专利名称：：含铜材料用蚀刻剂组合物的制作方法賴材料用蚀刻剂组^本发明涉及一种^l材料用蚀刻剂组合物，特别涉及一种可以形状良好地对微细图案的电糊己线进行蚀刻的，材料用蚀刻剂组^。
背景技术：
：元件等。并且，伴,近年来电^H殳备的小型^^高功能化的要求，M印刷^f反的薄型化及电糊i线的高密度化。作为通it^显'，刻形成这样的高密度电路配线的方法，有称为减去(廿歹卜，夕于4力法及半加成(七《7*，、，4力法的方法。为了形成微细图案的电路配线，理想的状态是蚀刻部分没有残膜；^Ji方看到的电路配线的侧面为直线(直线性)、电翻i线的剖面为矩形；显示出高的蚀刻因子。但是，实际中，会产生残膜、和直线性的衞L侧向刻蚀、底蚀(7》y—力少卜)、配线上部t;l小导致的蚀刻因子低等电糊己线的形状不良。因此，希望湿法蚀刻可以抑制这些形状不良。形状不良的技术。例如，专利文献l中公开了一种利用半加成法来形成电路图案的方法，其中，所述半加成';^f^J了以作为氧化剂的2#|失离子、盐酸、賴材^;刻促进剂、和，材朴法刻抑制剂为必须成分的蚀刻剂組合物。在此，作为含铜材料烛刻抑制剂，例如有在胺类^^物的活性UJi^口成环氧丙烷及环氧乙烷得到的化洽物。jtk^卜，/>开了在该蚀刻剂组*中，作为使铜表面的洁净化效果、流平性提高的成分，可以酉5^^。jtb^卜，专利文献2中公开了一种铜或铜*的蚀刻剂组^^，其中，所述蚀刻剂組^由含有铜的氧化剂；和选自盐^^有才;U^it中的酸；和选自妙^J^i醇、以及多歲和妙^^醇的共聚物中的聚*的水溶液构成，并且可以抑制侧向蚀刻、配线上部变细。在此，作为铜的氧化剂，列举了铜离子及铁离子。再有，作为产生该铜离子的化^4勿，列举了氯化铜(n)、溴化铜(n)M^氧^^j(n);再有，作为产生铁离子的^^;，列举了氯化4失(in)、溴化铁(ni)、魏铁(ni)、城铁(in)、硝酸铁(in)赠酸铁(ni)。进一步，作为多^L^^^fci醇的共聚物，列举了乙二胺、二亚乙"胺、三亚乙基四胺、四亚乙JJI胺、五亚乙基六胺或N-乙基乙二胺和聚乙二醇、聚丙二醇或环氧乙烷环氧丙:^聚物的共聚物。jH^卜，专利文献3中公开了一种蚀刻剂组^的，其中，所述蚀刻剂组^由含有氧化性金属离子源、和选自无才;im^有机酸中的至少一种的酸、和仅含有氮原子作为环内的杂原子的峻类、和选自二醇及二醇醚中的至少一种的水溶液构成，并且可以抑制底蚀的产生。在此，作为氧化性金属离子源，列举了铜离子及铁离子。再有，作为酸，列举了磷酸。进一步，作为二醇醚，列举了丙二醉乙醚、乙二解丁絲、3-甲基-3-甲M丁醇、二丙二醇曱絲、及二甘醇丁叙。专利文献1:特开2003-138389号/>才艮专利文献2:特开2004-256901号公报专利文献3:特开2005-330572号/>才艮
发明内容但是，在形i^敖细图案的电翻己线时，利用专利文献1及2中/^Hf的蚀刻不能捧铜均一地蚀刻，因^b^产生电糊己线的形状不良(例如，直线性的不^);5L^ji^^等问题。jHW卜，专利文献3公开的蚀刻剂组合物，分散性差，因itb^产生以下问题由微细图案的脱液性恶化所引起的电路配线形状不良(例如，部分底蚀)而导致电路剥落；；5U^自磷酸和铜或铁的盐的淤渣引M生^i^等问题。本发明是为了解决上述问题而进行的，其目的在于提^"种，材料用蚀刻剂组合物，其可以制造防止微细图案的电路配线的形状不良、不会产生*的印刷^1(，。本发明人等为了解决上述问题进行了专心的研究，结M现，具有特定配合组成的，材料用蚀刻剂组合物可以解决上述问题，由此完成本发明。即，本发明的賴材料用蚀刻剂组^4为的特棘于，由以(A)选自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分0.1~15质J14、(B)具有1个鞋基的二醇醚类4^物0.001~5质*%、(C)将环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一种加成到(多元)胺类^^物的活性lUi得到的化合物0.001~5质:T/。