专利名称：化学机械研磨设备及其研磨单元的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域，特别涉及化学机械研磨设备及其研磨单元。
背景技术：
化学机械研磨(CMP，ChemicalMechanical Polishing)工艺由 IBM 于 1984 年引入集成电路制造工业，并首先用于后道工艺的金属间绝缘介质(IMD，Inter Metal Dielectric)的平坦化，然后通过设备和工艺的改进用于钨的平坦化，随后用于浅沟槽隔离 (STI)和铜的平坦化处理。化学机械研磨为近年来IC制程中很活跃的一项技术。化学机械研磨的机理是被研磨晶片的表面材料与研浆发生化学反应生成一层相对容易去除的表面层，所述表面层通过研浆中的研磨剂以及施加在被研磨晶片上的研磨压力，在与研磨垫的相对运动中被机械地磨去。特别地，在对金属材料进行CMP时，研浆与金属表面接触并产生金属氧化物，并通过研磨去除所述金属氧化物以达到研磨的效果。在公开号为CN1471141A的中国专利申请中公开了一种化学机械研磨设备。如图1 所示，现有的化学机械研磨设备的研磨单元是一个自动旋转的研磨盘102以及一个晶圆握把104，通常研磨盘102会被设计成一种圆形板以方便跟安装在研磨盘102上的研磨垫106 一起旋转，提供的晶圆110会被晶圆握把104抓住，而晶圆握把104的位置是可以调节的， 晶圆握把104可以施力在晶圆110上，在研磨期间，晶圆握把104会确定晶圆110有接触到研磨垫106。在研磨盘102上方放置有一个研浆供应路线108，可以提供研磨用的研浆112， 所述研浆112包含反应物和研磨剂，反应物用于与被研磨晶圆110的表面材料发生反应生成相对容易磨去的材料，研磨剂用于研磨垫106与晶圆110之间的机械研磨，在CMP设备中通常会有一个调节器114来调节研磨垫。但是为了缩减生产单一芯片的成本，晶圆的尺寸越来越大，从8英寸发展到12英寸，甚至18英寸、对英寸以至更大。晶圆尺寸的变大给CMP工艺中对晶圆研磨的均一性带来了很大的困难，尤其是对晶圆边缘部分的研磨。以18寸晶圆为例，在研磨过程中很容易损坏晶圆。此外，CMP设备的研磨单元的尺寸也随晶圆尺寸的增加而增加，不利于器件的小型化，并且随着晶圆尺寸的变大，单位时间内研磨的晶圆的数目不够多。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种用于化学机械研磨设备的研磨单元，可以减小研磨盘的尺寸，有利于实现器件的小型化，其特征在于，包括研磨盘，所述研磨盘用于承载所提供的晶圆；研磨垫，所述研磨垫与研磨盘相对设置，并且与每个研磨盘相对设置的研磨垫的数目大于1，研磨期间，研磨垫相对所提供的晶圆运动；研磨垫手臂，所述研磨垫手臂与研磨盘相对设置，所述研磨垫手臂一端固定，另一端固定所述研磨垫，研磨期间，所述研磨垫手臂带动所述研磨垫相对于所提供的晶圆运动， 并确定研磨期间研磨垫与所提供的晶圆接触；
研浆供应路线，所述研浆供应路线在研磨期间在研磨垫与被研磨晶圆之间供应研浆。优选地，与同一研磨盘相对设置的研磨垫手臂大于1，每个研磨垫手臂固定一个研磨垫。优选地，与同一研磨盘相对设置的研磨垫手臂等于1，每个研磨垫手臂固定的研磨垫的数目大于1。优选地，研磨垫手臂还包括研磨垫手指，每个研磨垫手臂所包括的研磨垫手指的数目大于1，每个研磨垫手指固定一个研磨垫。优选地，所述研磨垫手臂通过夹在非固定端的研磨头固定所述研磨垫。优选地，同一时间，与同一晶圆相对运动的各研磨垫的运动轨迹无重叠。应路线在研磨期间在研磨垫与被研磨晶圆之优选地，研磨垫手臂向所述晶圆施加一压力，并通过调节研磨垫手臂的高度调节所述压力的大小。优选地，所述研磨垫手臂围绕该固定点旋转的角度小于360度。优选地，研磨垫手臂进一步控制施加于晶圆上的一压力。优选地，所述研磨盘的形状是圆形，且直径大于所提供的晶圆的直径。优选地，所述研磨垫的形状是圆形。