专利名称：用于连续沉积薄膜层到基底上的模块系统和方法
技术领域：
本文所公开的主题主要涉及将诸如半导体材料层的薄膜层沉积到基底上的薄膜 沉积工艺领域。更具体而言，所公开的主题涉及一种用于在形成光伏(PV)模块时沉积光反 应材料的薄膜层到玻璃基底上的系统和方法。
背景技术：
基于与硫化镉(CdS)配对的碲化镉(CdTe)的薄膜光伏(PV)模块(也称为"太阳 能板"或"太阳能模块")作为光反应构件在行业中获得广泛的认可和关注。CdTe是具有 尤其适用于将太阳能(太阳光线)转换成电的特性的半导体材料。例如，CdTe具有1.45eV 的能量带隙(bandgap)，这使其比历史上用于太阳能电池应用的较低带隙(1. IeV)的半导 体材料能够从太阳光谱中转换更多的能量。另外，在较少光照或漫射光的条件下，CdTe比 较低带隙的材料更为高效地转换能量，且因此相比于其它常规材料，在一天期间或较少光 照(例如，多云)条件下具有更长的有效转换时间。根据产生每瓦功率的成本，使用CdTe PV模块的太阳能系统通常认作是成本效益 最为合算的市售系统。然而，CdTe不能耐受持续性商业使用和接受太阳能作为工业电力或 住宅电力的辅助电源或主要电源，其优点取决于以大规模和成本效益合算的方式制造有效 的PV模块的能力。某些因素在模块的成本和发电性能方面影响CdTe PV模块的效率。例如，CdTe相 对昂贵，且因此材料的有效利用(即，最少的浪费)成为主要的成本因素。此外，模块的能 量转换效率是沉积的CdTe膜层的某些特性的因素。膜层的不均勻或缺陷可显著地减少模 块的输出，从而增加每单位电力的成本。另外，以经济地切合实际的商业规模处理相对较大 基底的能力也是关键的考虑因素。CSS (近间隔升华)是一种公知的用于生产CdTe模块的商用汽相沉积工艺。例如， 请参看美国专利No. 6，444，043和美国专利No. 6，423，565。在CSS工艺中的沉积腔室内，将 基底引至以相对较小的距离(即大约2mm至3mm)与CdTe源相对的相对位置处。CdTe材料 升华并沉积到基底的表面上。在上文引用的美国专利No. 6，444，043的CSS系统中，CdTe材 料为粒状的形式，且保持在汽相沉积腔室内的加热容器中。升华的材料移动穿过置于容器 上的盖中的孔，且沉积到静止的玻璃表面上，该静止的玻璃表面以最小的可能距离(Imm至 2mm)保持在盖构架的上方。盖经加热直至高于容器的温度。尽管CSS工艺具有优点，但该系统实质上为分批处理，其中，将玻璃基底引入汽相 沉积腔室中，在腔室内保持有限的时长，在此时长内形成膜层，以及随后引出腔室。该系统 更适用于表面面积相对较小的基底的分批处理。该过程必须周期性地中断，以便再填充 CdTe源，这对大规模的生产过程不利。此外，沉积过程不能以受控的方式容易地停止和重 启，从而导致在将基底引入和引出腔室期间以及在将基底定位在腔室内所需的任何步骤期 间明显未对CdTe材料加以利用(也即浪费)。因此，行业中持续需要一种用于经济可行地大规模生产高效的PV模块、尤其是基于CdTe的模块的改进系统及方法。
发明内容
本发明的方面和优点将在以下说明中部分地阐述，或可根据该说明而清楚，或可 通过实施本发明而懂得。根据本发明的实施例，提供了一种用于将薄膜层如CdTe层汽相沉积到光伏(PV) 模块基底上的方法。在本领域中，“薄"膜层通常认作是小于10微米(ym)，但本发明不 限于任何特定的膜厚。该方法包括构建真空腔室，以及将基底单独地引入真空腔室中。基底 在其传送穿过真空腔室时经受预热。加热的基底然后以串接(即，端对端)的构造传送而 进入且穿过真空腔室中的汽相沉积设备，在汽相沉积设备中，升华的源材料的薄膜沉积到 基底的顶面上。基底以受控的恒定线性传送速率传送穿过汽相沉积设备，使得在传送方向 上的基底的前部区段和后部区段在汽相沉积设备内经受相同的汽相沉积条件。以此方式， 在连续移动的基底的表面上获得了期望的大致均勻的膜层厚度。