、(D)选自磷^^磷酸盐中的至少1种的磷g分0.1~5质*%、以及(E)选自盐酸及硫酸中的至少一种的无机酸0.1~10质量％为必须成分的水溶液构成。才Nt本发明，可以^^^""种^1材料用蚀刻剂组合物，其可以制造防止微细图案的电糊己线的形状不良、不产生短路的印刷^^()。M实施方式本发明的賴材料用蚀刻剂组杨(以下称为"蚀刻剂组*")是以(A)选自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分、(B)具有1个錄的二醇醚类化#、(C)将环氧乙^^环氧丙烷中的至少一种加成到(多元)胺类^r^^的活性lLh得到的化合物、(D)选自磷^A磷酸盐中的至少1种的磷^分、以及(E)选自盐酸及硫酸中的至少一种的无才;i^为必须成分的水溶液。(A)氧化剂成分(以下称为"(A)成分")具有使賴材料IU纵而进行蚀刻的作用。作为(A)成分，可以分别单独使用铜离子及铁离子或将它们混^f吏用。通过分别酉￡^#1(II)^^及铁(111)^^7作为供给源，可以使蚀刻剂组^7中含有这些铜离子及铁离子。作为铜(n)化合物，例如可举出氯化铜(n)、溴^r铜(n)、^i!L^铜(n)及氬IU确(n)等。jH^卜，作为4失(niH^^，例3口可举出氯^4失(in)、溴化铁(in)、多射匕铁(ni)、石j(L^铁(ni)、硝酸铁(in)赠酸铁(in)等。这些^^可以单独^JJ,也可以》v給两种以上^^)。这些^^中，从成本、蚀刻剂组^7的稳定'i^5L蚀刻ii;l的控制性出发，^iH/糊(n)、硫酸铜(n)减化铁(in)，更舰驢铜(n)絲化铁(ni)。蚀刻剂组合物中的(A)成分的浓度以离子换算为0.1~15质J1i,M为i~10质*%。在此，所谓离子换算，在单独^D铜离子或铁离子时，是指铜离子换算或铁离子换算；在濕^f吏用铜离子及铁离子时，是指铜离子及铁离子二者的离子换算。(A)成分的狄不足0.1质堂/。时，蚀刻时间变长，因》b^产生織剂老4生产率斷氐的问题。jH^卜，减去法中，铜背面的Ni、Cr阻挡层的蚀刻^#1氐，因》溯的,除去性斷氐。另一方面，(A)成分的^t^过i5质量y。时，不負诚制蚀刻tt，因此，蚀刻因子斷氐。(B)具有1个羟基的二醇醚类^^4勿(以下称为"(B)成W)具有提高蚀刻剂组合物对电路配线图案的渗透性的作用，以及减少电路配线周围的蚀刻剂组合物的滞留的作用。由此，可以使蚀刻剂纽/^^ii蚀刻及均匀化。(B)成分是具有1个g，J^4i^^中残余的1个羟1^C^化而得到的^^。作为(B)成分，例如可举出乙二SI^甲醚、乙二SI4乙醚、乙二#4丁醚、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单丁醚、三，单甲醚、三甘醇单乙醚、三甘醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、一缩二丙二醇单甲醚、一缩二丙二醇单乙醚、一缩二丙二醇单丁醚、二缩三丙二醇单甲醚、4三丙^1@|#乙駄3-曱基3-曱HJ^-3-甲錄丁醇等低衬二醇醚4^物；以及聚乙二醇单甲醚、聚乙二醇单乙醚、及聚乙二醇单丁醚等高分子二醇醚^^。这些^^4勿可以单独^^J，也可以〉'^^2种以上^fM。jH^卜，这些^^中，低^f"二醇醚^^的添加g良好，因jtb^。蚀刻剂组合物中(B)成分的M为0.001~5质*%，优选为0.1~2.5质:tl(B)成分的ML不足0.001质*%时，不育總到通itS給(B)成分所希望的絲。另一方面，(B)成分的M^1过5质*%时，蚀刻剂组合物的粘度变大，因》睡产生脱液性恶化及直线性不良。(C)在(多元)胺类化合物的活性IUi加成环氧乙皿环氧丙烷中的至少一个得到的^^(以下称为"(C)成f)，具有提高蚀刻剂组，对电翻己线图案的渗透性的作用，及减少电翻己线周围的蚀刻剂组合物滞留的作用。并且，其对铜具有亲和性，因此也作为蚀刻抑制剂起作用。