专利名称：磁控管溅镀电极以及配置有磁控管溅镀电极的溅镀装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用磁控管溅镀方式在处理基板上形成规定薄膜的磁控管溅镀电 极以及配置有该磁控管溅镀电极的溅镀装置。
背景技术：
此种溅镀装置中设有用来在矩形阴极靶的前面(溅镀面一侧)形成隧道形磁 力线的磁铁组合件。并可在给阴极靶外加负的直流电压或交流电压，使用阴极靶 溅射时，通过捕获在阴极靶前面电离的电子以及因溅射产生的次级电子提高阴极 耙前面的电子密度，通过提高这些电子与被导入真空容器内的稀有气体的气体分 子的碰撞概率来提高等离子密度。由此而具备了不必伴随处理基板温度的显著上 升就可提高成膜速度的优点，被广泛使用于在处理基板上形成金属膜等处。
作为安装在此种溅镀装置中的磁铁组合件包括与阴极靶平行设置的支持板 (支座)，在该支持板的上面大致中央部位、沿其长度方向线性配置的中央磁铁， 以围绕在该中央磁铁周围的形态，为改变阴极靶一侧的极性而配置的周边磁铁 (专利文献1)。
专利文献1:特开2004-278502号公报(参照现有技术栏)。
发明内容
(发明要解决的课题)
然而，在使用上述溅镀装置溅镀时，发生于阴极靶前面的跑道形的等离子中 的电子，根据中央磁铁和周边磁铁的阴极靶一侧的极性，沿该跑道顺时针或半顺 时针地运动。 一到达阴极靶的端部，即被电磁场扭曲而改变方向，但由于改变方 向时仍留有惯性运动，因而电子向阴极靶侧端飞出。
电子一旦因该惯性运动飞向阴极耙侧端，由于等离子局部性扩散，阴极靶的 腐蚀区域向阴极耙侧端延伸，因而放电变得不稳定，有可能妨碍形成良好的薄膜。 此外，为使伴随溅镀进行的阴极靶的腐蚀区域均匀，而使磁铁组合件沿阴极靶水 平往返运动的情况下，出于上述电子的飞出考虑，虽可縮小磁铁组合件的大小及移动量，但这样反而使非腐蚀区域变大，阴极乾的利用率变差。
为此，鉴于上述各点，本发明的课题在于提供一种可均匀地腐蚀阴极靶的
外周缘部，可形成良好的薄膜，并可提高阴极靶利用效率的磁控管溅镀电极以及
配置了磁控管溅镀电极的溅镀装置。 (解决课题的手段)
为了解决上述课题，权利要求l所述的磁控管溅镀电极，其特征在于在与 处理基板相向配置的阴极靶的后面配置有磁铁组合件，该磁铁组合件具有沿长度 方向线性配置的中央磁铁，以及以围绕中央磁铁的形态配置的周边磁铁，以改变 阴极靶一侧的极性，在该磁铁组合件的长度方向的端部，使产生于中央磁铁和周 边磁铁间的隧道形的各磁力线中磁场垂直成分为0的位置在一定范围内向中央 磁铁一侧移位。
若采用本发明，由于使磁场的垂直成分为0的位置在一定范围内向中央磁铁 一侧局部性移位，因而如果预先使该前述磁场的垂直成分为0的位置移位的范围 与产生电子飞出的位置相对应，即使电子到达阴极靶端部在电磁场内被弯曲而改 变方向时仍留有惯性运动，也不会向阴极靶侧端飞去，可防止等离子局部性扩散。 其结果是可使之在溅镀时稳定放电，形成良好的薄膜。
使前述磁场的垂直成分为0的位置移位的范围可在中央磁铁的一侧，且在该 中央磁铁的两端部上交错存在。这样一来，例如在使磁铁组合件往返运动的情况 下，仅仅在其往返运动方向因惯性运动电子向阴极靶侧端飞出的位置上使磁场垂 直成分为0的位置向电子飞出方向相反一侧移位，可在阴极靶的外周缘部上使伴 随溅镀的进行的阴极靶的腐蚀区域均匀，增大磁铁组合件的移动距离。
