专利名称：研磨垫及研磨方法
技术领域：
本发明是有关于一种研磨垫及研磨方法，且特别是有关于一种可以使基底 表面获得较佳研磨均匀度的研磨垫及研磨方法。
背景技术：
随着集成电路、微机电、能源转换、通讯、储存碟片、及显示器等元件的 精密度越来越高，为了确保元件的可靠度，在制作这些元件时对所使用的基底
(如半导体晶圆、IIIV族晶圆、储存元件载体、陶瓷基底、高分子聚合物基底、 及玻璃基底等)，提供平坦的表面是十分重要的。
在平坦化制程中，研磨制程经常为产业所使用。 一般来说，研磨制程是对 被固定的基底施加一压力以将其压置于研磨垫上，并在基底及研磨垫表面彼此 进行相对运动。借由此相对运动所产生的摩擦，移除部分基底表面，而使其表 面逐渐平坦。
图1是现有的一种研磨垫的俯视示意图。研磨垫100包括研磨层110与多 个圆形沟槽120。研磨层110会与基底130表面相接触。多个圆形沟槽120是 以同心圆的方式而配置，且圆形沟槽120的圆心与研磨垫100的旋转轴线Co 相同。圆形沟槽120是用来容纳或排除研磨所产生的残屑或副产物，并可使基 底130于研磨完毕时较容易自研磨垫IOO上移开。
在进行研磨时，除了研磨垫100转动，位于研磨垫IOO表面上的基底130 本身也会自转，以确保基底130表面各部分都可以与圆形沟槽120接触。然而， 由于传统研磨垫100上的圆形沟槽120是正圆形沟槽且基底130是以通过其中 心点的轴线作为旋转轴而自转。因此当基底130的特定点旋转至平行沟槽位置 时，此特定点将固定处于沟槽处或非沟槽处，若以处于沟槽处为例，则此特定 点相邻的点则固定处于非沟槽处，因此造成研磨均匀度不佳。而且，基底130 越靠近其中心部分之处，此问题越显严重，因为在整个研磨过程，基底130的中心部分几乎会固定地与研磨垫100上的特定位置(例如沟槽处或是非沟槽处)
接触。因此造成靠近基底130中心部分之处，其研磨率会较其余部分的研磨率 低或高(视中心部分固定于沟槽处或是非沟槽处)。基底130的研磨率不均匀的 问题，可能进而影响元件的可靠度。
因此，需要一种研磨垫以提供较佳的研磨均匀度。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种研磨垫，能够使基底表面各部分的研磨率具有 较佳的均匀度。
本发明另提供一种研磨方法，可有助于获得具有较平坦表面的基底。 本发明提出一种研磨垫，适于用以研磨一基底。此研磨垫包括研磨层以及
至少两个沟槽。研磨层具有均匀轨迹区，且均匀轨迹区环绕一旋转轴线而配置。
沟槽则配置于均匀轨迹区内，并满足下式-
D(i)max = D(i+n)min 其中，D(i)max表示自旋转轴线至第i个沟槽的最长距离；D(i+n)min表示自旋 转轴线至第(i+n)个沟槽的最短距离；以及i为从最靠近旋转轴线的沟槽向均匀 轨迹区外围算起的沟槽的序数，且n为整数。
本发明另提出一种研磨垫，适于用以研磨一基底。此研磨垫包括研磨层以 及至少二个沟槽。研磨层具有均匀轨迹区。沟槽配置于均匀轨迹区内。各沟槽 分别构成一个研磨轨迹，其中研磨轨迹彼此之间相邻接。
本发明又提出一种研磨垫，适于用以研磨一基底。此研磨垫包括研磨层以 及沟槽。研磨层具有均匀轨迹区。均匀轨迹区被划分成至少二个研磨轨迹，且 研磨轨迹彼此相邻接。各研磨轨迹内配置有至少一沟槽，其中沟槽在研磨轨迹
内各处具有均匀分布的轨线(trajectory)。
本发明提出一种研磨方法，适于用以研磨一基底。首先，提供一研磨垫。 接着，对基底施加一压力以将其压置于研磨垫上。继而，对基底及研磨垫提供 一相对运动。其中，此研磨垫包括研磨层以及至少两个沟槽。研磨层具有均匀 轨迹区，且均匀轨迹区环绕一旋转轴线而配置。沟槽则配置于均匀轨迹区内，
并满足下式
6D(i)max = D(i+n)min
其中，D(加ax表示自旋转轴线至第i个沟槽的最长距离；D(i询min表示自旋 转轴线至第(i+n)个沟槽的最短距离；以及i为从最靠近旋转轴线的沟槽向均匀 轨迹区外围算起的沟槽的序数，且n为整数。
