专利名称：在形成外延膜期间使用的气体歧管的制作方法
技术领域：
本发明广泛地说是关于半导体装置的制造，而更明确地是关于在形成 外延膜期间使用的气体歧管。
背景技术：
一种公知的选择性外延工艺，其包含一沉积反应与一蚀刻反应。沉积
积步骤中，外延层形成于单晶表面然而多晶层至少沉积在第二层，诸如现 存的多晶层与/或非晶质层上。然而，沉积的多晶层通常被以快于外延层的 速度蚀刻。因此，通过改变蚀刻剂气体的浓度，选择性工艺最终会导致外 延材质沉积，与有限或根本没有多晶材质沉积。例如，选择性外延工艺会 导致含硅材质的外延膜形成在单晶硅表面上，同时没有沉积残留在间隔件 上。
选择性外延工艺通常有一些缺点。为了在这样的外延工艺中维持选择 性，必须在整个沉积步骤中控制与调节前体的化学浓度和反应温度。如果 没有提供足够的硅前体，那么蚀刻反应会取得优势而减緩整体工艺。并且，也可能对基板特征造成过度蚀刻(over etching)伤害。如果没有提供足够的 蚀刻前体，那么沉积反应会取得优势并因而降低在基板表面各处形成单晶 与多晶材质的选择性。并且，公知的选择性外延工艺通常需要一较高的反 应温度，诸如大约800。C、 1,00Crc或更高。因为热预算的考虑与可能不受 控制的氮化反应(基板表面上)，在工艺中并不乐见这么高的溫度。
先前倂入的2004年12月1曰提申的美国专利申请案第11/001,774 号(案号9618条)，描述一种交替气体供应(alternating gas supply,AGS)工 艺，其包括重复沉积步骤与蚀刻步骤的循环直到形成所欲厚度的外延层， 此工艺可作为公知选择性外延工艺的一种替代工艺。由于AGS工艺采用独 立的沉积与蚀刻步骤，在蚀刻步骤中不需维持沉积前体浓度且在沉积步骤 中不需维持蚀刻前体浓度。某些实例中，可能使用较低的反应温度。
无论对选择性外延或AGS工艺两者而言，仍需要可有效实行这类工艺 的系统。
发明内容
某些方面中，本发明提供一外延膜形成系统，其包含一适于形成外延 层在基板上的外延腔； 一适于提供至少一沉积气体与一载气给外延腔的沉 积气体歧管；以及一与该沉积气体歧管分离且适于提供至少 一种蚀刻剂气 体与 一 载气给该外延腔的蚀刻剂气体歧管。
另一方面中，本发明提供一形成外延膜方法，其包括从沉积气体歧管 提供至少一沉积气体与一栽气给一外延腔；以及从与该沉积气体歧管分离 的 一 蚀刻剂气体歧管提供至少 一 蚀刻剂气体与 一 载气给该外延腔。
又另一方面中，本发明提供一使用于形成外延膜的设备，其包括一耦 接于一外延腔(其适合用来形成一外延层在一基板上)的混合区(mixing junction); —适合提供至少一沉积气体与 一 载气给该外延腔的沉积气体歧 管；以及一蚀刻剂气体歧管，其与该沉积气体歧管分离，且适于提供至少 一蚀刻剂气体与 一 载气给该外延腔。
又另一方面中，本发明提供一用于形成一外延膜的设备，其包括一耦 接于一外延腔(其适合在一基板上形成该外延层)的混合腔； 一适合提供至少一沉积气体与一栽气给该外延腔的沉积气体歧管；以及一蚀刻剂气体歧 管，其与该沉积气体歧管分离，且适于提供至少一蚀刻剂气体与一栽气给 该外延腔。
本发明其它特征与方面由下述的实施方式、所附的权利要求与附图变 得更完全地显而易见。
图1是符合本发明实施例的第一示范外延膜形成系统的概要图。
图2是符合本发明实施例的第二示范外延膜形成系统的概要图。 图3是符合本发明实施例的第三示范外延膜形成系统的概要图。 图4是符合本发明实施例的第四示范外延膜形成系统的概要图。
主要组件符号说明
100第一示范外延膜形成系统 101外延腔 103沉积歧管 105腔阀系统
107沉积气体管线 109蚀刻歧管
111蚀刻剂气体管线 113混合区