此处，要想使前述磁场的垂直成分为O的位置在一定范围内移位，可使中央 磁铁或周边磁铁中的至少一方的磁力产生局部性强弱。
如果在中央磁铁之中长度方向两端部的侧面上安装磁分流器，则中央磁铁中 设置了磁分流器范围内的磁力就会局部变弱，不必变更磁铁组合件自身的形状， 使磁场的垂直成分为0的位置在一定范围内向上述电子飞出方向相反一侧移位 即可。
此外还可采用下述构成前述周边磁铁由前述中央磁铁两侧平行延伸的直线 部以及桥接两个直线部的弯折部构成，前述中央磁铁和周边磁铁的各直线部为等 间隔，且在前述磁铁组合件的长度方向两端部上，使中央磁铁和各直线部的间隔比磁铁组合件的中央区域的间隔窄。使前述磁场的垂直成分为0的位置移位。
在此情况下，如根据阴极靶一侧的极性，通过使前述直线部的一方以及中央 磁铁的两端部向另一方的直线部一侧移动縮小前述间隔，前述两端部为旋转对 称，则与上述相同，在使磁铁组合件往返运动的情况下，仅在其往返运动方向上 由于惯性运动电子向阴极靶侧端飞出的位置上可使磁场的垂直成分为0的位置
在一定范围内向与电子飞出方向的相反一侧移位，从而使阴极靶的外周缘部伴随 溅镀进行的阴极靶的腐蚀区域变得均匀。
此处，正如上述，当通过使直线部的一方以及中央磁铁的两侧的一部向另一 方的直线部一侧移动缩小前述间隔的情况下，有时会由此引起位于电子飞出方向
相反一侧的磁场的垂直成分为0的位置局部性地向阴极耙侧端移位，这样一来，
所产生的跑道形的等离子的一部分向阴极靶侧端扩散。因此如果在前述中央磁铁 的两端部中，另一直线部一侧的侧面上设置磁分流器，则中央磁铁中设置了磁分
流器的位置上的磁力局部性变弱，就可进行使磁场的垂直成分为0的位置在一定
范围内向上述电子飞出方向移位的二次修正。
另外，为了二次修正垂直成分为o的位置，还可使前述另一方的直线部中与
磁铁组合件的长度方向的两端部相向的部分中的至少一部向中央磁铁一侧移动， 用以补充或取代上述方法。
此外，还可在前述另一方的直线部中与磁铁组合件的长度方向的两端部相向 的部分中的至少一部的上面追加辅助磁铁，局部性增强周边磁铁的一部的磁力，
通过使上述电子飞出方向上磁场的垂直成分为0的位置移位进行二次修正。
由于如果预先配置有使前述磁铁组合件沿阴极靶背面平行往返运动的驱动 手段，则可使阴极靶的外周缘部伴随溅镀进行的阴极靶的腐蚀区域均匀，因而可 增大磁铁组合件的移动距离，其结果是可实现阴极靶的高效利用。
此外，为了解决上述课题，权利要求ll所述的发明，其特征在于在可真 空排气的溅镀室内配置了权利要求l-10所述的磁控管溅镀电极，设有把规定气
体导入溅镀室内的气体导入手段，以及可给阴极靶提供电力的溅镀电源。 (发明效果)
如上所述，本发明的磁控管溅镀电极以及配置有该磁控管溅镀电极的溅镀装
置具有以下效果由于可均匀腐蚀阴极靶的外周缘部，因而可提高阴极靶的利用 效率，此外由于可使之稳定放电，因而可形成良好的薄膜。
具体实施例方式
下面参照图1加以说明。1是具有本发明的磁控管溅镀电极c的磁控管式溅
镀装置(下文称为"溅镀装置")。溅镀装置1例如是串联式的，具有可经旋转泵、 涡轮分子泵等真空排气手段(未图示)保持规定真空度的溅镀室11。在溅镀室
11的上部空间内设有基板传送手段2。基板传送手段2具有众所周知的结构，例 如具有可安装处理基板S的承载件21，通过间歇性驱动驱动手段，即可将处理 基板S依次传送到与后述的阴极靶相向的位置上。