本发明另提出一种研磨方法，适于用以研磨一基底。首先，提供一研磨垫。 接着，该基底施加一压力以将其压置于研磨垫上。之后，对基底及研磨垫提供 一相对运动。其中，此研磨垫包括研磨层以及至少二个沟槽。研磨层具有均匀 轨迹区。沟槽配置于均匀轨迹区内。各沟槽分别构成一个研磨轨迹，其中研磨 轨迹彼此之间相邻接。
本发明又提出一种研磨方法，适于用以研磨一基底。首先，提供一研磨垫。 接着，对基底施加一压力以将其压置于研磨垫上。之后，对基底及研磨垫提供 一相对运动。其中，此研磨垫包括研磨层以及沟槽。研磨层具有均匀轨迹区。 均匀轨迹区被划分成至少二个研磨轨迹，且研磨轨迹彼此相邻接。各研磨轨迹 内配置有至少一沟槽，其中沟槽在研磨轨迹内各处具有均匀分布的轨线。
本发明的研磨垫及研磨方法因采用具有特殊沟槽设计的研磨垫，因此使用 此研磨垫进行研磨制程时，可有助于使被研磨基底表面的研磨率具有较佳的均 匀度。
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发 明的具体实施方式
作详细说明，其中
图1是现有的一种研磨垫的俯视示意图。
图2A是依照本发明的一实施例的一种研磨垫的俯视示意图。
图2B是依照本发明的另一实施例的一种研磨垫的俯视示意图。
图3A至图3E分别是依照本发明的一实施例的沟槽构形的俯视示意图。
图4是依照本发明的一实施例的沟槽配置的俯视示意图。
图5A至图5B分别是依照本发明的另一实施例的沟槽配置的俯视示意图。
图6是依照本发明的又一实施例的沟槽的俯视示意图。
主要元件符号说明100、 200、 200a:研磨垫
110、 210:研磨层 120:圆形沟槽
130、 240、 240a:基底
212:均匀轨迹区
212a、 212b:边界
220、 220a、 220b、 220c 226、 227、 228:沟槽
228a:次沟槽
230、 230a、 230b、 230c 236、 237、 238:研磨轨迹
300:圆弧角
310:凸出部
Q)、 C1:旋转轴线
C2:圆心
w、 wa、 wb、 wc、 wd、
W8:宽度
具体实施例方式
本发明的研磨方法，适于用以研磨一基底。首先，提供一研磨垫，此研磨 垫例如是具有特殊的沟槽设计，其中各沟槽会分别形成对应的研磨轨迹，而这 些研磨轨迹会构成均匀轨迹区。接着，对基底施加一压力以将其压置于研磨垫 上。然后，对基底及研磨垫提供一相对运动，以移除基底的部分表面，来达到 平坦化的效果。由于研磨垫具有均匀轨迹区，因此使用本发明的研磨方法可以 使基底表面获得较佳的研磨均匀度。此外，本发明的研磨方法还可选择性地于
硏磨过程中供应研浆(slurry)或溶液，使此研磨方法成为化学机械研磨(chemical mechanical polishing, CMP)帝'J程。
接下来将一一分别说明用以进行上述研磨方法的具有特殊沟槽设计的研 磨垫。以下的说明是用来详述本发明以使此熟习该项技术者能够据以实施，但
、220d、 220e、 220f、 221、 222、 223、 224、 225、
、230d、 230e、 230f、 231、 232、 233、 234、 235、
We、 Wf、 W、W2、 W3、 W4、 W5、 W6、 W并非用以限定本发明的范围。
图2A是依照本发明的一实施例的一种研磨垫的俯视示意图。请参照图2A， 研磨垫200适于在进行研磨时，用以研磨基底240的表面。研磨垫200例如是 由聚合物基材所构成，聚合物基材可以是聚酯(polyester)、聚醚(polyether)、聚 胺酯(polyurethane)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丁 二烯(polybutadiene)、或其余经由合适的热固性树脂(thermosetting resin)或热塑 性树脂(thermoplastic resin)所合成的聚合物基材等。研磨垫200除聚合物基材 外，另可包含导电材料、研磨颗粒、或可溶解添加物于此聚合物基材中。