优选地，所述研磨垫的直径小于或等于所提供的晶圆的直径。优选地，所述研磨盘的数量大于或者等于1。优选地，所述研磨单元还包括研磨垫修整部件，所述研磨垫修整部件包括刷洗研磨垫的刷子以及喷洒溶液和/或去离子水的喷洒。优选地，所述研磨单元还包括研磨垫更换部件，所述研磨垫更换部件包括拆除研磨垫子部件，和安装研磨垫子部件。相应地，本发明还提供一种化学机械研磨设备，所述化学机械研磨设备含有上述各项用于化学机械研磨设备的研磨单元中的任意一项。与现有技术相比，本发明具有以下优点第一，本发明中，研磨垫手臂的非固定端固定有至少两个研磨垫，研磨期间，各研磨垫同时在被研磨晶圆表面相对于被研磨晶圆运动，多个研磨垫同时对晶圆进行研磨，从而提高研磨效率，增加单位时间内可以研磨晶圆的数目；第二，本发明用研磨盘承载待研磨的晶圆，且研磨垫的尺寸小于待研磨的晶圆，在晶圆尺寸增加的情况下，只需要增加研磨盘的尺寸，从而有利于实现器件的小型化；第三，本发明中所述研磨垫手臂带动所述研磨垫相对于所提供的晶圆运动，因为研磨垫的尺寸小于待研磨晶圆的尺寸，研磨垫可以达到待研磨晶圆的各个部位，从而容易控制研磨的均一性，尤其是有利于对晶圆边缘部分的研磨，不易损坏被研磨的晶圆；第四，研磨期间可以通过所提供的研磨垫修整部件和研磨垫更换部件实现对研磨垫的自动清洗和对研磨垫的自动更换，从而提高研磨效率，节约成本。
图1是现有的化学机械研磨设备的研磨单元的结构示意图。图2是本发明的一个实施例所提供的化学机械研磨设备的研磨单元的结构示意
图3是本发明的一个实施例所提供的化学机械研磨设备的研磨垫运动轨迹示意图。图4是本发明的另一个实施例所提供的化学机械研磨设备的研磨垫运动轨迹示意图。图5是本发明所提供的化学机械研磨设备的结构示意图。 图6是本发明的另一个实施例所提供的化学机械研磨设备的研磨单元的结构示意图。图6是本发明的另一个实施例所提供的化学机械研磨设备的研磨垫运动轨迹示意图。
具体实施例方式由背景技术可知，现有的用于化学机械研磨设备的研磨单元包含自动旋转的研磨盘；安装在研磨盘上的研磨垫，待研磨的晶圆的尺寸小于研磨垫的尺；晶圆握把，所提供的待研磨的晶圆会被晶圆握把抓住，并且晶圆待研磨的表面朝下，与研磨垫相对，而晶圆握把的位置是可以调节的，晶圆握把可以施力在晶圆上，在研磨期间，晶圆握把会确定晶圆有接触到研磨垫，并带动晶圆在研磨垫表面相对于研磨垫运动；在研磨盘上方设置有一个研菜供应路线，可以提供研磨用的研浆。在晶圆相对研磨垫的转动过程中，研磨晶圆的动作会透过研磨垫以及由胶状硅土组成的研浆来进行。但是随着晶圆尺寸的增加，研磨垫的尺寸以及晶圆握把的尺寸也需要不断增加，从而不利于器件的小型化，并且研磨的效率不够高。本发明的发明人对上述问题进行研究，在本发明中创造性地提出一种用于化学机械研磨设备的研磨单元，所述研磨单元以研磨盘承载待研磨的晶片，所述晶片待研磨的表面朝上(即待研磨的表面背离研磨盘)，以研磨垫手臂固定研磨垫，并带动研磨垫相对于晶片转动，并保证研磨垫在转动的过程中与晶片待研磨的表面接触，并且同一个研磨垫手臂上固定的研磨垫的数量大于1，多个研磨垫同时对晶圆进行研磨，从而提高研磨效率。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式
的限制。图2是本发明的一个实施例所提供的用于化学机械研磨设备的研磨单元的结构示意图，包括研磨盘302，所述研磨盘用于承载所提供的晶圆301 ；研磨垫304，所述研磨垫304与研磨盘302相对设置，并且与每个研磨盘302相对设置的研磨垫304的数目大于1，研磨期间，研磨垫304相对所提供的晶圆301运动；研磨垫手臂305，所述研磨垫手臂305与研磨盘302相对设置，所述研磨垫手臂 305 一端固定，所述研磨垫手臂305另一端还包括研磨垫手指307，每个研磨垫手臂307所包括的研磨垫手指304的数目大于1，每个研磨垫手指307固定一个研磨垫304，研磨期间， 所述研磨垫手臂305带动所述研磨垫304相对于所提供的晶圆301运动，并确定研磨期间研磨垫304与所提供的晶圆301接触；研浆供应路线，所述研浆供应路线在研磨期间在研磨垫304与被研磨晶圆301之间供应研浆。
