涂布液、使用涂布液形成的导电性薄膜及其形成方法

专利名称：：涂布液、使用涂布液形成的导电性薄膜及其形成方法
技术领域：
：本发明涉及用于形成导电性薄膜的涂布液、导电性薄膜及其形成方法、以及在表面上形成有导电性薄膜的制品。
背景技术：
：导电性薄膜应用于范围广泛的领域。特别在涉及显示器的应用领域里，导电性薄膜对于几乎所有显示装置都是必不可少的，例如等离子显示器(PDP)、液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED)。在应用到这些显示器相关的领域中时，大多采用溅射等气相法进行。这是因为由气相法所形成的薄膜致密，因此电阻率低，膜的均匀性也很优异。但是溅射等气相法存在如下问题要求上述的装置大型化、在大面积制膜时需要保持真空且制膜时需要大量能量，以及由于成品率差和把的利用效率差而导致原料的利用率低。作为解决这些问题的方法，包括下文所述的液相法。采用液相法有如下优点不需要大型装置、能量消耗也低。(i)将ITO(氧化铟锡)颗粒与粘合剂一起干燥以形成膜的技术(参见专利文献1)。(ii)利用喷雾器将有机金属或无机盐的溶液喷雾到加热基板上，使固相从液相中析出，从而在基板上沉积成薄膜的技术(参见专利文件2)。(iii)使氧化铟和氧化锡固定在含有由溶胶-凝胶法得到的金属醇盐的溶胶中的技术(参见专利文件3)。(iv)涂敷有机金属(铟或锡)化合物(络合物)的溶液以形成膜，并且不经过溶胶-凝胶反应过程来制造薄膜并进行烧制的技术(参见专利文件4)。专利文件1:日本特开平6-119816号7>才艮专利文件2:日本特开平2006-73267号公报专利文件3:日本特开平10-237078号公报专利文件4:日本特开平2002-42583号公报
发明内容本发明要解决的问题在上述技术(i)中，为了将导电性颗粒保持在表面，粘合剂是必需的；由于粘合剂树脂通常是二氧化硅等的绝缘体，降低形成的膜的电阻率受到限制。在上述技术(ii)中，存在如下问题通常要求数十到数百次的喷雾以达到低电阻率，该过程的时间效率被降低。在上述技术(iii)中，由于缩聚反应的进程因温度和湿度而显著不同，因此为了获得均匀的薄膜通常需要严格控制成膜条件。此外，由于涂布液的溶胶在多数情况下不稳定，在实际使用中存在很多待解决的问题，例如需要进行一些设计以保持溶胶粘度和防止固体成分的沉淀。在上述技术(iv)中，涂敷化学稳定的有机铟/锡络合物的溶液，不经过溶胶-凝胶反应过程来制造薄膜，然后进行烧制。但是，在含有以往使用的配位体的络合物分子中，由于配位体的有机部分占有较大体积，因此当薄膜被烧制以生成金属氧化物时，会造成显著的体积收缩、不能增加密合强度，因此，根据用途其耐久性有时不充分。此外，在一些条件下，有时会因与基板的粘合性差而导致薄膜从基板上剥离，或者即使薄膜粘合在基板上也会出现很多裂紋。透明导电膜的情况下，产生微小的裂紋就会导致浊度(雾度)的增加，在实用上不优选。另夕卜，关于裂紋和粘合性的问题，由于在制备厚膜时表现特別显著，因此，为了获得良好的膜，必须严格控制膜的厚度。本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供一种涉及透明性和导电性高、并且对基体的粘合性也高的导电性薄膜的技术。解决问题的方法用来解决上述问题而作出的本申请的第一发明涉及一种涂布液，该涂布液包含化学式1表示的配位体与铟(In)、锡(Sn)或者铟(In)和锡(Sn)两者反应而得到的金属材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>化学式1中的R2广R24分别是下述(1)-(11)中的任一基团，且Xn和X12是杂原子或羧酸基。