专利名称：等离子显示面板的制造方法
技术领域：
在此公开的技术涉及用于显示设备等的等离子显示面板的制造方法。
背景技术：
等离子显示面板(以下，称作rop)由前面板和背面板构成。前面板由玻璃基板、在玻璃基板的一个主面上形成的显示电极、覆盖显示电极而起到电容器的作用的电介质层、在电介质层上形成的氧化镁(MgO)形成的保护层构成。为了增加来自保护层的初始电子放射数，例如试着在保护层的MgO中添加了硅
(Si)、铝(Al)等(例如，参照专利文献1、2、3、4、5等)。
在先技术文献专利文献专利文献I日本特开2002-260535号公报专利文献2日本特开平11-339665号公报专利文献3日本特开2006-59779号公报专利文献4日本特开平8-236028号公报专利文献5日本特开平10-334809号公报
发明内容
是具备放电空间、和与所述放电空间相对置的保护层的PDP的制造方法。通过向所述放电空间导入包含还原性有机气体的气体，从而使保护层暴露在还原性有机气体中。接着，从放电空间排出还原性有机气体。接着，向放电空间封入放电气体。保护层具有由氧化镁构成的基底膜、和分散配置在基底膜上的多个金属氧化物粒子。金属氧化物粒子至少包含第I金属氧化物和第2金属氧化物。并且，金属氧化物粒子在X射线衍射分析中至少具有一个峰值。该峰值位于第I金属氧化物在X射线衍射分析中的第I峰值、与第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间。第I峰值及第2峰值表示与该峰值示出的面方位相同的面方位。第I金属氧化物及第2金属氧化物是从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选择的2种化合物。
图I是表示实施方式所涉及的rop结构的立体图。图2是表示实施方式所涉及的前面板的构成的剖视图。图3是表示实施方式所涉及的rop的制造工艺流程的图。图4是表示第I温度分布例的图。图5是表示第2温度分布例的图。图6是表示第3温度分布例的图。图7是表示实施方式所涉及的基底膜表面的X射线衍射分析结果的图。
图8是表示实施方式所涉及的其他基底膜表面的X射线衍射分析结果的图。图9是实施方式所涉及的凝集粒子的放大图。图10是表示I3DP的放电延迟与基底膜中的钙浓度之间的关系的图。图11是表示rop的电子放射性能与Vscn点亮电压的图。图12是表示凝集粒子的平均粒径与电子放射性能的关系的图。
具体实施例方式[I. PDPl 的结构]PDP的基本结构是一般的交流面放电型TOP。如图I、图2所示，PDPl对置配置了由前面玻璃基板3等构成的前面板2、和由背面玻璃基板11等构成的背面板10。前面板2·和背面板10的外周部被由玻璃料等构成的密封材料密封。在密封后的ropi内部的放电空间16中，以53kPa (400Torr) 80kPa (600Torr)的压力封入了氖(Ne)及氣(Xe)等放电气体。在前面玻璃基板3上彼此平行地分别排列配置多列由扫描电极4及维持电极5构成的一对带状的显示电极6、和黑色长条7。在前面玻璃基板3上，以覆盖显示电极6和黑色长条7的方式形成起到电容器的作用的电介质层8。并且，在电介质层8的表面形成由氧化镁(MgO)等构成的保护层9。另外，将在后面详细叙述保护层9。扫描电极4及维持电极5分别在由铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等导电性金属氧化物构成的透明电极上层叠由Ag构成的总线电极。在背面玻璃基板11上，在与显示电极6正交的方向上彼此平行地配置了由以银(Ag)为主成分的导电性材料构成的多个数据电极12。数据电极12被基底电介质层13覆盖。并且，在数据电极12间的基底电介质层13上形成划分放电空间16的规定高度的隔壁14。在隔壁14间的沟槽内，按每个数据电极12依次涂敷形成了根据紫外线发出红色光的突光体层15、发出绿色光的突光体层15及发出蓝色光的突光体层15。在显不电极6与数据电极12交叉的位置上形成放电单元。具有在显示电极6的方向上排列的红色、绿色、蓝色的荧光体层15的放电单元成为用于进行彩色显示的像素。另外，在本实施方式中，封入到放电空间16内的放电气体包含10体积％以上、30%体积以下的Xe。