蒸发器输送安瓿的制作方法

专利名称：蒸发器输送安瓿的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种蒸发器，特别涉及一种蒸发器输送系统，其包括 多个容器以增大用于蒸发液体和固体材料的表面积，该材料例如是在 化学气相沉积(CVD)、原子层化学气相沉积(ALCVD)和离子注入方法中 所用的液体和固体反应物。
背景技术：
在半导体晶片处理中，化学气相沉积(CVD)被广泛用于制备薄膜 和涂层。由于CVD例如具有可提供高保形和高质量薄膜的能力，并且 处理时间相对较高，所以在许多方面中其是有利的沉积方法。此外， CVD在涂覆不规则形状基底中也是有利的，包括即使对于深接触和其 他开口时也可提供高保形薄膜。
一般地，CVD技术包括在有利于所需反应的温度和压力条件下， 将气态反应物输送至发生化学反应的基底表面上。可利用CVD形成的 各层的类型和组分受将反应物或反应物前体输送至基底表面上的能力 的限制。通过在载气中输送液体反应物可将各种液体反应物和前体成 功地用于CVD应用中。在液体反应物CVD系统中，通常以可控制的 速率使载气鼓泡通过液体反应物容，从而用液体反应物饱和载气，然 后将饱和的载气输送至反应室。
对将固体反应物输送到CVD反应室进行了相似的试验，但成功更 小。在CVD处理中使用升华器/起泡器方法输送固体前体，其中前体通常置于升华器/起泡器存储器中，然后将前体加热至其升华温度，从而使其转变成可用载气如氢、氦、氩或氮输送至CVD反应器的气态化合物。然而，由于多种原因，这种过程在将固体前体输送至反应室时的可靠性和再现性方面没有取得成功。这种方法的主要问题集中在不能以可控制的速率均匀地蒸发固体，以使蒸发的固体前体的可再现流被输送到处理室。此外，由于固体前体在蒸发器系统中有限的暴露表面积及缺少均匀温度以提供最大程度的升华，所以难于使快速流动的载气流完全饱和。
在常规离子注入系统中固有存在相似的问题，该系统包括离子源，其中掺杂剂元素被离子化，随后被加速，形成定向于被注入的工作表面的离子束。当使用固体掺杂剂材料，其通常置于待加热的蒸发器内，随后形成的蒸气被输送到用于离子化的离子源的内部，随后形成离子束。
由于安全原因，固体离子源材料是极为优选的，然而，固体半导体掺杂剂存在严重的技术和使用问题。例如，在蒸发器中使用固体前体材料会增长仪器的故障时间，产品质量较差，蒸发器内会积聚沉积物。
现有技术中的蒸发器系统有许多缺点，包括蒸发器内冷凝材料的积聚，由于蒸发器中没有均匀加热在其内部形成"冷点"。不需要的沉积物的积聚在蒸发器系统中加剧，其需要用以旋转小瓶的内部移动表面和/或源材料的壁。这些内部结构会在蒸发器内产生额外的"冷点"，并使蒸发的材料进一步沉积。此外，由于沉积物在内部移动结构上的积聚，所以不能有效和可靠地操作这些蒸发器。对于在低蒸气压下温度敏感性的固体源材料而言，现有技术的蒸发器的缺点特别明显。因此，难于以可控制的速率蒸发固体，以使蒸发的固体前体的可再现流被输送到下流沉积系统。因此，本领域中需要可有效地蒸发固体和/或液体化学物质而不会出现现有技术中的缺点的蒸发器系统，如源材料的热分离，由于蒸发器内沉积物的积聚而不可操作内部移动组件，由于蒸发器内的"冷点"低蒸气压化合物的冷凝，和/或不均匀的蒸气流至下流沉积系统。

发明内容