(1)由QH2H表示的基团(前述1为0到4的任意整数)；(2)由CmH2m表示的基团(前述m为2到4的任意整数)；(3)由CnH2n-!表示的基团(前述n为2到4的任意整数)；(4)由COOR表示的基团(前述R为CpH2pM(前述p为0到4的任意整数)或者由R^C6Hs表示的基团)；(5)由醛、S同、COCqH2q+,(前述q为0到4的任意整数)表示的基团或者二苯曱酮；(。羟基(OH)或者醚类；(7)胺(NH2)或者烷基胺；(8)酰胺；(9)卤素类；(10)腈(CN);(U)硝基(N02)。使用本发明的涂布液，可以在基体表面上形成导电性薄膜。例如，将本发明的涂布液涂布在基体表面上时，形成包括含有铟(此后也记作In)、锡(此后也写为Sn)或者In和Sn两者的金属化合物的涂膜。接着，如果对该涂膜进行烧制，则上述金属化合物被热分解，配位体消失，形成含In、Sn或In和Sn两者的金属氧化物薄膜(导电性薄膜)。使用本发明的涂布液形成的导电性薄膜具有高的膜密度，其上不会形成裂紋，且与基体的粘合性优异。此外，由于膜密度高，导电性也高。此外，由于没有形成裂紋，从而浊度(雾度)低，因此，能得到具有透明性的导电性薄膜。如上所述的膜密度高且没有形成裂紋的理由，可推测如下。即，由化学式1表示的分子结构可知，化学式1表示的配位体与In、Sn或In和Sn两者反应而得到的金属材料具有平板结构，因此在将涂布液涂布到基体表面上形成涂膜时，由于金属材料之间的相互作用，形成金属材料彼此重叠的分子集合结构(堆积)。子集合结构的形成。因此，即使配位体在烧制时消失，平行于基体表面方向上的体积收缩也会被抑制，从而抑制产生裂紋和剥离。另外，对于由以往使用的有机金属络合物形成金属氧化物薄膜时产生裂紋和粘合性不良，认为其原因如下。即，当金属原子形成络合物时，通过最外层的d轨道形成键，所述键向正八面体的各个顶点方向延伸，其中金属原子位于该八面体中心，所述键的前端存在配位体的取代基，因此，通常的有机金属络合物具有例如图1所示的分子结构那样的以金属原子为中心的立体结构。由此，对由有机金属络合物制成的薄膜进行烧制而使配位体因热分解而消失时，三维方向上产生较大的体积收缩，结果会产生裂紋或者因为与基体的尺寸失配而导致的剥离。此外，使用本发明的涂布液形成的导电性薄膜具有较高的硬度。而且使用本发明的涂布液形成的导电性薄膜平滑且透明度高，因此，在例如导电性薄膜形成在玻璃表面上的情况下，可以保持玻璃的透明性；在导电性薄膜形成在镜子表面上时，可以保持镜子的反射率。此外，本发明的涂布液即使不含粘合剂也能形成具耐久性的导电性薄膜。形成的薄膜中的氧化铟、氧化锡或者氧化铟锡的浓度不会被粘合剂所稀释，因此氧化铟、氧化锡或者氧化铟锡的作用(例如导电作用)较高。另外，由于本发明的涂布液是稳定的，该涂布液能够长期保存。另外，使用本发明的涂布液而形成的金属氧化物薄膜(导电性薄膜)能发挥透明导电膜的功能。本发明的涂布液可容易地制备。例如，该涂布液可以仅通过如下操作来制备在适当的溶剂中向铟烷氧化物和氯化锡等原料中加入相对于铟和锡原子为适量的作为配位体的邻苯二酚，然后通过加热来制造In/Sn络合物，必要时，通过过滤或蒸发溶剂来进行回收。由于In/Sn络合物具有平面结构，在涂敷并千燥后的状态下，形成络合物分子彼此相互重叠的分子结构(堆积)。另外，芳香环彼此之间的相互作用也有助于该分子结构。化学式1表示的配位体与铟(In)、锡(Sn)或者In和Sn两者反应而得到的金属材料是例如化学式2或化学式3所表示的有机金属络合物。