专利名称：电容触摸屏的镀膜生产工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电容触摸屏的镀膜生产工艺，它属于在TN/STN/CF/TFT黑白及彩 色液晶显示元器件中用于实现操作控制黑白及彩色液晶显示元器件的功能的电容触摸屏 的制造工艺技术领域。
背景技术：
随着科技的进步，TN/STN/CF/TFT黑白及彩色液晶显示元器件广泛应用于汽车 GPS导航、手提电脑、液晶电视、手机等电子制品的显示部件。电容触摸屏是操作平板显示器 件最方便实用的方法。电容触摸屏由双面ITO和单面MoAIMO组成，电容触摸屏的双面ITO 玻璃不但能保护导体及感应器，更有效地防止外在环境因素对触摸屏造成影响，就算屏幕 沾有污秽、尘埃或油渍，电容式触摸屏依然能准确算出触摸位置。触摸屏是人机接口的最终 选择。不管是单点触摸，还是多点触摸识别方向，抑或多点触摸识别位置，它们在很多应用 中都优势明显，例如手提电脑、手机、GPS等等。这些产品本身就要求具有体积小便于携带 的特点，如何能够使小体积产品发挥更多的功能，这就依赖于电容触摸屏技术的应用，随着 此类消费电子产品的市场需求不断增长，电容触摸屏拥有广阔的市场前景，同时为电子产 品的发展创造了良好的市场空间。利用现有的工艺技术生产的电容屏的缺点在于电容屏反光严重，存在色彩失真 的问题，由于光线在各层间的反射造成图像字符的模糊。漂移，当环境温度、湿度改变时，环 境电场发生改变时，都会引起电容屏触摸位置的漂移，造成不准确。
发明内容
本发明的目的是提供一种节约能耗，生产的集成度高，所生产的电容触摸屏耐用、 更清晰、漂移变化小、适用性和灵活性好的电容触摸屏的镀膜生产工艺。本发明的目的是这样实现的一种电容触摸屏的镀膜生产工艺，它包括如下的工艺步骤a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围180°C 280°C，镀膜室传动速度频率为15. OHz 17. OHz ；使用2个SiO^E进行镀SiO2膜，使用2个 ITO靶进行镀ITO膜，其中SiO2溅射功率3000W 3500W，O2流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b、镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAIMo膜 层，采用8个MoAIMo靶镀MoAIMo膜，镀膜温度设置范围60°C 180°C，镀膜室Ar流量为 200 220Sccm、镀膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之间；C、镀上MoAIMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀SiO2保护膜， 使用2个SiO2靶进行镀SiO2保护膜，镀膜温度设置范围180°C 280°C，其中SiO2溅射 功率 3500W 3500W，O2 流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. SXlO-1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa。
所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其具体的工艺步骤如下a)在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围280°C， 镀膜室传动速度频率为17. OHz ；使用2个SiO2靶进行镀SiO2膜，使用2个ITO靶进行 镀ITO膜，其中SiO2溅射功率3500W，O2流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b)镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAIMo膜 层，采用8个MoAIMo靶镀MoAIMo膜，镀膜温度设置60°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、 镀膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^Pa之间；c)镀上MoAIMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀SiO2保护膜，使 用2个Si02·进行镀SiO2保护膜，镀膜温度设置范围280°C，其中SiO2溅射功率3500W，O2 流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa。所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其具体的工艺步骤如下a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围260°C， 镀膜室传动速度频率为17. OHz ；使用2个SiO2靶进行镀SiO2膜，使用2个ITO靶进行 镀ITO膜，其中SiO2溅射功率3300W，O2流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b、镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAIMo膜 层，采用8个MoAIMo靶镀MoAIMo膜，镀膜温度设置范围80°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之间；C、镀上MoAIMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀SiO2保护膜，使用 2个SiOjE进行镀SiO2保护膜，镀膜温度设置范围260°C，其中SiO2溅射功率3300W，O2流 量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. OXliT1Pa 4. SXliT1Pa之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa。所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其具体的工艺步骤如下a)在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围230°C， 镀膜室传动速度频率为16. 50Hz ；使用2个SiO2靶进行镀SiO2膜，使用2个ITO靶进行 镀ITO膜，其中SiO2溅射功率3000W，O2流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b)镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAIMo 膜层，采用8个MoAIMo靶镀MoAIMo膜，镀膜温度设置100°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之间；c)镀上MoAIMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀SiO2保护膜，使 用2个Si02·进行镀SiO2保护膜，镀膜温度设置范围230°C，其中SiO2溅射功率3000W，O2 流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之间，总气压为0. 