期望的是，采用不需要中断连续的汽相沉积过程或基底穿过汽相沉积腔室的传送 的方式向汽相沉积设备供送源材料，例如，粒状的CdTe材料。对于上述方法的变型和改进在本发明的范围和精神内，且可在本文中进一步描 述。根据本发明的另一实施例，提供了一种用于将薄膜层如CdTe膜层汽相沉积到光 伏(PV)模块基底上的系统。该系统包括真空腔室，在特定的实施例中，真空腔室可由多个 互连的模块限定。真空腔室包括预热区段、汽相沉积设备以及冷却区段。传送器系统可操 作地设置在真空腔室内，且构造成用以将基底以串接布置从预热区段传送，穿过汽相沉积 设备，以及穿过冷却区段。在上述的独特的模块实施例中，传送器系统可包括与各相应模块 相关联的单独地控制的传送器，其中，该多个传送器受到控制以实现基底穿过真空腔室各 区段的期望的传送速率。汽相沉积设备构造成用于连续汽相沉积，其中，升华的源材料的薄 膜在基底连续地传送穿过汽相沉积设备时沉积到基底的顶面上。基底以受控的恒定线性传 送速率传送穿过汽相沉积设备，以便在基底的表面上实现期望的均勻薄膜层厚度。馈送系统可操作地构造成结合汽相沉积设备用以向该设备供送源材料，如粒状的 CdTe材料，而无需中断连续汽相沉积过程或基底穿过设备的不间断传送。对于上述系统组件的实施例的变型和改进在本发明的范围和精神内，且可在本文 中进一步描述。参照以下说明和所附权利要求，本发明的这些及其它特征、方面和优点将会得到 更好的理解。
在参照附图的说明书中阐述了本发明包括其最佳模式的完整和能够实现的公开 内容，在附图中图1为根据本发明的方面的系统的实施例的平面视图；以及，图2为图1中系统的实施例的透视图。
具体实施例方式现将详细地参照本发明的实施例，其中的一个或多个实例在附图中示出。各实例 均是以阐述本发明的方式提供的，而并不限制本发明。实际上，本领域的技术人员很清楚， 在不脱离本发明的范围或精神的情况下，可在本发明中作出各种修改和变型。例如，示为或 描述为一个实施例的一部分的特征可结合另一实施例来使用，以产生又一个实施例。因此， 期望的是，本发明包含归入所附权利要求及其等同方案范围内的这些修改和变型。图1和图2示出了系统10的实施例，该系统10构造成用于将薄膜层汽相沉积到 光伏(PV)模块基底14(下文称为"基底")上。例如，该薄膜可为碲化镉(CdTe)膜层。 尽管本发明不限于所提到的任何特定的膜厚，但在本领域中一般认为PV模块基底上的" 薄"膜层通常小于大约10微米(μπι)。应当认识到的是，本系统不限于特定类型的膜层的 汽相沉积，以及CdTe仅是一种可通过系统10进行沉积的膜层。参看图1，系统10包括真空腔室16，该真空腔室16可由任何构件构造限定。在所 示的特定实施例中，真空腔室16由多个互连的模块限定，如在下文中更为详细地论述。通 常，真空腔室16可认作是系统10的区段或部分，在其中，为了汽相沉积过程的各个方面而 抽取和保持真空。系统10包括处于真空腔室16内的预热区段18。预热区段18可为在传送基底14 穿过真空腔室16时对该基底预热的一个或多个构件。在所示的实施例中，预热区段18由 基底14传送穿过其的多个互连模块20限定。真空腔室16还包括在基底14传送方向上处于预热区段18下游的汽相沉积设备 Μ。该设备M可构造为汽相沉积模块22，且为诸如粒状的CdTe材料的源材料在其中升华 并沉积到基底14上作为薄膜层的构件构造。应当容易认识到的是，各种汽相沉积系统和工 艺是本领域中所公知的，如上述CSS系统，以及汽相沉积设备M不限于任何特定类型的汽 相沉积系统或工艺。真空腔室16还包括汽相沉积设备M下游的冷却区段26。在所示的实施例中，冷 却区段沈由多个互连的冷却模块观限定，基底14在从系统10移除之前传送穿过该多个 互连的冷却模块观，如在下文中更为详细地描述。系统10还包括可操作地设置在真空腔室16内的传送器系统。在所示的实施例中， 该传送器系统16包括多个单独的传送器66，而系统10中的各模块均包括相应的一个传送 器66。