颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基...的制作方法

专利名称：：颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基...的制作方法颗粒产生少的磁记录膜形成用CO基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射粑技术分野本发明涉及用于形成适用于硬盘的高密度磁记录介质的磁记录膜、特别是用于垂直;兹记录介质的磁记录膜的溅射靼的制造方法、及/f兹记录膜形成用溅射靶。本申请要求下列申请的优先权，并将其内容应用到本说明书中，所述申请为2006年3月31日于日本申请的特愿2006-97227号、2006年9月8日于日本申请的特愿2006-243688号、2007年3月26日于日本申请的特愿2007-78224号、2007年3月26日于日本申请的特愿2007-78223号、以及2007年3月26日于日本申请的特愿2007-78248号。
背景技术：
：硬盘装置通常用作计算机或数字家电等的外部记录装置，要求进一步提高其记录密度。因此，近年来开始关注能够实现超高密度记录的垂直》兹记录方式。该垂直》兹记录方式不同于现有的面内记录方式，原理上可以说越高密度化，记录磁化越稳定，并已开始实用化。作为适用于上述垂直磁记录方式的硬盘介质的磁记录层的材料的有力候选者，提出了CoCrPt-Si02颗粒磁记录膜，该磁记录膜必须是高性能的磁记录膜。作为能够适用于该磁记录方式的磁记录膜之一，提出了CoCrPt-Si02颗粒磁记录膜，已知该CoCrPt-Si02颗粒磁记录膜是使用具有含Cr及Pt的Co基烧结合金相和二氧化硅相的混合相的Co基烧结合金溅射靶，通过磁控賊射法制作的(参见非专利文献1)。已知上述Co基烧结合金溅射靼通常是将二氧化硅粉末、Cr粉末、Pt粉末及Co粉末配合、混合成含有二氧化硅2~15摩尔％、Cr:3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co的组成后，采用热压或热等静压等方法进行加压烧结而制作的，作为上述二氧化硅粉末，使用由高温火焰水解法制造的二氧化硅粉末，通过使分散在靶的基体中的二氧化硅相为lO(im以下的才及细组织，减少颗粒的产生(参见专利文献l、专利文献2等)。进而，已知除上述Si02外，还可以一使用TiO、Cr203、Ti02、Ta205、A1203、Be02、MgO、Th02、Zr02、Ce02、丫203等非磁性氧化物(参见专利文献3、4)。非专利文献1:《富士时报》Vol.75No.32002(169~172页)专利文献1专利文献2专利文献3专利文献4特开2001一236643号公报特开2004-339586号公报特开2003-36525号/>才艮特开2006-24346号爿>才艮
发明内容但是，上述采用现有方法制作的Co基烧结合金溅射靶无法避免颗粒的产生，要求开发出颗粒产生更少的含有Co基烧结合金的'践射耙。本发明人等为了获得颗粒产生更少的Co基烧结合金溅射靶进行了研究，发现(i)在靶的基体中分散有绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)超过10pm的粗大的以Cr和O为主成分的凝集体或析出物(以下称为铬氧化物凝集体)是颗粒产生的一个原因，(ii)为了使该粗大的铬氧化物凝集体不存在于基体中，优选方案为作为原料粉末，代替Cr粉末，使用以成分组成为含有Cr:50~70原子%、余量为Co的Cr和Co的金属间化合物为主体的合金粉末(以下称为Cr-Co合金粉末)、等。本发明的第一方案(aspect)为是基于上述发现完成的，特征在于(1)一种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，作为原料粉末，准备成分组成为含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Cr-Co合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物2~15摩尔％、Cr:3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结；(2)上述(1)所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金賊射粑的制造方法，其中，上述非磁性氧化物为二氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化钍、氧化锆、氧化铈及氧化钇中的任一种；(3)上述(1)所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金'践射耙的制造方法，其中，上述加压烧结为热压或热等静压；以及(4)一种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射耙，其特征在于，所述颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射粑是采用上述(1)、(2)或(3)所述的方法制造的。另外，本发明人等为了获得颗粒产生更少的Co基烧结合金溅射靶进行研究，发现(iii)在靶的基体中分散有绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)超过10pm的粗大的以Cr和O为主成分的凝集体或析出物(以下称为铬氧化物凝集体)是颗粒产生的一个原因，(iv)为了使上述粗大的铬氧化物凝集体不存在于基体中，优选方案为作为原料粉末，代替Cr粉末，使用成分组成为含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Pt和Cr的二元合金粉末(以下称为Cr-Pt二元系合金粉末)，(v)为了使上述粗大的铬氧化物凝集体不存在于基体中，优选方案为作为原料粉末，代替Cr粉末，使用Cr-Pt二元系合金粉末及含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Cr和Co的二元系合金粉末(以下称为Co-Cr二元系合金粉末)、等。本发明的第二方案(aspect)是基于上述发现而完成的，具有如下特征(5)—种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，作为原料粉末，准备成分组成为含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物2-15摩尔％、Cr:3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结；(6)—种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，作为原料粉末，准备含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末、含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Co-Cr二元系合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物2~15摩尔％、Cr:3~20摩尔%、Pt:5~30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结；(7)—种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，作为原料粉末，准备含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr_Pt二元系合金粉末、含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Co-Cr二元系合金粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非》兹性氧化物2~15摩尔％、Cr:3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结；(8)上述(1)、(2)或(3)所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，其特征在于，上述非磁性氧化物是二氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化钍、氧化锆、氧化铈及氧化钇中的任一种；(9)权利要求5、6或7所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，其特征在于，上述加压烧结是热压或热等静压；(10)采用上述(5)、(6)、(7)、(8)或(9)所述的方法制造的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金賊射靼，是成分组成为含有非磁性氧化物2~15摩尔％、Cr:3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶，其特征在于，分散在基体中的Cr氧化物凝集体的绝对最大长度为10pm以下；以及(11)上述(10)所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶，其特征在于，上述非磁性氧化物为二氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化钍、氧化锆、氧化铈及氧化钇中的任一种。进而，本发明人等为了得到颗粒产生更少的Co基烧结合金溅射靶进行了研究，发现(vi)在草巴的基体中绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)超过5inm的以Cr和O为主成分的凝集体或析出物(以下称为铬氧化物凝集体)分散超过500个/mn^时，容易产生大量颗粒，所以在革巴的基体中绝对最大长度超过5pm的铬氧化物凝集体必须在500个/mm2以下；(vii)即使超过5pm的铬氧化物凝集体在500个/mm2以下，在靶的基体中分散有绝对最大长度超过10|am的粗大的铬氧化物凝集体时也容易产生颗粒，因此更优选不存在绝对最大长度超过lOjum的粗大的铬氧化物凝集体、等。