双sd卡激光切割方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及SD卡制作技术领域，尤其涉及一种双SD卡激光切割方法。
【背景技术】
[0002]随着社会经济生活的发展，在日常生产、生产流通领域中都要用到SD卡，但现有技术中，切割SD卡的技术非常落后，往往采用人工切割的方法对SD卡进行切割，但人工切割SD卡的方法，效率低下，成本高，经济性差，并且由于人工操作的不稳定性，切割作业的差错率高，很容易在切割过程中破坏SD卡的物理结构。
[0003]因此，本领域的技术人员一直致力于研发一种高效率、高稳定性的SD卡切割方法。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种双SD卡激光切割方法，该双SD卡激光切割方法工作效率高、能精确地调整待切割SD卡的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对SD卡切割的位置进行准确定位，切割出来的SD卡芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供的双SD卡激光切割方法包括:提供SD卡，该SD卡包括正面和与该正面相对应的背面，通过激光切割工艺自所述SD卡的正面向其背面进行切割，所述激光切割工艺包括左激光发生器及右激光发生器发出激光，对激光通过左光路结构及右光路结构进行扩束、整形、滤掉杂光，然后将激光传到左切割头及右切割头，所述左切割头、右切割头预先配置有切割图像，所述左切割头根据左切割头配置的图像及左CCD摄像头确定的SD卡切割点对所述SD卡进行切割、所述右切割头根据右切割头配置的图像及右CCD摄像头确定的SD卡切割点对所述SD卡进行切割，以形成多个分离的SD芯片。
[0006]优选地，所述激光切割工艺包括以下步骤:
[0007]S1:激光切割设备启动；
[0008]S2:判断是运用所述左切割机构进行切割，还是运用所述右切割机构进行切割，如果是左切割机构进行切割执行步骤S3，如果是右切割机构进行切割执行步骤S4。
[0009]S3:所述左切割机构开始进行切割，以形成多个分离的SD芯片。
[0010]S4:所述右切割机构开始进行切割，以形成多个分离的SD芯片。
[0011]其中:步骤S3及步骤S4可同时执行或单独执行。
[0012]优选地，所述左光路结构、右光路结构分别包括:反射镜、扩束镜、光阑及振镜。
[0013]优选地，所述步骤S3的实现步骤包括:
[0014]S301:所述左激光发生器发出激光；
[0015]S302:将从所述左激光发生器发出的激光进行扩束，并进行滤除杂光；
[0016]S303:将滤除杂光后的激光传递到所述左切割头；
[0017]S304:所述左(XD摄像头对所述SD卡进行拍照，所述左切割头根据所述左切割头配置的图像及左CCD摄像头确定的SD卡切割点对所述SD卡进行切割，以形成多个分离的SD芯片。
[0018]优选地，所述步骤S4的实现步骤包括:
[0019]S401:所述右激光发生器发出激光；
[0020]S402:将从所述右激光发生器发出的激光进行扩束，并进行滤除杂光；
[0021]S403:将滤除杂光后的激光传递到所述右切割头；
[0022]S404:所述右CCD摄像头对所述SD卡进行拍照，所述右切割头根据所述右切割头配置的图像及右CCD摄像头确定的SD卡切割点对所述SD卡进行切割，以形成多个分离的SD芯片。
[0023]优选地，所述步骤S302的实现步骤包括:
[0024]S3021:将从所述左激光发生器发出的激光经过所述扩束镜进行多倍扩束；
[0025]S3022:将经过所述扩束镜的激光经过反射镜，再经过所述光阑进行滤除杂光、然后传递给所述振镜。
[0026]优选地，所述步骤S402的实现步骤包括:
[0027]S4021:将从所述左激光发生器发出的激光经过所述扩束镜进行多倍扩束；
[0028]S4022:将经过所述扩束镜的激光经过反射镜，再经过所述光阑进行滤除杂光、然后传递给所述振镜。
[0029]优选地，所述步骤S304的实现步骤包括:
