专利名称：卷绕式带状ito导电薄膜的生产装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电子材料技术领域，涉及导电薄膜的生产方法及装置，特别是涉 及一种卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置。
背景技术：
众所周知，电子产品的发展趋势是向着薄轻、占用空间小、携带方便等方向发展， 透明导电薄膜在平板显示器、太阳能电池、大面积透明电磁屏蔽、大面积触摸屏等领域的市 场需求越来越大。现在市场上生产的导电薄膜，局限于片式生产，片式的产品不能满足大规格产品 的要求，而且生产工序多，产品性能的一致性差。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，该方法 及装置在基材上溅射镀层，连续化生产，增大产品幅宽和长度，扩大产品用途。本实用新型的技术方案是在由隔板间隔的放料室和溅射室内安装生产装置，生 产装置包括输送架、红外加热器、离子源、深冷捕集器、二氧化硅发放器、氧化铟锡发放器和 溅射靶，在放料室和溅射室内排布连贯的输送架，输送架的首尾端都位于放料室，在输送架 的首端安装放料辊，在输送架的尾端安装收料辊，在放料室内位于输送架的两侧呈平面矩 形安装离子源，在离子源之前安装红外加热器，在溅射室内位于输送架的两侧呈平面矩形 安装一组溅射靶，溅射室内位于溅射靶的前方和中间分别安装二氧化硅发放器、氧化铟锡 发放器，放料室、溅射室内各放置一个深冷捕集器和真空泵。其中，在输送架的接近首尾端上分别安装涨力器。工作时，基材由放料辊放出，被输送架输送经过放料室的红外加热器和离子源，再 交错经过溅射室的二氧化硅发放器、溅射靶、氧化铟锡发放器、溅射靶，最后由放料室的收 料辊将导电薄膜收集起来；其中，基材在经过红外加热器、离子源时，基材被清洁表面、消除 水汽、克服张力；其中，预处理后的基材在溅射室内经溅射靶先直接溅射上氧化二硅膜，再 在二氧化硅膜的基础上溅射氧化铟锡膜，形成ITO导电薄膜。本实用新型具有以下优点1、ITO导电薄膜宽幅大，最大满足1800mm，长度长，可 以满足近IOOOm ;2、从基材进入工作室到产品，在同一真空条件下完成，连续化生产，产品 性能一致性好；3、红外加热器、离子源处理基材，清洁表面、消除水汽、增大张力，增加基材 与溅射层的结合力；4、溅射二氧化硅膜作为过渡层，提高ITO导电薄膜质量；在真室的放料 室和溅射室放置深冷捕集器，捕集吸附水分子、油分子，洁净溅射环境。
图1为本实用新型的生产装置流程示意图图中1隔板，2放料室，3溅射室，4输送架，5离子源，6、7深冷捕集器，8 二氧化硅发放器，9溅射靶，10放料辊，11收料辊，12氧化铟锡发放器，13、14真空泵，15、16涨力器， 17红外加热器。
具体实施方式
如图1所示，在由隔板1间隔的放料室2和溅射室3内安装生产装置，生产装置包 括输送架4、红外加热器17、离子源5、深冷捕集器6、7、二氧化硅发放器8、氧化铟锡发放器 12和溅射靶9，在放料室2和溅射室3内排布连贯的输送架4，输送架4的首尾端都位于放 料室2，在输送架4的首端安装放料辊10，在输送架4的尾端安装收料辊11，在放料室2内 位于输送架4的两侧呈平面矩形安装离子源5，在离子源5之前安装红外加热器17，在溅射 室3内位于输送架4的两侧呈平面矩形安装一组溅射靶9，溅射室3内位于溅射靶9的前方 和中间分别安装二氧化硅发放器8、氧化铟锡发放器12，放料室2、溅射室3内各放置一个深 冷捕集器6、7和真空泵13、14。其中，在输送架4的接近首尾端上分别安装涨力器15、16。
权利要求1.卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，其特征在于在由隔板(1)间隔的放料室(2) 和溅射室(3)内安装生产装置，生产装置包括输送架(4)、红外加热器(17)、离子源(5)、深 冷捕集器(6、7)、二氧化硅发放器(8)、氧化铟锡发放器(12)和溅射靶(9)，在放料室(2)和 溅射室(3)内排布连贯的输送架(4)，输送架(4)的首尾端都位于放料室(2)，在输送架(4) 的首端安装放料辊(10)，在输送架(4)的尾端安装收料辊(11)，在放料室(2)内位于输送 架(4)的两侧呈平面矩形安装离子源(5)，在离子源(5)之前安装红外加热器(17)，在溅射 室⑶内位于输送架⑷的两侧呈平面矩形安装一组溅射靶(9)，溅射室(3)内位于溅射靶 (9)的前方和中间分别安装二氧化硅发放器(8)、氧化铟锡发放器(12)，放料室(2)、溅射室 (3)内各放置一个深冷捕集器(6,7)和真空泵(13,14) 0
2.根据权利要求1所述的卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，其特征在于其中，在 输送架(4)的接近首尾端上分别安装涨力器(15、16)。
专利摘要本实用新型公开了卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，基材在放料室，真空状态下经过红外加热器、离子源表面处理；进入溅射室，使用溅射靶及二氧化硅发放器在基材上溅射二氧化硅膜；在二氧化硅膜上溅射氧化铟锡膜；在放料室(2)和溅射室(3)内排布输送架(4)，输送架(4)的首尾端都位于放料室(2)，在输送架(4)的首尾端分别安装放料辊(10)和收料辊(11)，在放料室(2)内位于输送架(4)的两侧依次安装红外加热器(17)、离子源(5)，在溅射室(3)内位于输送架(4)的两侧安装溅射靶(9)，溅射室(3)内位于溅射靶(9)的前方和中间分别安装二氧化硅发放器(8)、氧化铟锡发放器(12)。该方法及装置在基材上溅射镀层，连续化生产，增大产品幅宽和长度，扩大产品用途。
文档编号C23C14/08GK201778108SQ201020257918
公开日2011年3月30日 申请日期2010年7月13日 优先权日2010年7月13日
发明者傅青炫, 夏慎领, 陈先锋, 马尔松 申请人:淮安富扬电子材料有限公司