本发明的第三方案(aspect)是基于上述发现完成的，具有如下特征(12)—种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金'践射靼，成分组成为含有非磁性氧化物2~15摩尔％、Cr:3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co及无法避免的杂质，在基体中绝对最大长度超过5pm的铬氧化物凝集体在500个/mm2以下；以及(13)上述(12)所迷的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶，其中，在靶的基体中不存在绝对最大长度超过10nm的铬氧化物凝集体。以下说明本发明的第一方案。本发明的笫一方案的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靼的制造方法中使用的Cr-Co合金粉末的成分组成如上所述地限定的原因是0"的含量低于50原子％或超过70原子％时，粉末中，除金属间化合物外，Co和Cr的键合较弱的固溶体Co或固溶体Cr的存在比例增多，混合时或烧结时，Cr与氧或非磁性氧化物反应，容易形成粗大的铬氧化物凝集体，故不优选。Cr-Co合金粉末中所含Cr的更优选范围为54~67原子％。铬氧化物凝集体导致颗粒产生的原因在于铬氧化物凝集体非常脆，溅射中脱落或发生异常放电，另外，铬氧化物凝集体的尺寸大时，在靶的加工中从粑表面脱落，在脱落的部分形成缺陷。通过使用Cr-Co合金粉末作为原料粉末来抑制铬氧化物凝集体生成的原因，可认为在Cr和Co之间，在Cr为54~67原子％附近存在金属间化合物相，按上述范围附近的組成将Co和Cr合金化，将全部或大部分Cr以与Co形成的金属间化合物的形式投入时，金属间化合物中的Cr处于与Co牢固键合的状态，与作为单体或固溶体存在时相比，难以发生与氧或非磁性氧化物的反应。本发明的第一方案的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金-减射耙的制造方法中使用的Cr-Co合金粉末的粒径的50%粒径如果超过150pm,则混合粉碎时，粉碎不会充分进行，基于此优选Cr-Co合金粉末的粒径的50%粒径在150pm以下，越微细越优选，基于此更优选通过分级等使50%粒径在75pm以下，进一步优选50%粒径在45nm以下。进而，优选Co粉末、Pt粉末的50%粒径均在50pm以下(更优选50%粒径在40pm以下)，进一步优选非^磁性氧化物粉末的50%粒径在20pn以下(更优选50%粒径在lO^im以下)。原因是Co粉末、Pt粉末更大时，难以在混合后得到均匀的组织。另外，非磁性氧化物粉末的粒径超过上述范围时，即使经过混合粉碎工序，靼中也容易存在lO^un以上较大的非磁性氧化物，成为'践射中的异常放电或颗粒产生的原因。上述原料粉末的混合优选在惰性气体气氛中进行。这是为了进一步防止混合中Cr与氧键合形成铬氧化物凝集体。接下来说明本发明的第二方案。本发明的第二方案的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法中使用的Cr-Pt二元系合金粉末的成分组成如上所述地限定的原因是Pt的含量低于10原子％或Pt的含量超过90原子％时，粉末中，除金属间化合物外，Pt和Cr的键合较弱的固溶体Cr存在的比例增多，混合时或烧结时Cr容易与氧或非磁性氧化物反应，容易形成Cr氧化凝集体，故不优选。Cr-Pt二元系合金粉末中Pt含量的更优选范围是Pt:15-25原子％。作为上述原料粉末使用的Cr-Pt二元系合金粉末的粒径大于150pm时，粉碎难以充分进行，所以优选在150pm以下，优选通过分级等使其在75nm以下、进一步优选在45pm以下。另外，本发明的第二方案的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金'践射粑的制造方法中使用的Co-Cr二元系合金粉末的成分组成如上所述地限定的原因是Cr的含量低于50原子％或超过70原子％时，粉末中，除金属间化合物外，Co和Cr的键合较弱的固溶体Co或固溶体Cr存在的比例增多，混合时或烧结时Cr容易与氧或非磁性氧化物反应形成粗大的铬氧化物凝集体，故不优选。Co-Cr二元系合金粉末中所含的Cr的更优选范围是54~67原子％。作为上述原料粉末使用的Co-Cr二元系合金粉末的粒径大于150pm时，粉碎难以充分进行，所以优选在150(im以下，优选通过分级等使其在75nm以下，更优选使其在45|im以下。如上所述，铬氧化物凝集体导致颗粒产生的原因是铬氧化物凝集体非常脆，在溅射中脱落或异常放电，并且铬氧化物凝集体的尺寸大时，在耙的加工中从耙表面脱落，在脱落的部分形成缺陷。通过使用将Cr合金化得到的Cr-Pt二元系合金粉末或Cr-Pt二元系合金粉末和Co-Cr二元系合金粉末作为原料粉末，使与氧或非磁性氧化物反应所致的氧化难以发生，从而抑制铬氧化物凝集体的生成，颗粒的产生减少。本发明的第二方案的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射耙的制造方法中使用的Co粉末、Pt粉末的50%粒径优选均在50nm以下(更优选50。/。粒径在40^im以下)，进而优选非磁性氧化物粉末的50%粒径在20|tim以下(更优选50%粒径在10|tim以下)。原因是Co粉末、Pt粉末超过上述范围时，难以在混合后得到均匀的组织。另外，非磁性氧化物粉末的粒径超过上述范围时，即使经过混合粉碎工序，在耙中也容易存在l(Him以上的较大非磁性氧化物，成为溅射中的异常放电或颗粒产生的原因。上述原料粉末的混合优选在惰性气体气氛中进行。这是为了进一步防止在混合中Cr与氧结合形成铬氧化物凝集体。下面说明本发明的第三方案。本发明第三方案的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射耙的基体中绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)超过5pm的Cr氧化物粒子被限定在500个/mm2以下的原因是如果为绝对最大长度5pm以下的尺寸，则在溅射中脱落或发生异常放电的影响小，另外，即使存在绝对最大长度超过5pm的Cr氧化物粒子，只要在500个/mir^以下，颗粒产生就为低水平，不会导致成膜不良。制造本发明第三方案的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金'减射輩巴时，通过使用含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Cr-Co合金粉末，能够制造绝对最大长度超过5pm的Cr氧化物粒子在500个/mn^以下的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶。如上所述地限定Cr-Co合金粉末的成分组成的原因是Cr含量低于50原子%或超过70原子％时，粉末中除金属间化合物外，Co和Cr的键合较弱的固溶体Co或固溶体Cr存在的比例增多，混合时或烧结时，Cr容易与氧或非磁性氧化物反应形成粗大的铬氧化物凝集体，故不优选。Cr-Co合金粉末中所含的Cr的更优选范围是54~67原子％。另外，使用Cr-Pt合金粉末或Cr-Co-Pt合金粉末也能够取得同样的效果。如上所述，铬氧化物凝集体导致颗粒产生的原因是铬氧化物凝集体非常脆，在溅射中脱落或异常放电，另外，铬氧化物凝集体的尺寸大时，在靼的加工中从靼表面脱落，在脱落的部分形成缺陷。作为通过使用Cr-Co合金粉末作为原料粉末来抑制铬氧化物凝集体生成的原因，认为在Cr和Co间，在Cr为54~67原子％附近存在金属间化合物相，通过按上述附近的组成将Co和Cr合金化，将全部或大部分Cr以与Co形成的金属间化合物的形式投入时，金属间化合物中的Cr处于与Co牢固键合的状态，与作为单体或固溶体存在时相比，难以与氧或非磁性氧4匕物反应。制造本发明第三方案的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金濺射粑时使用的Cr-Co合金粉末的粒径的50%粒径如果超过150pm,则混合粉碎时，粉碎不会充分进行，基于此优选Cr-Co合金粉末的粒径的50%粒径在150pm以下，越微细越优选，基于此更优选通过分级等4吏50%粒径在75pm以下，进一步优选50%粒径在45nm以下。进而优选Co粉末、Pt粉末的50%粒径均在50pm以下(更优选50%粒径在40|im以下)，优选非磁性氧化物粉末的50%粒径在20pm以下(更优选50%粒径在10pm以下)。原因是Co粉末、Pt粉末如果超过上述范围，则难以在混合后得到均匀的组织。另外，非磁性氧化物粉末的粒径超过上述范围时，即使经过混合粉碎工序，在耙中也容易存在10pm以上的较大非磁性氧化物，成为溅射中的异常放电或颗粒产生的原因。上述原料粉末的混合优选在惰性气体气氛中进行。这是因为能够进一步防止在混合中Cr与氧键合形成铬氧化物凝集体。本发明能够提供可以形成颗粒产生更少的优异磁记录膜的溅射靶，非常有助于计算机以及数字家电等产业的发展。具体实施方式〈第一方案〉作为原料粉末，釆用气体雾化法制作具有表1所示成分组成的Co-Cr合金粉末A~J。上述采用气体雾化法得到的Co-Cr合金粉末A~J的50%粒径为95]Lim,因此将上述Co-Cr合金粉末AJ用具有45pm网眼的筛子进行分级，分级成采用激光衍射法测定的50%粒径均为35pm。进而准备市售的50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径15pm的Pt粉末、50%粒径3pm的Si02粉末、50%粒径3pm的Ti02粉末、50%粒径3pm的Ta205粉末及50%粒径10pm的Cr粉末。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>*标记表示在本发明范围外的条件。