115a-d、 123a-b流量控制器 117a-d、 125a-b气体源 119a-d、 127a-b第一组气体管线 121a-d、 129a-b第二组气体管线 131、 305、 309外腔流量控制器 133、 307、 311内腔流量控制器 135a-b外腔气体管线 137内腔气体管线
200第二示范外延膜形成系统 300第三示范外延膜形成系统 303蚀刻剂阀系统 315内腔混合区 400第四示范外延膜形成系统
201混合腔 301沉积阀系统 313外腔混合区401外部混合腔 I内部区i或
403内部混合腔 0外部区域
具体实施例方式
公知的外延膜形成系统由于蚀刻与沉积步骤同时执行，因此通常采用 一单 一 的沉积与蚀刻剂气体歧管。在交替气体供应(alternating gas supply,AGS)外延膜形成系统中，则接连地执行蚀刻与沉积步骤。示范的 AGS系统描述于2004年12月1日提申的美国专利申请案第11/001,774 号(案号9618条)与2005年9月14日提申的美国专利申请案第11/227,974 号(案号9618/P01条)中，其全文特此以参考资料并入本文中。
在AGS系统中较佳是拥有独立的蚀刻与沉积歧管，以便从沉积转换至 蚀刻与从蚀刻转换至沉积时，沉积气体与蚀刻剂气体可被立即用于外延腔。 本发明提供采用独立的蚀刻歧管与独立的沉积歧管的方法与设备。
图1是符合本发明具体实施例的第一示范外延膜形成系统100的概要 图(以下称r第一外延系统100」)。第一外延系统100包括一外延腔101, 耦接至(1)一沉积歧管103，其是经由一腔阀系统105与一沉积气体管线 107而与该外延腔101耦接；以及(2)—蚀刻歧管109,其是经由该腔阀系 统105与一蚀刻剂气体管线111而与该外延腔101耦接。如图1所示，腔 阀系统105、沉积气体管线107与蚀刻剂气体管线111是在混合区113 (例 如，T型接合区或是类似的耦接方式)处耦接。
依据本发明实施例，外延腔101会包括任何公知适于在一个或是多个 基板上形成外延膜的外延腔。虽然可以使用其它的外延腔与/或系统，但可 于Epj Centura⑧系统与Poly Gen⑥系统(位于加州圣克拉拉的Applied Materials, lnc.提供)发现一示范的外延腔。
参照图1 ，沉积歧管103可包括流量控制器115a-d (诸如质量流量控 制器(mass flow controller, MFC)、体积;危量4空制器(volume flow controller, VFC)、活门等等)。流量控制器115a-d会经由第一组气体管线119a-d耦 接至气体源117a-d(诸如气瓶与/或工艺管线等等)。流量控制器115a-d也 会经由第二组气体管线121a-d耦接至沉积气体管线107。气体管线119a-d、 121a-d以及沉积气体管线107由不锈钢管道或其它合适的管道/ 管路(例如AISI 316L等等)组成。
图1的实施例中，沉积歧管103可包括耦接至四个气体源117a-d的 四个流量控制器115a-d。然而，有可能多于或是少于四个流量控制器 115a-d。另外，有可能多于或是少于四个耦接至流量控制器115a-d的气 体源117a-d。例如， 一气体(诸如氮、硅烷、氯化氢等等)来源会耦接至超 过一个流量控制器与/或超过一个气体的来源会耦接至一个流量控制器。
虽然可应用任何合适的耦接设施，但流量控制器115a-d会通过应用例 如可压缩垫片与气体管线119a-d和121a-d来耦接。流量控制器115a-d 彼此之间可能是一样或是不同的。此外，流量控制器115a-d会以质量、体 积、时间(例如根据时间打开与关掉气体阀)等等控制流量。