[2. PDPl的制造方法]如图3所示，本实施方式所涉及的I3DPl的制造方法包括前面板制作工序Al、背面板制作工序BI、玻璃料涂敷工序B2、密封工序Cl、还原性气体导入工序C2、排气工序C3及放电气体供给工序C4。[2-1.前面板制作工序Al]在前面板制作工序Al中，通过光刻法，在前面玻璃基板3上形成扫描电极4、维持电极5和黑色长条7。扫描电极4及维持电极5具备包含用于确保导电性的银(Ag)的金属总线电极4b、5b。此外，扫描电极4及维持电极5具备透明电极4a、5a。金属总线电极4b被层叠在透明电极4a上。金属总线电极5b被层叠在透明电极5a上。在透明电极4a、5a的材料中，使用用于确保透明度和电传导性的铟锡氧化物(ITO)等。首先，通过溅射法等，在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。接着，通过光刻法，形成规定图案的透明电极4a、5a。在金属总线电极4b、5b的材料中使用包含银(Ag)、用于使银粘结的玻璃料、感光性树脂和溶剂等在内的电极膏剂。首先，通过丝网印刷法等，在前面玻璃基板3上涂敷电极膏剂。接着，通过干燥炉，除去电极膏剂中的溶剂。接着，隔着规定图案的光掩模使电极膏剂曝光。接着，使电极膏剂显影，形成金属总线电极图案。最后，通过烧成炉，在规定温度下烧成金属总线电极图案。也就是说，除去金属总线电极图案中的感的光性树脂。此外，使金属总线电极图案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成后再次玻璃化。通过以上的工序，形成金属总线电极4b、5b。黑色长条7是由包含黑色颜料的材料形成的。接着，形成电介质层8。接着，形成电介质层8及保护层9。将在后面详细叙述电介质层8及保护层9。 通过以上的工序，完成在前面玻璃基板3上具有规定的构成部件的前面板2。[2-2.背面板制作工序BI]通过光刻法，在背面玻璃基板11上形成数据电极12。在数据电极12的材料中，使用包含用于确保导电性的银(Ag)、用于使银粘结的玻璃料、感光性树脂和溶剂等在内的数据电极膏剂。首先，通过丝网印刷法等，在背面玻璃基板11上以规定厚度涂敷数据电极膏齐U。接着，通过干燥炉，除去数据电极膏剂中的溶剂。接着，隔着规定图案的光掩模，使数据电极膏剂曝光。接着，使数据电极膏剂显影，形成数据电极图案。最后，通过烧成炉，在规定温度下烧成数据电极图案。也就是说，除去数据电极图案中的感光性树脂。此外，使数据电极图案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成后再次玻璃化。通过以上的工序，形成数据电极12。在此，除了通过丝网印刷形成数据电极膏剂的方法以外，也可以使用溅射法、蒸镀法等。接着，形成基底电介质层13。在基底电介质层13的材料中，使用包含电介质玻璃料、树脂和溶剂的基底电介质膏剂。首先，通过丝网印刷法等，在形成了数据电极12的背面玻璃基板11上以规定厚度覆盖数据电极12的方式涂敷基底电介质膏剂。接着，通过干燥炉，除去基底电介质膏剂中的溶剂。最后，通过烧成炉,在规定温度下烧成基底电介质膏剂。也就是说，除去基底电介质膏剂中的树脂。此外，使电介质玻璃料熔融。熔融后的电介质玻璃料在烧成后再次玻璃化。通过以上的工序，形成基底电介质层13。在此，除了通过丝网印刷基底电介质膏剂的方法以外，还可以使用压模涂敷法(die coating method)、旋涂法等。此外，也可以不使用基底电介质膏剂，而是通过CVD(Chemical Vapor Deposition)法等来形成成为基底电介质层13的膜。接着，通过光刻法，形成隔壁14。在隔壁14的材料中，使用包含填料、用于使填料粘结的玻璃料、感光性树脂和溶剂等的隔壁膏剂。首先，通过压模涂敷法等，在基底电介质层13上上以规定厚度涂敷隔壁膏剂。接着，通过干燥炉，除去隔壁膏剂中的溶剂。接着，隔着规定图案的光掩模，使隔壁膏剂曝光。接着，使隔壁膏剂显影，形成隔壁图案。最后，通过烧成炉，在规定温度下烧成隔壁图案。也就是说，除去隔壁图案中的感光性树脂。此外，使隔壁图案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成后再次被玻璃化。通过以上的工序，形成隔壁14。在此，除了光刻法以外，还可以使用喷砂法等。接着，形成荧光体层15。