专利名称：溅镀装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种溅镀技术，尤其涉及一种溅镀装置。
背景技术：
溅镀是一种物理气相沉积技术，溅镀原理是在真空环境下，利用辉光放电或离子 束产生的高能等离子体撞击耙材，以动量转移方式将耙材内的原子从耙材上轰击出来而沉 积在基板上形成薄膜。由于溅镀可以达成较佳的沉积效率、精确的成份控制，以及较低的制 造成本，因此已广泛应用于工业中各种金属和非金属膜层的制作。目前，普遍采用离子束产生的高能等离子体撞击耙材的方式进行溅镀，而为了提 高溅镀速度，一般采用多个耙材对基板进行溅镀。但是，在进行反应性溅镀(即向溅镀腔通 入氧气、氮气等多种不同的反应气体电离后轰击耙材，然后多种反应气体之间及与被轰击 出来的离子之间发生化学反应最后沉积在基板上形成薄膜)时，由于进行反应性溅镀后靶 材上会受到反应气体与靶材的反应物的污染(如附着有氧、氮化物等)，所以需要导入惰 性气体对该靶材表面的氧、氮化物等进行清理，即需要清靶，否则影响镀膜品质。而溅镀与 清耙采用的气体源不同(分别为反应气体与惰性气体)，但是通入到溅镀腔内的气体通道 又是共用的，因此，溅镀和清耙则无法同时进行，造成生产效率降低。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可以同时进行溅镀及清耙的溅镀装置。一种溅镀装置，其包括一个溅镀腔及至少两个设置于该溅镀腔内的耙材、一个气 体流量控制装置。该气体流量控制装置包括一个气体源、至少两个第一通道及至少两个第 二通道。该气体源包括一个活性气体源及一个惰性气体源。该活性气体源通过该至少两个 第一通道分别对准该至少两个耙材。该惰性气体源通过该至少两个第二通道分别对准该至 少两个靶材。该第一通道包括至少一个第一阀门。该第二通道包括至少一个第二阀门。该 气体流量控制装置用于选择性打开一个靶材对应的一个第一阀门或第二阀门。如此，该溅镀装置通过该气体流量控制装置控制该至少一个第一阀门及该至少一 个第二阀门，对某个靶材通入活性气体进行溅镀，同时对另一个靶材通入惰性气体进行清 靶，实现一个溅镀装置同时进行溅镀及清靶，提高了生产效率。
图1为本发明提供的溅镀装置的结构示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种溅镀装置，其包括一个溅镀腔及至少两个设置于该溅镀腔内的耙材，其特征在 于该溅镀装置还包括一个气体流量控制装置，该气体流量控制装置包括一个气体源、至少 两个第一通道及至少两个第二通道，该气体源包括一个活性气体源及一个惰性气体源，该 活性气体源通过该至少两个第一通道分别对准该至少两个耙材，该惰性气体源通过该至少 两个第二通道分别对准该至少两个靶材，该第一通道包括至少一个第一阀门，该第二通道 包括至少一个第二阀门，该气体流量控制装置用于选择性打开一个靶材对应的一个第一阀 门或第二阀门。
2.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于每个第一通道均包括一个第一分支、一 个第二分支及一个第三分支，该三个分支分别对准该靶材的不同位置，每个分支均包括一 个第一阀门及一个第一气体流量计，该至少两个第一通道分别与该至少两个靶材对准。
3.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于每个第二通道包括一个第二阀门及一 个第二气体流量计，该至少两个第二通道分别与该至少两个靶材对准。
4.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于每个第一通道与对应一个第二通道分 别与对应的靶材对准。
5.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于该溅镀装置还包括至少一个隔板，该至 少一个隔板设置在至少两个靶材之间。
6.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于该气体流量控制装置还包括一个设置 于该第一通道上的第一腔体，该第一腔体包括一个第一输入端及一个第一输出端，该活性 气体源与该第一输入端连接，该第一输出端通过该至少两个第一通道分别对准该至少两个 耙材。
7.如权利要求6所述的溅镀装置，其特征在于该活性气体源包括多个第三阀门及多 个第三气体流量计，该活性气体源用于输出多种活性气体，每种活性气体均通过对应的一 个第三阀门及一个第三气体流量计连接至该第一输入端，使该多种活性气体在该第一腔体 内混合后输出。
8.如权利要求1所述的溅镀装置，其特征在于该气体流量控制装置还包括一个第二 腔体，该第二腔体包括一个第二输入端及一个第二输出端，该惰性气体源与该第二输入端 连接，该第二输出端通过该至少两个第二通道分别对准该至少两个靶材。
9.如权利要求8所述的溅镀装置，其特征在于该惰性气体源包括一个第四阀门及一 个第四气体流量计、一个第四分支及一个第五分支，该惰性气体源用于输出惰性气体，该惰 性气体经过该第四阀门及该第四气体流量计后流入该第四分支或第五分支，该第四分支包 括一个第五阀门，该第五分支包括一个第六阀门，该第四分支通过该第五阀门连接至该第 二输入端，该第五分支通过该第六阀门连接至该第一输入端。=
全文摘要
本发明涉及一种溅镀装置，其包括一个溅镀腔及至少两个设置于该溅镀腔内的靶材、一个气体流量控制装置。该气体流量控制装置包括一个气体源、至少两个第一通道及至少两个第二通道。该气体源包括一个活性气体源及一个惰性气体源。该活性气体源通过该至少两个第一通道分别对准该至少两个靶材。该惰性气体源通过该至少两个第二通道分别对准该至少两个靶材。该第一通道包括至少一个第一阀门。该第二通道包括至少一个第二阀门。该气体流量控制装置用于选择性打开一个靶材对应的一个第一阀门或第二阀门。实现同时进行溅镀及清靶，提高了生产效率。
文档编号C23C14/34GK102127739SQ20101030022
公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月13日 优先权日2010年1月13日
发明者洪新钦 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司