实施例1将预先准备的原料粉末配合成表2所示的配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度120(TC、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作具有表2所示成分组成的热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的粑，由此实施本发明方法1A~8A、比较方法1A2A及现有方法1A。釆用EPMA测定在由上述本发明方法1A8A、比4支方法1A~2A及现有方法1A制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，表2中给出是否存在绝对最大长度超过10pm的粗大的铬氧化物凝集体。采用EPMA测定铬氧化物凝集体的绝对最大长度如下进行。从上述由本发明方法1A~8A、比较方法1A-2A及现有方法1A制作的热压体上切下试样，断面埋在树脂中，进行镜面研磨。由场致发射EPMA(日本电子社制JXA-8500F)，在加速电压15kV、照射电流5x1CT8A的条件下，以1000倍的倍率对上迷断面组织实施面分析，得到Cr的元素分布像。为了能够尽可能准确地辨别出Cr富集的区域(即铬氧化物凝集体)，使该Cr的元素分布像为带有对比度及色调的图像。将得到的Cr的元素分布像不损失画质地作为位图格式的图像文件进行保存，将该图像另外读入个人电脑的图像处理软件(三谷商事社制、WinRoof)中进行二值化，通过图像处理测量与基质相比富含Cr的区域的绝对最大长度。二值化时，为了不使Cr富集区域的大小与原图像相比发生变化，选择阈值。对于测量时的长度的校准，使用原来由EPMA得到的Cr的元素分布像中表示的比例条。进而，将上述由本发明方法1A~8A、比较方法1A-2A及现有方法1A得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在下述条件下进行预溅射，到达真空度5x10—5Pa、功率直流800W、Ar气压6.0Pa、耙基^反间距离60mm、基板加热无、除去粑表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去粑表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.O(im以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表2。[表2]种类<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>205*标记表示在本发明范围外的条件。200780010001.2势滔也被11/61到由表2所示结果可知，配合含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Co-Cr合金粉末AH作为原料粉末制作的、采用本发明方法1A8A制作的靼，与不添加Co-Cr合金粉末、配合并混合50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径10pm的Cr粉末、50%粒径15pm的Pt粉末及50。/。粒径3iam的Si02粉末制作的、采用现有方法1A制作的耙相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Co-Cr合金粉末在本发明的范围外的Co-Cr合金粉末I~J制作的、采用比较方法1A~2A制作的靶的颗粒产生增多，故不优选。实施例2将预先准备的原料粉末配合成表3所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到SUS制的容器中，进行550度、保持12小时的真空脱气处理后，密封SUS容器，真空封入混合粉末。将填充有上述混合粉末的SUS容器在温度1200°C、压力100MPa、保持3小时的条件下实施热等静压，然后，将SUS容器开封，制作具有表3所示成分组成的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的靼，由此实施本发明方法9A~16A、比较方法3A~4A及现有方法2A。采用EPMA测定在由上述本发明方法9A16A、比较方法3A4A及现有方法2A制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，表3中给出是否存在绝对最大长度超过10pm的粗大的铬氧化物凝集体。采用EPMA测定铬氧化物凝集体的绝对最大长度如下进行。从上述由本发明方法9A~16A、比较方法3A5A及现有方法2A制作的靶上切下试样，断面埋在树脂中，进行镜面研磨。由场致发射EPMA(日本电子社制JXA-8500F),在加速电压15kV、照射电流5乂10_8八的条件下，以1000倍的倍率对上述断面组织实施面分析，得到Cr的元素分布像。为了能够尽可能准确地辨别出Cr富集的区域(即铬氧化物凝集体)，使该Cr的元素分布像为带有对比度及色调的图像。将得到的Cr的元素分布像不损失画质地作为位图格式的图像文件进行保存，将该图像另外读入个人电脑的图像处理软件(三谷商事社制、WinRoof)中进行二值化，通过图像处理测量与基质相比富含Cr的区域的绝对最大长度。二值化时，为了不使Cr富集区域的大小与原图像相比发生变化，选择阈值。对于测量时的长度的校准，使用原来由EPMA得到的Cr的元素分布像中表示的比例条。进而，将上述由本发明方法9A~16A、比较方法3A4A及现有方法2A得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在下述条件下进行预溅射，到达真空度5xl(T5Pa、功率直流800W、Ar气压6.0Pa、耙基板间距离60mm、基板加热无、除去靶表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去靶表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.Opm以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表3。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>由表3所示结果可知，配合含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Co-Cr合金粉末A~H作为原料粉末制作的、由本发明方法9A~16A制作的靼，与不添加Co-Cr合金粉末、配合并混合50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径10inm的Cr粉末、50%粒径15pm的Pt粉末及50%粒径3pm的Si02粉末制作的、由现有方法2A制作的粑相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Co-Cr合金粉末在本发明的范围外的Co-Cr合金粉末IJ制作的、由比较方法3A4A制作的耙的颗粒产生增多，故不优选。实施例3将预先准备的原料粉末配合成表4所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度1200°C、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作具有表4所示成分组成的热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的粑，由此实施本发明方法17A~24A、比4支方法5A6A及现有方法3A。采用EPMA测定在由上述本发明方法17A24A、比较方法5A-6A及现有方法3A制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，是否存在绝对最大长度超过lOjam的粗大的铬氧化物凝集体示于表4。采用EPMA测定铬氧化物凝集体的绝对最大长度如下进行。从上述由本发明方法17A~24A、比较方法5A6A及现有方法3A制作的靶切出试样，断面埋在树脂内，进行镜面研磨。由场致发射EPMA(日本电子社制JXA-8500F)，在加速电压15kV、照射电流5乂10_8八的条件下，以1000倍的倍率对上述断面组织实施面分析，得到Cr的元素分布像。为了能够尽可能准确地辨别出Cr富集的区域(即铬氧化物凝集体)，使该Cr的元素分布像为带有对比度及色调的图像。将得到的Cr的元素分布像不损失画质地作为位图格式的图像文件进行保存，将该图像另外读入个人电脑的图像处理软件(三谷商事社制、WinRoof)中进行二值化，通过图像处理测量与基质相比富含Cr的区域的绝对最大长度。二值化时，为了不使Cr富集区域的大小与原图像相比发生变化，选择阈值。对于测量时的长度的校准，使用原来由EPMA得到的Cr的元素分布像中表示的比例条。进而，将上述由本发明方法17A~24A、比4^方法5A~6A及现有方法3A得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在下述条件下进行预溅射，到达真空度5xl(T5Pa、功率直流800W、Ar气压6,0Pa、耙基^反间距离60mm、基板加热无、除去粑表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去粑表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.Opm以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表4。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>由表4所示结果可知，配合含有Cr.50~70原子％、余量为Co的Co-Cr合金粉末AH作为原料粉末制作的、由本发明方法17A~24A制作的靶，与不添加Co-Cr合金粉末、配合并混合50%粒径10|Lim的Co粉末、50%粒径10pim的Cr粉末、50%粒径15pm的Pt粉末及50%粒径3jxm的Ti02粉末制作的、由现有方法3A制作的靼相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Co-Cr合金粉末在本发明的范围外的Co-Cr合金粉末IJ制作的、由比较方法5A-6A制作的靶的颗粒产生增多，故不优选。