图1描述气体源117a-d配置在沉积歧管103外部。然而，气体源 117a-d也可能会包含于沉积歧管103中。气体源117a-d(例如气瓶等等) 会配置在次洁净室(sub-fab)或是其它这类位于半导体组件制造洁净室外或 是暗管的位置处。可选择将气体源117a-d配置在半导体组件制造洁净室与 /或暗管中靠近一群集工具处或位于该群集工具之中。进一步地，气体源 117a-d可由半导体组件制造厂房的设备来提供。被容纳在气体源117a-d 中或是以气体源117a-d来运送的化学化合物可以是气体、液体与/或固体 形式，且可于后续被蒸发成气体形式，好应用于外延腔101内去形成一外 延膜。
参照图1，蚀刻歧管109会包括流量控制器123a-b(诸如MFC (质量 流量控制器)、VFC (体积流量控制器)、活门等等)。流量控制器123a-b会 经由第一组气体管线127a-b耦接至气体源125a-b(诸如气瓶、工艺管线等 等)。流量控制器123a-b也会经由第二组气体管线129a-b耦接至蚀刻剂 气体管线111。气体管线127a-b、 129a-b以及蚀刻剂气体管线由不锈钢 管道或其它合适的管道/管路(例如AISI 316L等等)组成。
图1的实施例中，蚀刻歧管109会包括耦接至两个气体源127a-b的 两个流量控制器123a-b。然而，有可能多于或是少于两个流量控制器 123a-b。另外，有可能多于或是少于两个耦接至流量控制器123a-b的气体源125a-b。例如， 一气体(诸如氮、氯化氢、氯等等)的来源会耦接至超 过一个流量控制器与/或超过一个气体的来源会耦接至一个流量控制器。
虽然可应用任何合适的耦接设施，但流量控制器123a-b会通过应用例 如可压缩垫片与气体管线127a-b和129a-b耦接。此外，流量控制器123a-b 彼此之间可能是一样或是不同的。流量控制器123a-b会以质量、体积、时 间(例如根据时间打开与关掉气体阀)等等控制流量。
图1描述气体源125a-b配置在蚀刻歧管109外部。然而，气体源 125a-b可能会包含于蚀刻歧管1Q9中。气体源125a-b (例如气瓶等等)会 配置在次洁净室(sub-fab)或是其它这类位于半导体组件制造洁净室外或是 暗管的位置处。可选择将气体源125a-b配置在半导体组件制造洁净室与/ 或暗管中靠近一群集工具处或位于该群集工具之中。进一步地，气体源 125a-b可由半导体组件制造厂房的设备提供。被容纳在气体源125a-b中 或是以气体源125a-b运送的化学化合物会是气体、液体与/或固体形式， 且可于后续被蒸发成气体形式而应用于一外延腔101内去形成一外延膜。
腔阀系统105会包含一外腔流量控制器131与一内腔流量控制器 133。外腔流量控制器131会经由外腔气体管线135a-b(诸如不锈钢或相似 管道/管路)耦接至外延腔101外部区域O。内腔流量控制器133会经由内 腔气体管线137(诸如不锈钢或相似管道/管路)耦接至外延腔101内部区域 I。注意图1描述的外延腔101的内部区域I与外部区域0不是按比例绘制 而仅是示意而已。内部区域I与外部区域0的相对大小与位置会根据外延 腔101的应用而改变。
外腔流量控制器131与内腔流量控制器133可应用焊接或是任何其它 合适的方法耦接至混合区113。外腔流量控制器131与内腔流量控制器133 可能是MFC、体积流量控制器、活门(例如气体式)等等。外腔流量控制器 131也会应用焊接或是其它合适的方法耦接至气体管线135a-b。
混合区113可以是一气体管线107与111耦接的公知T型接合区。混 合区113也可以包含其它几何图案。例如，可应用丫型接合区而不是T型 接合区，就如接合区(混合气体)的部分有许多相异与/或多变的规格。或者， 接合区也可以是X型接合区，其中不同的分支会各自地耦接至外腔流量控制器131、内腔流量控制器133、沉积气体管线107以及蚀刻剂气体管线 111。根据应用的气体源，特定几何学的选择与/或体积排列会改善混合区 113内气体混合的一致性。