本发明涉及一种特别适用于半导体制造应用的用于蒸发固体和液体化学物质的蒸发器系统和方法。
在一个方面中，本发明涉及一种用于蒸发和输送源材料的蒸气输送系统，其可提供充足的表面积及均匀的载气流动，从而满足通常沉积应用所需的流速，其包括
a) 至少一个用于容纳可蒸发的源材料的容器；
b) 位于该容器中的多个通风突起物，其中该通风突起物包括用于使该可蒸发的源材料通过的通道；及
C)用于使载气流通过该容器的载气管道。
在另一方面中，本发明提供一种用于蒸发和输送前体的蒸气输送系统，其包括
a) 安瓿，其包括安瓿底部、侧壁和可拆卸的顶部，以形成内部安瓿室；
b) 与该安瓿连接的气体进口和气体出口；
c) 位于该内部安瓿室中的至少一个容器，其中该容器包括容器底部和侧壁，以形成容器腔；及
d) 至少位于容器底部上的多个通风突起物，以提供通过其中的通道，其中该通风突起物延伸进该容器腔。
如下文更充分说明的那样，该前体可以包括固体或液体源材料。优选地，该前体是固体前体，包括但不限于癸硼烷、硼、磷、镓、铟、铜、锑、四氯化铪、四氯化锆、砷、三氯化铟、金属有机(3-二酮酸酯配合物、环戊二烯基环庚三烯基钛(CpTiCht)、三氯化铝、碘化钛、环辛
四烯基环戊二烯基钛、双环戊二烯基钛二叠氮化物及羰基鹆。在另一方面中，本发明涉及一种蒸发器单元，其可在使处理工具
改变最小的情况下插进常规安瓿中，其包括
a) 多个垂直堆叠的容器，其中每个容器包括用于容纳源材料的
腔；
b) 位于每个垂直堆叠的容器中并延伸进每个各自的腔中的多个通风突起物，其中该通风突起物在相邻的垂直堆叠的容器间形成用于使载气通过的通道；及
c) 与多个垂直堆叠的容器接触并延伸通过每个垂直堆叠的容器的腔的载气管道。
在另一方面中，本发明提供一种蒸发器，其包括
a) 安瓿，其包括安瓿底部和安瓿侧壁，以形成内室；
b) 封闭该内室的安瓿顶部；
C)与该安瓿顶部连接的气体进口和出口； _
d) 位于该内室中多个垂直堆叠的接触容器，其中每个容器包括容器底部和容器侧壁，以形成用于容纳固体前体材料的容器腔，及其中每个容器侧壁与该安瓿侧壁接触；
e) 位于每个容器底部上的多个通风突起物，以在相邻的垂直堆叠的接触容器间提供通道，其中该通风突起物延伸进容器腔；
f) 位于该内室中并与该气体进口连接用于将载气输送至该垂直堆叠的接触容器下面的载气汲取管；及
g) 用于加热该安瓿的装置。
在另一方面中，本发明涉及一种容器，其包括随着锥形突起物延伸进该容器腔而縮窄的圆锥形孔。这种突起物结构基本上可使载气单向通过位于该安瓿中的多个垂直堆叠的容器。在另一方面中，本发明提供一种将源材料蒸发和输送至下流处理 室的方法，该方法包括-
a) 提供多个相互连接的垂直堆叠的容器，其中含有可蒸发的源材 料，其中每个相互连接的垂直堆叠的容器包括多个带通道的突起物；
b) 将该相互连接的垂直堆叠的容器置于可密封的安瓿内； C)加热该可密封的安瓿，热量足以蒸发其中的源材料；及
d)使载气通过该可密封的安瓿，以使该蒸发的源材料通过该可密 封的安瓿进入该处理室。
从下面的说明书和所附的权利要求书中，可以更清楚本发明的其 他各方面和特征。


图1是本发明一个实施方案的蒸发器的立体图。
图2是本发明位于安瓿中的容器中的多个通风突起物的俯视图。
图3是容器的侧视图，表明本发明的多个圆柱形突起物。
图4是容器的侧视图，表明多个本发明的圆锥形突起物。 .