实施例4将预先准备的原料粉末配合成表5所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到SUS制的容器中，进行550度、保持12小时的真空脱气处理后，密封SUS容器，真空封入混合粉末。将填充有上述混合粉末的SUS容器在温度1200°C、压力100MPa、保持3小时的条件下实施热等静压，然后，将SUS容器开封，制作具有表5所示成分组成的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的把，由此实施本发明方法25A~32A、比较方法7A~8A及现有方法4A。釆用EPMA测定在由上述本发明方法25A~32A、比较方法7A~8A及现有方法4A制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，是否存在绝对最大长度超过l(Him的粗大的铬氧化物凝集体示于表5。采用EPMA测定铬氧化物凝集体的绝对最大长度如下进行。从上述由本发明方法25A~32A、比较方法7A~8A及现有方法4A制作的靶切出试样，断面埋在树脂内，进行镜面研磨。由场致发射EPMA(日本电子社制JXA-8500F),在加速电压15kV、照射电流5乂10_8八的条件下，以1000倍的倍率对上述断面组织实施面分析，得到Cr的元素分布像。为了能够尽可能准确地辨别出Cr富集的区域(即铬氧化物凝集体)，使该Cr的元素分布像为带有对比度及色调的图像。将得到的Cr的元素分布像不损失画质地作为位图格式的图像文件进行保存，将该图像另外读入个人电脑的图像处理软件(三谷商事社制、WinRoof)中进行二值化，通过图像处理测量与基质相比富含Cr的区域的绝对最大长度。二值化时，为了不使Cr富集区域的大小与原图像相比发生变化，选择阈值。对于测量时的长度的校准，使用原来由EPMA得到的Cr的元素分布像中表示的比例条。进而，将上述由本发明方法25A32A、比4支方法7A~8A及现有方法4A得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在下述条件下进行预溅射，到达真空度5x10-5Pa、功率直流800W、Ar气压6.0Pa、耙基板间距离60mm、基板力口热无、除去靶表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去靶表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.Ojum以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表5。[表5〗<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>155由表5所示结果可知，配合含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Co-Cr合金粉末A~H作为原料粉末制作的、由本发明方法25A~32A制作的耙，与不添加Co-Cr合金粉末、配合并混合50%粒径10(xm的Co粉末、50%粒径10pm的Cr粉末、50%粒径15pm的Pt粉末及50%粒径3pm的Ta20s粉末制作的、由现有方法4A制作的耙相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Co-Cr合金粉末在本发明的范围外的Co-Cr合金粉末IJ制作的、由比较方法7A8A制作的靶的颗粒产生增多，故不优选。〈第二方案〉作为原料粉末，采用气体雾化法制作具有表6所示成分组成的Cr-Pt二元系合金粉末AS。上述采用气体雾化法得到的Cr-Pt二元系合金粉末AS的50%粒径为95jim,因此将上述Cr-Pt二元系合金粉末A~S用具有45pm网眼的篩子进行分级，分级成采用激光衍射法测定的50%粒径均为35jum。进而，作为原料粉末，采用气体雾化法制作具有表7所示成分组成的Co-Cr二元系合金粉末a~j。上述采用气体雾化法得到的Co-Cr二元系合金粉末a~j的50%粒径为95pm,因此将上述Co-Cr二元系合金粉末a~j用具有45网眼的筛子进行分级，分级成釆用激光衍射法测定的50%粒径均为35jum。进而，准备市售的50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径15pm的Pt粉末、50%粒径3pm的Si02粉末、50%粒径3nm的Ti02粉末、50%粒径3|im的丁&205粉末、及50%粒径10nm的Cr粉末。[表6]<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>*标记表示在本发明范围外的条件。[表7]<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>*标记表示在本发明范围外的条件。实施例5将预先准备的原料粉末配合成表8所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度1200°C、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm、并且成分组成为Cr:10.1摩尔％、Pt:15.6摩尔％、Si02:8,0摩尔％、余量为Co的靼，由此实施本发明方法1B~IIB、比较方法1B及现有方法1B。采用EPMA测定在由上述本发明方法1B~11B、比较方法1B及现有方法IB制作的粑的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，是否存在绝对最大长度超过10jum的粗大的铬氧化物凝集体示于表8。采用EPMA测定铬氧化物凝集体的绝对最大长度如下进行。从上述由本发明方法1B~IIB、比4交方法1B及现有方法1B制作的热压体切出试样，断面埋在树脂内，进行镜面研磨。由场致发射EPMA(日本电子社制JXA-8500F),在加速电压15kV、照射电流5x10—8A的条件下，以1000倍的倍率对上述断面组织实施面分析，得到Cr的元素分布像。为了能够尽可能准确地辨别出Cr富集的区域(即铬氧化物凝集体)，使该Cr的元素分布像为带有对比度及色调的图像。将得到的Cr的元素分布像不损失画质地作为位图格式的图像文件进行保存，将该图像另外读入个人电脑的图像处理软件(三谷商事社制、WinRoof)中进行二值化，通过图像处理测量与基质相比富含Cr的区域的绝对最大长度。二值化时，为了不使Cr富集区域的大小与原图像相比发生变化，选择阈值。对于测量时的长度的校准，使用原来由EPMA得到的Cr的元素分布像中表示的比例条。进而，将上述由本发明方法1B~11B、比较方法IB及现有方法IB得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在下述条件下进行预溅射，到达真空度5xlO-5Pa、功率直流800W、Ar气压6.0Pa、革巴基4反间多巨离60mm、基板加热无、除去靼表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去耙表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.Opm以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表8。[表8]<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>比專支方法1BR:7.937.0余量有101现有方法1B-38.36.6余量有205加压烧结法真空热压法由表8所示结果可知，配合含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末A~K作为原料粉末制作的、由本发明方法1B~11B制作的靶，与不添加Cr-Pt二元系合金粉末、配合并混合50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径10jxm的Cr粉末、50%粒径15nm的Pt粉末及50%粒径3pm的Si02粉末制作的、由现有方法1B制作的粑相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Cr-Pt二元系合金粉末在本发明的范围外的Cr-Pt二元系合金粉末R、由比较方法1B制作的耙的颗粒产生增多，故不优选。实施例6将表6所示Cr-Pt二元系合金粉末A~G、Co粉末、Pt粉末及Si02粉末配合成表9所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将如上所述地得到的混合粉末填充到SUS制的容器中，进行55(TC、保持12小时的真空脱气处理后，密封SUS容器，真空封入混合粉末。将填充有上述混合粉末的SUS容器在温度1200°C、压力100MPa、保持3小时的条件下实施热等静压，然后，将SUS容器开封，制作成分组成为Cr:17.1摩尔％、Pt:15.3摩尔％、Si02:10.0摩尔％、余量为Co的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的耙，由此实施本发明方法12B~18B、比较方法2B及现有方法2B。对上述由本发明方法12B~18B、比專交方法2B及现有方法2B制作的靶进行与实施例5相同的测定，结果示于表9。[表9]<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>加压烧结法热等静压法由表9所示结果可知，配合含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末A~G作为原料粉末制作的、由本发明方法12B18B制作的乾，与不添加Cr-Pt二元系合金粉末、配合并混合50%粒径10pm的Co并分末、50%粒径10pm的Cr4分末、50%粒径15|xm的Pt粉末及50%粒径3pm的Si02粉末制作的、由现有方法2B制作的耙相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Cr-Pt二元系合金粉末在本发明的范围外的Cr-Pt合金粉末R、由比较方法2B制作的靶的颗粒产生增多，故不优选。