在AGS工艺中，通过独立的沉积歧管103与独立的蚀刻歧管109的 应用，蚀刻时所用的气体可在沉积后立即被应用于外延腔101。同样地， 沉积时所用的气体也可在蚀刻之后，立即被用于外延腔101。注意，在沉 积与蚀刻时会持续从沉积歧管103与蚀刻歧管109两者流出载气(诸如氮 气、氢气等等)，好避免由于打开/关掉栽气所造成的流动突波(flowspikes)。 举例来说，载气流速会远大于蚀刻/整体流速(例如在至少一个实施例中，栽 气大约是10-20 slm相对于蚀刻/沉积气体大约是1 slm或更少)。虽然可以 应用其它流速，在一示范实施例中，栽气流持续以大约10 slm的速度从沉 积歧管103与蚀刻歧管109流出。
图2是符合本发明实施例的第二示范外延膜形成系统200的概要图(之 后'第二外延系统200)。图2的第二外延系统200相似于图1的第一外延 系统100，但应用一混合腔201代替图1第一外延系统的混合区113。如 图2所示，腔阀系统105、沉积气体管线107与蚀刻剂气体管线111均耦 接至混合腔201。
混合腔201可以是任何能在气体进入外延腔101之前改善其混合度的 腔室形状/尺寸。例如，混合腔201可以是圆柱形的、立方体的、圆形的等 等。
第二外延系统200运作相似于图1的第一外延系统100。然而，由于 混合腔201，改善的气体混合现象发生在气体进入外延腔101之前。在某 些实施例中，这样改善的气体混合会改善外延膜表面型态(例如，通过在进 入外延腔101之前更均匀地混合载气与蚀刻与/或沉积气体)。
图3是符合本发明实施例的第三示范外延膜形成系统300的概要图(之 后'第三外延系统300)。图3的第三外延系统300相似于图1的第一外延 系统100，但以 一 沉积阀系统301与蚀刻剂阀系统303来代替腔阀系统 105。
沉积阀系统301有一外腔流量控制器305,以及一内腔流量控制器307。同样地，蚀刻剂阀系统303包含一外腔流量控制器309，以及一内 腔流量控制器311。
第三外延系统300也可以一外腔混合区313与 一 内腔混合区315来代 替图1的混合区113 。沉积阀系统301的外腔流量控制器305与蚀刻剂阀 系统303的外腔流量控制器309两者均耦接至外腔混合区313 。沉积阀系 统301的内腔流量控制器307与蚀刻剂阀系统303的外腔流量控制器311 两者均耦接至内腔混合区315。
如图3所示，沉积气体管线107耦接至沉积阀系统301的外腔流量控 制器305与内腔流量控制器307。蚀刻剂气体管线111耦接至蚀刻剂阀系 统303的外腔流量控制器309与内腔流量控制器311 。流量控制器305、 307、 309以及311可以是MFCs、体积流量控制器、活门(例如气体式)或 是任何其它合适的流量控制器。
第三外延系统300运作相似于图1的第一外延系统100。然而，在某 些具体实施例中将混合区313、 315配置成靠近外延腔101 (相对图1的混 合区113)，会改善气体混合。本发明至少一个实施例中，流量控制器305、 307、 309以及311各自设定在一所欲的位置/流速且在膜形成时保持打开 状态(例如，好避免延误与/或突波)。举例来说，仅有流量控制器115a-d与 /或123a-b需要被打开与关上。
图4是符合本发明实施例的第四示范外延膜形成系统400的概要图(以 下称r第四外延系统400」)。图4的第四外延系统400相似于图3的第三 外延系统300,但以 一 外部混合腔401来代替外腔混合区313并以 一 内部 混合腔403来代替内腔混合区315。因此，沉积阀系统301的外腔流量控 制器305与蚀刻剂阀系统303的外腔流量控制器309均耦接至外部混合腔 401 。同样地，沉积阀系统301的内腔流量控制器307与蚀刻剂阀系统303 的内腔流量控制器311均耦接至内部混合腔403。
混合腔401、 403可以是任何可以在气体进入外延腔101之前改善其 混合度的腔室形状/尺寸。例如，混合腔401、 403可以是圆柱形的、立方 体的、圆形的等等。