40 0. 45Pa。所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其具体的工艺步骤如下a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置20(TC，镀膜室 传动速度频率为16. OHz ；使用2个SiO2靶进行镀SiO2膜，使用2个ITO靶进行镀ITO膜， 其中SiO2溉射功率3000W，O2流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. 0 X ICT1Pa 4. SXlO-1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b、镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAIMo 膜层，采用8个MoAIMo靶镀MoAIMo膜，镀膜温度设置150°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之间；C、镀上MoAIMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀SiO2保护膜，使用 2个SiOjE进行镀SiO2保护膜，镀膜温度设置范围200°C，其中3102溅射功率30001，02流 量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. OXliT1Pa 4. SXliT1Pa之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa。所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其具体的工艺步骤如下a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置180°C，镀膜室 传动速度频率为15. OHz ；使用2个SiO2靶进行镀SiO2膜，使用2个ITO靶进行镀ITO膜， 其中SiO2溉射功率3000W，O2流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度3. 0 X ICT1Pa 4. SXlO-1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b、镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAIMo 膜层，采用8个MoAIMo靶镀MoAIMo膜，镀膜温度设置180°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之间；c、镀上MoAIMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀SiO2保护膜，使用 2个SiO2靶进行镀SiO2保护膜，镀膜温度设置180°C，其中SiO2溅射功率3000W，O2流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0.45Pa。本发明不需机械器件，更耐用；拥有完整的系列，从单点触摸，到多点触摸识别方 向，再到多点触摸识别位置；基于电容触摸屏产品PSOC技术，使用灵活，可以和众多的平板 显示电子产品配合使用；电容触摸屏产品PSOC所有的价值在电容触摸屏里都能体现，例如 灵活性，可编程性等等，可以缩短开发周期，使产品快速上市，还有集成度高，可以把很多外 围器件集成到电容触摸屏产品PS0C，这样不仅可以降低系统成本以外，还可以降低总体功 耗，提高用电效率。
具体实施例方式下面结合实施例，对本发明进行进一步的说明本发明的基本工艺步骤为在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围180°C 280°C，镀膜室传动速度频率为15. OHz 17. OHz ；使用2个SiO^E进行镀SiO2膜，使用2个 ITO靶进行镀ITO膜，其中SiO2溅射功率3000W 3500W，O2流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAIMo膜层， 采用8个MoAIMo靶镀MoAIMo膜，镀膜温度设置范围60°C 180°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度 4. O^lO-1Pa 4. 5*10_1Pa 之间；镀上MoAIMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀SiO2保护膜，使 用2个SiO2靶进行镀SiO2保护膜，镀膜温度设置范围180°C 280°C，其中SiO2溅射 功率 3500W 3500W，O2 流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. SXlO-1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa。其具体的实施方案如下实施例1 在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为 280°C，镀膜室传动速度频率为17. 0ΗΖ，在4号室镀SiO2, SiO2溅射功率3500W、O2流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa,使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个ITO靶进行镀ITO膜，8个MoAIMo靶镀 MoAlMo膜，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度4. 0*10^Pa 4. S^liT1Pa之间。 测试结果基层的Si02膜厚为200A、SiO2透过率为90. 5% ；ITO膜厚250 A、ITO膜面电 阻为100 Ω / □ 120 Ω / □，透过率(550nm波长)为彡85. 0%;ΜοΑ1Μο膜厚为3000 A，方 阻为0.3Ω/□，Si02保护膜膜厚为500 A,透过率(550nm波长)为彡89. 0%颜色均勻，产 品最终检验合格。实施例2 在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为 2600C，镀膜室传动速度频率为17. OHZ (镀膜室基片传动速度)，在4号室镀Si02，Si02溅射 功率 3300W、02 流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为0. 40 0. 45Pa,使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个ITO靶进行 镀ITO膜，8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度 4. 0*10^Pa 4. 5*10_中￡1之间。测试结果基层的Si02膜厚为18 OA、Si02透过率为90. 5 % ； ITO膜厚260 Α、ΙΤ0膜面电阻为110Ω/□ 130Ω/□，透过率(550nm波长)为彡85. 5%;
MoAIMo膜厚为2800人,方阻为0.3Ω/□，Si02保护膜膜厚为510 A’透过率(550nm波长)