实施例7将表6所示Cr-Pt二元系合金粉末A~J、表7所示Co-Cr二元系合金粉末a~h、Co粉末、Pt粉末及Si02粉末配合成表10所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度1200°C、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作成分组成为Cr:11.3摩尔％、Pt:12.2摩尔％、Si02:6.0摩尔％、余量为Co的热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的耙，由此实施本发明方法19B~28B、比较方法3B及现有方法3B。采用EPMA测定在上述由本发明方法19B~28B及比较方法3B及现有方法3B制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，是否存在绝对最大长度超过10|im的粗大的铬氧化物凝集体示于表10。采用EPMA测定铬氧化物凝集体的绝对最大长度如下进行从上述由本发明方法19B~28B及比较方法3B及现有方法3B制作的靶切出试样，断面埋在树脂内，进行镜面研磨，以下采用与实施例5相同的方法进行。进而，将上述由本发明方法19B28B及比4交方法3B及现有方法3B得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在与实施例5相同的条件下，进行预溅射，除去靶表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去靶表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.Ojum以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表IO。[表10]<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>由表10所示结果可知，配合表6的Cr-Pt二元系合金粉末及表7的Co-Cr二元系合金粉末作为原料粉末制作的、由本发明方法19B~28B制作的靼，与不添加表10的Cr-Pt二元系合金粉末及Co-Cr二元系合金粉末、配合并混合50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径lOpm的Cr粉末、50%粒径15|im的Pt粉末及50%粒径3pm的Si02粉末、由现有方法3B制作的耙相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Co-Cr合金粉末在本发明的范围外的表7的Co-Cr合金粉末i、由比较方法3B制作的耙，1.0pm以上的颗粒的产生增多，故不优选。实施例8不使用Pt粉末，必需的Pt成分全部通过添加表6的Cr-Pt二元系合金粉末KQ而含有，及通过与实施例6相同的热等静压实施加压烧结，除此之外，在与实施例7完全相同的条件下，实施本发明方法29B-35B、比4支方法4B及现有方法4B，制作成分组成为Cr:11.8摩尔％、Pt:15.5摩尔％、Si02:9.0摩尔％、余量为Co的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的靶。对上述由本发明方法29B~35B、比较方法4B及现有方法4B制作的靶进行与实施例5相同的测定，结果示于表ll。[表ll]<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>比4交方法4BS:38.6j:10.4余量有125现有方法4B--38.17.8余量有194热压烧结法热等静压法20078001000L2转溢*被31/615t由表ll所示结果可知，由本发明方法29B35B制作的靼，与不添加Cr-Pt二元系合金粉末及Co-Cr二元系合金4分末、配合并混合50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径10pm的Cr4分末、50%粒径15|im的Pt粉末及50%粒径3pm的Si02粉末制作的、由现有方法4B制作的靶相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Cr-Pt二元系合金粉末在本发明的范围外的表6的Cr-Pt合金粉末S及成分组成为Co-Cr二元系合金粉末在本发明的范围外的表7的Co-Cr二元系合金粉末j、由比较方法4B制作的靶的颗粒产生增多，故不优选。实施例9将原料粉末配合成表12所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度1200°C、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm、并且成分組成为Cr:14.7摩尔％、Pt:16.6摩尔％、Ti02:8.0摩尔％、余量为Co的靶，由此实施本发明方法36B~44B、比较方法5B及现有方法5B。与实施例5同样地釆用EPMA测定在上述由本发明方法36B44B、比较方法5B及现有方法5B制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，是否存在绝对最大长度超过10jum的粗大的铬氧化物凝集体示于表12。进而，将上述由本发明方法36B~44B、比4交方法5B及现有方法5B得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在与实施例5相同的条件下进行预溅射，然后与实施例5同样地测定附着在晶片表面的1.0nm以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表12。[表12]<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>由表12所示结果可知，配合含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末A~K作为原料粉末制作的、由本发明方法36B44B制作的粑，与不添加Cr-Pt二元系合金粉末、配合并混合50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径10pm的Cr粉末、50%粒径15pm的Pt粉末及50。/。粒径3pm的Ti02粉末制作的、由现有方法5B制作的耙相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Cr-Pt二元系合金粉末在本发明的范围外的Cr-Pt二元系合金粉末R、由比较方法5B制作的革巴的颗粒产生增多，故不优选。实施例10将表6所示Cr_Pt二元系合金粉末A~G、Co粉末、Pt粉末及Ti02粉末配合成表13所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将如上所述地得到的混合粉末填充到SUS制的容器中，进行550。C、保持12小时的真空脱气处理后，密封SUS容器，真空封入混合粉末。将填充有上述混合粉末的SUS容器在温度1200°C、压力lOOMPa、保持3小时的条件下实施热等静压，然后，将SUS容器开封，制作成分组成为Cr:13.5摩尔％、Pt:14.4摩尔％、Ti02:10.0摩尔％、余量为Co的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的粑，由此实施本发明方法45B~53B、比较方法6B及现有方法6B。对上述由本发明方法45B53B、比4交方法6B及现有方法6B制作的靶进行与实施例5相同的测定，结果示于表13。[表13]<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>热压烧结法热等静压法由表13所示结果可知，配合含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末A~G作为原料粉末制作的、由本发明方法45B53B制作的耙，与不添加Cr-Pt二元系合金粉末、配合并混合50%粒径lOpm的Co4分末、50%粒径10pm的Cr并分末、50%粒径15|Lmi的Pt粉末及50。/。粒径3pm的Ti02粉末制作的、由现有方法6B制作的靶相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Cr-Pt二元系合金粉末在本发明的范围外的Cr-Pt合金粉末R、由比较方法6B制作的靶的颗粒产生增多，故不优选。实施例11将表6所示Cr-Pt二元系合金粉末A~J、表7所示Co-Cr二元系合金粉末a~h、Co粉末、Pt粉末及Ti02粉末配合成表14所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度1200°C、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作成分组成为Cr:13.2摩尔％、Pt:12.2摩尔％、Ti02:6.0摩尔％、余量为Co的热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的輩巴，由此实施本发明方法54B~63B、比较方法7B及现有方法7B。采用EPMA测定在上述由本发明方法54B~63B及比较方法7B及现有方法7B制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，是否存在绝对最大长度超过10|am的粗大的铬氧化物凝集体示于表14。采用EPMA测定铬氧化物凝集体的绝对最大长度如下进行从上述由本发明方法54B~63B及比较方法7B及现有方法7B制作的靶切出试样，断面埋在树脂内，进行镜面研磨，以下釆用与实施例5相同的方法进4亍测定。