第四外延系统400的运作与图3的第三外延系统300类似。然而，由于混合腔401、 403,改善的气体混合现象发生在气体进入外延腔101之 前。某些实施例中，这样改善的气体混合会改善外延膜表面型态(例如通过 在进入外延腔101之前更均匀地混合栽气与蚀刻与/或沉积气体)。
前面的叙述只揭示本发明的示范实施例。熟悉技术人士可以明显得知， 其可在不悖离发明的范围与精神下变形上文揭示设备与方法。例如，虽然 沉积歧管103与蚀刻歧管109显示在外延腔101相对的两边，可以理解 沉积歧管103与蚀刻歧管109可能会在外延腔101的相同一边或任何其它 合适的位置(例如残留独立的歧管时)。再者，如上述于图1-4中，沉积歧管 103与蚀刻歧管109会是应用独立蚀刻管线好传送蚀刻剂给反应腔(独立 于应用来传送沉积形式的管线)的整体气体歧管一部分。
本发明至少 一个实施例中，蚀刻剂(例如氯气)的引入是通过一独立液 体供应管线而发生，不需与气体面板中其它气体混合(例如反应气体、沉积 气体等等)。例如，通过一具有流量控制装置的独立管线发生蚀刻剂的引入。
一特定的实施例中，蚀刻剂的引入是通过一独立管线而发生，该独立 管线具有流量控制装置，且为了达到蚀刻的一致性而在接近反应腔(例如一 外延膜形成腔)时分裂，好分散腔室引入区之间的蚀刻剂。某些实施例中， 会应用流量分配器或活门在各个分裂处。
某些实施例中，蚀刻剂的引入是通过一具有一接近反应腔(例如一外延 膜形成腔)的混合器的独立管线而发生，不需与气体面板中其它气体混合。
至少 一 实施例中，蚀刻剂的引入是以 一 针对各个腔室引入区的独立管 线(从气体面板至反应腔)而发生。例如，蚀刻剂的引入以一具有一接近反 应腔的混合器，且针对各个腔室引入区的独立管线(从气体面板至反应腔) 而发生。某些实施例中，蚀刻剂的引入是以一独立管线(从气体面板至反应 腔)，且仅有诸如氮气、氦、氩等等的栽气耦接至气体面板的蚀刻管线而发 生。
某些实施例中，可能发生蚀刻剂的引入，其中蚀刻剂与其它活跃化学 物(例如液体)的混合，需要步骤发生在当管线内的压力不超过腔内压力约 20托尔以上时。
至少一实施例中，氯气会应用在外延膜形成、清洁与/或蚀刻含硅材质(最好在约1托尔或更高的腔内压力下)。
某些实施例中，可能有蚀刻剂的引入，其中蚀刻剂与其它在气体面板 中的气体/液体(诸如硅前体、掺质气体等等)混合，好沉积、清洁与/或蚀刻 含硅材质(最好在约1托尔(tOIT)或更高的腔内压力下)。例如，可以提供热 的反应腔好应用蚀刻剂(例如氯气)于沉积、清洁与/或蚀刻含硅材质(最好在 约1托尔或更高的腔内压力下)。包含一气体面板、 一反应腔以及一从气体 面板耦接至反应腔的传送管线的 一 器械，其会应用蚀刻剂(例如氯气)于沉 积、清洁与/或蚀刻含硅材质(最好在约1托尔或更高的腔内压力下)。
某些实施例中，可能发生蚀刻剂的引入，其中蚀刻剂与气体面板中剩 下的液体(诸如硅前体、掺质气体等等)混合。至少一实施例中，蚀刻剂的 引入是通过一在计量阀上游且具有流量控制装置的独立管线而发生，且该 独立管线在接近反应腔时分裂，好分散腔室引入区之间的蚀刻剂。相同的 计量阀会应用在腔室引入区之间去改变蚀刻剂与其余反应气体的散布。某 些实施例中，蚀刻剂的引入以一具有一接近反应腔的混合器，且针对各个 腔室引入区的独立管线(从气体面板至反应腔)而发生。
因此，虽然本发明是以其示范实施例来揭示，应当理解的是，下述权 利要求所界定的其它实施例也会落入本发明的精神与范围内。
权利要求
1. 一种外延膜形成系统，其至少包括适于在基板上形成外延层的外延腔；适于提供至少一沉积气体与一载气给该外延腔的沉积气体歧管；以及与该沉积气体歧管分离且适于提供至少一蚀刻剂气体与一载气给该外延腔的蚀刻剂气体歧管。
2. 如权利要求1所述的系统，其中该外延膜形成系统更包括一耦接至 该外延腔的腔阀系统，其位于该沉积气体歧管与该蚀刻气体剂歧管之间。