研磨垫200包括研磨层210以及至少两个沟槽220。研磨层210具有均匀 轨迹区212，均匀轨迹区212是由研磨垫200转动时沟槽220相对经过的轨线 均匀分布所构成的区域。在一实施例中，均匀轨迹区212例如是对应至基底240 的中心部分而配置。均匀轨迹区212例如是以环绕着旋转轴线d的方式而配置， 其中旋转轴线C,的延伸方向为垂直于研磨层210的方向。详言之，如图2A所 示，均匀轨迹区212实质上会配置在位于研磨垫200的最内部与最外部之间的 中间区域，亦即介于边界212a与边界212b之间的区域。均匀轨迹区212例如 是具有环状外形，且具有与旋转轴线C,重迭的几何中心。在此实施例的整个研 磨过程，基底240的中心部分就会交互经过沟槽处及非沟槽处，而不会固定地 与研磨垫210上的沟槽处或非沟槽处接触。因此使基底240中心部分与其余部 分的研磨率较为一致。
在一实施例中，均匀轨迹区212具有至少35mm的宽度，均匀轨迹区212 的宽度例如是介于40mm至基底240的最大尺寸。此外，均匀轨迹区212以外 的部分可另配置有其他沟槽。均匀轨迹区212也可选择分布至研磨垫200表面 的大部分，例如均匀轨迹区212的宽度可达研磨垫200半径的百分的九十五。
沟槽220则配置于均匀轨迹区212内。沟槽220例如是圈围沟槽，另外各 个沟槽220例如是互不相连。此外，各个沟槽220例如是分别构成一个研磨轨 迹230，这些研磨轨迹230共同构成均匀轨迹区212。均匀轨迹区212使基底 240表面获得较佳的研磨均匀度。
在此实施例中，沟槽220为椭圆形沟槽，且各个沟槽220例如是具有共同 的几何中心。也就是说，各椭圆形沟槽的几何中心即为旋转轴线Q。如图2A所示，每个椭圆形沟槽的长轴例如是位于相同的轴线上，即沟槽220为共轴配
置。而且，沟槽220彼此之间于径向上的间距例如是相同。此外，当研磨垫200 以旋转轴线C,为轴心转动时，每一个沟槽220会产生与旋转轴线C,共心的一 个研磨轨迹230。而且上述的研磨轨迹230彼此之间相邻接。各研磨轨迹230 例如是具有相同的宽度W。换言之，均匀轨迹区212例如是会被划分成彼此相 邻接的至少二个研磨轨迹230，而各研磨轨迹230内配置至少一个沟槽220， 使沟槽220能够在研磨轨迹230内各处形成均匀分布的轨线。
由于本实施例的各沟槽220所对应产生的研磨轨迹230会彼此紧邻，因此 当进行基底240研磨时，研磨垫200能够提供基底240表面上各部分均匀的研 磨率。
特别说明的是，上述的沟槽220会满足下式
D(i)max = D(i+n)min
其中，D(i)^x表示自旋转轴线Q至第i个沟槽220的最长距离；D(i+n)min 表示自旋转轴线C,至第(i+n)个沟槽220的最短距离；i为从最靠近旋转轴线C, 的沟槽220向均匀轨迹区212外围算起的沟槽220的序数，且n为1~5的整数。 也就是说，自旋转轴线Q至第i个沟槽220的最长距离D(加^接近等于或实质 等于自旋转轴线Q至第(i+n)个沟槽220的最短距离D(i+n)min。
举例来说，如图2A所示，以n=l为例，沟槽220会符合DWmax ^ D(i+1)min。 当1=1时，D(1)max s D(2)min;当1=2时'D(2)max = D(3)min;当1=3、 4、 5、…等， 之后以此类推。亦即，如图2A所示，自旋转轴线d至第l个沟槽220的最长 距离D(^ax为第1个沟槽220的长轴，而自旋转轴线C,至第2个沟槽220的
最短距离Dp—n为第2个沟槽220的短轴，其中D(,)max S D(2)min。而且，在此