进而，将上述由本发明方法54B~63B及比H方法7B及现有方法7B得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、15(TC、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在与实施例5相同的条件下，进行预'践射，除去靼表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去靶表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.Ojum以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表14。<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>由表14所示结果可知，配合表6的Cr-Pt二元系合金粉末及表7的Co-Cr二元系合金粉末作为原料粉末制作的、由本发明方法54B~63B制作的耙，与不添加表14的Cr-Pt二元系合金粉末及Co-Cr二元系合金粉末、配合并混合50%粒径lOpm的Co粉末、50%粒径10pm的Cr粉末、50%粒径15pm的Pt粉末及50%粒径3pm的Ti02粉末、由现有方法7B制作的粑相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Co-Cr合金粉末在本发明的范围外的表7的Co-Cr合金粉末i、由比较方法7B制作的草巴的l.Opm以上颗粒的产生增多，故不优选。实施例12不使用Pt粉末，必需的Pt成分全部通过添加表6的Cr-Pt二元系合金粉末K-Q而含有，作为非磁性氧化物粉末，使用Ti02粉末，及通过与实施例6相同的热等静压实施加压烧结，除此之外，在与实施例7完全相同的条件下，实施本发明方法64B70B、比4支方法8B及现有方法8B，制作成分组成为Cr:9.1摩尔％、Pt:10.9摩尔％、Ti02:9.0摩尔％、余量为Co的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的耙。对上述由本发明方法64B~70B、比较方法8B及现有方法8B制作的靶进行与实施例5相同的测定，结果示于表15。[表15]<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>热压烧结法热等静压法200780010001.2势溢*被39/613由表15所示结果可知，由本发明方法64B70B制作的靶，与不添加Cr-Pt二元系合金粉末及Co-Cr二元系合金粉末、配合并混合500/0粒径10pm的Co4分末、50%粒径lOpm的Cr粉末、50%粒径15pm的Pt粉末及50。/。粒径3pm的Ti02粉末制作的、由现有方法8B制作的靶相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Cr-Pt二元系合金粉末在本发明的范围外的表6的Cr-Pt合金粉末S及成分组成为Co-Cr二元系合金粉末在本发明的范围外的表7的Co-Cr二元系合金粉末j、由比较方法8B制作的耙的颗粒产生增多，故不优选。实施例13将原料粉末配合成表16所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度1200°C、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm、并且成分组成为Cr:10.1摩尔％、Pt:15.6摩尔％、Ta205:8.0摩尔％、余量为Co的耙，由此实施本发明方法71B~79B、比较方法9B及现有方法9B。与实施例1同样地采用EPMA测定在上述由本发明方法71B79B、比较方法9B及现有方法9B制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，是否存在绝对最大长度超过10|am的粗大的铬氧化物凝集体示于表16。进而，将上述由本发明方法71B~79B、比4支方法9B及现有方法9B得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在与实施例5相同的条件下进行预溅射，然后与实施例5同样地测定附着在晶片表面的l.(Him以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表l6。<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>,由表16所示结果可知，配合含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末A~K作为原料粉末制作的、由本发明方法71B79B制作的单巴，与不添加Cr-Pt二元系合金粉末、配合并混合50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径lOpm的Cr粉末、50%粒径15pm的Pt粉末及50。/。粒径3jim的Ta205粉末制作的、由现有方法9B制作的粑相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Cr-Pt二元系合金粉末在本发明的范围外的Cr-Pt二元系合金粉末R、由比较方法9B制作的耙的颗粒产生增多，故不优选。实施例14将表6所示Cr-Pt二元系合金粉末A~G、Co粉末、Pt粉末及Ta205粉末配合成表17所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将如上所述地得到的混合粉末填充到SUS制的容器中，进行55(TC、保持12小时的真空脱气处理后，密封SUS容器，真空封入混合粉末。将填充有上述混合粉末的SUS容器在温度1200°C、压力lOOMPa、保持3小时的条件下实施热等静压，然后，将SUS容器开封，制作成分组成为Cr:13.6摩尔％、Pt:14.6摩尔％、Ta205:3.0摩尔％、余量为Co的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的耙，由此实施本发明方法80B~88B、比较方法IOB及现有方法IOB。对上述由本发明方法80B~88B、比4支方法10B及现有方法IOB制作的靶进行与实施例5相同的测定，结果示于表17。[表17]种类原料粉末的配合组成(质量％)有无绝对最大长度超过10拜的Cr氧化物l.Ojim以上的颗粒的数量(个)<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>热压烧结法热等静压法由表17所示结果可知，配合含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末A~G作为原料粉末制作的、由本发明方法80B88B制作的耙，与不添加Cr-Pt二元系合金粉末、配合并混合50%粒径10(im的Co并分末、50%粒径10|tim的Cr4分末、50%粒径15pm的Pt粉末及50。/。粒径3|im的Ta205粉末制作的、由现有方法10B制作的靶相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Cr-Pt二元系合金粉末在本发明的范围外的Cr-Pt合金粉末R、由比较方法10B制作的靶的颗粒产生增多，故不优选。实施例15将表6所示Cr-Pt二元系合金粉末A~J、表7所示Co-Cr二元系合金粉末a~h、Co粉末、Pt粉末及Ti02粉末配合成表18所示配合組成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度1200°C、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作成分组成为Cr:14.7摩尔％、Pt:16.7摩尔％、Ta205:2.0摩尔％、余量为Co的热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的靶，由此实施本发明方法89B~98B、比较方法IIB及现有方法11B。采用EPMA测定在上述由本发明方法89B98B及比较方法IIB及现有方法11B制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，是否存在绝对最大长度超过10jum的粗大的铬氧化物凝集体示于表18。采用EPMA测定铬氧化物凝集体的绝对最大长度如下进行从上述由本发明方法89B~98B及比较方法11B及现有方法11B制作的靶切出试样，断面埋在树脂内，进行镜面研磨，以下采用与实施例5相同的方法进行测定。进而，将上述由本发明方法89B98B及比较方法IIB及现有方法IIB得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在与实施例5相同的条件下，进行预溅射，除去耙表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去靼表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.Ojum以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表18。[表18<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>热压烧结法真空热压法由表18所示结果可知，配合表6的Cr-Pt二元系合金粉末及表7的Co-Cr二元系合金粉末作为原料粉末制作的、由本发明方法89B~98B制作的粑，与不添加表18的Cr-Pt二元系合金粉末及Co-Cr二元系合金粉末、配合并混合50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径10jim的Cr4分末、50%粒径15|im的Pt粉末及50%粒径3pm的Ti02粉末、由现有方法11B制作的靶相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Co-Cr合金粉末在本发明的范围外的表7的Co-Cr合金粉末i、由比较方法IIB制作的耙的1.0pm以上颗粒的产生增多，故不优选。