在本实施例中，示例性地以用于化学机械研磨设备的研磨单元有三个研磨垫手臂 305，每个研磨垫手臂305与一个待研磨晶圆301相对应，其中一个研磨垫手臂305包括三个研磨垫手指307，每个研磨垫手指307夹有一个研磨头(未示出)，每个研磨头上固定一个研磨垫304，另一个研磨垫手臂305包括二个研磨垫手指307，每个研磨垫手指307夹有一个研磨头(未示出)，每个研磨头上固定一个研磨垫304为例，比如以真空吸附的方式将研磨垫304吸附在研磨头上。在本发明的其他实施例中，每个研磨垫手臂所包括的研磨垫手指307的数目还可以是不等于2或者3的其他数目，比如5或者6。研磨垫手臂305的数目也可以根据工艺需要进行设置，比如为了可以同时研磨4个晶片而设置4个研磨垫手臂 305，每个研磨垫手臂305与一个待研磨晶圆301相对应，当然也可以部分研磨垫手臂固定的研磨垫的数目大于1，部分研磨垫手臂固定的研磨垫的数目等于1。所述研磨垫手臂305可以相对于所提供的晶圆运动，比如沿各个方向的移动以及围绕所述固定点的旋转。在本实施例中，固定在所述研磨垫手臂305的研磨垫手指307在与所述研磨垫手臂305同步运动的同时，还可以独立运动，每个研磨垫手指307的运动轨迹由一个驱动马达所控制，各个研磨垫304的运动轨迹可以固定对应研磨垫304的研磨垫手指307的运动轨迹所确定。通过对控制各个研磨垫手指307的驱动马达编程，可以实现与同一个研磨盘相对设置的各研磨垫304在研磨的过程中不会同时到达待研磨晶圆301的同一位置。各个研磨垫304的运动区域可以是整个晶圆301，也可以是晶圆301上的特定区域。 所需要控制的是，同一时间，各个研磨垫304的运动轨迹不重复，以避免各个研磨垫304发生撞击。所述研浆供应路线309相对于所述研磨垫手臂305设置，比如设置在所述研磨垫手臂305之内或者设置在所述研磨垫手臂305之外，所述研浆供应路线309在研磨期间向研磨垫304与被研磨晶圆301之间供应研浆(未示出)。研磨垫304，在研磨垫手臂305和研磨头的带动下，相对于所提供的晶圆301运动， 通过调节研磨垫手臂305的高度，可以确定运动期间该研磨垫304与所提供的晶圆301接触。在本发明的一个实施例中，固定于同一研磨垫手臂305的各个研磨垫304相对晶圆运动的速率相同，各个研磨垫304与晶圆301之间的压力相同，从而可以实现晶圆301表面各处均勻研磨。在本发明的其他实施例中，固定于同一研磨垫手臂305的各个研磨垫304相对晶圆运动的速率可以不相同，通过调节各个研磨垫304与晶圆301之间的压力，可以实现晶圆 301表面各处均勻研磨。请继续参考图2，研磨垫304相对于研磨盘302的位置越低，即由研磨垫304引起的研磨盘302的弹性形变越大，研磨垫304施加于晶圆301上的压力也越大。在研磨期间， 研磨垫304与晶圆301的接触部分置于所述研浆供应路线309所提供的研浆中，所述研浆的成分与研磨对象相关。以研磨金属为例，所述研浆将晶圆301的表面氧化形成金属氧化物，由所述研磨垫手臂305控制研磨垫304对晶圆301施以向下的压力，并由所述研磨垫手臂305带动所述研磨垫304相对于晶圆301运动，各个研磨垫304由研磨垫手臂305的对应研磨垫手指307控制，所以各个研磨垫304施加给晶圆301的压力，以及各个研磨垫304的运动的轨迹均可控，具体的控制方式可以通过对研磨垫手臂305的驱动装置编程实现。可以通过协调控制各个研磨垫304施加给晶圆301的压力，以及各个研磨垫304的运动速率， 运动的轨迹，实现晶圆表面的快速、均勻研磨。晶圆表面的金属氧化物通过压力以及与研磨垫的相对运动被机械地磨去。此外，为了提高研磨的均一性，所述晶圆301还可以自转。