[0030]S3041:所述左(XD摄像头对所述待切割SD卡进行拍照，并将拍摄到的照片进行分析，然后确定好所述SD卡上面的切割点。
[0031]S3042:左切割头根据左切割头配置的切割图像及左(XD摄像头反馈回来的切割点数据对所述SD卡进行切割。
[0032]S3043:使左(XD摄像头确定的切割道贯穿于整个SD卡，以形成多个分离的SD芯片。
[0033]优选地，所述步骤S404的实现步骤包括:
[0034]S4041:所述右(XD摄像头对所述待切割SD卡进行拍照，并将拍摄到的照片进行分析，然后确定好所述SD卡上面的切割点。
[0035]S4042:右切割头根据右切割头配置的切割图像及右(XD摄像头反馈回来的切割点数据对所述SD卡进行切割。
[0036]S4043:使右(XD摄像头确定的切割道贯穿于整个SD卡，以形成多个分离的SD芯片。
[0037]采用上述方法之后，提供SD卡，该SD卡包括正面和与该正面相对应的背面，通过激光切割工艺自所述SD卡的正面向其背面进行切割，左激光发生器及右激光发生器发出激光，对激光通过左光路结构及右光路结构进行扩束、整形、滤掉杂光，然后将激光传到左切割头及右切割头，所述左切割头、右切割头预先配置有切割图像，所述左切割头根据左切割头配置的图像及左CCD摄像头确定的SD卡切割点对所述SD卡进行切割，所述右切割头根据右切割头配置的图像及右CCD摄像头确定的SD卡切割点对所述SD卡进行切割，以形成多个分离的SD芯片。该双SD卡激光切割方法工作效率高、能精确地调整待切割SD卡的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对SD卡切割的位置进行准确定位，切割出来的SD卡芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强。
【附图说明】
[0038]图1为本发明双SD卡激光切割工艺的执行流程图；
[0039]图2为图1中步骤S3的实现流程图；
[0040]图3为图1中步骤S4的实现流程图；
[0041]图4为图2中步骤S302的实现流程图；
[0042]图5为图3中步骤S402的实现流程图；
[0043]图6为图2中步骤S304的实现流程图；
[0044]图7为图3中步骤S404的实现流程图。
【具体实施方式】
[0045]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
[0046]请参阅图1，图1为本发明双SD卡激光切割工艺的执行流程图；在本实施例中，双SD卡激光切割方法包括:提供SD卡，该SD卡包括正面和与该正面相对应的背面，通过激光切割工艺自所述SD卡的正面向其背面进行切割，所述激光切割工艺包括左激光发生器及右激光发生器发出激光，对激光通过左光路结构及右光路结构进行扩束、整形、滤掉杂光，然后将激光传到左切割头及右切割头，所述左切割头、右切割头预先配置有切割图像，所述左切割头根据左切割头配置的图像及左CCD摄像头确定的SD卡切割点对所述SD卡进行切害I]、所述右切割头根据右切割头配置的图像及右CCD摄像头确定的SD卡切割点对所述SD卡进行切割，以形成多个分离的SD芯片。
[0047]激光切割工艺10包括以下步骤:
[0048]S1:激光发生器发出激光；
[0049]S2:将从所述激光发生器发出的激光进行第一次扩束，并进行滤除杂光；
[0050]S3:对所述激光进行第二次扩束，并将扩束后的激光传递到切割头；
[0051]S4:CCD摄像头对所述晶圆进行拍照，切割头根据CCD摄像头确定的晶圆切割点对所述晶圆进行切割，以形成多个分离的芯片。
[0052]其中:步骤S3及步骤S4可同时执行或单独执行。
[0053]所述左光路结构、右光路结构分别包括:反射镜、扩束镜、光阑及振镜。
[0054]请参阅图2，图2为图1中步骤S3的实现流程图；
[0055]所述步骤S3的实现步骤包括:
[0056]S301:所述左激光发生器发出激光；
[0057]S302:将从所述左激光发生器发出的激光进行扩束，并进行滤除杂光；
[0058]S303:将滤除杂光后的激光传递到所述左切割头；
[0059]S304:所述左(XD摄像头对所述SD卡