溅镀室11内设有气体导入手段3。气体导入手段3通过中间设有流量控制 器31的气体导管32与气源33连通，能把氩气等溅镀气体及反应性溅镀时使用 的反应气体以一定的流量导入溅镀室11内。作为反应性气体可根据准备在处理 基板S上成膜的薄膜成分进行选择，使用含氧、氮、碳、氢的气体，臭氧、水或 过氧化氢或这些的混合气体等。在溅镀室ll的下侧配置了磁控管电极C。
磁控管电极C具有一块阴极靶41，其以俯视溅镀室11的形态设置，大致呈 长方体(顶视时为长方形)。可根据准备在处理基板上成膜的薄膜成分，用公知 方法分别制作出Al合金、Mo及ITO等阴极靶41 ，溅镀面411的面积应大于处 理基板S的外形尺寸。阴极靶41可用铟、锡等焊接材料焊接在溅镀期间冷却阴 极靶41的背板42上，在把阴极靶41焊接到背板42的状态下以使阴极耙41的 溅镀面411面对处理基板S的形态经绝缘板43安装在磁控管溅镀电极C的框架 44上。安装了阴极靶41后，可在阴极耙41的周围安装接地的具有阳极作用的 保护罩(未图示)。
磁控管溅镀电极C在阴极靶41的背面(与溅镀面411相反的一侧)具有磁 铁组合件5。磁铁组合件5具有沿阴极靶41的长度方向向两侧延伸的支持板(支 座)51。支持板51由可放大磁铁吸附力的磁性材料制作的平板构成。此外，支 持板51上配置有中央磁铁52 (例如阴极靶41 一侧的极性为S)，其位于沿支持 板51的长度方向延伸的中心线上，以及周边磁铁53(阴极耙41一侧的极性为N)， 其以围绕该中央磁铁52的形态，沿支持板51上面的外周环形配置，用以改变阴 极耙41 一侧的极性。
周边磁铁53由沿中央磁铁52平行延伸的直线部53a、 53b，以及桥接在两 个直线部53a、 53b间的长度方向两侧的弯折部53c构成。在此情况下，中央磁 铁52和两个直线部53a、 53b间的间隔固定，此外，可将中央磁铁52换算为同磁化时的体积按照围绕在其周围的周边磁铁53换算为同磁化时的体积之和为周
边磁铁中心磁铁周边磁铁=1 :2:1 (参照图1)加以设计。这样即可在阴 极靶41的前面(溅镀面411 一侧)分别形成彼此适合的闭环的隧道形磁力线， 通过捕获阴极靶41前面电离的电子以及因溅镀产生的次级电子，即可提高阴极 靶41前面的电子密度，从而提高等离子密度。
并且如果在把处理基板S传送到与阴极耙41相向的位置上，经气体导入手 段3导入规定的溅镀气体及反应气体后，经与阴极耙41连接的溅镀电源(未图 示)外加负的直流电压或高频电压，即可在处理基板S以及阴极耙41上形成垂 直的电场，通过在阴极靶41的前面产生跑道形的等离子，阴极靶41被溅射，即 可在处理基板S上形成规定的薄膜。
上述磁铁组合件5中，中央磁铁52和周边磁铁53上方的等离子密度变低， 与其周边相比，伴随溅镀进行的阴极耙41的腐蚀量变少。因此，在把支持板51 的宽度设定为小于阴极靶41的宽度的同时，设置气缸及马达等驱动手段6，把 磁铁组合件5安装在驱动手段6的驱动轴61上。并在溅镀期间，通过使磁铁组 合件5在沿阴极靶41的宽度方向(与中央磁铁52的长度方向构成直角的方向) 的水平的两个位置上平行往返运动，来改变隧道形磁力线的位置。这样即可大致 均匀地腐蚀包括阴极靶41的外周缘部在内的所有面，还可以通过二维往返运动 进一步提高阴极靶41的利用效率。