图5是本发明多个垂直堆叠的容器的侧视图。
图6是本发明蒸发器输送系统的简化示意图。
图7是曲线图，表明当载气流过本发明的安瓿时，加热安瓿和感 测容器单元内的温度的结果。
图8是曲线图，表明加热安瓿和感测容器单元内和本发明安瓿内 的突起物的温度的结果。
图9是容器的侧视图，表明多个包括侧面通风孔的圆锥形突起物。 图IO表明本发明可选择的实施方案。
具体实施例方式
本发明是基于下述的观察在蒸发器系统中所用的某些源材料不 能以足量被充分蒸发以满足的通常沉积应用所需的流速。在某些情况 下，为实现所需的流速，超过200°C的高温已被用来提供升华速率，
12这会导致源材料分解。
本发明一个实施方案的蒸发器如图1所示，其克服了现有技术中
的蒸发器的缺陷。蒸发器输送系统io包括由适合的导热材料制成的安
瓿12，例如银、银合金、铜、铜合金、铝、铝合金、铅、包镍、不锈
钢、石墨和/或陶瓷材料。安瓿包括底部14和侧壁16，从而形成内室。
安瓿可以是有助于载气通过安瓿均匀流动的任何形状，如所示的圆柱 形。安瓿基座优选的形状是制成极精确公差的圆柱形，从而仅允许精
密制造的容器具有1/1000th 3/1000th英寸的间隙。容器安装需要各壁及 为平行以确保容器侧壁与安瓿基座内壁有良好的热接触。可以理解， 需要封闭公差确保容器与安瓿内壁均匀接触，容器单元的安装和取出 过程可能分别需要加热和/或冷却基座和容器，以便容易安装。
载气进口 20优选位于安瓿顶部18上，并与安瓿连接以将载气输 送到安瓿。
多个垂直堆叠的容器22位于安瓿内室中。堆叠的容器彼此分开， 并可从安瓿中取出，以便于清洗和再充填。内部载气组件23位于安瓿 内，其与气体进口 20连接(悍接)，并将载气输送到内室底部和垂直堆 叠的容器的最低容器下面。在图1中，内部载气组件23通过每个容器 腔27(图3所示)和容器底部24。然而，应该理解为确保在内部载气组 件与容器底部交叉的位置防漏密封，密封O-环3S(如图5所示)可位于
各容器之间，特别是在源材料是液体时。也可在每个容器(塔板)侧壁的 上表面上提供外部o-环以在各容器间密封。
此外，如果使用固体前体，需要阻止载气流中夹带固体。高纯的 不锈玻璃料(孔尺寸可能为1 100微米)可加到载气流中的任何位置。玻 璃料可设置在每个突起物的"进口"，较大的圆盘玻璃料可加到上面 塔板上，并通过在安瓿上安装的盖子产生的压力来密封，或加到出口 气体通道上。如图3所示，每个容器22包括底部24和侧壁26，从而形成容纳 优选的源材料28的容器腔27。容器优选由非反应性的导热材料制成， 例如银、银合金、铜、铜合金、铝、铝合金、铅、包镍、不锈钢、石 墨和/或陶瓷材料。
每个容器还包括多个突起物30，其中每个突起物包括用以使载气 通过突起物的通道32。突起物的形状可以是能够使气体容易流过其中 的任何构形。优选地，突起物是如图3和图4所示的圆柱或圆锥形。
图4表明具有普通漏斗状构形的突起物30，其包括随着锥形突起 物延伸进容器腔27而縮窄的圆锥形孔。这种圆锥形孔可使载气从相邻 的低容器通过较大的孔开口 34进入容器腔(较小孔36)，同时减小载气 回流进较低的相邻容器。重要的是，保持以多种半导体处理系统所需 的流速单向流过堆叠的容器，可提高用蒸发的源材料饱和的载气的流 动。随着含有蒸发的源材料的载气从安瓿底部向上流过锥形突起物， 当气体分子压向突起物壁时，产生涡流作用。这种涡流作用使载气快 速通过突起物，从而使蒸发的源材料与锥形突起物的加热的壁接触。 因此，蒸发的源材料与加热的容器保持接触，并减小蒸发的材料的沉 积和/或阻塞突起物中的通道。
