等离子显示屏及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种等离子显示屏及其制备方法。该等离子显示屏包括上基板及与之相对封接在一起的下基板，上基板及下基板之间形成有多个放电单元，其中，上基板朝向放电单元的表面上设置有介质保护层，介质保护层上设置有碳纳米管与金属氧化物形成的复合层。本发明的等离子显示屏介质保护层上设置有碳纳米管与金属氧化物形成的复合层，由于碳纳米管具有较低开口电压、较大的场发射电流、优良的场发射性能，同时，其化学物理性能稳定，不容易分解或与其他物质发生反应，因此，其作为辅助电离源，从而减少了等离子显示屏的放电延迟时间，有效的提高等离子显示屏的性能、降低能耗。
【专利说明】等离子显示屏及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及气体放电【技术领域】，具体而言，涉及一种等离子显示屏及其制备方法。【背景技术】
[0002]最近几年，液晶、PDP等平板电视有了迅猛的发展。PDP电视因为易于实现大型化，在42寸以上电视中占据主要的地位。但近几年，随着平板电视面板产能急剧膨胀，供过于求，价格居于低位。因此提高PDP性能，提高PDP与液晶等其他平板电视的竞争力，成了摆在PDP生产厂家面前的一个主要课题。
[0003]PDP分为电极结构被介质层覆盖的交流型等离子体显示屏(AC-PDP)和金属电极暴露在放电空间的直流型rop (DC-PDP)，其中AC-PDP占主导地位。
[0004]PDP发光的基本过程包括:1.气体放电过程，即稀有气体在外加电场作用下放电，使原子受激跃迁，辐射出真空紫外线的过程；2.荧光粉的发光过程，即利用气体放电发出的紫外线激发光致荧光粉发出可见光的过程。气体放电的过程是气体在外加电场的作用下电离的过程，但在低温下，气体电离需要的外加电压比较高，而较高的外加电压使得PDP模组电路对器件的要求更加严格，不利于PDP模组电路降低成本，同时，较高的外加电压也不利于rop降低功耗。
[0005]从在电极间加上一个大于着火电压的瞬时，到气体击穿所需的时间称为气体放电延迟或击穿时滞。总的气体放电延迟由两部分组成:1)统计性时间延迟ts-从电极加上电压的瞬时到空间出现一个可引起电子雪崩的电子所需的时间；2)形成性时间延迟tf-从阴极前出现一个可进行电子雪崩的电子起，经过多种碰撞过程达到使气体击穿所需的时间。延迟时间的存在，使得PDP每个子场中复位期和寻址期时间比较长，与PDP亮度直接相关维持期时间比较短，不利于PDP光效和性能的提高，功耗的降低。
【发明内容】
[0006]本发明旨在提供一种等离子显示面板及其制备方法，以解决现有技术中等离子显示屏的放电延迟时间长、着火电压高的技术问题。
[0007]为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种等离子显示屏。该等离子显示屏包括上基板及与之相对封接在一起的下基板，上基板及下基板之间形成有多个放电单元，其中，上基板朝向放电单元的表面上设置有介质保护层，介质保护层上设置有碳纳米管与金属氧化物形成的复合层。
[0008]进一步地，复合层中碳纳米管的质量百分含量为0.01-50%。
[0009]进一步地，复合层中碳纳米管的质量百分含量为0.01-10%。
[0010]进一步地，金属氧化物为MgO和/或CaO。
[0011]进一步地，复合层在介质保护层上的覆盖率为0-20%。
[0012]进一步地，复合层在介质保护层上的覆盖率为5-15%。
[0013]进一步地，金属氧化物的颗粒粒径为0-10 U m。[0014]进一步地，金属氧化物的颗粒粒径为500_2000nm。
[0015]进一步地，碳纳米管以单层管、双层管、多层管、开口管、闭口管、填充管中的一种或多种形式存在。
[0016]根据本发明的另一个方面，提供一种上述等离子显示屏的制备方法。该制备方法包括上基板、下基板的制备，及上基板和下基板的封接步骤，其中，上基板的制备中包括介质保护层的设置，在介质保护层设置完成后进一步包括复合层的设置步骤:采用超声波将由碳纳米管与金属氧化物形成的复合粉在无水乙醇或丙酮中分散均匀，得复合溶液；将复合溶液通过印刷或喷涂的方法形成复合层。
[0017]本发明的等离子显示屏介质保护层上设置有碳纳米管与金属氧化物形成的复合层，由于碳纳米管具有较低开口电压、较大的场发射电流、优良的场发射性能，同时，其化学物理性能稳定，不容易分解或与其他物质发生反应，因此，其作为辅助电离源，从而减少了等离子显示屏的放电延迟时间，有效的提高等离子显示屏的性能、降低能耗。
【具体实施方式】
[0018]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合实施例来详细说明本发明。
[0019]根据本发明一种典型的实施方式，该等离子显示屏包括上基板及与之相对封接在一起的下基板，上基板及下基板之间形成有多个放电单元，其中，上基板朝向放电单元的表面上设置有介质保护层，介质保护层上设置有碳纳米管与金属氧化物形成的复合层。由于碳纳米管具有较低开口电压、较大的场发射电流、优良的场发射性能，同时，其化学物理性能稳定，不容易分解或与其他物质发生反应，因此，其作为辅助电离源，从而减少了等离子显示屏的放电延迟时间，有效的提高等离子显示屏的性能、降低能耗。
[0020]由于碳纳米管团聚到一起，不易均匀的覆盖到PDP介质保护膜表面，所以本发明采用了碳纳米管的分散方法。PDP的介质保护膜对水和有机污染敏感，因此，本发明中以碳纳米管分散均匀和对介质保护膜污染少作为开发标准。
[0021]碳纳米管比较轻，会在等离子体的轰击下迁移到非放电区，失去作为辅助电离源的作用，优选地，复合层中碳纳米管的质量百分含量为0.01-50%，使碳纳米管与金属氧化物复合，提高碳纳米管抗轰击能力。进一步优选地，复合层中碳纳米管的质量百分含量为0.01-10%。