此处，在以上说明的磁铁组合件的构成中，使阴极靶41的前面产生跑道形 的等离子时，若将中央磁铁的阴极耙41 一侧的极设为S、将周边磁铁的阴极靶 41 一侧的极性设为N，等离子中的电子从阴极靶41的背面观察时为沿跑道T1 顺时针运动。并且一到达阴极靶41的端部，即被电磁场扭曲而改变方向，但由 于在改变方向时留有惯性运动，因而电子向阴极耙41侧端飞出，跑道形的等离 子的一部局部性地向阴极靶41侧端扩散(正如图2 (a)所示，例如在阴极靶41 的左下侧向下方(X方向)飞出，另外，在未图示的阴极靶41的右上侧向上飞 出)。
在此种状态下使磁铁组合件往返运动时，阴极靶41的腐蚀区域E1的一部局 部性地向阴极靶41侧端延伸(图2 (b)中用R标示的区域)，由于放电变得不 稳定，因而妨碍形成良好的薄膜。出于上述电子的出的考虑，虽可縮小磁铁组合 件5的大小及移动量，但这样反而使非腐蚀区域变大，使阴极靶41的利用率变差。
因此，正如图3(a)所示，在第1实施方式的磁铁组合件5中，在中央磁铁52 的两端部中位于电子飞出方向X处的侧面上设置了板状的磁分流器7(g卩，在中 央磁铁的两端部交错的侧面上安装磁分流器7)。在此情况下，例如由于阴极耙 41具有200X2500mm的尺寸时，在距阴极耙41端部100~250mm范围的位置上 发生最大20mm左右的电子飞出，因而在此种情况下，可在距中央磁铁52的两 端规定长度(距磁铁组合件5长度方向两端350mm的长度)上设置磁分流器7。
作为磁分流器7只要是最大透磁率高且具有刚性的材料即可，例如可使用 SUS430等具有磁性的不锈钢，可提高磁场衰减效果的纯铁、镍等金属，以及坡 莫合金、镍钼铁超导磁合金等透磁率高的合金，其厚度可在1.0 5.0mm范围内设 定。
这样即可通过局部减弱中央磁铁52中设置了磁分流器7范围内的磁力，不 必变更磁铁组合件5自身的形态，使中央磁铁52和周边磁铁53间产生的隧道形 的各磁力线中、位于设置了磁分流器7的中央磁铁52和一方的直线部53a间的 区域内的磁场的垂直成分为0的位置(等离子密度最高，有利于阴极靶溅镀的位 置)，在设置了磁分流器7的范围内局部性地向中央磁铁52 —侧移位。也就是说， 如果观察分别穿过磁场的垂直成分为0位置的跑道形的线Ll，就可发现该线Ll 中位于中央磁铁52的一侧，且在中央磁铁52两端交错的部分向中央磁铁52 — 侧局部性移位，形成图3 (b)所示的线Ll。因此，当使阴极靶41前面产生等离 子的情况下，即使电子到达阴极靶41的端部在电磁场内被扭曲而改变方向时仍 留有惯性运动，也可防止向阴极靶41侧端飞出，等离子不会局部性扩散。
其结果是，在阴极靶41的外周缘部上可使伴随溅镀进行的阴极靶的腐蚀区 域E2大致呈沿阴极靶41的长度方向的线性的同时(参照图3 (c))，可使溅镀 时稳定地放电，从而形成良好的薄膜。此外，即使在溅镀期间使磁铁组合件5沿 阴极靶41的宽度方向往返运动，由于可增大磁铁组合件5的阴极耙的移动距离， 因而可大致均匀地腐蚀包括阴极耙41的外周缘部在内的整个面，进一步提高阴 极靶41的利用效率。
在上述第1实施方式中，针对不变更磁铁组合件5自身的形态，为使中央磁 铁52或周边磁铁53的至少一方磁力产生局部性强弱，在中央磁铁52的侧面设 置了磁分流器7的情况加以了说明，但并不局限于此，还可仅将周边磁铁53的一方的直线部53a中与设置磁分流器7的位置相向的部分变更为磁性强的磁铁， 或通过在该部分的上面安装追加磁铁，局部性加强周边磁铁53的磁力。另外， 为了使磁场的垂直成分为0的位置向中面磁铁52 —侧局部性移位，还可用以下 方法构成磁铁组合件50。