在荧光体层15的材料中，使用包含荧光体粒子、粘合剂和溶剂等的荧光体膏剂。首先，通过分配法等，在相邻的隔壁14间的基底电介质层13上及隔壁14的侧面上以规定厚度涂敷荧光体膏剂。接着，通过干燥炉，除去荧光体膏剂中的溶齐U。最后，通过烧成炉，在规定温度下烧成荧光体膏剂。也就是说，除去荧光体膏剂中的树月旨。通过以上的工序，形成荧光体层15。在此，除了为分配法以外，还可以使用丝网印刷法等。通过以上的工序，完成在背面玻璃基板11上具备规定的构成部件的背面板10。[2-3.玻璃料涂敷工序B2]在通过背面板制作工序BI制作出的背面板10的图像显示区域外，涂敷作为密封部件的玻璃料。之后，在350°C左右的温度下预烧成玻璃料。通过该预烧成，除去溶剂成分 等。作为密封部件，优选以氧化铋、氧化钒为主成分的填料。作为以该氧化铋为主成分的填料，例如可使用在Bi2O3-B2O3-RO-MO系(在此R是Ba、Sr、Ca、Mg中的任一个，M是Cu、Sb、Fe中的任一个)的玻璃材料中添加了由A1203、SiO2、堇青石等氧化物构成的填料的材料。此外，作为以氧化钒为主成分的填料，可以使用例如在V2O5-BaO-TeO-WO系的玻璃材料中添加了由A1203、SiO2、堇青石等氧化物构成的填料的材料。[2-4.密封工序Cl至放电气体供给工序C4]对置配置前面板2、和经过了玻璃料涂敷工序BI的背面板10，并通过密封部件密封周边部。之后,在放电空间16内封入放电气体。本实施方式所涉及的密封工序Cl、还原性气体导入工序C2、排气工序C3、及放电气体供给工序C4在同一装置中进行图4至图6例示的温度分布处理。图4至图6中的密封温度是通过作为密封部件的填料对前面板2和背面板10进行密封时的温度。本实施方式中的密封温度例如约为490°C。此外，图4至图6中的软化点是使作为密封部件的填料软化的温度。本实施方式中的软化点例如约为430°C。并且，图4至图6中的排气温度是从放电空间排出包含还原性有机气体在内的气体时的温度。本实施方式中的排气温度例如约为400°C。[2-4-1.第I温度分布]如图4所示，首先，在密封工序Cl中，温度从室温上升至密封温度。接着，温度在a_b的期间内维持密封温度。之后，温度在b-c的期间内从密封温度下降至排气温度。在b-c的期间内，对放电空间内进行排气。也就是说，放电空间内处于减压状态。接着，在还原性气体导入工序C2中，温度在c-d的期间内，维持排气温度。在c-d的期间内，向放电空间内导入包含还原性有机气体的气体。在c-d的期间内，保护层9暴露在包含还原性有机气体的气体中。之后，在排气工序C3中，温度在规定的期间内维持排气温度。之后，温度下降至室温左右。在d-e的期间内，通过使放电空间内排气，从而排出包含还原性有机气体的气体。接着，在放电气体供给工序C4中，向放电空间内导入放电气体。也就是说，在温度下降到室温左右的e以后的期间内导入放电气体。[2-4-2.第2温度分布]如图5所示，首先，在密封工序Cl中，温度从室温上升至密封温度。接着，温度在a_b的期间内维持密封温度。之后，温度在b-c的期间内从密封温度下降至排气温度。在温度维持在排气温度上的c-dl的期间内，使放电空间内排气。也就是说，放电空间内处于减压状态。接着，在还原性气体导入工序C2中，温度在dl-d2的期间内维持排气温度。在dl-d2的期间，向放电空间内导入包含还原性有机气体的气体。在dl-d2的期间内，保护层9暴露在包含还原性有机气体的气体中。之后，在排气工序C3中，在规定的期间内温度维持在排气温度上。之后，温度下降至室温左右。在d2_e的期间内，通过使放电空间内排气，从而排出包含还原性有机气体的气体。接着，在放电气体供给工序C4中，向放电空间内导入放电气体。也就是说，在温度下降至室温左右的e以后的期间内导入放电气体。[2-4-3.第3温度分布]·