可以延长突起物，使其与容器表面连接，如商业上可得到的通风 不锈钢螺孔，这样可最优化处理或升华速率。可选择地，突起物形成 作为容器底部的一部分，这样对突起物的热传递最大。优选地，每个 突起物的高度约与容器侧壁相同高度或更小。更优选地，每个突起物 的高度小于容器侧壁的高度，从而在突起物未端上方提供用于在各容 器内气体分散和循环的顶部空间。可选择地，容器和突起物可在每个 容器中形成流化床。载气流可以进入固体表面之下的容器，可以理解 如图IO所示每个容器中的孔尺寸足以容纳固体前体。另一个实施方案 涉及如图9所示的突起物，其侧壁包括用以使载气通过固体前体的通
14风孔，用以将其流化。
突起物其高度应可提供容纳足量源材料的防漏区，而不论是液体 或固体，从而提供所需的蒸发的材料，而不会通过突起物的开孔32泄
漏进下面的容器。优选地，每个突起物从容器底部垂直延伸约0 mm 约5 mm，更优选约为1.5 mm~3.0 mm。
如图1所示，每个容器中突起物的配置与相邻容器中的突起物略 微偏移，从而使载气在容器内循环，以在蒸发的源材料通过突起物被 输送至下一级容器之前与其接触。有利的是，由于蒸发器系统中源材 料的量得以提高，所以载气的多级接触使载气的饱和速率提高。
取决于输送至下流CVD装置或离子注入系统的蒸发的气体的量， 蒸发器输送系统10的尺寸不同。蒸发器其尺寸通常与内径约为3~6英 寸、优选约为3.75英寸的圆柱体相应。包括堆叠容器的容器数量由蒸 发器尺寸来确定，优选在安瓿中带有3 5个容器。
根据源材料的种类和所供应的量、蒸发的气体的浓度及其他操作 条件，本发明包括多个内部容器的安瓿可被加热并保持在所需的温度。 可以使用环绕蒸发器的条带式加热器、具有包围蒸发器形状的块状加 热器、或循环热空气、或液体加热介质进行加热。对加热方法没有特 别限制，只要蒸发器能被加热并能精确地保持在所需的温度。需要从 侧壁和底部加热安瓿，以减小较低容器在高温升华并形成冷却的顶部 容器，而在冷却容器中可能冷凝引起阻塞。优选的热传递是从安瓿侧 壁到容器侧壁。取决于加热方法、加热的载气进口管的长度及载气流 速，也可能需要预加热载气。
有利的是，本发明的蒸发器输送系统可提供一系列加热的容器， 其还提供用于提高加热的表面积的多个加热的突起物，从而由于热量 分布被提高而使固体源材料升华。优选的是安瓿具有较大的热质，从
15而在处理过程中保持更均匀的温度。由于较大热质可使固体源材料保 持从固体态至蒸气态的升华，所以本发明被设计成具有较大的热质。 在给定温度下，固体的蒸气压是界面处的材料的分压，即在给定时间 时，在固体表面冷凝的多个分子与从表面升华的分子数量相同。如果 通过载气从固体/气体界面除去气态分子，那么平衡被破坏。如果在足 够热量供应至固体表面以补充升华所需的潜在热量，那么升华以较高 速率发生以恢复平衡。通过提供多个加热的突起物，全部导热的容器 用作加热的表面，从而提高升华速率，使饱和载气的流速增加，并降 低蒸发的源材料沉积而阻塞带通道的突起物。
取决于下流CVD装置或离子注入系统的操作条件、蒸气压和源材
料的量，蒸发器的温度不同。温度通常约为40 300。C。