[化学式2]化学式2或化学式3中的Rn~R2o的每一个是权利要求1中(1)~(1l)的任一基团，X广X,。是杂原子或羧酸基。本发明的涂布液可以包含下述溶剂例如，醇类(例如曱醇、乙醇、2-丙醇、正丁醇、异丁醇)；醚类(例如乙醚、MTBE、THF);乙二醇、乙二醇单曱醚、乙二醇二曱醚；烃(例如辛烷、正己烷、环己烷、苯、曱苯、二曱笨)；二曱亚砜(DMSO);酰胺类(例如二曱基曱酰胺)；内酰胺类(例如N-曱基吡咯烷酮(NMP));卣化物(例如四氯化碳、氯仿、二溴曱烷、二氯曱烷)；酮类(例如丙酮、曱乙酮(MEK));f3-酮类(例如乙酰丙酮(acac));酯类(例如乙酸乙酯)；内酯类(例如Y-丁内酯、e-己内酯)；硝基烷烃(例如硝基乙烷、硝基曱烷)；水等。有机金属络合物在涂布液中的浓度没有特别限制，只要是不超过有机金属络合物的溶解度的范围，但优选例如0.1M0.8M。形成两种以上金属均匀混合其中的复合导电性薄膜时，可以按照期望的比例混合适当的有机9金属络合物使用。本申请的第二发明涉及一种形成导电性薄膜的方法，该方法包括将上述第一发明的涂布液涂布在基体表面上以形成涂膜，并对该涂膜进行烧制，由此使上述涂膜中含有的选自上述金属材料中的至少一种金属材料成为导电性薄膜。根据本发明形成的导电性薄膜不会产生裂紋、与基体的粘合性优异，并且硬度高。此外，如上所述，由于不产生裂紋，因此可以增加导电性薄膜的膜厚。此外，根据本发明形成的导电性薄膜硬且平滑，并具有高透明性，因此，例如在玻璃表面上形成导电性薄膜时，可以保持玻璃的透明性；在镜子表面形成导电性薄膜时，可以保持镜子的反射率。另外，本发明的涂布液即使不含粘合剂，也可以形成具有耐久性的导电性薄膜。因此，所形成的薄膜中氧化铟、氧化锡或氧化铟锡的浓度不会被粘合剂所稀释，氧化铟、氧化锡或氧化铟锡的作用(例如，导电作用)较高。上述基体没有特别限定，但在形成导电性薄膜的步骤中使用烧制法时，优选基体是能够耐受烧制时的温度的材料。所述基体的具体例子包括例如玻璃(例如PYREX(注册商标)玻璃、钠玻璃、石英玻璃)、陶瓷(例如氧化铝、氧化4告、氧化硅)、和耐热高分子树脂(例如聚酰亚胺树脂等)。作为上述涂布的方法，可以广泛使用能够形成涂布液的涂膜的湿法，可列举通常使用的涂敷方法，例如，旋涂法、浸涂法、喷涂法等。优选在涂敷涂布液后，在室温常压下对涂膜进行自然干燥。之后，例如可以进行涂膜的烧制。为了使上述有机金属化合物变成导电性薄膜，例如有如下的方法涂敷涂布液并对形成的涂膜进行烧制。烧制温度优选例如3501000。C范围内的温度。当烧制温度为350。C以上时能够形成致密的膜，因此可以制成具有导电性和透明性的导电性薄膜。此外，当烧制温度为700。C以上时，能够形成致密的膜，因此可以制成导电性更高的透明导电性薄膜。另外，当在空气中进行烧制后再于还原性氛围中(例如在氮气-氢气混合气体氛围中)进行烧制时，可以形成电阻率更低的导电性薄膜。如上所述，由于烧制温度可以为约35(TC的低温，因此，使用本发明的涂布液，即使在不耐热的基体表面，也能够形成导电性薄膜。此外，即使基体为钠玻璃，也能够在没有底涂层的情况下形成导电性薄膜。可以根据金属M的种类和所期望的导电性薄膜的晶相来调节烧制温度。本申请的第三发明涉及通过上述第二发明的形成导电性薄膜的方法所形成的导电性薄膜。本发明的导电性薄膜不会产生裂紋、硬度高，并且与基体的粘合性优异。此外，本发明的导电性薄膜平滑且透明性高，因此，例如在玻璃表面上形成导电性薄膜时，可以保持玻璃的透明性；在镜子表面形成导电性薄膜时，可以保持镜子的反射率。