因此，可以赋予蚀刻剂组^提高直线性的效果、抑制侧向蚀刻的g、抑制底蚀的、抑制配线上部t;l减少的M等。作为提供(C)成分的(多元)胺类^R^，例如有单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、单异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、乙醇异丙醇胺、二乙醇异丙醇胺、及乙醇二异丙醇崎烷醇胺；将这些烷醇胺进行^JJNW寻到的^J^醇胺；下逸逸式(1)表示的化^;将下g式(l)表示的(多元)胺进行烷醇取4，到的烷醇亚;^4多iL^。[化l]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>上述式(l)中，R'-R4^JUl^^子数l4的綠，且R'—R4中的至少一个战；R5是^f、子数l8的亚絲(7VM^';M/");n是0-6的数。^jt匕，作为R^R4的錄，例如可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁1^_叔丁基。itW卜，作为Rs的烷烂二基，例如有亚曱基、亚乙基、亚丙基、曱纽乙基、亚丁基、l-曱絲丙基、2-甲JJL丙基、1,2-二曱絲丙基、1，3-二甲絲丙基、1-甲絲丁基、2-甲纽丁基、3-甲絲丁基、4-甲JJ2丁基、2，4-二曱絲丁基、1，3-二曱絲丁基、亚絲、亚己基、亚J^^J2辛基。在使用将环氧乙fe^环氧丙^i者加成到(多元)胺类^^物的活性氢上得到的化合物时，这些氧化物的对(多元)胺类^^物的加成顺序没有特别限制。aHW卜，该加成可以是嵌段加成，也可以B船口成。此外，环氧乙烷和环氧丙烷的加成比例优选环氧乙烷和环氧丙烷的摩尔比为95:5~10:90。#卜，环氧乙烷的加成量可以是所得加成^^物的分子量的10~80质4%,在重^LI中制起泡的情况下，#为10~50质*%。錄易控制蚀刻剂组^的特性出发，(C)成分舰环氧丙^L环氧乙烷嵌^r口成在乙二胺的活性IUi得到的化合物，更优选具有在乙4的环氧丙^成物J^口^"环氧乙皿构的^^。对于(C)成分而言，通it^衬量，可以进一步控制蚀刻剂组合物的特性。M而言，衬量(以下，只要没有例外，本说明书中的衬量是指数均衬量)小于4000时，蚀刻抑制作用显著提高。j^卜，分子量大于4000时，蚀刻剂组^吻的^lt,^^毫性变高，电糊i线周围的蚀刻剂组合物的滞留防止作用显著提高。但是，衬量小于2000时，渗透性斷氐，有时不^^鄉刻剂组#所希望的滞留防止功能。it(^卜，衬量超过10000时，蚀刻抑制作用f^f氐，有时电翻己线会产生形状不良。因此，(C)成分的M量M为2000-10000，更M为2500~7000。特别是，对(C)成分而言，在控制衬量及环氧乙烷的加成量时，不仅可以获得改善电路配线的形状的M，还可以获#^制残膜的*。为了获得这样的效果，^"f"量M为4000~7000,jH^卜，环氧乙烷的^1"优选为30~50质量%。(c)成分可以单独^jD—种，也可以;^^2种以上^j)。蚀刻剂组合物中(C)成分的狄为0.001~5质*%，M为0.01~2质*%。(C)成分的浓度不足0.001质*%时，不E^得通itS5合(c)成分所希望的效果。另一方面，(C)成分的^/t^过5质*%时，蚀刻狄l^f氐、蚀刻剂组杨渗透到铜和抗蚀剂的界面所导致的图案形状不良等不良影响变大。(D)磷^分(以下称为"(D)成分")通#作为抗蚀剂成分的树脂或抗蚀增塑剂的S旨M应，使抗烛剂软化，具有可以抑制所述(C)成分渗透到铜和皿剂的界面带来的不良影响的作用。作为(D)成分，可以分別单独^^)磷^^磷缝，也可以;^^f^I它们。作为磷酸盐，例如有磷酸钠、磷酸钾、磷酸钩及磷酸铵。再有，磷酸盐可以是酸性盐(一氬盐、二HJl)、中性盐中的^-"种。(D)成分中，磷酸的上述作用非常优异，因jtb^。蚀刻剂组合物中(D)成分的M为0.1~5质*%。(D)成分的M不足0.1质*%时，不能充分获得通地己合(D)成分带来的效果。