如图6所示，首先，在密封工序Cl中，温度从室温上升至密封温度。接着，温度在a-bl_b2的期间内维持密封温度。在a-bl的期间内，使放电空间内排气。也就是说，放电空间内处于减压状态。之后，温度在b2-c的期间内从密封温度下降至排气温度。还原性气体导入工序C2是在密封工序Cl的期间内进行的。温度在bl_b2的期间内维持密封温度。之后，在b2-c的期间内，温度下降至排气温度。在bl-c的期间内，向放电空间内导入包含还原性有机气体的气体。在bl-c的期间内，保护层9暴露在包含还原性有机气体的气体中。之后，在排气工序C3中，温度在规定的期间内维持在排气温度。之后，温度下降至室温左右。在c-e的期间内，通过使放电空间内排气，从而排出包含还原性有机气体的气体。接着，在放电气体供给工序C4中，向放电空间内导入放电气体。也就是说，在温度下降至室温左右的e以后的期间内，导入放电气体。另外，所有温度分布都具有大致等同作用。[2-4-4.还原性有机气体的详细介绍]如表I所示，作为还原性有机气体，优选分子量在58以下的还原能力较大的CH系有机气体。通过在稀有气体或氮气等中混合从各种还原性有机气体中选出的至少一种气体，从而制作包含还原性有机气体的气体。表I
有机气体 I C I H I分子量蒸气压沸点分解容易度还原能力 ~2 2 26AAAA
~ZM2 4 28AA AA
~ZM2 6 30AABA
~甲基乙块3 4 40AAAA
权利要求
1.一种等离子显示面板的制造方法，该等离子显示面板具备放电空间、和与所述放电空间相对置的保护层，其中， 所述保护层具有由氧化镁构成的基底膜、和分散配置在所述基底膜上的多个金属氧化物粒子， 所述金属氧化物粒子至少包含第I金属氧化物和第2金属氧化物，并且 所述金属氧化物粒子在X射线衍射分析中具有至少一个峰值， 所述峰值位于所述第I金属氧化物在X射线衍射分析中的第I峰值、与所述第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间， 所述第I峰值及所述第2峰值表示与所述峰值示出的面方位相同的面方位， 所述第I金属氧化物及所述第2金属氧化物是从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选择的2种化合物， 通过向所述放电空间导入包含还原性有机气体的气体，从而使所述保护层暴露在所述还原性有机气体中， 接着，从所述放电空间排出所述还原性有机气体， 接着，向所述放电空间封入放电气体。
2.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 所述还原性有机气体是不含氧的碳氢化合物系气体。
3.根据权利要求2所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 所述还原性有机气体是从乙炔、乙烯、甲基乙炔、丙二烯、丙烯、环丙烷、丙烷及丁烷之中选择的至少一种。
4.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 按照所述金属氧化物粒子的覆盖率在5%以上且50%以下的方式，分散配置所述金属氧化物粒子。
5.根据权利要求4所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 按照所述金属氧化物粒子的覆盖率在5%以上且25%以下的方式，分散配置所述金属氧化物粒子。
6.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 所述保护层还具有在所述基底膜上分散配置的凝集了多个氧化镁的结晶粒子而成的凝集粒子， 在所述基底膜上与所述金属氧化物粒子一起分散配置所述凝集粒子。
全文摘要
本发明提供一种具备放电空间、和与放电空间相对置的保护层的等离子显示面板的制造方法。通过向所述放电空间导入包含还原性有机气体的气体，从而使保护层暴露在还原性有机气体中。接着，从放电空间排出还原性有机气体。接着，向放电空间封入放电气体。保护层具有由氧化镁构成的基底膜、和分散配置在基底膜上的多个金属氧化物粒子。金属氧化物粒子至少包含第1金属氧化物和第2金属氧化物。并且，金属氧化物粒子在X射线衍射分析中至少具有一个峰值。该峰值位于第1金属氧化物在X射线衍射分析中的第1峰值、与第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间。第1峰值及第2峰值表示与该峰值示出的面方位相同的面方位。
文档编号H01J9/02GK102812532SQ20118001562
公开日2012年12月5日 申请日期2011年3月17日 优先权日2010年3月26日
发明者后藤真志, 辻田卓司, 河原崎秀司, 堀河敬司, 小盐千春, 奥村加奈子, 三浦正范 申请人:松下电器产业株式会社