应当认识到的是，传送器66的类型或构造并非是本发明的限制因素。在所示的实施 例中，传送器66为由马达驱动器67(图2、驱动的辊式传送器，其中，马达驱动器67(图2) 经受控制以便实现基底14穿过相应的模块以及整个系统10的期望传送速率。系统10还包括馈送系统48 (图2)，该馈送系统48构造成结合汽相沉积设备M用 以向该设备M供送诸如粒状CdTe材料的源材料。馈送系统48可采用本发明的范围和精 神内的各种构造，以及进行工作用以供送源材料而不会中断汽相沉积设备M内的连续汽 相沉积过程或基底14穿过汽相沉积设备M的传送。参看图1和图2，大体上而言，单独的基底14最初放置在负载传送器46上，该负载 传送器46例如可包括在其它系统模块中使用的相同类型的从动辊式传送器66。基底14首 先传送穿过真空腔室16上游的进入真空闸站(lock station) 34。在所示的实施例中，真空 闸站34包括在基底14传送方向上处于缓冲模块38上游的负载模块36。"粗"(S卩，初始的)真空泵56构造为结合负载模块36用以抽取初始真空水平，而"细"(也即高)真空 泵58构造为结合缓冲模块38用以将缓冲模块38中的真空基本上提高至真空腔室16内的 真空水平。阀62 (例如，闸门型槽缝阀或旋转型挡板阀)可操作地设置在负载传送器46与 负载模块36之间、负载模块36与缓冲模块38之间，以及缓冲模块38与真空腔室16之间。 这些阀62依序由马达或其它类型的促动机构64促动，以便将基底14以逐步(或分步)的 方式引入真空腔室16中，而不会不利地影响腔室16内的真空。在正常操作条件下，通过真空泵58、56和60的任何组合而在真空腔室16中保持 操作真空。为了将基底14引入真空腔室16中，负载模块36与缓冲模块38之间的阀62最 初是闭合的，且负载模块是通风的。缓冲模块38与第一预热模块20之间的阀62是闭合的。 负载模块36与负载传送器46之间的阀62开启，且相应模块中的单独传送器66受到控制 以便使基底14行进到负载模块36中。此时，第一阀62关闭且基底14在负载模块36中隔 离。粗真空泵56然后在负载模块36中抽取初始真空。在此时期间，细真空泵58在缓冲模 块38中抽取真空。当负载模块36与缓冲模块38之间的真空大致平衡时，模块之间的阀62 开启，且基底14移入缓冲模块38中。模块之间的阀62闭合，且细真空泵58提高缓冲模块 38中的真空(度)直到该缓冲模块38与相邻的预热模块20大致平衡。缓冲模块38与预 热模块20之间的阀62然后开启，且基底移入预热模块20中。对于各随后传送到真空腔室 16中的基底14将重复该过程。在所示的实施例中，预热区段18由多个互连的模块20限定，该多个互连的模块20 限定用于基底14穿过真空腔室16的加热传送通路。各模块20均可包括多个独立受控的 加热器21，且加热器21限定多个不同的加热区。特定的加热区可包括一个以上的加热器 21。各预热模块20还包括独立受控的传送器66。对于各模块20而言，加热器21和传 送器66受到控制以便实现基底14穿过预热区段18的传送速率确保在基底14传送到下游 的汽相沉积模块22中之前基底14具有期望的温度。在所示的实施例中，汽相沉积设备M包括基底14在其中经受汽相沉积环境的模 块22，在该汽相沉积环境中，诸如CdTe的升华的源材料的薄膜沉积到基底14的上表面上。 单独的基底14以受控的恒定线速度传送穿过汽相沉积模块22。换言之，基底14未停止或 保持于模块22内，而是以受控的线速率连续地移动穿过模块22。基底14的传送速率例如 可在大约10毫米/秒(mm/sec)至大约40mm/sec的范围内。在特定的实施例中，该速率例 如可为大约20mm/sec。以此方式，基底14的沿传送方向的前部区段和后部区段在汽相沉积 模块22内经受相同的汽相沉积条件。基底14顶面的所有区域都经受相同的汽相条件，以 便在基底14的上表面上获得大致均勻的升华源材料的薄膜层厚度。