实施例中，各个沟槽220所形成的研磨轨迹230彼此为相邻接构成均匀轨迹区 212，也就是硏磨轨迹230之间不会有形成间隙的情形。
图2A所绘示的是以n=l为例，但本发明不限于此。图2B是依照本发明 的另一实施例的一种研磨垫的俯视示意图。在图2B所绘示的研磨垫200a中， 是以11=2为例来进行说明，沟槽220a会符合D(加^ = D(i+2)rain。如图2B所示， 自旋转轴线C,至第1个沟槽220a的最长距离D(1)max为第1个沟槽220a的长轴， 而自旋转轴线C，至第3个沟槽220a的最短距离D(3)rain则为第3个沟槽220a的短轴，且D(Dm^ s D(3)min。在此实施例中，各研磨轨迹230a例如是具有宽度 Wa。相较于图2A所绘示的沟槽220，在图2B中的沟槽220a为长短轴差距较 大的椭圆形沟槽，因此各沟槽220a所对应产生的研磨轨迹230a会具有较大的 宽度Wa，且研磨轨迹230a彼此之间会有部分相重迭，这些研磨轨迹230a具有 相同重迭比例的区域(介于边界212a与边界212b的间的区域)则构成均匀轨迹 区212。均匀轨迹区212使基底240a表面获得较佳的研磨均匀度。
值得注意的是，在上述实施例中，是以在研磨垫200、 200a配置椭圆形沟 槽为例来进行说明，然而本发明并不限于此。在其他实施例中，沟槽亦可以为 其他构形，以下将分别说明具有不同构形的沟槽。
图3A至图3E分别是依照本发明的一实施例的沟槽构形的俯视示意图。在 图3A至图3E中，与图2A相同的构件则使用相同的标号并省略其说明。此外， 为简化图示，故于此仅绘示两个沟槽，且符合前述方程式中n=l的条件，以使 熟习此项技术者能够据以实施，但并非用以限定本发明的范围。
如图3A所示，沟槽220c例如是多边形沟槽。在此实施例中，沟槽220c 为四边形沟槽，且此四边形沟槽的四个角皆由圆弧角300所构成。各沟槽220c 因而会形成具有宽度We且彼此紧邻的研磨轨迹230c，这些研磨轨迹230c共同 构成均匀轨迹区。均匀轨迹区使基底表面获得较佳的研磨均匀度。
此外，沟槽220d也可以是如图3B所示的波浪形沟槽，且此波浪形沟槽具 有多个圆弧角。每个波浪形沟槽例如是会形成具有宽度Wd且彼此紧邻的研磨 轨迹230d，这些研磨轨迹230d共同构成均匀轨迹区。均匀轨迹区使基底表面 获得较佳的研磨均匀度。
在另一实施例中，沟槽220e可以是具有至少一凸出部及/或至少一凹陷部 的环形沟槽。如图3C所示，沟槽220e例如是由具有多个凸出部310的环形沟 槽所构成，且凸出部310突出自此环形沟槽的外围。不同个具有凸出部310的 圆形沟槽例如是会分别形成具有宽度We且彼此紧邻的研磨轨迹230e，这些研 磨轨迹230e共同构成均匀轨迹区。均匀轨迹区使基底表面获得较佳的研磨均匀 度。
如图3D所示，沟槽220f也可以是圆形沟槽，且此圆形沟槽的几何中心例 如是偏离旋转轴线C,。在此实施例中，沟槽220f为具有圆心C2的圆形沟槽，其中圆心C2偏离旋转轴线Cp亦即圆心C2与旋转轴线C,并不会重迭。由于
沟槽220f的圆心C2偏离旋转轴线d，因此沟槽220f会形成具有宽度Wf且相 邻接的研磨轨迹230f，这些研磨轨迹230f共同构成均匀轨迹区。均匀轨迹区使 基底表面获得较佳的研磨均匀度。
在一实施例中，研磨轨迹内也可以具有至少二个沟槽形成于其中，且可选 择使沟槽彼此之间为对称排列。如图3E所示，位于各个研磨轨迹230b内的沟 槽220b可以是由两个具有相同长轴及短轴的椭圆形沟槽相交所组成，且两个 椭圆形沟槽的长轴彼此互为垂直配置。换言之，沟槽220b例如是由两个椭圆 形沟槽所构成双椭圆形沟槽，且沟槽220b会形成具有宽度Wb且彼此相邻的研 磨轨迹230b，这些研磨轨迹230b共同构成均匀轨迹区。均匀轨迹区使基底表 面获得较佳的研磨均匀度。