为彡88. 8. 0%颜色均勻，产品最终检验合格。实施例3:在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀Si02+IT0膜，镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为 230°C，镀膜室传动速度频率为16. 50HZ(镀膜室基片传动速度)，在4号室镀Si02，Si02溅 射功率 3000W、02 流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之间，总气压为0. 40 0. 45Pa,使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个ITO靶进行 镀ITO膜，8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度 4. 0*10^Pa 4. 5*10_中￡1之间。测试结果基层的Si02膜厚为16 OA, Si02透过率为90. 3 % ； ITO膜厚28O A、ITO膜面电阻为120 Ω / □ 140 Ω / □，透过率(550nm波长)为彡86. 5%; MoAIMo膜厚为2600 A，方阻为0.4Ω/□，Si02保护膜膜厚为540 A,透过率(550nm波长) 为》89. 颜色均勻，产品最终检验合格。实施例4 在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为 2000C，镀膜室传动速度频率为16. OHZ (镀膜室基片传动速度)，在4号室镀Si02，Si02溅射 功率 3000W、02 流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为0. 40 0. 45Pa,使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个ITO靶进行 镀ITO膜，8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度 4. 0*10^Pa 4. 5*10_中￡1之间。测试结果基层的Si02膜厚为18 OA、Si02透过率为90. 5 % ； ITO膜厚300 A、ITO膜面电阻为120Ω/□ 150Ω/□，透过率(550nm波长)为彡85. 5%; MoAIMo膜厚为2800 A，方阻为0.5Ω/□，Si02保护膜膜厚为600 A,透过率(550nm波长) 为》88. 5%颜色均勻，产品最终检验合格。实施例5 在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀Si02+IT0膜，镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为 180°C，镀膜室传动速度频率为15. OHZ (镀膜室基片传动速度)，在4号室镀Si02，Si02溅射 功率 3000W、02 流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之间，总气压为0. 40 0. 45Pa,使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个ITO靶进行 镀ITO膜，8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度 4. 0*10^Pa 4. 5*10_中￡1之间。测试结果基层的Si02膜厚为2 3OA、Si02透过率为90. O % ； ITO膜厚330 A、IT0膜面电阻为110Ω/□ 140Ω/□，透过率(550nm波长)为彡85. 5%; MoAIMO膜厚为2500 A，方阻为0.5 0/口，3102保护膜膜厚为700人,透过率(550nm波长) 为》88. 5%颜色均勻，产品最终检验合格。
权利要求
一种电容触摸屏的镀膜生产工艺，它包括如下的工艺步骤a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀SiO2+ITO膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围180℃～280℃，镀膜室传动速度频率为15.0Hz～17.0Hz；使用2个SiO2靶进行镀SiO2膜，使用2个ITO靶进行镀ITO膜，其中SiO2溅射功率3000W～3500W，O2流量为35Sccm、Ar流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa；b、镀上SiO2+ITO膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAlMo膜层，采用8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜温度设置范围60℃～180℃，镀膜室Ar流量为200～220Sccm、镀膜室真空度4.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间；c、镀上MoAlMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀SiO2保护膜，使用2个SiO2靶进行镀SiO2保护膜，镀膜温度设置范围180℃～280℃，其中SiO2溅射功率3000W～3500W，O2流量为35Sccm、Ar流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之间，总气压为0.40～0.45Pa。
2.如权利要求1中所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其特征在于它包括如下的工艺 步骤a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围280°C， 镀膜室传动速度频率为17. 0Hz ；使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个IT0靶进行 镀IT0膜，其中Si02溅射功率3500W，02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b、镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAlMo膜层，采 用8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜温度设置范围60°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、 镀膜室真空度4. 0*10^Pa 4. 5*10^Pa之间；c、镀上MoAlMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀Si02保护膜，使用2个 SiOjE进行镀Si02保护膜，镀膜温度设置范围280°C，其中3102溅射功率3500W，02流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之间，总气压为 0. 40 0.45Pa。
