一种tqfp芯片的pcb封装设计及焊接方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电路板设计以及焊接领域，尤其涉及一种TQFP芯片的PCB封装设计及焊接方法。
【背景技术】
[0002]目前市场上的电子产品越来越复杂，电子元器件种类也越来越丰富。很多芯片底部都有一大块导热的裸露焊盘，而且一般这块焊盘是GND的，我们称之为E-PAD。它是PCB设计中很容易忽视的一个方面，它对于实现PCB设计的最佳性能和有效散热至关重要。它是一个重要的链接，芯片的所有内部接地都是通过它连接到电路的其他元器件。所以，要求这种芯片的E-PAD必须接地充分，一旦接地不可靠，则芯片无法正常工作。
[0003]那么问题来了，此种焊盘怎么设计，怎么焊才能保证这种芯片的接地焊盘可靠接地呢？如果手工焊，那么至少在此焊盘中有一个过孔或焊孔，焊接时，焊盘先镀上锡，将芯片放上去，然后烙铁在反面，加热对应位置的过孔或焊孔，热传过去，焊锡融化就焊上了。或者先镀上锡，将芯片放上去，然后用热风枪加热，使得局部高温即可焊上。但是手工焊接，不仅不能保证加热均匀，对于焊锡的量也不好控制，如果在焊盘上积累很多的焊锡，形成一个焊锡层，这样对四侧管脚的焊接加大了难度，安全可靠性同时降低。
[0004]如果采用机贴回流焊，通常这种芯片焊脚的平面与底部接地焊盘的平面有一定的间距，就是说芯片贴上去后那个接地焊盘不是紧贴板面的，离板面还有一定的距离。而一般的机贴回流焊所用的焊锡量都不多，这样就无法保证此焊盘的可靠焊接。同时，焊盘中间的焊孔也容易漏锡，造成虚焊，故而SMT回流焊也出现很多此种芯片接地不良的现象。
【发明内容】
[0005]针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提出一种能保证TQFP芯片焊接可靠的PCB封装设计及焊接方法。
[0006]本发明提供一种TQFP芯片的PCB封装设计及焊接方法，包括如下步骤:
[0007]将TQFP芯片底部的接地导热裸露焊盘分割成一个带焊孔的不规则大焊盘和一个不带焊孔的贴片小焊盘，且大焊盘与小焊盘之间用铜箔予以连接；
[0008]将包含TQFP芯片的PCB预涂锡膏上机自动贴装进行回流焊；
[0009]用烙铁手工补焊，将大焊孔中间灌锡以弥补回流焊造成的漏锡虚焊以保证分割的大焊盘与小焊盘都可靠接地。
[0010]通过本发明提供的所述TQFP芯片的PCB封装设计及焊接方法焊接的PCB板上的TQFP封装芯片的焊接不良率明显降低，不仅降低了生产成本，也提高了产品质量。
【附图说明】
[0011]图1为本发明提供的一种TQFP芯片的PCB封装设计及焊接方法的流程图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本发明的技术方案:
[0013]请参照图1，本发明提供了一种一种TQFP芯片的PCB封装设计及焊接方法，包括如下步骤:
[0014]将TQFP芯片底部的接地导热裸露焊盘分割成一个带焊孔的不规则大焊盘和一个不带焊孔的贴片小焊盘，且大焊盘与小焊盘之间用铜箔予以连接；
[0015]将包含TQFP芯片的PCB预涂锡膏上机自动贴装进行回流焊；
[0016]用烙铁手工补焊，将大焊孔中间灌锡以弥补回流焊造成的漏锡虚焊以保证分割的大焊盘与小焊盘都可靠接地。
[0017]通过本发明提供的所述TQFP芯片的PCB封装设计及焊接方法焊接的PCB板上的TQFP封装芯片的焊接不良率明显降低，不仅降低了生产成本，也提高了产品质量。
[0018]上面对本发明进行了描述，显然本发明的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种TQFP芯片的PCB封装设计及焊接方法，包括如下步骤: 将TQFP芯片底部的接地导热裸露焊盘分割成一个带焊孔的不规则大焊盘和一个不带焊孔的贴片小焊盘，且大焊盘与小焊盘之间用铜箔予以连接； 将包含TQFP芯片的PCB预涂锡膏上机自动贴装进行回流焊； 用烙铁手工补焊，将大焊孔中间灌锡以弥补回流焊造成的漏锡虚焊以保证分割的大焊盘与小焊盘都可靠接地。
【专利摘要】本发明提供一种TQFP芯片的PCB封装设计及焊接方法，先将TQFP芯片底部的接地导热裸露焊盘分割成一个带焊孔的不规则大焊盘和一个不带焊孔的贴片小焊盘，且大焊盘与小焊盘之间用铜箔予以连接；再将包含TQFP芯片的PCB预涂锡膏上机自动贴装进行回流焊；最后用烙铁手工补焊，将大焊孔中间灌锡以弥补回流焊造成的漏锡虚焊以保证分割的大焊盘与小焊盘都可靠接地。通过该方法焊接的PCB板上的TQFP封装芯片的焊接不良率明显降低，不仅降低了生产成本，也提高了产品质量。
【IPC分类】B23K3/00, B23K1/00
【公开号】CN105397221
【申请号】CN201510862782
【发明人】邓丽, 何涛, 刘宝华
【申请人】长沙奥托自动化技术有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年12月1日