下面参照图4加以说明。第2实施方式涉及的磁铁组合件50在该磁铁组合 件50长度方向的两端部，既使中央磁铁52和周边磁铁53的两个直线部53a、 53b间隔保持一定，又使中央磁铁52和各直线部53a、 53b间的间隔变得比磁铁 组合件50的中央区域内的更窄的同时，使该縮小了间隔的磁铁组合件50长度方 向的两个端部形成旋转对称形态，S卩，中央磁铁52中两端部521、 522和一方的 直线部53a (在中央磁铁的另一端，是另一方的直线部53b)的两端部531、 532 向位于与电子飞出方向X相反一侧的另一方的直线部53b(在中央磁铁的另一端 为一方的直线部53a) —侧呈阶梯性移动，使之从磁铁组合件5的中央区域内的 间隔D1起，随着向其长度方向两侧延伸，间隔D2、 D3逐步变窄。
此处，正如上述，当阴极靶41具有200X2500mm的尺寸时，由于在从阴极 靶41端部起100~250mm范围内的位置上，产生最大20mm左右的电子飞出， 因而将距磁铁组合件5长度方向两端350mm左右的范围作为磁铁组合件5长度 方向的两端部，在该两端部上，使间隔D2、 D3縮小与电子飞出距离相对应的宽 度(例如30mm以下)。在此情况下，如果距长度方向两端的距离大于350mm， 非腐蚀区域就会扩大。
这样一来，在中央磁铁52和周边磁铁53之间产生的隧道形的各磁力线中在 位于该间隔局部性縮小区域内的磁场的垂直成分为0的位置(等离子密度最高， 有利于阴极耙溅镀的位置)在一定范围内局部性向中央磁铁52—侧移位。也就 是说，如图4 (b)所示，如果观察分别穿过磁场的垂直成分为0位置的跑道形 的线L2，就可发现通过使中央磁铁52的两端部521、 522和一方的直线部53a 的两端部531、 532向位于与电子飞出方向X相反一侧的另一方的直线部53b — 侧移动，则在该移动区域内，位于线L2中的一方的直线部53a—侧的磁力线向 中央磁铁52 —侧移动。
因此，与上述第l实施方式相同，当在阴极靶41前面产生了等离子时，即 使电子到达阴极耙41的端部，因电磁场而被扭曲改变了方向时留有惯性运动， 仍可防止其向阴极靶41侧端飞出，等离子不会局部性扩散。其结果是可使阴极靶41的外周缘部上伴随溅镀进行的阴极靶的腐蚀区域E3沿阴极靶41的长度方 向大致呈线形生成的同时(参照图4(c))，可使之在溅镀时稳定放电，从而形成 良好的薄膜。此外，即使在溅镀期间使磁铁组合件50沿阴极靶41宽度方向往返 运动，由于可增大磁铁组合件50的阴极耙移动距离，因而可大致均匀地腐蚀包 括阴极靶41的外周缘部在内的整个面，进一步提高阴极靶41的利用效率。
然而，按照上述方式构成磁铁组合件50的情况下，有时因存在于与电子飞 出方向相反一侧的，磁场的垂直成分为0的位置在一定范围内局部性地向与电子 飞出方向相反一侧移位。也就是说，正如图4(b)所示，观察分别穿过磁场的垂直 成分为0位置的跑道形的线L2，就可发现在使中央磁铁52及一方的直线部53a 移动的范围内，线L2中位于另一方的直线部53b —侧的范围La以向与电子飞 出方向相反一侧鼓出的形态移位。在此情况下呈跑道形产生的等离子的一部向阴 极靶41侧端扩散，腐蚀区域E3有可能向阴极靶41端部方向延伸一定量。因此， 正如图5(a)所示，最好在中央磁铁52中，向另一方的直线部53b—侧移动的部 分522的侧面上设置磁分流器71 。