本发明的蒸发器输送系统还可以包括用以供应载气和输送蒸发 的气体并与蒸发器连接的管道；及用于测量压力和温度的调节阀。可 以提供加热器以保持气体供应管道和将蒸发的材料输送至下流半导体 制造处理室的管道中的温度。优选下流管道比安缻热5-10。C，以防止 在管道中冷凝。
本发明蒸发器系统的方法包括在安瓿内堆叠容器前将源材料加到 容器中。源材料可以是固体、液体或溶解在溶剂中的固体。此外，可 利用任何方法以薄膜形式将源材料涂覆在容器和容器腔内突起物的表 面，包括通过加热熔融金属配合物、将熔融的金属配合物涂覆至支撑 物上、然后冷却的方法。此外，金属配合物可被溶解在溶剂中，并涂 覆到容器和突起物的表面，然后减压下除去溶剂。如果在下流处理系 统中使用不同的源材料，那么本发明具有将不同源材料加到垂直堆叠 的容器中的不同容器中的能力。
如图5所示，蒸发器单元44包括与内部气体输送组件23接触的 多个垂直堆叠的容器，并置于安瓿中。安瓿顶部盖子1S(如图1和图2
16所示)位于所示导热安瓿的顶部，并通过如O-环组件(O-环可由聚四氟乙 烯、弹性体或金属密封件制成)和/或机械扣件如螺丝与其密封。安装加
热安瓿的装置，提高安瓿和接触容器内的内温至足以蒸发所含的源材 料的温度。由于纯载体进入塔板，而部分或完全饱和的载气进入其上 的容器，所以在第一或最低容器上升华速率最大。同样，需要在底部 容器上加载更多的前体和/或提高容器的高度尺寸，以使处理工具中的 安瓿具有更均匀的表面积。
用作源材料的固体通过升华过程被蒸发，这通过加热导热安瓿的 壁来实现，其优选与由导热材料制成的多个垂直堆叠的容器接触。升 华过程使固体例如癸硼烷从固态转变到蒸气态而没有经过中间的液
态。本发明对于适用的固体源材料是有效的，例如升华温度约为20°C~ 约300°C、蒸气压约为10'2~约103 Torr的固体材料。
可通过设置可控制温度操作的任何热量调节系统来控制蒸发器内 的温度，包括但不限于电热丝式加热器、辐射加热器、加热套、循环 流体加热器、电阻加热系统、感应加热系统等。此外，可通过设置与 导热安瓿和/或容器表面接触的热电偶、热敏电阻或任何其他适合的温 度感测接头或装置来感测安瓿内的温度。
为在容器缺少源材料时进行测定，发明人设计了传感监测系统以 测定顶部塔板和/或底部塔板中的固体或液体量，如在容器底部表面上 与反射表面连接的光学传感器，从而当容器接近空或空的时信号发生 变化。
图6表明用于将载气供应至蒸发器10的简化蒸发输送系统66。 载气源64与蒸发器10连接，从而载气。在加入源材料的可选择的方 式中，液体源材料可从液体源容器67加入。通过设置在载气输送管道 和用于将蒸发的源材料输送到处理室70的管道中的流量计68可以监 测和控制载气流速。气体输送管道优选由低摩擦系数的材料制成，如聚合物，从而具有较高流速。优选地，蒸发器输送系统由导热材料制
成，从而输送与蒸发器单元10连接的至少一个加热装置72产生的热
完全蒸发所需的能量是源材料和载气、混合物流速的函数。在本
发明中，输送至蒸发器的热能约为100W 3000W，从而提供最优化的 等温温度。按这种方式，流动混合物吸收的热能是可用热能的一小部 分。因此，气体蒸气所吸收的能量相对于可用的热能没有明显变化， 从而使导热表面基本上保持在理想的等温温度。
