专利名称：紫外光子复合辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法
技术领域：
本发明涉及化学气相沉积。
背景技术：
目前有多种化学气相沉积(CVD)制备金刚石薄膜的方法，如热丝CVD法、微波CVD法、直流辉光放电CVD法、等离子体喷射CVD法等。从质量及成本综合考虑，直流辉光放电CVD法制备金刚石薄膜的产业化前景较为乐观，但它仍存在电极易受辉光放电的高温影响而烧蚀挥发，影响金刚石薄膜质量的缺点。而降低辉光温度，又会降低薄膜的生长速度和质量。
发明内容
本发明的目的是提供一种在降低辉光温度情况下，可保持和提高金刚石薄膜的生长速度和质量的制备金刚石薄膜的方法，本发明是这样实现的，它是在已有直流辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜方法的基础上，再复合以紫外光对反应腔中的生长衬底表面进行照射。用该方法制备金刚石薄膜具有生长速度快和质量高的优点。
(四)实施例它是在一直流辉光放电化学气相沉积金刚石膜反应腔内安设一套可发射波长为200-300nm紫外光的紫外光源，经聚光系统聚光后照射在生长衬底表面。用该方法制备金刚石薄膜，生长速度达12μm/h，热导率达15W/cm·K。
权利要求
紫外光子复合辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法，其特征是，它是用紫外光对直流辉光放电化学气相沉积金刚石膜反应腔中的生长衬底表面进行照射。
全文摘要
紫外光子复合辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法，其特征是，它是用紫外光对直流辉光放电化学气相沉积金刚石膜反应腔中的生长衬底表面进行照射。用该方法制备金刚石薄膜具有生长速度快和质量高的优点。
文档编号C23C16/27GK1412346SQ0113630
公开日2003年4月23日 申请日期2001年10月9日 优先权日2001年10月9日
发明者申家镜, 彭鸿雁, 邵春雷, 魏雪峰 申请人:黑龙江省光电技术研究所