另一方面，(D)成分的浓;^^过5质*%时，配线间、配线周围的蚀刻剂組合物产生滞留，不^f寻到均匀的蚀刻，并且，会产生由铜的再析出导致的配线形状不良。(E)iL^威(以下称为"(E)成分")不仅具有除去被蚀刻的^#1材料表面的铜氧^^及铜的氯^4勿的作用、稳定氧化剂的作用、及提高对，材料的流平性的作用，还具有^￡蚀刻的。作为(E)成分，可以分别单独使用盐酸及石爐，也可以混合它们来使用。蚀刻剂组合物中(E)成分的狄为0.1~10质量%。(E)成分的舰不足0.1质4%时，不負^:得通itS6合(E)成分所希望的效果。另一方面，(E)成分的M超过10质*%时，蚀刻it^N，不肖诚制蚀刻狄，从而电糊識产生形状不良。以上述(A)~(E)为必需成分的水溶液，可以通过将上述(A)-(E)成分溶解在水中而容易地制备。作为该水溶^^H^1的水，没有特别限制，M离子交换水、纯水、；s^水等将离子性物质及杂质除掉了的水。本发明的蚀刻剂组M中，在不有损本发明的^W的范围内，除上述必需成分"卜，还可以含有用于该用途的周知的任意成分。作为这样的任意成分，例如有^iE贿二醇类化合物、表面活性剂、有机酸、^iju^类^^物、唑勤^#、顿类^^、石娜类^^;、胺类^#、絲p比咯烷酮类齡物、有机^^'M^物、聚丙烯酰胺类^^物、过氧化氢、过硫酸盐、亚铜离子、；SjE铁离子。在^jl这些任意成分时，蚀刻剂组*中的任意成分的浓度通常在o，ooi质4%~10质*%的范围。作为I^^^Sff^物，例如可举出将环氧乙^jr、氧丙烷嵌段或无船口成在聚乙二醇、聚乙二醇二曱醚、乙二醇、丙二醇、1，3-丁醇及1，4-丁醇等二醇上得到的^iE^i^醇。作为表面活性剂，例如可举出^^甜菜M^^^^乙烯醚等氟系两'I14面活性剂、上述妙^^斷^^以外的非离子系表面活性剂。作为有4几酸，例如有甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙烯酸、丁烯酸、异丁烯酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、马来酸、富马酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、乙醇酸、乳酸、^J^酸、烟酸、抗*酸、羟^^新戊酸、乙酰丙酸及p-氯丙酸等。作为狄酸类4^物，例如有甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、丝氨酸、苯基丙氨酸、色氨酸、M酸、天冬氨酸、赖氨酸、精氨^J且氨酸等氨M、以及它们的碱金属盐及铵盐等。作为峻类m^/,例如可举出咪峻、2-曱差J米峻、2-十一^^一4一甲基咪峻、2-苯基咪峻、及2-曱絲并咪峻等^^咪哇类；苯斧米峻、哇、2-十一^^p米哇、2-苯絲并咪狄2-5ii^并咪峻等苯并咪哇类；1，2，3-三喳、1，2，4-三唑、5-笨基-1,2，4-三唑、5-^4-1，2，4-三唑、1，2，3-苯并三峻、1-^并三峻、4-^tJ^并三哇、1-二(絲曱基)苯并三哇、1-甲基-苯并三唑、甲苯基三唑、1-羟絲并三峻、5-曱基-lH-苯并三^^5-IC^并三峻等三喳类；lH-四峻、5-iJ^-lH-四唑、5-曱基-1H-四唑、5-苯^4-lH-四唑、5-统基-1H-四唑、1-苯基-5-巯基-1H-四唑、1-环己基-5-统J^-1H-四唑及5，5'-双-lH-四峻等四哇类；以JM^f^峻、2-;gy^Mf^哇、2-苯基瘗哇、2-^J^W峻、2-M-6-硝基-苯并蓉峻、2-絲+甲^J^摊舰2-絲+絲哇转峻类等。作为类^^7，例3口可举出>=^JJ^、三^tj^嘧咬、四g"^作为石;yMI^^，例如可举出石;、乙烯石、石i^i甘醇、石辦等。