3. 如权利要求2所述的系统，其中该腔阀系统经由一混合区而耦接至 该沉积气体歧管与该蚀刻剂气体歧管。
4. 如权利要求2所述的系统，其中该腔阀系统经由一混合腔而耦接至 该沉积气体歧管与该蚀刻剂气体歧管。
5. 如权利要求1所述的系统，其中该外延膜形成系统更包括沉积阀系 统，耦接至该外延腔与该沉积气体歧管。
6. 如权利要求1所述的系统，其中该外延膜形成系统更包括蚀刻剂阀 系统，耦接至该外延腔与该蚀刻剂气体歧管。
7. 如权利要求1所述的系统，其中该外延膜形成系统更包括 沉积阀系统，耦接至该外延腔与该沉积气体歧管；以及蚀刻剂阀系统，耦接至该外延腔与该蚀刻剂气体歧管。
8. 如权利要求1所述的系统，其中该外延膜形成系统更包括沉积阀系统，耦接至该沉积气体歧管与一通到该外延腔的混合区；以及蚀刻剂阀系统，耦接至该蚀刻剂气体歧管与 一通到该外延腔的混合区。
9. 如权利要求1所述的系统，其中该外延膜形成系统更包括沉积阀系统，耦接至该沉积气体歧管与 一通到该外延腔的混合腔；以及蚀刻剂阀系统，耦接至该蚀刻剂气体歧管与 一通到该外延腔的混合腔。
10. —种形成一外延膜的方法，其至少包括从沉积气体歧管提供至少一沉积气体与 一栽气给一外延腔；以及 从与该沉积气体歧管分离的蚀刻剂气体歧管提供至少一蚀刻剂气体与 栽气给该外延腔。
11. 如权利要求10所述的方法，更包括应用一耦接至该外延腔的腔阀 系统，其位于该沉积气体歧管与该蚀刻剂气体歧管之间，去运送该气体给 该外延腔。
12. 如权利要求11所述的方法，更包括应用一耦接至该腔阀系统、该 沉积气体歧管以及该蚀刻剂气体歧管的混合区。
13. 如权利要求11所述的方法，更包括应用一耦接至该腔阀系统、该 沉积气体歧管以及该蚀刻剂气体歧管的混合腔。
14. 如权利要求10所述的方法，更包括应用一耦接至该外延腔与该沉 积气体歧管的沉积阀系统。
15. 如权利要求10所述的方法，更包括应用一耦接至该外延腔与该蚀 刻剂气体歧管的蚀刻剂阀系统。
16. 如权利要求10所述的方法，更包括应用一耦接至该外延腔与该沉 积气体歧管的沉积阀系统，与 一耦接至该外延腔与该蚀刻剂气体歧管的蚀 刻剂阀系统。
17. 如权利要求10所述的方法，更包括应用一耦接至该沉积气体歧管 与 一 通到该外延腔的混合区的沉积阀系统；以及应用 一 耦接至该蚀刻剂气 体歧管与 一 通到该外延腔的混合区的蚀刻剂阀系统。
18. 如权利要求10所述的方法，更包括应用一耦接至该沉积气体歧管 与一通到该外延腔的混合腔的沉积阀系统；以及应用 一耦接至该蚀刻剂气 体歧管与 一通到该外延腔的混合腔的蚀刻剂阀系统。
19. 一种用于形成一外延膜的设备，其至少包括 混合区，耦接至适于在基板上形成外延层的外延腔； 沉积气体歧管，其适于提供至少一沉积气体与一栽气给该外延腔；以及蚀刻剂气体歧管，其与该沉积气体歧管分离且适于提供至少 一 蚀刻剂 气体与一载气给该外延腔。
20. —种用以形成外延膜的设备，其至少包括 混合腔，耦接至适于在基板上形成外延层的外延腔； 沉积气体歧管，其适于提供至少一沉积气体与一载气给该外延腔；以及蚀刻剂气体歧管，其与该沉积气体歧管分离且适于提供至少 一 蚀刻剂 气体与一载气给该外延腔。
全文摘要
本发明提供关于形成外延膜的方法、系统与设备，其包括适于形成外延层在基板上的外延腔；适于提供至少一沉积气体与一载气给该外延腔的沉积气体歧管；以及蚀刻剂气体歧管，其与该沉积气体歧管分离，且适于提供至少一蚀刻剂气体与载气给该外延腔。此外还揭示许多其它方面。
文档编号C23C16/00GK101415859SQ200780012516
公开日2009年4月22日 申请日期2007年4月6日 优先权日2006年4月7日
发明者A·V·萨蒙罗弗, A·佐嘉吉, C·R·梅茨纳, D·伊西卡瓦, Y·金 申请人:应用材料股份有限公司