汽相沉积模块22包括相应的传送器65，该传送器65可不同于多个上游模块和下 游模块中的传送器66。传送器65可具体构造成用以支持模块22内的汽相沉积过程。在所 示的实施例中，循环式板条传送器65出于此目的而构造在模块22内。然而，应当容易认识 到的是，还可使用任何其它类型的适合的传送器。汽相沉积设备M构造成结合馈送系统48 (图幻用以按一定方式向设备M连续 地供送源材料以便不中断汽相沉积过程或基底14穿过模块22的不间断传送。馈送系统 48并非是本发明的限制因素，以及任何适合的馈送系统48都可设计成将源材料供送到设备对中。例如，馈送系统48可包括依序操作的真空闸，其中，外部材料源作为计量用量按 分步的方式引导穿过真空闸并进入汽相沉积设备M内的容器中。源材料的供送认作是" 连续的"，因为汽相沉积过程不必为了向设备M再次供送源材料而停止或中止。只要保持 外部供送，则馈送系统48便将分批或计量用量的材料连续地供送到汽相沉积设备M中。在所示的实施例中，后加热区段30限定在真空腔室16内紧接汽相沉积模块22的 下游。该后加热区段30可由至少一个后加热模块32限定，该后加热模块32具有构造成与 其结合的加热器单元21。当基底14的前部区段传送出汽相沉积模块22时，其移动到后加 热模块32中。后加热模块32将基底14的温度保持在基本上与汽相沉积模块22相同的温 度。这样，在后部区段仍处在汽相沉积模块22内时不容许基底14的前部区段冷却。如果 在基底14的前部区段离开模块22时容许其冷却，则将会沿基底14纵向地产生不均勻的温 度轮廓。这种情况可因热应力导致基底的破损、开裂或翘曲。冷却区段沈在真空腔室16内处于后加热区段30的下游。冷却区段沈可包括具 有独立受控的传送器66的一个或多个冷却模块观。冷却模块观在真空腔室16内限定沿 纵向延伸的区段，在其中，在基底14从系统10移除之前，容许以受控的冷却速率来冷却升 华的源材料薄膜沉积于其上的基底。各模块观均可包括强制冷却系统，在其中，诸如冷冻 水、制冷剂或其它介质的冷却介质经泵送而穿过构造成结合模块观的冷却盘管(coil) 29， 如具体在图2中所示。引出真空闸站40构造在冷却区段沈的下游。该引出站40基本上与上述进入真 空闸站34相反地操作。例如，引出真空闸站40可包括引出缓冲模块42和下游引出闸模块 44。依序操作的阀62设置在缓冲模块42与冷却区段沈中的最后一个模块观之间、引出 缓冲模块42与引出闸模块44之间，以及引出闸模块44与引出传送器50之间。细真空泵 58构造成结合引出缓冲模块42，而粗真空泵56构造成结合引出闸模块44。泵58、56和阀 62依序操作(基本上与进入闸站34相反)，以便按分步的方式将基底14移出真空腔室16， 而不会损失真空腔室16内的真空状态。如上文所述，在所示的实施例中，系统10由多个互连的模块限定，而各模块均起 到特定的功能。例如，模块36和38用来将单独的基底14引入真空腔室16中。构造为结合 这些相应模块的传送器66以及阀62和相关促动器64出于此目的而受到适当地控制。与 预热区段18中的多个模块20相关的传送器66和加热器单元21受到控制以将基底14预 热至期望的温度，且确保基底14以期望的受控恒定线性传送速率引入汽相沉积模块22中。 出于控制的目的，各单独模块均可具有构造成与其结合的相关的独立控制器52，以便控制 相应模块的单独功能。如图1中所示，多个控制器52依序可与中央系统控制器M进行通 信。中央系统控制器M可监测和控制(经由独立的控制器5 任何一个模块的功能，以便 实现总体期望的传送速率和基底14穿过系统10的过程。参看图1，对于单独的相应传送器66的独立控制而言，各模块均可包括任何方式 的主动或被动式传感器68，该传感器68在基底传送穿过模块时检测基底14的存在。传感 器68与模块控制器52进行通信，而模块控制器52又与中央控制器M进行通信。