作为胺类^^物，例如有二戊胺、二丁胺、三乙胺、三戊胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、单异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、乙醇异丙醇胺、二乙SI^丙醇胺、乙醇二异丙醇胺、上iiit式(l)表示的化^吻、聚晞丙、聚乙烯p比咬及它们的盐酸盐等。作为)^p比咯烷酮ll^r^，例如可举出N-甲基-2-p比咯烷酮、N-乙基-2-p比咯烷酮、N-丙基-2-p比咯烷酮、N-丁基-2-p比咯烷酮、N-;^^-2-p比咯烷酮、N-己基-2-p比咯烷酮、N-;^J^2-p比咯烷酮及N-辛基-2-p比咯烷酮等。作为有才/li^^'H^物，例如可举出乙二胺四乙酸、二亚乙&胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、四亚乙"胺七乙酸、五亚乙基六胺八乙酸、次氮M乙酸、以及它们的^^^r属盐;Sj^盐等。作为聚丙烯,类^^物，例如可举出聚丙烯酰胺、及叔丁基丙烯,作为过石^Wik，例如有过石_铵、过石jH^钠、及过石;IL^钾。作为提供亚铜离子的化合物，例如有氯化亚铜(I)、溴化亚铜(I)、疏酸亚铜(1)、A^氧^iE铜a)等。》"卜，作为提供亚铁离子的化合物，例如有氯化亚铁(n)、溴似铁(n)、魏亚铁(n)、石滅亚铁(n)、贿te铁(n)、及乙to铁(II)等。本发明的蚀刻剂组*进行的^]材料的蚀刻可以使用周知的方法来进行。在此，作为被蚀刻材料的^I材料，例如可举出银4l^r及4彌^^铜*、以及铜，特别^^铜。j)^卜，蚀刻方法及糾没有特另、P艮制，可以使用分批式、流动式、棉措蚀刻剂的氧^i原电位及比重、酸i!i^:进行自动控制的方式等周知的^Mt方式。^fj本发明的蚀刻剂組，进行的蚀刻中，为了恢复由于>0^进行蚀刻而引起的蚀刻剂组*的损耗，有时添加补充液。特别是在上述自动控制式的蚀刻中，可以预先将补充液填M蚀刻装置中，进而添加到蚀刻剂组合物中。该补充;^A含有例如(A)成分、(E)成分A7jc的水溶液，(A)成分及(E)成分的M为蚀刻剂组合物中的它们的浓度的3~20倍左右。jH^卜，该补充液中，还可以根提需要添加本发明的蚀刻剂组^中为必需或可任意使用的上述各成分。本发明的蚀刻剂组合物在形威撒细图案的电路配线时，可以得到精密的蚀刻g，因此，除印刷^^板4Jt，还可以^it用于要求微细间距的^^jfj基板、COF及TAB用途的减去法、半加成法。实施例以下，使用实施例及比较例对本发明进行更详细的说明。但是，本发明并不受限于以下的实施例等。(实施例蚀刻剂组^No.1~No.23)以下^142所述的酉e^比例混合各成分，制备改刻剂组^;No.1~No.23。再有，作为石;H^铜，实际中添加其的5水^。jH^卜，表1中的(A)成分的i^i至离子换將到的值。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>ADEKAPluronicTR-704沐M^^f土ADEKA制ii):将环氧丙^Jf氧乙烷嵌口成到乙二胺的活性氬上得到的4^^/(分子量5000、环氧乙烷含量40质量ADEKAPluronicTR-504(抹式^iLADEKA制it):将环氧丙^^环氧乙;^嵌^口成到乙二胺的活性Ui得到的化^(分子量3000、环氧乙烷含量40质量ADEKAP1uronicTR一702淋式会社ADEKA制均将环氧丙烷及环氧乙烷嵌段加成到乙二胺的活性氢上得到的俗舒物(分子量3500、环氧乙烷含量20质量%)(比较喇蚀刻剂组合物a一n)通过以下述表3中所述的配合比例汤舒各成分，制·备蚀刻剂组合物N。.a-n。再有，(A)成分的浓度是经离子换算得到的值。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>划下滑线的成分表示代替本发明中的指定成分而配合的成分。召洲上述实施例及比较例的性刻剂组合物进行下述的蚀刻处理。在铜厚9ym的C0F带M(158腿xlOOmm)上涂敷液g蚀剂(PMER-p;东京应化-土制it)，并进frt燥，^利用曝錄置(UFX-2238;々v才电才W土制ii)，形成间距20jjra的抗蚀剂图案。