在此说明的是，如图3A至图3E所示，从旋转轴线C,至第l个沟槽220c、 220d、 220e、 220f、 220b的最长距离会相等于从旋转轴线C，至第2个沟槽220c、 220d、 220e、 220f、 220b的最短距离。换言之，沟槽220c、 220d、 220e、 220f、 220b皆会符合关系式DWmax s D(2)min。因此，沟槽220c、 220d、 220e、 220f、 220b能够构成均匀轨迹区，以提供基底表面较佳的研磨均匀度。
当然，在其他实施例中，研磨垫的沟槽也可以是其他不规则形或是由如图 3A至图3E所示的不同构形的沟槽220c、 220d、 220e、 220f、 220b任意组合而 成，只要使研磨垫上的各沟槽能符合上述的关系式D(i)max s D(i询曲即可，于 此领域具有通常知识者可视其需求径行调整。
值得一提的是，本发明除了上述实施例之外，尚具有其他的实施型态。在 上述图2A、图2B以及图3A至图3E的实施例中，各沟槽为对应相同轴线而配 置，且沟槽两两之间的间距在径向上相同，而相邻接的研磨轨迹也具有相同的 宽度，但本发明不限于此。在其他实施例中，任两个沟槽之间的间距在径向上 也可以是不相同，以下将一一说明。
图4是依照本发明的一实施例的沟槽配置的俯视示意图。在另一实施例中， 如图4所示，不同的沟槽221是对应不同的轴线而配置，亦即沟槽221为不共 轴配置。各沟槽221会形成研磨轨迹231，且各研磨轨迹231例如是具有相同 的宽度W"
12图5A与图5B分别是依照本发明的另一实施例的沟槽配置的俯视示意图。 如图5A所示，沟槽222、沟槽223与沟槽224分别是从最靠近旋转轴线d算 起的第1个沟槽、第2个沟槽与第3个沟槽。而沟槽222、沟槽223、沟槽224 会分别形成具有宽度W2、 W3、 W4的研磨轨迹232、研磨轨迹233、研磨轨迹 234。在另一实施例中，沟槽222、沟槽223与沟槽224皆对应相同轴线而配置。 然而，研磨轨迹232的宽度W2、研磨轨迹233的宽度\￥3与研磨轨迹234的宽
度W4例如是不完全相等。
如图5B所示，沟槽225、沟槽226与沟槽227分别是从最靠近旋转轴线 C,算起的第1个沟槽、第2个沟槽与第3个沟槽。而沟槽225、沟槽226、沟 槽227会分别形成具有宽度W5、 W6、 W7的研磨轨迹235、研磨轨迹236、研 磨轨迹237。在又一实施例中，沟槽225、沟槽226与沟槽227为不共轴配置。 此外，研磨轨迹231、 232、 233的宽度Ws、 W6、 W7例如是不完全相同。
图6是依照本发明的又一实施例的沟槽的俯视示意图。请参照图6，在又 一实施例中，研磨垫上的各个沟槽228还可以是由多数个不连续的次沟槽228a 所组成，沟槽228例如是不连续圈围形态。此外，组成同一个沟槽228的次沟 槽228a会形成具有宽度W8的研磨轨迹238，这些研磨轨迹238共同构成均匀 轨迹区。均匀轨迹区使基底表面获得较佳的研磨均匀度。
特别说明的是，如图4、图5A、图5B以及图6所示，上述实施例的沟槽 皆会符合关系式D(i)max s D(i+n)min。因此，在进行研磨时，各个沟槽所形成的 研磨轨迹共同构成均匀轨迹区，可有助于在基底表面各部分产生较均匀的研磨 率。
此外，在上述图4、图5A、图5B以及图6的实施例中，为简化图示，仅 绘示三个沟槽并以椭圆形沟槽为例，以使熟习此项技术者能够据以实施。但本 发明并不限于此，熟知本领域的技术人员当可知其应用及变化，故于此不再赘 述。
在上述实施例中是以圆形的研磨垫为例来进行说明，然而本发明并不限于 此。研磨垫亦可以是其他形状，例如是环状、方形、或是带状，视研磨设备需 求而定。而且各研磨轨迹内的沟槽外形亦可以是其他形状，只要沟槽能够形成 均匀轨迹区而使研磨率较均匀即可，本发明于此不作特别的限定，于此技术领域具有通常知识者可视其需求径行调整。
在本发明的研磨方法的其中一实施例中，研磨过程中供应研浆或溶液时， 可选择供应不同性质的研浆或溶液于不同的研磨轨迹内，其中这些性质例如是 研浆或溶液中的黏度、化学品(如氧化剂、还原剂、错合剂、抑制剂、及催化剂