操作时，前体源材料优选在干燥箱或手套箱中加到容器单元内， 以避免当安瓿打开时前体与氧或水份反应。从气体源64来的载气被输 送到蒸发器单元的气体进口 20，气体流速约为1 sccm 500 sccm。以可 使载气稳定流动的压力将载气输送到蒸发器中，然后载气通过垂直堆 叠的容器的突起物。随着载气向上通过不同级的垂直堆叠的容器，载 气被蒸发的源材料所饱和，并从蒸发器单元经气体出口阀40输送至处 理室70。
结合下面的实施例可以更充分理解本发明的优点。 实施例I
如图1所示，本发明的蒸发器包括在本发明的安瓿内具有5个堆 叠的容器的容器单元，测试来确定从安瓿到容器的热导效率。安瓿由 高级不锈钢制成，并与环绕在安瓿外围的块状加热器连接。加热器与 变压器连接，其是AC变压源，用以控制加热程度。位于安瓿内的各容 器(容器1和容器5)与温度传感器连接，以测定加热均匀度及从安瓿到 容器的热传递功效。安瓿与载气源连接，用于将载气以约500 sccm的 速率输送到安瓿并通过容器单元。如图7所示，随着与安瓿连接的加 热器温度的提高，容器中感测的内温也提高，这反应出热导功效。将 容器1和容器5中感测的温度与安瓿的温度相比，表明全部堆叠的容器中的加热均匀性。因此，各容器都可提供均匀加热以蒸发前体材料 的额外表面积。
图8表明热量从安瓿到容器5中的突起物的分布。在蒸发1小时
后，温度升至130。C，安瓿内的热量分布接近恒定。由于多个容器使容
纳前体材料的面积增大，所以不需再充填安瓿就可制备更多的产物， 从而降低了装置的不工作时间。
权利要求
1. 一种利用适于接收至少一个容器的蒸发器安瓿、以及利用至少一个容器的方法，所述至少一个容器在其内限定了腔，所述方法包含将含有固体的源材料引入所述至少一个容器；将所述固体源材料的至少一部分溶解于溶剂中；将所述至少一个容器放置于所述蒸发器安瓿中；和将所述溶剂从所述源材料移除。
2. 如权利要求1所述的方法，其中所述溶剂的移除在减压下操作。
3. 如权利要求l所述的方法，其中所述至少一个容器包含多个容 器，并且所述放置步骤包括将所述多个容器堆叠在所述蒸发器安瓿中。
4. 如权利要求l所述的方法，其中在将所述至少一个容器放置于 蒸发器安瓿中后，将所述溶剂从所述源材料移除。
5. 如权利要求l所述的方法，其还包含将所述蒸发器安瓿加热。
6. —种蒸发器装置，其包括限定了内室、并含有设置在内室中的 可蒸发固体源材料的器皿，其中所述可蒸发固体源材料通过溶解于溶剂中随后移除溶剂来处理。
7. 如权利要求6所述的蒸发器，其中所述器皿具有第一末端，位 于所述第一末端的气体进口，和位于所述第一末端的气体出口。
8. 如权利要求6所述的蒸发器，其包含至少一个适于支撑所述可 蒸发固体源材料的水平布置的支撑表面。
9. 如权利要求8所述的蒸发器，其还包含在所述水平布置的支撑表面上方垂直延伸入所述内室中的多个延伸元件。
10. 如权利要求9所述的蒸发器，其中所述器皿具有第一末端， 所述第一末端具有位于该第一末端的气体出口 ，并且所述多个延伸元 件在所述支撑表面上方垂直延伸到第一末端。
11. 如权利要求9所述的蒸发器，其中布置所述多个延伸元件以引起以下至少之一气体横越经过器皿的不同区域，和热传递到由所 述水平布置的支撑表面支撑的所述固体源材料。
12. 如权利要求9所述的蒸发器，其中所述多个延伸元件附接到所述水平布置的支撑表面。
13. 如权利要求6所述的蒸发器，其中所述可蒸发固体源材料的 所述处理在器皿内进行。
14. 如权利要求6所述的蒸发器，其中所述可蒸发源材料包括金 属络合物。 .