以此方 式，单独的相应传送器66可受到控制用以确保在基底14之间保持适当的间距，以及确保基 底14以期望的恒定传送速率传送穿过真空腔室16。本发明还包含用于将薄膜层汽相沉积到光伏(PV)模块基底上的各种方法实施例。该方法可利用上述各种系统实施例，或通过适合的系统构件的任何其它构造来实施。因 此，应当认识到的是，根据本发明的方法实施例不限于本文所述的系统构造。在特定的实施例，该方法包括构建汽相腔室和将PV基底单独地引入腔室中。基底 在其以串接布置传送穿过真空腔室时预热至期望的温度。预热的基底然后传送穿过真空腔 室内的汽相沉积设备，在该真空腔室中，诸如CdTe的升华源材料的薄膜沉积到基底的上表 面上。基底以受控的恒定线速度传送穿过汽相沉积设备，使得基底的沿传送方向的前部区 段和后部区段在汽相沉积设备内经受相同的汽相沉积条件，以便在基底上表面上实现均勻 的薄膜层厚度。在独特的实施例中，按一定方式向汽相沉积设备供送源材料以便不中断汽相沉积 过程或基底穿过汽相沉积设备的传送。该方法还可包括在随后从真空腔室移除各冷却的基底之前在真空腔室内于汽相 沉积设备下游冷却该基底。可能期望的是，在冷却基底之前，当将基底引出汽相沉积设备时对基底进行后加 热，使得基底在传送方向上的前部区段不经受冷却直到整个基底已引出汽相沉积设备。以 此方式，在基底的后部区段在汽相沉积设备内经受沉积处理的同时，该基底沿其纵向长度 保持相对恒定的温度。如上文所述，基底以恒定的线速度传送穿过汽相沉积设备。在独特的实施例中，基 底可在可变的速度下传送穿过真空腔室的其它区段。例如，当基底在汽相沉积设备之前预 热时，或当基底在汽相沉积设备之后冷却时，基底可在较慢或较快的速度下或分步地传送。该方法还可包括通过进入真空间过程和引出真空间过程而将基底单独地引入和 引出真空腔室，其中，真空腔室内的真空状态不会中断或不会有任何显著程度的改变。为了保持连续的汽相沉积过程，该方法还可包括从外部可再填充的馈送系统将源 材料供送给汽相沉积设备。该馈送过程可包括从馈送系统将计量用量的源材料连续地引入 汽相沉积设备中，而不会中断汽相沉积过程。例如，计量用量的源材料可经由相继的真空闸 引入并沉积到汽相沉积设备内的容器中。以此方式，汽相沉积过程不需要中断来再填充源 材料到汽相沉积设备内。本书面说明使用了包括最佳模式的实例来公开本发明，且还使本领域的技术人员 能够实施本发明，包括制作和使用任何装置或系统，以及执行任何相结合的方法。本发明可 取得专利的范围由权利要求限定，并且可包括本领域技术人员所构思出的其它实例。如果 这些其它的实例具有与权利要求的书面语言并无不同的结构元件，或者如果这些其它实例 包括与权利要求的书面语言无实质差异的同等结构元件，则认为这些实例处在权利要求的 范围之内。
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权利要求
1.一种用于将薄膜层汽相沉积到光伏(PV)模块基底(14)上的方法，包括构建真空腔室(16)和将基底单独地引入所述真空腔室中；当所述基底传送穿过所述真空腔室时预热所述基底；以串接布置传送预热的所述基底穿过所述真空腔室中的汽相沉积设备(22)，其中，在 所述汽相沉积设备中沉积升华的源材料的薄膜到所述基底的上表面上；以及，所述基底以受控的恒定线速度传送穿过所述汽相沉积设备，使得所述基底的在传送方 向上的前部区段和后部区段在所述汽相沉积设备内经受相同的汽相沉积条件，以便在所述 基底的上表面上实现大致均勻的薄膜层厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述真空腔室(16)内 于所述汽相沉积设备0 的下游冷却所述基底(14)，以及随后从所述真空腔室单独地移 除各冷却的所述基底。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述基底引出所述汽 相沉积设备0 时且在冷却所述基底之前，后加热所述基底(14)，以便所述基底不会冷却 直到整个所述基底已引出所述汽相沉积设备。