其次，使用由上述实施例及比较例得到的蚀刻剂组合物，在温度45。C，压力0.05MPa的条件下进ff^射蚀刻。对所得铜电路的形状进行下述樣(1)直线性直线性利用^一工^^社制造的ttE微lfc^行^^来教。该if^分为5传级，分别是将线宽的不匀均不足l(Lim的靴为"5"，liam以上、不足1.7ju迈的"^为"4"，1.7jumk乂上、不足2.4jum的"^为"3"，2.4jumk乂上、不足3Mm的膽为"2"，3lam以上的蕭为'T，。(2)配线上部^！配线上部￡>变由潮^^微镜图像测定。(3)蚀刻因子蚀刻因子使用以下公式算出。蚀刻因和^(s-r)/2上述式中，A表示铜厚(jam)，T表示顶部H(jam)、B表示底部HUm)。再有，顶部宽^J^部t变由激^E微镜图像测定。(4)侧向蚀刻侧向蚀刻用(B-T)/2的值进fr^h顶部宽度M部H由W^微镜图像测定。(5)底蚀底蚀通过对于产生底蚀的部位，由截面的'^t^微镜图^^定顶部宽度及底部tt，用(T-B)/2的值进4tW。再有，没有t生侧向蚀刻的设为0。(6)離歹^^通itW^微镜的观慕进frif阶。该译阶中，将良好的设为5，不良的赠l，以5传贿^W。将上述(l)~(6)的"^结果示于下*4。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>如表4所示，相对^^J实施例的蚀刻剂组^(No.1~23)形成的铜电路中上述(l)~(5)的电翻己线的形状的"W结果均为良好，使用比较例的蚀刻剂组合物(No，an)形成的铜电路中上述(1)~(5)中的任一个电路配线的形状的评僻果均为差。并且，No.1~4、7~16、18、20及21的上述(6)的残膜的缝结果也良好。因此，本发明的蚀刻剂组合物可以制造防jJi^细图案的电糊己线形状不良、不产生^i^的印刷M^l(ilM)。权利要求1、一种含铜材料用蚀刻剂组合物，其特征在于，由以(A)选自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分0.1～15质量％、(B)具有1个羟基的二醇醚类化合物0.001～5质量％、(C)将环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一种加成到(多元)胺类化合物的活性氢上得到的化合物0.001～5质量％、(D)选自磷酸及磷酸盐中的至少1种的磷酸成分0.1～5质量％、以及(E)选自盐酸及硫酸中的至少一种的无机酸0.1～10质量％为必须成分的水溶液构成。2、才娥权利要求1所迷的^1材料用蚀刻剂组合物，其特征在于，所述(C)成分是环氧丙^Jf氧乙烷嵌對口成或无船口成到乙二胺的活性IUi得到的化#。3、才缺权利要求1或2所述的^I材料用^^剂组^，^##于，所述(C)成分具有2000~10000的数均分子量。全文摘要本发明提供一种可以制造防止微细图案的电路配线的形状不良、不产生短路的印刷线路板(或膜)的含铜材料用蚀刻剂组合物。其特征在于，由以(A)选自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分0.1～15质量％、(B)具有1个羟基的二醇醚类化合物0.001～5质量％、(C)将环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一种加成到(多元)胺类化合物的活性氢上得到的化合物0.001～5质量％、(D)选自磷酸及磷酸盐中的至少1种的磷酸成分0.1～5质量％、以及(E)选自盐酸及硫酸中的至少一种的无机酸0.1～10质量％为必须成分的水溶液构成。文档编号C23F1/10GK101498000SQ20081010745公开日2009年8月5日申请日期2008年11月21日优先权日2008年1月15日发明者下泽正和,中村裕介,正元祐次,池田公彦申请人:株式会社Adeka