15. —种利用蒸发器装置的方法，所述蒸发器装置包括具有内室、 气体出口和设置在所述内室中的可蒸发固体源材料的器皿，所述可蒸 发固体源材料通过溶解于溶剂中随后移除溶剂来处理，所述方法包含将所述器皿加热以蒸发所述固体源材料的至少一部分并因而产生 蒸发的材料；以及将所述蒸发的材料通过所述气体出口排出。
16. 如权利要求15所述的方法，其中所述器皿具有布置成向所述 内室供应气体的气体进口，并且所述方法还包含通过所述气体进口向 所述内室供应气体。
17. 如权利要求15所述的方法，其中所述可蒸发固体源材料包括金属络合物。
18. —种蒸发器，包括器皿，所述器皿具有(i)封闭内体积的热传 导器皿壁，(ii)适于从所述内体积接收蒸发的材料的气体出口，以及(iii) 设置在所述器皿内的至少一个固体材料保持器；其中所述至少一个固体材料保持器具有固体材料支撑表面和延伸 到所述固体材料支撑表面上方的热传导保持器侧壁；其中所述侧壁适于在器皿操作温度下与所述器皿壁进行充分热接 触，其中至少一个固体材料保持器适于保持包含固体的可蒸发材料； 并且其中所述器皿适于通过器皿壁将热传递到所述热传导保持器侧壁。
19. 如权利要求18所述的蒸发器，其中所述器皿具有适于向所述 内体积供应气体的气体进口。
20. 如权利要求19所i的蒸发器，其中所述器皿具有第一末端， 所述气体进口沿着所述第一末端设置，并且所述气体出口沿着所述第 一末端设置。
21. 如权利要求19所述的蒸发器，其中所述器皿包括向下延伸到 所述内体积中并且与所述气体进口保持连接的管道。
22. 如权利要求18所述的蒸发器，其中所述至少一个固体材料保 持器的固体材料支撑表面限定了多个气流通路。
23. 如权利要求18所述的蒸发器，其中所述至少一个固体材料保 持器可拆卸地可插入所述器皿中。
24. 如权利要求18所述的蒸发器，其包含所述可蒸发材料，其中 所述可蒸发材料包含固体材料和溶剂。
25. 如权利要求18所述的蒸发器，其包含所述可蒸发材料，其中 所述可蒸发材料包含固体膜。 '
26. 如权利要求18所述的蒸发器，其中所述至少一个固体材料保 持器包含多个固体材料保持器。
27. 如权利要求26所述的蒸发器，其中所述多个固体材料保持器 的保持器堆叠在所述器皿内。
28. —种包含如权利要求18所述的蒸发器的蒸气输送系统，其包 含由所述内体积中的所述至少一个固体材料保持器支撑的所述可蒸发 材料。
29. —种包含如权利要求18所述的蒸发器的蒸气输送系统，其包 含由所述内体积中的所述至少二个固体材料保持器支撑的所述可蒸发 材料，其中所述可蒸发材料包含癸硼烷、硼、磷、镓、铟、铜、锑、四氯化铪、四氯化锆、砷、三氯化铟、金属有机(3-二酮酸酯配合物、环 戊二烯基环庚三烯基钛(CpTiCht)、三氯化铝、碘化钛、环辛四烯基环 戊二烯基钛、双环戊二烯基钛二叠氮化物和羰基钨中的至少一种。
30. —种利用如权利要求28所述的蒸发器的方法，所述方法包含 将所述器皿加热以蒸发所述可蒸发材料的至少一部分以产生蒸发的材 料。
31. 如权利要求30所述的方法，其还包含将所述蒸发的材料输送 到适于使用所述蒸发的材料进行沉积工艺的工艺设备中，所述沉积工 艺选自化学气相沉积、原子层化学气相沉积和离子注入。
