聚合物粉化学镀镍配方及工艺的制作方法

文档序号:3352677阅读:319来源:国知局
专利名称:聚合物粉化学镀镍配方及工艺的制作方法
技术领域
本发明涉及一种可用于磁流变液、吸波涂层等特殊领域里的轻质磁性材料的制备----聚合物粉化学镀镍配方及工艺。
背景技术
磁流变液是通过控制外磁场强度,改变材料的粘滞系数等物理特性,从而达到控制器件动力性能的智能材料。吸波材料是指能够有效地吸收入射雷达波并使其散射衰减的一类功能材料,广泛用于隐身技术中。在实际应用中,磁流变液和吸波材料遇到了传统磁性材料密度大所造成的难题。即磁流变液的固相颗粒通常是铁、钴、镍等径度为微米量级的多畴软磁材料,其密度往往比连续相大,磁性颗粒因重力作用沉降而导致分层,影响了其推广应用;而吸波材料运用传统的吸收剂,因其密度大,而给器械增重。轻质磁性材料有望解决这一难题,利用化学镀技术制备能运用到磁流变液、吸波涂层的磁性聚合物粉工艺及配方未见报道。

发明内容
本发明的目的提供一种在聚合物粉(如聚苯乙烯、聚乙烯、聚氯乙烯等)上化学镀镍制备轻质磁性材料--磁性聚合物粉的配方及工艺。
聚合物粉上化学镀镍,首先将聚合物粉经除油、粗化、敏化、活化等预处理后,进行化学镀镍。
聚合物粉化学镀镍液配方如下硫酸镍20-40克/升次亚磷酸钠20-40克/升柠檬酸钠 10-20克/升氯化铵40-50克/升化学镀镍的工艺步骤为(1)按化学镀镍液配方,分别溶解硫酸镍,柠檬酸钠,氯化铵和次亚磷酸钠;(2)将氯化铵倒入硫酸镍溶液中,搅拌均匀后将溶液倒入柠檬酸钠溶液中;(3)使用前加入还原剂次亚磷酸钠,最后稀释致所需体积,并用氨水调节pH值至8.5-9.5;
(4)将经过除油、粗化、敏化、活化等预处理后的聚合物粉放入上述配制好的镀液中进行化学镀镍,施镀温度35-55℃,施镀时间1.5-2.5小时。
整个化学镀镍的工艺路线 注*活化液可重复使用,但要经常补充新液。
**这一步骤完成后,微球表面的颜色应从原来的白色变为淡褐色,表面浸钯较好。否则应重复活化步骤。
***干燥步骤可不采用。
本发明涉及到的聚合物粉上化学镀镍工艺和配方,简单、方便、易于操作和控制,镀液稳定,不易变质,制备出的磁性聚合物粉技术参数今人满意。化学镀镍包覆磁粉的密度在1.4左右,而用于磁流变液中传统磁性颗粒的密度为7-8g/cm3,已小了许多,达到了实验研究的目的。从包覆前后的SEM图可明显看出聚合物粉包覆层致密,颗粒分散较好。经电子能谱仪测试镀层成分,镍包覆磁粉含Ni86.86%、Co2.45%、P5.41。经X-射线衍射仪测试证实磁性镀层在镀态下为晶态结构。
具体实施例方式
实施例首先将聚合物粉经除油、粗化、敏化、活化等预处理后,进行化学镀镍。
1、粗化液配方及工艺条件重铬酸钾30克/升硫酸477毫升/升磷酸(85%) 50毫升/升时间(t) 50分钟温度(T) 65℃2、敏化液配方及工艺条件氯化亚锡40克/升盐酸100毫升/升温度室温3、活化液配方及工艺条件氯化钯 0.1-0.3克/升氯化亚锡10-20克/升盐酸150-250毫升/升温度室温4、化学镀镍液配方硫酸镍 30克/升次亚磷酸钠 20克/升柠檬酸钠15克/升氯化铵 45克/升5、化学镀镍的工艺步骤为(1)按化学镀镍液配方,分别溶解硫酸镍,柠檬酸钠,氯化铵和次亚磷酸钠;(2)将氯化铵倒入硫酸镍溶液中,搅拌均匀后将溶液倒入柠檬酸钠溶液中;(3)使用前加入还原剂次亚磷酸钠,最后稀释致所需体积,并用氨水调节pH值至8.5;(4)将经过除油、粗化、敏化、活化等预处理后的聚合物粉放入上述配制好的镀液中进行化学镀镍,施镀温度45℃,施镀时间1.5小时。
权利要求
1.一种聚合物粉化学镀镍配方,其特征在于化学镀镍液配方如下硫酸镍 20-40克/升次亚磷酸钠 20-40克/升柠檬酸钠10-20克/升氯化铵 40-50克/升
2.一种聚合物粉化学镀镍工艺,工艺包括聚合物粉除油、粗化、敏化、活化等预处理,其特征在于工艺步骤如下(1)按权利要求1所述的化学镀镍液配方,分别溶解硫酸镍,柠檬酸钠,氯化铵和次亚磷酸钠;(2)将氯化铵倒入硫酸镍溶液中,搅拌均匀后将溶液倒入柠檬酸钠溶液中;(3)使用前加入还原剂次亚磷酸钠,最后稀释致所需体积,并用氨水调节pH值至8.5-9.5;(4)将经过除油、粗化、敏化、活化等预处理后的聚合物粉放入上述配制好的镀液中进行化学镀镍,施镀温度35-55℃,施镀时间1.5-2.5小时。
全文摘要
本发明公开了一种可用于磁流变液、吸波涂层等特殊领域里的轻质磁性材料的制备-聚合物粉化学镀镍配方及工艺。化学镀镍工艺和配方主要包括硫酸镍,柠檬酸钠,氯化铵,次亚磷酸钠,pH值8.5-9.5,温度35-55℃,时间1.5-2.5小时。本发明简单、方便、易于操作和控制,镀液稳定,不易变质,制备出的磁性聚合物粉技术参数令人满意,可广泛用于非金属粉体上化学镀镍工艺中。
文档编号C23C18/20GK1752284SQ200410078900
公开日2006年3月29日 申请日期2004年9月24日 优先权日2004年9月24日
发明者刘峥 申请人:桂林工学院
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