实施例16不使用Pt粉末，必需的Pt成分全部通过添加表6的Cr-Pt二元系合金粉末KQ而含有，作为非磁性氧化物粉末，使用Ta205粉末，及通过与实施例6相同的热等静压实施加压烧结，除此之外，在与实施例7完全相同的条件下，实施本发明方法64B70B、比较方法8B及现有方法8B,制作成分组成为Cr:17.5摩尔％、Pt:19.4摩尔％、Ta205:3.0摩尔％、余量为Co的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的粑。对上述由本发明方法99B~105B、比较方法12B及现有方法12B制作的靶进行与实施例5相同的测定，结果示于表19。[表19]<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>由表19所示结果可知，由本发明方法99B~105B制作的靶，与不添加Cr-Pt二元系合金粉末及Co-Cr二元系合金粉末、配合并混合50%粒径lOpm的Co4分末、50%粒径lOpm的Cr粉末、50%粒径15pm的Pt粉末及50%粒径3pm的丁&205粉末制作的、由现有方法12B制作的粑相比，颗粒产生少。但是，使用成分组成为Cr-Pt二元系合金粉末在本发明的范围外的表6的Cr-Pt合金粉末S及成分组成为Co-Cr二元系合金粉末在本发明的范围外的表7的Co-Cr二元系j、由比较方法12B制作的耙的颗粒产生增多，故不优选。〈第三方案〉作为原料粉末，采用气体雾化法制作具有表20所示成分组成的Co-Cr合金粉末A~J。上述采用气体雾化法得到的Co-Cr合金粉末A~J的50%粒径为95pm,因此将上述Co-Cr合金粉末A~J用具有45|um网眼的筛子进行分级，分级成采用激光衍射法测定的50%粒径均为35jLim。进而，准备市售的50%粒径lO^im的Co粉末、50%粒径15pm的Pt粉末、50%粒径3nm的Si02粉末、50%粒径3pm的Ti02粉末、50%粒径3pm的丁&205粉末及50%粒径10pm的Cr粉末。<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>实施例17将预先准备的原料粉末配合成表21所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度1200°C、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作具有表21所示成分组成的热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的本发明粑1C~8C、比较粑1C2C及现有耙1C。采用EPMA测定分散在上述本发明靶1C~8C、比较靶1C~2C及现有靶1C的基体中的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，绝对最大长度超过5nm的铬氧化物凝集体的数量及是否存在绝对最大长度超过lOjum的粗大的铬氧化物凝集体示于表21。如下所述地采用EPMA测定铬氧化物凝集体的绝对最大长度。从由上述本发明靶1C~8C、比较靶1C2C及现有靶1C制作的热压体切出试样，断面埋在树脂内，进行镜面研磨。用场致发射EPMA(日本电子社制JXA-8500F)对该断面组织进行面分析，得到Cr的元素分布像。实施面分析时，设定加速电压15kV、照射电流5x10_8A。Cr分布像的像素尺寸在X,Y方向均为0.5pm,像素数在X，Y方向均为800。因此，上述Cr的分布4象的分析范围为400pmx400pm。测定时间为0.015秒，累积次数为l次。为了能够尽可能准确地辨别出Cr富集的区域(即铬氧化物凝集体)，使该Cr的元素分布像为带有对比度及色调的图像。将得到的Cr的元素分布像不损失画质地作为位图格式的图像文件进行保存，将该图像另外读入个人电脑的图像处理软件(三谷商事社制、WinRoof)中进行二值化，通过图像处理测量与基质相比富含Cr的区域的绝对最大长度。二值化时，为了不使Cr富集区域的大小与原图像相比发生变化，选择阈值。对于测量时的长度的校准，使用原来由EPMA得到的Cr的元素分布像中表示的比例条。对每个靶随机选择10个部位进行取样。此处，铬氧化物凝集体的组成为用原子％表示含有Cr:30-500/。、氧50%~70%，余量为Co、Pt及构成非磁性氧化物的金属元素。进而，将上述本发明耙1C~8C、比较粑1C2C及现有粑1C用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在下述条件下进行预溅射，到达真空度5x10_5Pa、功率直流800W、Ar气压6.0Pa、粑基板间距离60mm、基板加热无、除去靶表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去耙表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.O)um以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表21。[表21〗<table>tableseeoriginaldocumentpage54</column></row><table>*标记表示在本发明范围外的条件。由表21所示结果可知，本发明耙1C8C与现有耙1C相比，颗粒产生少。另外，比较靶1C2C的颗粒的产生增多，故不优选。实施例18将预先准备的原料粉末配合成表22所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合4分末。将得到的混合粉末填充到SUS制的容器中，进行550度、保持12小时的真空脱气处理后，密封SUS容器，真空封入混合粉末。将填充有上述混合粉末的SUS容器在温度120(TC、压力lOOMPa、保持3小时的条件下实施热等静压，然后，将SUS容器开封，制作具有表22所示成分组成的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的耙，由此制作本发明靼9C~16C、比较耙3C~4C及现有粑2C。采用EPMA测定在由上述本发明粑9C~16C、比较靼3C~4C及现有耙2C制作的粑的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，绝对最大长度超过5nm的铬氧化物凝集体的数量及是否存在超过10nm的粗大的铬氧化物凝集体示于表19。铬氧化物凝集体的测定方法与实施例17相同。进而，将上述本发明革巴9C~16C、比较靶3C-4C及现有靶2C用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在下述条件下进行预溅射，到达真空度5x10_5Pa、功率直流800W、Ar气压6.0Pa、革巴基4反间iE巨离60mm、基板加热无、除去靼表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去耙表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.Opm以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表22。[表22]<table>tableseeoriginaldocumentpage57</column></row><table>*标记表示在本发明范围外的条件。200780010001.2转溢也被54/615t由表22所示结果可知，在基体中绝对最大长度超过5pm的Cr氧化物粒子在500个/mm2以下的本发明耙9C16C，与在基体中绝对最大长度超过5pm的铬氧化物凝集体超过500个/mn^或存在绝对最大长度超过10pm的铬氧化物凝集体的现有耙2C相比，颗粒产生少。实施例19将预先准备的原料粉末配合成表23所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到真空热压装置中，在真空气氛中、温度1200°C、压力15MPa、保持3小时的条件下进行真空热压，制作具有表23所示成分组成的热压体，对该热压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的本发明粑17C24C、比较靶5C~6C及现有靶3C。采用EPMA测定分散在上述本发明靶17C24C、比较靶5C~6C及现有靶3C的基体中的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，绝对最大长度超过5jam的铬氧化物凝集体的数量及是否存在超过10pm的粗大的铬氧化物凝集体示于表23。铬氧化物凝集体的测定方法与实施例17相同。进而，将由上述本发明靼17C~24C、比较靶5C6C及现有靶3C得到的靶用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在下述条件下进行预溅射，到达真空度5x10—5Pa、功率直流800W、Ar气压6.0Pa、萆巴基+反间3巨离60mm、基板加热无、除去靶表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预溅射，除去耙表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.O)im以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表23。[表23]<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>*标记表示在本发明范围外的条件。200780010001.2转溢齿被57/61:K由表23所示结果可知，由配合含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Co-Cr合金粉末A~H作为原料粉末制作的本发明靼17C~24C制作的耙，与由不添加Co-Cr合金粉末、配合并混合50%粒径10pm的Co粉末、50%粒径10pm的Cr粉末、50%粒径15jim的Pt粉末及50%粒径3pm的Ti02粉末制作的现有靼3C制作的把相比，颗粒产生少。