4.根据权利要求1至权利要求3中任何一项所述的方法，其特征在于，所述基底(14) 经由进入真空闸(34)过程单独地引入所述真空腔室(16)中，以及经由引出真空闸GO)过 程将其从所述真空腔室单独地移除，以便在所述基底的进入和引出期间保持所述真空腔室 内的真空，以及其中，所述真空腔室由多个互连模块单元00，22，32二8)限定，各所述模块 单元均具有独立的传送器(66)，所述方法还包括控制所述单独的传送器用以实现所述基底 以期望的加热速率、汽相沉积速率以及冷却速率穿过所述真空腔室的总体连续流动。
5.根据权利要求1至权利要求3中任何一项所述的方法，其特征在于，以不中断所述汽 相沉积过程或所述基底穿过所述汽相沉积设备的不间断传送的方式，从外部可再填充的馈 送系统G8)向所述汽相沉积设备0 供送源材料。
6.一种用于汽相沉积薄膜层到光伏(PV)模块基底(14)上的系统(10)，包括真空腔室(16)，所述真空腔室还包括预热区段(18)、汽相沉积设备0 以及冷却区段 (26)；传送器系统(66)，其可操作地设置在所述真空腔室内，且构造成用于以串接布置在受 控的恒定线速度下从所述预热区段传送所述基底且穿过所述汽相沉积设备；以及，所述汽相沉积设备构造成用于在所述基底由所述传送器系统连续传送穿过所述汽相 沉积设备时将升华的源材料的薄膜沉积到所述基底的上表面上。
7.根据权利要求6所述的系统(10)，其特征在于，所述系统(10)还包括设置在所述 真空腔室(16)内的位于所述汽相沉积设备0 与所述冷却区段06)之间的后加热区段 (30)，所述后加热区段具有一定长度以便将传送自所述汽相沉积设备的基底(14)保持在 期望的加热温度直到整个所述基底已引出所述汽相沉积设备。
8.根据权利要求6或权利要求7所述的系统(10)，其特征在于，所述真空腔室(16)包 括多个互连模块单元00，22，28，32)，各所述模块单元均具有独立的传送器(66)，所述传 送器单独地受到控制以便所述基底(14)以期望的加热速率、汽相沉积速率和冷却速率传 送穿过所述真空腔室。
9.根据权利要求8所述的系统(10)，其特征在于，各所述模块单元(20，22，观，32)均包括相应的控制器(52)，以便各相应所述模块单元的功能和传送速度可独立地受到控制， 所述控制器连接到中央控制系统(54)上。
10.根据权利要求6或权利要求7所述的系统(10)，其特征在于，所述系统(10)还包 括馈送系统(48)，所述馈送系统08)构造成结合所述汽相沉积设备02)用以供送源材料， 而不会中断连续的汽相沉积过程或所述基底(14)穿过所述汽相沉积设备0 的传送，所 述馈送系统构造成用以将计量用量的源材料连续地引入所述汽相沉积设备中，所述馈送系 统可连接到所述源材料的外部供送源上。
全文摘要
本发明涉及用于连续沉积薄膜层到基底上的模块系统和方法。具体而言，用于将薄膜层汽相沉积到光伏(PV)模块基底(14)上的方法和相关系统(10)包括构建真空腔室(16)和将基底单独引入真空腔室中。基底在它们传送穿过真空腔室时预热，且然后以串接布置传送穿过真空腔室中的汽相沉积设备(22)，在其中将升华的源材料的薄膜沉积到基底的上表面上。基底以受控的恒定线速度传送穿过汽相沉积设备，以便基底在传送方向上的前部区段和后部区段在汽相沉积设备内经受相同的汽相沉积条件。汽相沉积设备可按一定方式供送有源材料，以便不中断汽相沉积过程或基底穿过汽相沉积设备的不间断传送。
文档编号C23C14/56GK102127745SQ201010604198
公开日2011年7月20日 申请日期2010年12月15日 优先权日2009年12月15日
发明者B·R·墨菲, C·拉思维格, E·J·利特尔, M·J·帕沃尔, M·W·里德, R·W·布莱克 申请人:初星太阳能公司