此外，由于本发明的导电性薄膜不含粘合剂，所形成的薄膜中氧化铟、氧化锡或氧化铟锡的浓度不会被粘合剂所稀释，氧化铟、氧化锡或氧化铟锡的作用(例如，导电作用)较高。本申请的第四发明涉及一种导电性薄膜覆盖的产品，其包括基体以及通过上述第二发明的形成导电性薄膜的方法在上述基体表面形成的导电性薄膜。在本发明的导电性薄膜覆盖的产品中，导电性薄膜不会产生裂紋、硬度高，并且与基体的粘合性优异。此外，本发明的导电性薄膜平滑且透明性高，因此，在例如基体为玻璃时，可以保持玻璃的透明性；在基体为镜子时，可以保持镜子的反射率。另外，由于本发明的导电性薄膜不含粘合剂，所形成的膜中氧化铟、氧化锡或氧化铟锡的浓度不会被粘合剂稀释，氧化铟、氧化锡或氧化铟锡的作用(例如，导电作用)较高。上述基体没有特别限定，但在形成导电性薄膜的步骤中使用烧制法时，优选基体是能够耐受烧制时的温度的材料。所述基体的具体例子，包括玻璃(例如PYREX(注册商标)玻璃、钠玻璃、石英玻璃)、陶资(例如氧化铝、氧化锆、氧化硅)、和耐热高分子树脂(例如聚酰亚胺树脂等)。图1是表示亚氨基二乙醇络合物的分子结构的说明图。具体实施例方式下面基于实施例来说明本发明。[实施例]基于实施例来说明本发明。(a)金属络合物的制备将下述表1所示的化合物A按照表1所示的量溶解在适量的溶剂(二曱苯)中，制备溶液，将用乳钵碾细的醋酸铟和丁醇锡(IV)混合在溶液中，其中丁醇锡以滴加的形式加入。然后，使该混合液回流1小时，然后在132。C下蒸馏，直到混合液的量为原来的一半。蒸馏后，用旋转蒸发仪在减压条件下蒸发剩余混合液中的易挥发组分。残留的固体成分进一步在真空中使用真空干燥机加热到100°C，彻底除去残留的易挥发组分。固体成分的收量如表1所示。即使在保存六个月以上，固体成分也未发生化学变化，即使在合成后的六个月以上再进行涂敷，所得试样与在合成后立即制得的试样在电学或化学性质上未发生改变。实施例混合量(g)化合物A溶剂量(ml)收量(g)醋酸铟丁醇锡(IV)名称混合量(g)129,200扁邻苯二酚16.50020027.7020.0010.300邻苯二酚5.500508.38326.302.100邻苯二酚16細20026.6041.050.082苯二胺0.627201.0551.050.0822-氨基笨酚0.633201.00.61.050.0822-氨基苯硫酚0.72620U571,050.082邻氨基苯曱酸0.795201.2281.050.082水杨酸0細201.2391.050.082硫代水杨酸0.894201.32(b)涂布液的制备(涂布液中In和Sn的组分引起的变化)将由表1所示的实施例1和实施例2得到的粉末按照下述表2所示的比例溶解在5ml的溶液里，该溶液由乙酰丙酮和曱苯以1:1比例混合而成，得到金属离子浓度为0.5M的涂布液。用旋涂法(涂敷时转速为750rpm)将0.4ml该溶液涂敷在石英玻璃板上(50x50x2tmm)。然后，将涂敷过的玻璃基板在900°C下烧制1小时(升温速12率为1(TC/分，自然冷却)，得到导电性薄膜。形成的导电性薄膜的薄层电阻、总透射率和浊度示于表2。导电性薄膜的薄层电阻的测定基于JISR1635,使用NPS制造的电阻测定器S-5(采用KS-TC-TF-VR探针)来进行；总透射率和浊度的测定基于JISZ8722，使用日本电色工业公司(NipponDenshokuIntrustriesCo"Ltd)制造的NDH5000W来进行。实施例固体溶剂量(ml)固体烧制后成分成分膜厚电阻率薄层电阻总透射浊度膜量(g)浓度(nm)(x10—3Qcm)(Q/口)率(％)(%)硬度11-12.800O.