32. —种蒸发器装置，其包含具有内体积、第一末端、位于第 一末端的气体进口、位于第一末端的气体出口、至少一个水平布置的 支撑表面以及在所述支撑表面上方垂直延伸入所述内体积中的多个延 伸元件的器皿，其中所述至少一个水平布置的支撑表面适于支撑在所 述内体积中包含固体的可蒸发材料。
33. 如权利要求32所述的蒸发器装置，其中布置所述多个延伸元 件以引起气体横越经过器皿的不同区域。
34. 如权利要求32所述的蒸发器装置，其中所述多个延伸元件适 于将热传递到由所述水平布置的支撑表面支撑的可蒸发材料。
35. 如权利要求32所述的蒸发器，其中所述多个延伸元件附接到 所述至少一个水平布置的支撑表面。
36. 如权利要求32所述的蒸发器，其包含在内体积中的含有固体 的可蒸发材料。 '
37. 如权利要求32所述的蒸发器，其中所述可蒸发材料包含癸硼 垸、硼、磷、镓、铟、铜、锑、四氯化铪、四氯化锆、砷、三氯化铟、 金属有机(3-二酮酸酯配合物、环戊二烯基环庚三烯基钛(CpTiCht)、三氯 化铝、碘化钛、环辛四烯基环戊二烯基钛、双环戊二烯基钛二叠氮化 物和羰基钨中的至少一种。
38. 如权利要求32所述的蒸发器，其中所述可蒸发材料包含通过 溶解于溶剂中随后移除溶剂而处理的固体源材料。
39. 如权利要求32所述的蒸发器，其中所述可蒸发材料包含通过 溶解于溶剂中随后移除溶剂而处理的金属络合物。
40. 如权利要求32所述的蒸发器，其还包含布置成加热所述器皿 的加热元件。
41. 一种利用包括器皿的蒸发器的方法，所述器皿具有内体积、 第一末端、位于第一末端的气体进口、位于第一末端的气体出口、至 少一个水平布置的支撑表面以及在所述支撑表面的上方垂直延伸入所 述内体积中的多个延伸元件，其中所述至少一个水平布置的支撑表面适于支撑在所述内体积中包含固体的可蒸发材料，所述方法包含 将包含固体的源材料引入所述内体积； 将所述源材料的至少一部分溶解在溶剂中；以及 将所述溶剂移除以产生所述可蒸发材料。
42. 如权利要求41所述的方法，其中所述溶剂的移除在减压下进行。
43. 如权利要求41所述的方法，其中所述至少一个水平支撑表面 的水平布置支撑表面通过适于可拆卸地放置在所述内体积中的容器而 限定，其中在所述容器放置入所述内体积中后将所述溶剂从所述源材 料移除。
44. 如权利要求41所述的方法，其还包含将所述蒸发器加热。
全文摘要
本发明公开一种半导体制造过程中所用的蒸发器输送系统(10)，其包括用于容纳可蒸发的源材料的多个垂直堆叠的容器(22)。每个垂直堆叠的容器包括延伸进入每个堆叠容器(22)内部(27)中的多个通风突起物(30)，从而提供用于使载气在相邻的垂直堆叠容器(22)之间通过的通道。
文档编号C23C16/448GK101476115SQ20081016619
公开日2009年7月8日 申请日期2003年7月1日 优先权日2002年7月23日
发明者多恩·纳伊托, 斯科特·巴特勒, 杰弗里·I·邦东, 玛丽安娜·富耶雷尔, 约翰·格雷格 申请人:高级技术材料公司