孔洞12W能够设置在更靠近孔洞V的位置、孔洞12Χ能够设置在更靠近孔洞W的位置、孔洞12Ζ能够设置在更靠近孔洞1X的位置、以及孔洞Z能够设置在更靠近孔洞12Y的位置。如此一来，在本实施方式中，搭配彩色滤光图案CF3、彩色滤光图案CF4、及彩色滤光图案CF4的像素结构能够具有较佳的空间利用率，借以提尚开口率。
[0216]图19是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图19及图13，图19的彩色滤光层16CFL与图13的彩色滤光层1CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图13中的符号参照前述说明。
[0217]详细而言，请同时参照图19及图13，图19的彩色滤光层16CFL与图13的彩色滤光层10CFL之间的差异主要在于:图19的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞1X的邻近于覆盖部CP5、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U皆小于图13的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞1X的邻近于覆盖部CP5、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U。
[0218]值得说明的是，如前文所述，由于图19的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPljL洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞1X的邻近于覆盖部CP5、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U皆小于图13的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞1X的邻近于覆盖部CP5、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U，故在图19的实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、以及覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u皆介于2μπι至15μπι之间，即可使得覆盖部CP1、覆盖部CP2、覆盖部CP3及覆盖部CP5能够有效地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF3、彩色滤光图案CF5及彩色滤光图案CF5的转角处，借以提高可靠度。
[0219]图20是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图20及图14，图20的彩色滤光层17CFL与图14的彩色滤光层11CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图13及图14中的符号参照前述说明。
[0220]详细而言，请同时参照图20及图14，图20的彩色滤光层17CFL与图14的彩色滤光层IlCFL之间的差异主要在于:图20的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、孔洞1X的邻近于覆盖部CP5、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U皆小于图14的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPl、孔洞1X的邻近于覆盖部CP5、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U。
[0221]值得说明的是，如前文所述，由于图20的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPljL洞1X的邻近于覆盖部CP5、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U皆小于图14的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPl、孔洞1X的邻近于覆盖部CP5、以及孔洞Y的邻近覆盖部CP3的宽度U，故在图20的实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、以及覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离u皆介于2μπι至15μπι之间，即可使得覆盖部CPl、覆盖部CP3以及覆盖部CP5能够有效地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF4及彩色滤光图案CF5的转角处，借以提高可靠度。
[0222]图21是本发明另一实施方式的主动元件阵列基板中的彩色滤光层的上视示意图。请同时参照图21及图15，图21的彩色滤光层18CFL与图15的彩色滤光层12CFL相似，因此相似或相同的构件以相似或相同的元件符号表示，且相关说明即不再赘述。以下，将就两者间的差异处做说明，两者相同处请依图1至图4、图13及图15中的符号参照前述说明。