但是，由使用成分组成为Co-Cr合金粉末在本发明的范围外的Co-Cr合金粉末I~J制作的比较靶5C~6C制作的靶的颗粒产生增多，故不优选。实施例20将预先准备的原料粉末配合成表24所示配合组成，将得到的配合粉末与成为粉碎介质的氧化锆球一同投入10L的容器内，将该容器内的气氛用Ar气体气氛置换，然后，密闭容器。将该容器在球磨机中旋转16小时，制作混合粉末。将得到的混合粉末填充到SUS制的容器中，进行550度、保持12小时的真空脱气处理后，密封SUS容器，真空封入混合粉末。将填充有上述混合粉末的SUS容器在温度1200°C、压力100MPa、保持3小时的条件下实施热等静压，然后，将SUS容器开封，制作具有表24所示成分组成的热等静压体，对该热等静压体进行切削加工，制作尺寸为直径152.4mm、厚度3mm的靼，由此制作本发明耙25C~32C、比较粑7C~8C及现有靼4C。采用EPMA测定在由上述本发明粑25C~32C、比较耙7C~8C及现有粑4C制作的靶的基体中分散的铬氧化物凝集体的绝对最大长度(粒子的轮廓线上的任意2点间距离的最大值)，绝对最大长度超过5nm的铬氧化物凝集体的数量及是否存在绝对最大长度超过10jum的粗大的铬氧化物凝集体示于表5。铬氧化物凝集体的测定方法与实施例17相同。进而，将由上述本发明耙25C32C、比较粑7C~8C及现有靶4C得到的耙用有机溶剂脱脂，然后在真空中、150°C、保持8小时进行真空干燥后，接合到铜制的背板上，安装在市售的溅射装置中，在下述条件下进行预溅射，到达真空度5x10—5Pa、功率直流800W、Ar气压6.0Pa、革巴基^反间^巨离60mm、基板加热无、除去粑表面加工层后，暂时将室对大气开放，清扫屏蔽板等室构件。然后，再抽真空至达到上述真空度，抽真空后，进行30分钟的预賊射，除去靶表面的大气吸附成分或金属氧化层后，在4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜。在相同条件下，在总共25张4英寸Si晶片上形成厚度100nm的磁记录膜，对成膜后的晶片用市售的异物检查装置测定附着在晶片表面的l.Onm以上的颗粒数，计算25张的平均值，结果示于表24。[表24]<table>tableseeoriginaldocumentpage63</column></row><table>*标记表示在本发明范围外的条件。200780010001.2势s也被60/61:K由表24所示结果可知，由配合含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Co-Cr合金粉末A~H作为原料粉末制作的本发明靶25C~32C制作的耙，与由不添加Co-Cr合金粉末、配合并混合50%粒径10(xm的Co粉末、50%粒径10pm的Cr粉末、50%粒径15nm的Pt粉末及50%粒径3nm的Ta205粉末制作的现有靶4C制作的靶相比，颗粒产生少。但是，由使用成分组成为Co-Cr合金粉末在本发明的范围外的Co-Cr合金粉末I~J制作的比较靼7C~8C制作的粑的颗粒产生增多，故不优选。权利要求1.一种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，其特征在于，作为原料粉末，准备含有Cr50～70原子％、余量为Co的Cr-Co合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物2～15摩尔％、Cr3～20摩尔％、Pt5～30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结。2.如权利要求1所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，其特征在于，上述非磁性氧化物为二氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化钍、氧化锆、氧化铈及氧化钇中的任一种。3.如权利要求1所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射粑的制造方法，其特征在于，上述加压烧结是热压或热等静压。4.一种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射粑，是采用权利要求l、2或3所述方法制造的。5.—种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，其特征在于，作为原料粉末，准备含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物2-15摩尔％、Cr:3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结。6.—种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射耙的制造方法，其特征在于，作为原料粉末，准备含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末、含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Co-Cr二元系合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物2~15摩尔％、Cr.3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结。7.—种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射粑的制造方法，其特征在于，作为原料粉末，准备含有Pt:10~90原子％、余量为Cr的Cr-Pt二元系合金粉末、含有Cr:50~70原子％、余量为Co的Co-Cr二元系合金粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物2~15摩尔％、Cr:3~20摩尔%、Pt:5~30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结。8.如权利要求5、6或7所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，其特征在于，上述非磁性氧化物为二氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化钍、氧化锆、氧化铈及氧化钇中的任一种。9.如权利要求5、6或7所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射粑的制造方法，其特征在于，上述加压烧结是热压或热等静压。10.釆用权利要求5、6、7、8或9所述的方法制造的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶，是成分组成为含有非磁性氧化物2~15摩尔％、Cr:3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射耙，其特征在于，分散在基体中的Cr氧化物凝集体的绝对最大长度在10pm以下。11.如权利要求IO所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶，其特征在于，上述非磁性氧化物为二氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化钍、氧化锆、氧化铈及氧化钇中的任一种。12.—种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金賊射靶，其特征在于，成分组成为含有非磁性氧化物2~15摩尔％、Cr:3~20摩尔％、Pt:5~30摩尔％、余量Co及无法避免的杂质，在基体中绝对最大长度超过5pm的铬氧化物凝集体在500个/mm2以下。13.如权利要求12所述的颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶，其特征在于，在靶的基体中不存在绝对最大长度超过lOpm的铬氧化物凝集体。全文摘要一种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，其特征在于，作为原料粉末，准备含有Cr50～70原子％、余量为Co的Cr-Co合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物2～15摩尔％、Cr3～20摩尔％、Pt5～30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结；一种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法，作为原料粉末，准备含有Pt10～90原子％、余量为Cr的Pt-Cr二元系合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末、及Co粉末，将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物2～15摩尔％、Cr3～20摩尔％、Pt5～30摩尔％、余量Co的成分组成后，进行加压烧结；以及一种磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶，含有非磁性氧化物2～15摩尔％、Cr3～20摩尔％、Pt5～30摩尔％、余量Co及无法避免的杂质的成分组成，基体中绝对最大长度超过5μm的铬氧化物凝集体在500个/mm²以下。文档编号C22C1/04GK101405429SQ20078001000公开日2009年4月8日申请日期2007年3月30日优先权日2006年3月31日发明者杉内幸也,白井孝典,野中庄平申请人:三菱麻铁里亚尔株式会社