所述研磨垫304固定于研磨垫手臂305的非固定端，并且可以与研磨垫手臂305 —起旋转，研磨垫手臂305确定研磨期间该研磨垫304与所提供的晶圆301接触。在本实施例中，三个研磨盘302之间通过转轴303结合，在工作状态下，三个研磨盘302可以同时工作，也可以不同时工作，比如，只有一个研磨盘处于工作状态，而另外两个研磨盘处于空闲状态，相应地，三个研磨盘302可以同步转动，也可以不同步转动，还可以部分转动，部分停止。三个研磨盘302分别由不同的驱动马达控制，每个马达可以单独编程，使用者可以根据工艺的需要进行编程。具体实施例中，为了节约空间，所述研磨盘302的形状可以被设计为圆形，且所述研磨盘302的直径大于待研磨的晶圆301的直径。所述研磨盘302的直径大于待研磨的晶圆301的直径的好处是，待研磨的晶圆301可以完全置于研磨盘302之上，并被吸附于所述研磨盘302之上，比如真空吸附，从而在研磨的过程中，研磨盘302可以向待研磨的晶圆 301提供均勻的支持力，避免在研磨垫304在晶圆301表面转动时，晶圆因为受力不均而被损坏。继续参考图2，在本发明的优选实施例中，所述用于化学机械研磨设备的研磨单元还包括，研磨垫修整部件306，所述研磨垫修整部件306用于清洗所述研磨垫304。在本实施例中，研磨垫手臂305还可以控制研磨垫304进入研磨垫修整部件306， 实现研磨垫304的自动清洗。在现有的化学机械研磨设备中，所述研磨垫304的清洗方法多采用人工清洗的方法，即根据经验，每隔一段时间，由设备工程师对研磨垫304进行清洗，但是在本实施例中， 研磨垫304的清洗由软件控制，在工作状态下，每隔一段时间(该时间段可以通过软件设定)，研磨垫手臂305旋转一足以将研磨垫304置于研磨垫修整部件306的角度，研磨垫修整部件306的作用在于把一些研磨过程所产生的副产物带走，研磨垫修整部件306包括刷洗研磨垫的刷子以及喷洒溶液和/或去离子水的喷洒。所述刷子表面有固定一些硬的颗粒，这些颗粒可以刷研磨垫304，以将研磨垫304表面的副产品部分刷离研磨垫304，所述喷洒会喷出溶液和/去离子水，对研磨垫进行冲洗。为了实现研磨的均勻性，在研磨期间，如果固定于同一研磨垫手臂305的一个研磨垫304被冲洗，其他研磨垫304也进行相同的冲洗处理。继续参考图2，在本发明的优选实施例中，所述用于化学机械研磨设备的研磨单元还包括，研磨垫更换部件400，所述研磨垫更换部件400用于更换研磨垫304。所述研磨垫更换部件400包含拆除研磨垫子部件，和安装研磨垫子部件。在工作状态下，每隔一段时间(该时间段可以通过软件设定)，研磨垫手臂305旋转一足以将研磨垫304置于研磨垫更换部件400的拆除研磨垫子部件的角度，研磨垫304 在拆除研磨垫子部件被拆除，比如通过溶液溶解粘合研磨垫304与研磨垫手臂305的胶水， 从而将研磨垫304拆除，然后研磨垫手臂305再旋转一角度进入安装研磨垫子部件，安装研磨垫304。
同样地，为了实现研磨的均勻性，在研磨期间，如果固定于同一研磨垫手臂305的一个研磨垫304被更换，其他研磨垫304也进行相同的更换处理。图3是本发明的一个实施例所提供的化学机械研磨设备的研磨垫304运动轨迹示意图。在本实施例中，同一研磨垫手臂305上固定了 3个研磨垫304，各个研磨垫304沿着图3所示的直线轨迹以相同的速度在晶圆301表面往返运动，所述晶圆301置于研磨盘302 表面，各个研磨垫304施加在晶圆301上的压力相同。研磨期间，晶圆301自转。图4是本发明的另一个实施例所提供的化学机械研磨设备的研磨垫304运动轨迹示意图。在本实施例中，同一研磨垫手臂305上固定了 2个研磨垫304，各个研磨垫304沿着图4所示的圆形轨迹以相同的速度在晶圆301表面做圆周运动，各个研磨垫304施加于晶圆301的压力相同，且研磨期间，晶圆301自转。在研磨期间，研浆供应路线309向晶圆301提供研浆，整个晶圆301表面均勻覆盖有一层研浆，因为多个研磨垫304同时对晶圆301研磨，并且各个研磨垫304施加于晶圆 301的压力相同，各个研磨垫304相对于晶圆301的运动速率相同，所以研磨均勻而快速。 