薩2014.07390920.18>9H11-27.0同上0.25M406.31600880.28>9H11-314.0同上0.50M853.7477850.34>9H11-421.0同上0.75M1002.6280840,23>9H11-4A同上同上同上同上0.9499870.30-由上述结果可知，膜厚与涂布液中固体成分浓度成比例地变化。膜的硬度即使在膜厚很厚时也显示〉9H的高硬度。膜厚变厚时，电阻率和薄层电阻都降低。如果进行退火，则电阻率和薄层电阻进一步降低。(烧制温度引起的变化)将表1所示的实施例3中得到的粉末适量地溶解在5mL的溶液中，其14中所述溶液是乙酰丙酮和甲苯以1:1比例混合而得到的，得到金属离子浓度为0.75M的涂布液。用旋涂法(涂敷时转速为750rpm)将0.4ml该溶液涂敷在石英玻璃板(50x50x2tmm)上。然后，将涂lt过的玻璃基板在350~1000°C范围的温度下烧制1小时(升温速率为10。C/分，自然冷却)，得到导电性薄膜。所形成的导电性薄膜的电阻率和薄层电阻如下述表4所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>上述结果表明即使在350。C下进行烧制也表现出导电性，在烧制l小时的情况下，烧制温度最佳为900°C。(反复多次涂敷引起的变化)将表1所示的实施例3所得到的粉末适量溶解在5mL的溶液中，该溶液是乙酰丙酮和曱苯以1:1比例混合而成的，得到金属离子浓度为0.25M的涂布液。用旋涂法(涂敷时转速为750rpm)将该0.4ml溶液涂敷在石英玻璃板(50x50x2tmm)上。然后将涂敷过的玻璃基板在900°C下烧制1小时(升温速率为1(TC/分，自然冷却)，得到导电性薄膜。然后，测量导电性薄膜的电阻率、薄层电阻、光学性质和膜硬度，再重复5次所述涂敷过程和烧制。在完成烧制后，显示最低电阻率的试样在烧制后在还原性氛围下于50(TC退火1小时(升温速率为1(TC/分，自然冷却)(实施例13-5A)。所形成的导电性薄膜的电阻率、薄层电阻和光学性质如下迷表5所示。[表5]实施例涂敷、烧制次数烧制后膜厚(nm)电阻率薄层电阻(Q/。)总透射率(%)浊度(%)膜硬度13-11357.32311870.35>9H13-22654,1684870.32>9H13-3;3卯3.1364860,31>9H13-441203.2285卯0.19>9H13-5140.02.1155920.23>9H13-5A5+A同上0.8660900.30—上述结果表明，如果增加涂敷，则膜厚变厚，但即使膜厚变厚，仍然显示〉9H的较高膜硬度。同时，膜厚变厚时，电阻率和薄层电阻降低。几乎没有观察到光学特性的变化。(配位体和溶剂不同引起的变化)将表1所示的实施例3~9所获得的粉末按照下述表6所示的量溶解在表6所示的溶剂中，得到金属离子浓度为0.25M的涂布液。用旋涂法(涂敷时转速为750rpm)将0.4ml该溶液涂敷在石英玻璃板(50x50x2tmm)上。然后将涂敷过的玻璃基板在900。C下烧制1小时(升温速率为1(TC/分，自然冷却)，得到导电性薄膜。然后测量导电性薄膜的电阻率、薄层电阻和光学特性。