3.如权利要求1中所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其特征在于它包括如下的工艺 步骤a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围260°C， 镀膜室传动速度频率为17. 0Hz ；使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个IT0靶进行 镀IT0膜，其中Si02溅射功率3300W，02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b、镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAlMo膜层，采 用8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜温度设置80°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀 膜室真空度4. 0*10_1Pa 4. 5*10_1Pa之间；c、镀上MoAlMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀Si02保护膜，使用2个 SiOjE进行镀Si02保护膜，镀膜温度设置范围260°C，其中3102溅射功率3300W，02流量为35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之间，总气压为 0. 40 0.45Pa。
4.如权利要求1中所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其特征在于它包括如下的工艺 步骤a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围230°C， 镀膜室传动速度频率为16. 50Hz ；使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个IT0靶进行 镀IT0膜，其中Si02溅射功率3000W，02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b、镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAlMo膜层，采 用8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜温度设置100 °C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀 膜室真空度4. 0*10_1Pa 4. 5*10_1Pa之间；c、镀上MoAlMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀Si02保护膜，使用2 个Si02靶进行镀Si02保护膜，镀膜温度设置230°C，其中Si02溅射功率3000W，02流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之间，总气压为 0. 40 0.45Pa。
5.如权利要求1中所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其特征在于它包括如下的工艺 步骤a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围200°C， 镀膜室传动速度频率为16. 0Hz ；使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个IT0靶进行 镀IT0膜，其中Si02溅射功率3000W，02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b、镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAlMo膜层，采 用8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜温度设置150°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀 膜室真空度4. 0*10_1Pa 4. 5*10_1Pa之间；c、镀上MoAlMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀Si02保护膜，使用2 个Si02靶进行镀Si02保护膜，镀膜温度设置200°C，其中Si02溅射功率3000W，02流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之间，总气压为 0. 40 0.45Pa。
6.如权利要求1中所述的电容触摸屏的镀膜生产工艺，其特征在于它包括如下的工艺 步骤a、在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀 Si02+IT0膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围180°C， 镀膜室传动速度频率为15. 0Hz ；使用2个Si02靶进行镀Si02膜，使用2个IT0靶进行 镀IT0膜，其中Si02溅射功率3000W，02流量为35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. 0X10_1Pa 4. 5X10_1Pa 之间，总气压为 0. 40 0. 45Pa ；b、镀上Si02+IT0膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再进行镀MoAlMo膜层，采 用8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜，镀膜温度设置范围180°C，镀膜室Ar流量为200 220Sccm、镀膜室真空度4. (MO—ipa 4. 5*10^Pa之间；c、镀上MoAlMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再镀Si02保护膜，使用2 个Si02靶进行镀Si02保护膜，镀膜温度设置180°C，其中Si02溅射功率3000W，02流量为 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X lO^Pa 4. 5 X lO^Pa 之间，总气压为 0. 40 0.45Pa。
全文摘要
一种电容触摸屏的镀膜生产工艺，在进行镀膜之前对半钢化玻璃基片基进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀SiO2+ITO膜，采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜温度设置范围180℃～280℃，镀膜室传动速度频率为15.0Hz～17.0Hz；使用2个SiO2靶进行镀SiO2膜，2个ITO靶进行镀ITO膜，镀上SiO2+ITO膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再采用8个MoAlMo靶镀MoAlMo膜；镀上MoAlMo膜的半成品玻璃经过线路图形蚀刻加工后，再使用2个SiO2靶镀SiO2保护膜。本发明生产系统成本低，能耗低，且可以提高用电效率；利用本发明生产的产品不需机械器件，更耐用，拥有从单点触摸，到多点触摸识别方向，再到多点触摸识别位置。
文档编号C23C14/34GK101831614SQ201010169599
公开日2010年9月15日 申请日期2010年5月6日 优先权日2010年5月6日
发明者吴勇, 吴永光, 温景成, 胡安春, 董坚 申请人:深圳市力合薄膜科技有限公司