提高了研磨的效率。本发明还提供一种化学机械研磨设备，所述化学机械研磨设备含有上述各项用于化学机械研磨设备的研磨单元中的任意一项。如图5所示，本发明所提供的化学机械研磨设备还包括用于供应晶圆的供应单元 20和用于清洁研磨后的晶圆的清洁单元50。供应单元20将待研磨的晶圆301送入研磨单元30，并将所述待研磨的晶圆置于研磨盘302。由研磨垫手臂305和研磨头带动研磨垫304相对于晶圆301进行运动，此外，晶圆301可以与研磨盘302不同步或同步转动，在研磨垫304相对晶圆301运动的同时，由研浆供应路线309在研磨垫304与晶圆301之间供应研浆，进行研磨。期间，研磨垫修整部件306用于清洗所述研磨垫304。研磨垫更换部件400用于更换研磨垫304。图6是本发明的另一个实施例所提供的用于化学机械研磨设备的研磨单元的结构示意图，包括研磨盘302，所述研磨盘302用于承载所提供的晶圆301 ；研磨垫304，所述研磨垫304与研磨盘302相对设置，并且与每个研磨盘302相对设置的研磨垫304的数目大于1，研磨期间，研磨垫304相对所提供的晶圆301运动；研磨垫手臂400，所述研磨垫手臂400与研磨盘302相对设置，与每一个研磨盘 302相对设置的研磨垫手臂400的数量大于1，所述研磨垫手臂400 —端固定，所述研磨垫手臂400另一端固定研磨垫304，研磨期间，所述研磨垫手臂400带动所述研磨垫304相对于所提供的晶圆301运动，并确定研磨期间研磨垫304与所提供的晶圆301接触；研浆供应路线，所述研浆供应路线在研磨期间在研磨垫与被研磨晶圆之间供应研浆。在本实施例中，与每一个研磨盘302相对设置的研磨垫手臂400的数量大于1，比如是2或者3，与同一研磨盘302相对设置的研磨垫手臂400的固定端可以固定于同一点， 也可以固定于不同点，每一个研磨垫手臂400的运动轨迹可以单独控制，从而便于实现对固定于所述研磨垫手臂400的研磨垫304的运动轨迹的控制。
在本实施例中，固定于与同一研磨盘302相对设置的各研磨垫手臂400的研磨垫 304在同一时间不会研磨至所提供晶圆301的同一点，也就是说研磨垫304在研磨期间不会发生撞击。本实施例中其他部件可以参照本发明的第一个实施例。与本发明的第一实施例相比较，本实施例中因为各研磨垫固定于不同的研磨垫手臂，所以可以更灵活地控制各研磨垫的运动轨迹，但是第一实施例更有利于实现器件的小型化。与现有技术相比，本发明具有以下优点第一，本发明中，研磨垫手臂的非固定端固定有至少两个研磨垫，研磨期间，各研磨垫同时在被研磨晶圆表面相对于被研磨晶圆运动，多个研磨垫同时对晶圆进行研磨，从而提高研磨效率，增加单位时间内研磨的晶圆的数目；第二，本发明用研磨盘承载待研磨的晶圆，且研磨垫的尺寸小于待研磨的晶圆，在晶圆尺寸增加的情况下，只需要增加研磨盘的尺寸，从而有利于实现器件的小型化；第三，本发明中所述研磨垫手臂带动所述研磨垫相对于所提供的晶圆运动，因为研磨垫的尺寸小于待研磨晶圆的尺寸，研磨垫可以达到待研磨晶圆的各个部位，从而容易控制研磨的均一性，尤其是有利于对晶圆边缘部分的研磨，不易损坏被研磨的晶圆；第四，研磨期间可以通过所提供的研磨垫修整部件和研磨垫更换部件实现对晶片的自动清洗和对研磨垫的自动更换，从而提高研磨效率，节约成本。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，包括研磨盘，所述研磨盘用于承载所提供的晶圆；研磨垫，所述研磨垫与研磨盘相对设置，并且与每个研磨盘相对设置的研磨垫的数目大于1，研磨期间，研磨垫相对所提供的晶圆运动；研磨垫手臂，所述研磨垫手臂与研磨盘相对设置，所述研磨垫手臂一端固定，另一端固定所述研磨垫，研磨期间，所述研磨垫手臂带动所述研磨垫相对于所提供的晶圆运动，并确定研磨期间研磨垫与所提供的晶圆接触；研浆供应路线，所述研浆供应路线在研磨期间在研磨垫与被研磨晶圆之间供应研浆。