这样即可通过局部性减弱中央磁铁52中设置了磁分流器71位置上的磁力，
使磁场的垂直成分为o的位置向电子飞出方向移位。即可二次修正上述鼓出。即，
线L2中从另一方的直线部53b向外侧鼓出的区域La向中央磁铁52 —侧移位， 形成图5 (b)所示的跑道形的线L3。其结果是在阴极靶41的外周缘部上可使伴 随溅镀进行的阴极靶41的腐蚀区域成为沿阴极靶41长度方向的更加均匀的线 状。
作为磁分流器7，与上述第l实施方式相同，可使用纯铁、镍等金属、以及 坡莫合金、镍钼铁超导磁合金等透磁率高的合金，其厚度可在1.0~5.0mm的范围 内设定，例如可安装在使之向直线部53b —侧移动部分522的整个长度上。
另外，正如图6所示，为了二次修正跑道形的线L2的鼓出，可使前述另一 方的直线部53b中与磁铁组合件5的长度方向的两端相向部分的至少一部530， 最好使与线L2的鼓出区域La对应的部分向中央磁铁52 —侧移动，用以追加或 取代上述方式。这样即可通过鼓出向中央磁铁52方向移位进行二次修正，形成 图6 (b)所示的跑道形L4。
此外，正如图7所示，为了二次修正跑道形的线L2的鼓出，还可在另一方 的直线部53b中与磁铁组合件的长度方向的两端部相向的部分的至少一部分上，最好是与线L2的鼓出区域La对应的部分上面追加辅助磁铁8,用以追加或取代 上述方法。这样即可通过局部增强设置了辅助磁铁8的位置上的磁力，使磁场的 垂直成分为0的位置移位二次修正上述鼓出。
在上述第2实施方式中，考虑到磁铁组合件50的制作，针对中央磁铁52中 两端部521、 522、以及使一方的直线部53a的两端部531、 532阶梯性向另一方 的直线部53b—侧移动的情况加以了说明，但并不局限于此，也可设定为按照电 子飞出宽度，随着向磁铁组合件5的长度方向的两端前进，间隔连续性变化。
此外，在上述第1及第2实施方式中，是针对配置了一块阴极靶41的磁控 管溅镀电极C加以说明的，但并不局限于此，本发明同样可适用于针对基板S 并列设置多块阴极靶41的装置。当并列设置多块阴极靶41的情况下，如因惯性 运动电子从阴极靶部向外侧飞出，由于电子转移到相邻的阴极靶上使放电不稳 定，但通过使用本发明即可防止电子转移，使放电稳定，从而形成良好的薄膜。
图1是本发明的溅镀装置的示意说明图。
图2 (a)是现用的磁铁组合件的构成说明图。(b)是电子飞出的说明图。 图3 (a)是第l实施方式涉及的磁铁组合件的构成说明图。(b )是穿过磁
场垂直成分为0位置的跑道形线的说明图。(c)是伴随溅镀进行的阴极靶的腐蚀
区域的说明图。
图4 (a)是第2实施方式涉及的磁铁组合件的构成说明图。 (b)是跑道修正的说明图。(c)是伴随溅镀进行的阴极靶的腐蚀区域的说明图。
图5 (a)是图4所示的磁铁组合件的变形例涉及的构成说明图。(b)是穿 过磁场垂直成分为O位置的跑道形线的位置修正说明图。
图6 (a)是图4所示的磁铁组合件的变形例涉及的另一构成说明图。(b) 是穿过磁场垂直成分为O位置的跑道形线的位置修正说明图。
图7 (a)以及(b)是图4所示的磁铁组合件的又一变形例涉及的构成说明图。