[0223]详细而言，请同时参照图21及图15，图21的彩色滤光层18CFL与图15的彩色滤光层12CFL之间的差异主要在于:图21的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞Y的邻近覆盖部CP3、孔洞1X的邻近覆盖部CP5、孔洞12V的邻近覆盖部CP6、以及孔洞12Y的邻近于覆盖部2CP5的宽度U皆小于图15的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CP1、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞Y的邻近覆盖部CP3、孔洞1X的邻近覆盖部CP5、孔洞12V的邻近覆盖部CP6、以及孔洞12Y的邻近于覆盖部2CP5的宽度U。
[0224]值得说明的是，如前文所述，由于图21的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPljL洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞Y的邻近覆盖部CP3、孔洞1X的邻近覆盖部CP5、孔洞12V的邻近覆盖部CP6、以及孔洞12Y的邻近于覆盖部2CP5的宽度U皆小于图15的实施方式中孔洞V的邻近于覆盖部CPl、孔洞W的邻近于覆盖部CP2、孔洞Y的邻近覆盖部CP3、孔洞1X的邻近覆盖部CP5、孔洞12V的邻近覆盖部CP6、以及孔洞12Y的邻近于覆盖部2CP5的宽度U，故在图21的实施方式中，通过覆盖部CPl的侧边112a和侧边112b之间的最小距离U、覆盖部CP2的侧边122a和侧边122b之间的最小距离U、覆盖部CP3的侧边132a和侧边132b之间的最小距离U、覆盖部CP5的侧边152a和侧边152b之间的最小距离U、覆盖部2CP5的侧边252a和侧边252b之间的最小距离U、以及覆盖部CP6的侧边162a和侧边162b之间的最小距离u皆介于2μηι至15μηι之间，即可使得覆盖部CP1、覆盖部CP2、覆盖部CP3、覆盖部CP5、覆盖部2CP5、及覆盖部CP6能够有效地覆盖住彩色滤光图案CF2、彩色滤光图案CF3、彩色滤光图案CF4及彩色滤光图案CF5的转角处，借以提高可靠度。
[0225]综上所述，在上述实施方式所提出的主动元件阵列基板中，通过在第一方向上相邻设置的两彩色滤光图案中的一彩色滤光图案包含由本身的一部分以及覆盖部共同环绕而成的孔洞，且所述覆盖部和另一彩色滤光图案邻接，使得主动元件阵列基板可具有良好的开口率及可靠度，并能够应用于高解析度产品上。
[0226]虽然本发明已以实施方式说明如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求书的范围为准。
【主权项】
1.一种主动元件阵列基板，包括: 一基板； 多条扫描线以及多条数据线，位于该基板上，其中每一扫描线沿一第一方向延伸，每一数据线沿一第二方向延伸，且该第一方向与该第二方向相交错； 一第一像素结构与一第二像素结构，位于该基板上且沿该第一方向相邻设置，其中该第一像素结构及该第二像素结构分别与所述多条扫描线的其中之一以及所述多条数据线的其中之一电性连接，该第一像素结构包括一第一主动元件以及一第一像素电极，且该第二像素结构包括一第二主动元件以及一第二像素电极；以及 一第一彩色滤光图案与一第二彩色滤光图案，位于该基板上且分别对应该第一像素结构及该第二像素结构设置，其中该第一彩色滤光图案包含一第一孔洞，且该第一孔洞是由部分该第一彩色滤光图案以及一第一覆盖部共同环绕而成，且该第一覆盖部和该第二彩色滤光图案邻接。2.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其中该第一像素电极的一部分延伸至该第一孔洞内且未延伸至该第一覆盖部上。3.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其中该第二彩色滤光图案和该第一彩色滤光图案部分重叠。4.如权利要求3所述的主动元件阵列基板，其中该第一彩色滤光图案具有一第一侧边，该第一覆盖部具有相对的一第二侧边和一第三侧边，其中该第一侧边与该第二彩色滤光图案重叠，且该第三侧边与该第一侧边切齐。5.如权利要求4所述的主动元件阵列基板，其中该第一覆盖部与该第一彩色滤光图案重叠，且该第一彩色滤光图案的与该第一覆盖部重叠的部分具有弧形轮廓。6.如权利要求4所述的主动元件阵列基板，其中该第二侧边与该第三侧边之间的最小距离为2μηι至15μηι。7.如权利要求4所述的主动元件阵列基板，其中该第二侧边与该第三侧边之间的最小距离为5μηι至25μηι。8.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其中该第一彩色滤光图案还包含一第二孔洞，且该第二孔洞是由部分该第一彩色滤光图案以及一第二覆盖部共同环绕而成。9.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其中第二彩色滤光图案包含一第三孔洞，且该第三孔洞由第二彩色滤光图案围绕而成。10.如权利要求9所述的主动元件阵列基板，其中该第二像素电极的一部分延伸至该第一第三孔洞内且未延伸至该第二彩色滤光图案上。11.如权利要求9所述的主动元件阵列基板，其中该第二彩色滤光图案还包含一第四孔洞，且该第四孔洞由第二彩色滤光图案围绕而成。
【文档编号】G02F1/1362GK105974698SQ201610409976
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年6月12日
【发明人】曾胜煊, 纪志贤, 李美慧, 黄圣硕
【申请人】友达光电股份有限公司