2.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，与同一研磨盘相对设置的研磨垫手臂的数目大于1，每个研磨垫手臂固定一个研磨垫。
3.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，与同一研磨盘相对设置的研磨垫手臂的数目为1，每个研磨垫手臂固定的研磨垫的数目大于1。
4.依据权利要求3的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，研磨垫手臂还包括研磨垫手指，每个研磨垫手臂所包括的研磨垫手指的数目大于1，每个研磨垫手指固定一个研磨垫。
5.依据权利要求2至4的用于化学机械研磨设备的研磨单元中的任意一项，其特征在于，所述研磨垫手臂通过夹在非固定端的研磨头固定所述研磨垫。
6.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，同一时间，与同一晶圆相对运动的各研磨垫的运动轨迹无重叠。
7.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，研磨垫手臂向所述晶圆施加一压力，并通过调节研磨垫手臂的高度调节所述压力的大小。
8.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，所述研磨垫手臂围绕该固定点旋转的角度小于360度。
9.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，所述研磨盘的形状是圆形，且直径大于所提供的晶圆的直径。
10.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，所述研磨垫的形状是圆形或者多边形。
11.依据权利要求10的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，所述研磨垫的直径小于或等于所提供的晶圆的直径。
12.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，所述研磨盘的数量大于或者等于1。
13.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，所述研磨单元还包括研磨垫修整部件，所述研磨垫修整部件包括刷洗研磨垫的刷子以及喷洒溶液和/或去离子水的喷洒。
14.依据权利要求1的用于化学机械研磨设备的研磨单元，其特征在于，所述研磨单元还包括研磨垫更换部件，所述研磨垫更换部件包括拆除研磨垫子部件，和安装研磨垫子部件。
15.一种化学机械研磨设备，所述化学机械研磨设备含有上述各项用于化学机械研磨设备的研磨单元中的任意一项。
全文摘要
一种用于化学机械研磨设备的研磨单元，包括研磨盘，所述研磨盘用于承载所提供的晶圆；研磨垫，所述研磨垫与研磨盘相对设置，并且与每个研磨盘相对设置的研磨垫的数目大于1，研磨期间，研磨垫相对所提供的晶圆运动；研磨垫手臂，所述研磨垫手臂与研磨盘相对设置，所述研磨垫手臂一端固定，另一端固定所述研磨垫，研磨期间，所述研磨垫手臂带动所述研磨垫相对于所提供的晶圆运动，并确定研磨期间该研磨垫与所提供的晶圆接触；研浆供应路线，所述研浆供应路线在研磨期间在研磨垫与被研磨晶圆之间供应研浆。本发明还提供相应的化学机械研磨设备。采用本发明有利于实现化学机械研磨设备的小型化，并且可以提高研磨效率。
文档编号B24B57/02GK102528637SQ201010616678
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日
发明者蒋莉, 黎铭琦 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司