主动元件阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种主动元件阵列基板。
【背景技术】
[0002]随着显示器技术不断的开发，因应未来显示器的需求包括轻薄、坚固、方便携带、易读取信息及多功能整合等特性，平面显示器有逐渐取代传统显示器的趋势。结合未来生活情境，对智能生活型态将强调互动与连接、个人化以及取得信息的便利性，平面显示器的各类产品，如笔记型电脑、监视器、显示器、电视及电子书等，将会越来越广泛地出现在你我的身旁。
[0003]在一般平面显示器中，平坦层的材质多为有机材料，其具有吸水气的特性，因此水气会通过平坦层传输进入显示区，而劣化内部的金属元件。为了克服这个问题，有些制造商会在平坦层中形成沟槽，以避免水气通过平坦层进入显示区。然而，由于沟槽与平坦层之间会产生较大的高低差，因此在后续的制造工艺中，有可能会有金属残留在平坦层与沟槽的交界处，这些残留金属有可能会与其他电子线路产生电性耦合，进而造成电阻电容负载的问题° (Resistance-Capacitance loading ；RC loading)。
[0004]因此，如何有效阻隔水气进入显示区，又不影响元件的电性特性，在当前仍有卓越成长空间的平面显示器产业中，是相当重要的课题之一。
【发明内容】
[0005]本发明的一技术态样是在提供一种主动元件阵列基板，其在平坦层毗邻沟槽的至少一侧设置截断结构，藉此截断可能存在的导体图案，以避免造成无法忽略的电性问题。
[0006]根据本发明一或多个实施方式，一种主动元件阵列基板包含基板本体、像素电路、平坦层与导体图案。像素电路位于基板本体上。平坦层位于基板本体上，并与像素电路至少部分重叠。平坦层具有沟槽。沟槽位于基板本体的周边区并围绕像素电路。平坦层毗邻沟槽的至少一侧具有截断结构。导体图案至少位于部分沟槽中并毗邻平坦层的该至少一侦牝且导体图案具有多个不连续的片段，两相邻的片段之间存在间隙，此间隙与平坦层的截断结构相对应。
[0007]在本发明一或多个实施方式中，上述的截断结构具有宽度最宽的底部，以及宽度最窄的端部。截断结构的宽度由底部向端部缩小。
[0008]在本发明一或多个实施方式中，上述的截断结构具有宽度最宽的底部，以及宽度最窄的端部。截断结构从底部到端部的距离，大于或等于底部的宽度的两倍。
[0009]在本发明一或多个实施方式中，上述的截断结构为平坦层的缺口。
[0010]在本发明一或多个实施方式中，上述的截断结构为平坦层的凸出结构。
[0011]在本发明一或多个实施方式中，上述的凸出结构连接该沟槽两侧的平坦层，而使得沟槽不连续，并且凸出结构包含至少一孔洞。
[0012]在本发明一或多个实施方式中，上述的沟槽包含多个主孔洞与至少一补强孔洞。主孔洞彼此分开，使得两相邻的主孔洞之间存在截断结构。补强孔洞与主孔洞分开，但至少部分与截断结构相对，其中凸出结构至少部分介于主孔洞与补强孔洞之间。
[0013]在本发明一或多个实施方式中，上述的截断结构具有呈锯齿状的侧面。
[0014]在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板还包含引线。引线电连接像素电路，且至少部分位于平坦层与基板本体之间。上述的引线在基板本体上的正投影，与导体图案在基板本体上的正投影至少部分重叠。
[0015]在本发明一或多个实施方式中，上述的像素电路包含扫描线、数据线、薄膜晶体管与像素电极。扫描线电连接引线。薄膜晶体管的栅极电连接扫描线。薄膜晶体管的源极电连接数据线。像素电极电连接薄膜晶体管的漏极。
[0016]在本发明一或多个实施方式中，上述的像素电路包含扫描线、数据线、薄膜晶体管与像素电极。数据线电连接引线。薄膜晶体管的栅极电连接扫描线。薄膜晶体管的源极电连接数据线。像素电极电连接薄膜晶体管的漏极。
[0017]在本发明一或多个实施方式中，上述的沟槽位于平坦层中，使得平坦层具有毗邻沟槽的相对两侧。截断结构的数量为多个，截断结构分别位于平坦层毗邻沟槽的相对两侧。
[0018]根据本发明一或多个实施方式，一种主动元件阵列基板包含基板本体、像素电路与平坦层。基板本体具有显示区与围绕显示区的周边区。像素电路位于基板本体的显示区上。平坦层位于基板本体上，并与像素电路至少部分重叠。平坦层具有沟槽，位于基板本体的周边区并围绕像素电路。平坦层毗邻沟槽的至少一侧具有截断结构。截断结构具有宽度最宽的底部，以及宽度最窄的端部。截断结构的宽度由底部向端部缩小，且截断结构从底部到端部的距离，大于或等于底部的宽度的两倍。
[0019]在本发明一或多个实施方式中，上述的截断结构为平坦层的缺口。
[0020]在本发明一或多个实施方式中，上述的截断结构为平坦层向沟槽凸出的凸出结构。
[0021]在本发明一或多个实施方式中，上述的截断结构具有呈锯齿状的侧面。
[0022]在本发明一或多个实施方式中，上述的沟槽位于平坦层中，使得平坦层具有毗邻沟槽的相对两侧。截断结构的数量为多个，截断结构分别位于平坦层毗邻沟槽的相对两侧。
[0023]本发明上述实施方式的平坦层在毗邻沟槽的一侧设置截断结构，因此能够避免因残留金属所导致的电性问题。
【附图说明】
[0024]图1绘示依照本发明一实施方式的主动元件阵列基板的俯视图。
[0025]图2绘示沿图1的线段2-2的剖面图。
[0026]图3绘示沿图1的线段3-3的剖面图。
[0027]图4绘示图1的区域4的放大图。
[0028]图5绘示依照本发明另一实施方式的主动元件阵列基板的区域4的放大图。
[0029]图6绘示依照本发明再一实施方式的主动元件阵列基板的区域4的放大图。
[0030]图7绘示图1的单一像素电路的俯视图。
[0031]图8绘示沿图7的线段8-8的剖面图。
[0032]图9绘示依照本发明另一实施方式的主动元件阵列基板的区域4的放大图。
[0033]图10绘示依照本发明再一实施方式的主动元件阵列基板的区域4的放大图。
[0034]符号说明:
[0035]2-2:线段
[0036]3-3:线段
[0037]4:区域
[0038]8-8:线段
[0039]100:主动元件阵列基板
[0040]110:基板本体
[0041]120:像素电路
[0042]122:扫描线
[0043]124:数据线
[0044]126:薄膜晶体管
[0045]128:像素电极
[0046]130:平坦层
[0047]132:沟槽
[0048]133:孔洞
[0049]133M:主孔洞
[0050]133S:补强孔洞
[0051]134:截断结构
[0052]135:保护层
[0053]136:侧面
[0054]138:截断结构
[0055]140:导体图案
[0056]142:片段
[0057]150:引线
[0058]160:引线
[0059]170:遮光金属层
[0060]AR:显示区
[0061]B:底部
[0062]BW:宽度
[0063]C:通道区
[0064]D:漏极
[0065]E:距离
[0066]G:栅极
[0067]⑶:栅极驱动器
[0068]G1:栅介电层
[0069]PR:周边区
[0070]S:源极
[0071]SD:源极驱动器
[0072]T:端部
[0073]TH:贯孔
【具体实施方式】
[0074]以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方