实施例粉末粉末量(g)溶剂烧制后膜厚(nm)电阻率cm)薄层电阻(Q/口)总透射率(％)浊度(%)14-1实施例37.002-氨基乙醇(50ml)+乙醇(150ml)654.4724850.2314-2实施例46.93乙酰丙酮(50ml)+曱苯(50ml)496.51406893.6914-3实施例56.96同上455.21230861.5714-4实施例67.58同上40133467860.3314-5实施例78.03同上525.41110910.35M-6实施例88.07同上517.41558910,3214-8实施例98.68同上24156733900,2616上述结果表明，即使溶剂或配位体未使用表1所示的实施例3的溶剂或配位体，也确认到具有导电性和基体的透明性。(C)对比例(对比例1)使4.180g己酸乙酯溶解在20mL的溶剂(二曱苯)中，配制溶液，将用乳钵碾细的2.630g醋酸铟和0.206g丁醇锡(IV)混合到溶液中(丁醇锡以滴加的方式加入)。将该混合液回流1小时，然后在132。C下蒸馏，直到混合液的量为原来的一半。蒸馏后，用旋转蒸发仪在减压条件下使剩余混合液中的易挥发组分蒸发。残留的固体成分进一步在真空中使用真空干燥机加热到10(TC,彻底除去残留的易挥发组分。固体成分的收量为5.24g。将1.38g得到的粉末溶解在5mL的甲苯中，形成金属离子浓度为0.5M的涂布液。(对比例2)将用乳钵碾细的0.692g醋酸铟和0.054g丁醇锡(IV)力。入到2.5ml乙酰丙酮和2.5ml曱苯的混合溶液中(其中丁醇锡以滴加的方式加入)，得到金属离子浓度为0.5M的涂布液。(对比例3)将0.840g硝酸铟三水合物和0.054g丁醇锡(IV)力口入到2.5ml乙酰丙酮和2.5ml曱苯的混合溶液中(其中丁醇锡以滴加的方式加入)，得到金属离子浓度为0.5M的涂布液。(对比例的性能)用旋涂法(涂敷时转速为750rpm)将0.4ml对比例1~3得到的涂布液涂敷在石英玻璃板(50x50x2tmm)上。然后将涂敷过的玻璃基板在90(TC下烧制1小时(升温速率为10。C/分，自然冷却)，得到导电性薄膜。导电性薄膜的膜厚、电阻率、薄层电阻和光学特性如下述表7所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>(比较1:配位体引起的比较)表8示出配位体不同的实施例和对比例之间的比较。所有试样都涂敷有金属离子浓度为0.5M的溶液。_烧制后试样膜厚电阻率薄层电阻总透射率浊度(nm)(%)(%)实施例11-3853.7477850.34对比例4-17713.919458937.8只十比例4-216OOCO卯譜对比例4-35229.46118920,83由上表可知，即使使用相同浓度的溶液，实施例与其它的对比例相比，尽管膜厚较厚，但电阻率和薄层电阻都较低，浊度也低。这表明实施例所得到的膜致密且透明度更高。为了测定膜的致密度，使用偏振光椭圆率测量仪(沟尻光学工业所(MizojiriOpticalCo.,Ltd)制造，DHA-XAVW/S6)测量光的波长为550nm处的折射率，并按照下面的式子求出膜的孔隙率。所得结果的比较示于下述表9中。孔隙率的计算式P=l-(np2-l)/(nd2-l)P:孔隙率Np:致密膜的折射率Nd:多孔膜的折射率[表9]___试样膜的折射率孔隙率电阻率(xl(T3Qcm)实施例11-31.77713.2%3.7对比例4-31.48756.7%29.4上述结果表明，实施例得到的膜更加致密(孔隙率低)，并且电阻率也低。(比较2:重复涂敷次数引起的比较)下述表10示出了使用低浓度涂布液反复涂敷和烧制的情况与使用高浓度涂布液进行涂敷的情况之间的比较。