(图中标号说明)
1、磁控管溅镀装置，41、阴极耙，5、 50、磁铁组合件，52、中心磁铁，53、周边磁铁，53a、 53b、直线部，53c、弯折部，C、磁控管溅镀电极，S、处理基 板。
权利要求
1、一种磁控管溅镀电极，其特征在于在与处理基板相向配置的阴极靶的后面配置有磁铁组合件，该磁铁组合件具有沿长度方向线性配置的中央磁铁，以及以围绕中央磁铁的形态配置的周边磁铁，以改变阴极靶一侧的极性，在该磁铁组合件的长度方向的端部，使产生于中央磁铁和周边磁铁间的隧道形的各磁力线中磁场垂直成分为0的位置在一定范围内向中央磁铁一侧移位。
2、 根据权利要求1所述的磁控管溅镀电极，其特征在于使前述磁场的垂直成分为0 的位置移位的范围可在中央磁铁的一侧，且在该中央磁铁的两端部上交错存在。
3、 根据权利要求1或2所述的磁控管溅镀电极，其特征在于使中央磁铁或周边磁 铁中的至少一方的磁力产生局部性强弱。
4、 根据权利要求3所述的磁控管溅镀电极，其特征在于在前述中央磁铁之中长度 方向两端部的侧面上安装规定长度的磁分流器。
5、 根据权利要求1所述的磁控管溅镀电极，其特征在于前述周边磁铁由前述中央 磁铁两侧平行延伸的直线部以及桥接两个直线部的弯折部构成，前述中央磁铁和周边 磁铁的各直线部为等间隔，且在前述磁铁组合件的长度方向两端部上，使中央磁铁和 各直线部的间隔比磁铁组合件的中央区域的间隔窄，使前述磁场的垂直成分为0的位 置移位。
6、 根据权利要求5所述的磁控管溅镀电极，其特征在于使前述直线部的一方以及 中央磁铁的两端部向另一方的直线部一侧移动縮小前述间隔，前述两端部为旋转对 称。
7、 根据权利要求5或6所述的磁控管溅镀电极，其特征在于在前述中央磁铁的两 端部中，另一直线部一侧的侧面上设置磁分流器。
8、 根据权利要求5~7任一项所述的磁控管溅镀电极，其特征在于前述另一方的直线部中与磁铁组合件的长度方向的两端部相向的部分中的至少一部向中央磁铁一侧 移动。
9、 根据权利要求5~8任一项所述的磁控管溅镀电极，其特征在于前述另一方的直线部中与磁铁组合件的长度方向的两端部相向的部分中的至少一部的上面追加辅助 磁铁。
10、 根据权利要求1 9任一项所述的磁控管溅镀电极，其特征在于配置有使前述磁铁组合件沿阴极靶背面平行往返运动的驱动手段。
11、 一种溅镀装置，其特征在于在可真空排气的溅镀室内配置了权利要求1~10所 述的磁控管溅镀电极，设有把规定气体导入溅镀室内的气体导入手段，以及可给阴极 靶提供电力的溅镀电源。
全文摘要
在磁控管溅镀装置中可均匀地腐蚀阴极靶的外周缘部，阴极靶的利用效率高，此外，不易产生异常放电，可形成良好的薄膜。在与处理基板相向配置的阴极靶(42)的后面配置有磁铁组合件(5)，该磁铁组合件(5)具有沿长度方向线性配置的中央磁铁(52)，以及以围绕中央磁铁的形态配置的周边磁铁(53)，用以改变阴极靶一侧的极性。此时，在该磁铁组合件的长度方向端部，使产生于中央磁铁和周边磁铁间的呈隧道形的各磁力线中磁场的垂直成分为0的位置在一定范围内向中央磁铁一侧局部性移位。
文档编号C23C14/35GK101589170SQ20078004264
公开日2009年11月25日 申请日期2007年11月13日 优先权日2006年11月17日
发明者小松孝, 新井真, 清田淳也, 矶部辰德, 赤松泰彦 申请人:株式会社爱发科