等)浓度等，或者是研浆中的固体含量、或研磨颗粒(abrasive)含量等。利用前述 实施例的研磨垫中，不同的研磨轨迹内的沟槽具有互不相连的特点，能够使不 同的研磨轨迹内的研磨能力不同，借以调整研磨率分布曲线。例如可选择供应 研磨颗粒含量较多的研浆，至对应于基底边缘的研磨轨迹内，以提高基底边缘 的研磨率。
综上所述，本发明的研磨垫所使用的沟槽设计能形成均匀轨迹区，此均匀 轨迹区使得基底表面能够获得较佳的研磨均匀度。再者，本发明的研磨方法借 由采用上述具有均匀轨迹区的研磨垫，因此可有助于提供更均匀、更平整的基 底表面。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本 领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善， 因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
1权利要求
1. 一种研磨垫，适于用以研磨一基底，其特征在于该研磨垫包括一研磨层，具有一均匀轨迹区，该均匀轨迹区环绕一旋转轴线而配置；以及至少二沟槽，配置于该均匀轨迹区内，且满足下式其中，D(i)max表示自该旋转轴线至第i个沟槽的最长距离；D(i+n)min表示自该旋转轴线至第(i+n)个沟槽的最短距离；以及i为从最靠近该旋转轴线的该沟槽向该均匀轨迹区外围算起的该沟槽的序数，且n为整数。
2. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该均匀轨迹区对应至该基 底的中心部分而配置。
3. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该均匀轨迹区实质上配置 在位于该研磨垫的最内部与最外部之间的中间区域。
4. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该均匀轨迹区具有至少35 mm的宽度。
5. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该均匀轨迹区具有一环状 外形，且该环状外形具有与该旋转轴线重迭的几何中心。
6. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，至少一沟槽具有与该旋转 轴线不重迭的几何中心。
7. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，n=l~5。
8. 如权利要求l所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽为圈围沟槽。
9. 如权利要求8所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽为共轴。
10. 如权利要求8所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽为不共轴。
11. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽的外形为选自于 一椭圆形、 一多边形、 一波浪形、具有至少一凸出部及/或至少一凹陷部的一环 形、 一圆形、 一不规则形及其组合所组成的群组。
12. 如权利要求l所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽为互不相连。
13. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽在径向上具有相同的一间距。
14. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽的至少二间距在 径向上不同。
15. 如权利要求l所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽的至少其中之一 包括多个不连续的次沟槽。
16. —种研磨垫，适于用以研磨一基底，其特征在于，该研磨垫包括一研磨层，具有一均匀轨迹区，该均匀轨迹区被划分成彼此相邻接的至少二研磨轨迹；以及至少一沟槽，配置于各该些研磨轨迹内，其中该些沟槽在该些研磨轨迹内 各处具有均匀分布的轨线。
17. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，该均匀轨迹区对应至该基底的中心部分而配置。
18. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，该均匀轨迹区实质上配置在位于该研磨垫的最内部与最外部之间的中间区域。
19. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，该均匀轨迹区具有至少 35 mm的宽度。
20. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，该均匀轨迹区具有一环状 外形，环绕一旋转轴线而配置。
21. 如权利要求20所述的研磨垫，其特征在于，该均匀轨迹区具有与该旋 转轴线重迭的几何中心。
22. 如权利要求20所述的研磨垫，其特征在于，至少一沟槽具有与该旋转 轴线不重迭的几何中心。
23. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽为圈围沟槽。
24. 如权利要求23所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽为共轴。
25. 如权利要求23所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽为不共轴。
26. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，该些沟槽的外形为选自于 一椭圆形、 一多边形、 一波浪形、具有至少一凸出部及/或至少一凹陷部的环形、一圆形、 一不规则形及其组合所组成的群组。
27. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，位于一研磨轨迹内的沟槽 与位于另一研磨轨迹内的沟槽互不相连。
28. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，至少二研磨轨迹具有不同 的宽度。
29. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，至少一研磨轨迹具有至少 二沟槽形成于其中。
30. 如权利要求29所述的研磨垫，其特征在于，该至少二沟槽为对称排列。
31. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，至少一研磨轨迹具有二椭 圆形沟槽形成于其中。
32. 如权利要求31所述的研磨垫，其特征在于，该二椭圆形沟槽的长轴彼 此垂直。
33. 如权利要求16所述的研磨垫，其特征在于，至少一沟槽包括多个不连 续的次沟槽。
全文摘要
本发明涉及一种研磨垫及研磨方法，适于用以研磨一基底。此研磨垫包括研磨层以及至少两个沟槽。这些沟槽会形成对应的研磨轨迹，这些研磨轨迹共同构成均匀轨迹区，此均匀轨迹区使基底表面获得较佳的研磨均匀度。
文档编号B24B37/04GK101422882SQ20071018502
公开日2009年5月6日 申请日期2007年10月31日 优先权日2007年10月31日
发明者王裕标 申请人:智胜科技股份有限公司