18[表10]试样涂布液浓度涂敷次数烧制后膜厚(nm)电阻率(x10—3Qcm)薄层电阻(阔总透射率(%)浊度(%)实施例11-40.7511002.6280840.34实施例13-10.251357.32311870.35实施例13-20.25654.1684870.32实施例13-30.253卯3.1364860.31上述结果表明，反复涂敷低浓度的涂布液并进行烧制，与使用高浓度的涂敷液进行一次性涂敷，其形成的膜在性能上几乎没有差异。这表明使用实施例的涂布液时，一次涂敷就能够制成厚且致密、并且透明性高的膜。另外，本发明并不局限于上述实施例，只要不超出本发明的范围，可以以各种方式进行。19权利要求1.一种涂布液，其包含化学式1表示的配位体与铟(In)、锡(Sn)或者铟(In)和锡(Sn)两者反应而得到的金属材料，化学式1化学式1中的R21～R24分别是下述(1)-(11)中的任一基团(1)由C1H21+1表示的基团，其中前述1为0到4的任意整数；(2)由CmH2m表示的基团，其中前述m为2到4的任意整数；(3)由CnH2n-1表示的基团，其中前述n为2到4的任意整数；(4)由COOR表示的基团，其中前述R为CpH2p+1或者由R＝C6H5表示的基团，且前述p为0到4的任意整数；(5)由醛、酮、COCqH2q+1表示的基团或者二苯甲酮，其中前述q为0到4的任意整数；(6)羟基(OH)或者醚类；(7)胺(NH2)或者烷基胺；(8)酰胺；(9)卤素类；(10)腈(CN)；和(11)硝基(NO2)，且X11和X12是杂原子或羰氧基。2.权利要求1所述的涂布液，其中化学式1表示的配位体与铟(In)、锡(Sn)或者铟(In)和锡(Sn)两者反应而得到的金属材料是化学式2或化学式3表示的有机金属络合物，化学式1:化学式2:化学式2和化学式3中的RnR2o是权利要求1的(1)(11)中的任意的基团，且X,X,o是杂原子或羰氧基。3.权利要求1或2所述的涂布液，其中，溶液中含有O.lM0.8M的选自上述有机金属材料中的至少一种有机金属材料。4.一种形成导电性薄膜的方法，其包括将权利要求1~3中任一项所述的涂布液涂布在基体表面上以形成涂膜，并对该涂膜进行烧制，由此使上述涂膜中含有的选自上述金属材料中的至少一种金属材料成为导电性薄膜。5.权利要求4所述的形成导电性薄膜的方法，其中，上述烧制是在空气或者还原性氛围中进行的。6.权利要求4或5所迷的形成导电性薄膜的方法，其中，上述烧制的温度为350。C以上。7.权利要求4或5所述的形成导电性薄膜的方法，其中，上述烧制的温度为700。C以上。38.—种导电性薄膜，其是通过权利要求47中任一项所述的形成的导电性薄膜的方法形成的。9.一种导电性薄膜覆盖的产品，其包括基体；和设置在上述基体表面的权利要求8所述的导电性薄膜。全文摘要本发明提供一种涂布液，其含有由邻苯二酚、苯二胺、2-氨基苯酚、2-氨基苯硫酚、邻氨基苯甲酸、水杨酸、硫代水杨酸等表示的配位体与铟(In)、锡(Sn)或者铟(In)锡(Sn)两者反应而得到的金属材料。本发明还提供一种形成导电性薄膜的方法以及由上述制造方法得到的导电性薄膜，所述形成导电性薄膜的方法包括将上述涂布液涂布在基体表面上以形成涂膜，并对该涂膜进行烧制，由此使上述涂膜中含有的选自上述金属材料中的至少一种金属材料成为导电性薄膜。按照本发明，可以得到透明性和导电性高，对基体的粘合性也高的导电性薄膜。文档编号C23C18/12GK101490309SQ20078002652公开日2009年7月22日申请日期2007年1月31日优先权日2006年7月13日发明者仲村亮正,克里斯托弗·科多尼尔,小峰辉男,山下诚,志知哲也,沼田贵史,胜又健一,胜又靖博,藤嶋昭,雨宫健一郎申请人:东海旅客铁道株式会社