[0022]优选地，金属氧化物为MgO和/或CaO，因为MgO和CaO的抗轰击能力，而且具有较高的二次电子发射系数。
[0023]根据本发明一种典型的实施方式，复合层在介质保护层上的覆盖率为0_20%，在不增加表面导电率，避免造成壁电荷损失而使着火电压升高的同时保证屏亮度，优选地，复合层在介质保护层上的覆盖率为5-15%。
[0024]优选地，金属氧化物的颗粒粒径为0-10 U m,便于该颗粒在介质保护膜上的分散，进一步优选地，金属氧化物的颗粒粒径为500-2000nm。
[0025]根据本发明一种典型的实施方式，碳纳米管以单层管、双层管、多层管、开口管、闭口管、填充管中的一种或多种形式存在。
[0026]根据本发明的另一个方面，提供本发明一种典型的实施方式，上述等离子显示屏的制备方法包括上基板、下基板的制备，及上基板和下基板的封接步骤，其中，上基板的制备中包括介质保护层的设置，在介质保护层设置完成后进一步包括复合层的设置步骤:采用超声波将由碳纳米管与金属氧化物形成的复合粉在无水乙醇或丙酮中分散均匀，得复合溶液；将复合溶液通过印刷或喷涂的方法形成复合层。其中，制备碳纳米管与金属氧化物复合粉末方法可以是溶胶凝胶法、共沉淀法或机械复合法。
[0027]下面将结合实施例进一步说明本发明的有益效果。
[0028]实施例1
[0029]本实施例的等离子显示屏包括上基板及与之相对封接在一起的下基板，上基板及下基板之间形成有多个放电单元，其中，上基板朝向放电单元的表面上设置有介质保护层，介质保护层上设置有碳纳米管与金属氧化物形成的复合层。其中，复合层中碳纳米管的质量百分含量为50%，金属氧化物为MgO和CaO，复合层在介质保护层上的覆盖率为20%，金属氧化物的颗粒粒径为0-10 ym，碳纳米管以单层管、双层管形式存在。
[0030]上述等离子显示屏的制备方法包括上基板、下基板的制备，及上基板和下基板的封接步骤，其中，上基板的制备中包括介质保护层的设置，在介质保护层设置完成后进一步包括复合层的设置步骤:采用超声波将由碳纳米管与金属氧化物形成的复合粉在无水乙醇或丙酮中分散均匀，得复合溶液；将复合溶液通过印刷的方法形成复合层。
[0031]实施例2
[0032]本实施例的等离子显示屏包括上基板及与之相对封接在一起的下基板，上基板及下基板之间形成有多个放电单元，其中，上基板朝向放电单元的表面上设置有介质保护层，介质保护层上设置有碳纳米管与金属氧化物形成的复合层。其中，复合层中碳纳米管的质量百分含量为I %，金属氧化物为MgO，复合层在介质保护层上的覆盖率为10%，金属氧化物的颗粒粒径为500-2000nm，碳纳米管以开口管形式存在。
[0033]上述等离子显示屏的制备方法包括上基板、下基板的制备，及上基板和下基板的封接步骤，其中，上基板的制备中包括介质保护层的设置，在介质保护层设置完成后进一步包括复合层的设置步骤:采用超声波将由碳纳米管与金属氧化物形成的复合粉在无水乙醇或丙酮中分散均匀，得复合溶液；将复合溶液通过喷涂的方法形成复合层。
[0034]对比例
[0035]与实施例1结构相同的等离子显示屏，只是缺少复合层的设置。
[0036]对实施例1-2及对比例的等离子显示屏进行性能参数测定，结果如表1所示:
[0037]表1
[0038]
【权利要求】
1.一种等离子显示屏，包括上基板及与之相对封接在一起的下基板，所述上基板及下基板之间形成有多个放电单元，其中，所述上基板朝向所述放电单元的表面上设置有介质保护层，其特征在于，所述介质保护层上设置有碳纳米管与金属氧化物形成的复合层。
2.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，所述复合层中碳纳米管的质量百分含量为0.01-50%。
3.根据权利要求2所述的等离子显示屏，其特征在于，所述复合层中碳纳米管的质量百分含量为0.01-10%。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的等离子显示屏，其特征在于，所述金属氧化物为MgO 和 / 或 CaO。
5.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，所述复合层在所述介质保护层上的覆盖率为0-20%。
6.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，所述复合层在所述介质保护层上的覆盖率为5-15%。
7.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，所述金属氧化物的颗粒粒径为0-10um。
8.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，所述金属氧化物的颗粒粒径为500_2000nm。
9.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，所述碳纳米管以单层管、双层管、多层管、开口管、闭口管、填充管中的一种或多种形式存在。
10.一种权利要求1-9中任一项所述的等离子显示屏的制备方法，包括上基板、下基板的制备，及所述上基板和所述下基板的封接步骤，其中，所述上基板的制备中包括介质保护层的设置，其特征在于，在所述介质保护层设置完成后进一步包括复合层的设置步骤: 采用超声波将由碳纳米管与金属氧化物形成的复合粉在无水乙醇或丙酮中分散均匀，得复合溶液； 将所述复合溶液通过印刷或喷涂的方法形成所述复合层。
【文档编号】H01J9/24GK103794437SQ201110459490
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2011年12月31日 优先权日:2011年12月31日
【发明者】张鑫 申请人:四川虹欧显示器件有限公司