沉积膜形成装置的制作方法

专利名称：沉积膜形成装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于在基材上形成例如硅(Si)类膜等沉积膜的沉积膜形成装置。
背景技术：
例如，在制造薄膜硅(Si)类太阳能电池时，从降低制造成本的观点出发，重要的是高速且高品质地形成硅(Si)类薄膜。作为与以100 400°C的比较低的基材温度来形成该Si类薄膜的方法,大体上可分为等离子体CVD (Chemical Vapor Deposition :化学气相沉积)法和热催化CVD法(其中，还包括HW (Hot Wire 电热丝)-CVD法等相同原理的方法)。由于等离子体CVD法使用等离子体，因而离子及电子等带电粒子会给沉积膜带来损害。因此，存在沉积膜的膜品质降低的可能性。另ー方面，由于热催化CVD法不使用等离子体，因而能够在原理上沉积膜不会受到带电粒子的损害，而比较容易地实现高速形成沉积膜。然而，因加热至高温的加热催化体，会导致原料气体(例如SiH4,体)的过剩分解，生成会导致降低膜品质的SiH2、SiH及Si。因此，通过热催化CVD法所生产的膜的品质，比通过等离子体CVD法生产的膜的品质要差。针对上述课题，申请人提出了融合了等离子体CVD法和热催化CVD法各自的优点的气体分离式等离子体CVD装置(例如，參照下述专利文献I)。若采用该装置，则能够使例如H2气体那样的分解概率低的原料气体在气体供给路径中通过，该气体供给路径中配设了以加热催化体为代表的用于提高分解概率的机构，从而能够在使H2气体分解活化的状态下将其导入至腔室内。因此，能够使H2气体有利于微晶硅膜的形成，而不会増加在等离子体CVD法中成为问题的导致膜品质降低的带电粒子。另外，由于使例如SiH4气体那样的分解概率高的原料气体，经由未配设加热催化体的其他气体供给路径导入至腔室内。因此，能够抑制在热催化CVD法中导致膜品质降低的SiH2、SiH及Si的生成，同时使SiH4气体有利于沉积膜的形成。其结果，所述气体分离式等离子体CVD装置能够高速形成高品质膜。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2003-173980号公报

发明内容
发明要解决的问题在气体分离型等离子体CVD装置中，基于根据气体分解概率来分离供给原料气体 这样的特性，在沉积膜形成条件中，其所需流量是小流量，因而有时不能均匀供给足够的原料气体。例如，在形成微晶硅膜吋，SiH4,体的流量与H2气体的流量比例是1/10 1/200，即，SiH4,体的流量较少。因此，难以从多个气体供给部均匀地供给SiH4,体。进而，再加上因热膨胀导致电极板变形，在沉积面积超过Im2那样的大型沉积膜形成装置中，容易使沉积膜的面内膜厚分布不均匀。本发明的目的在于，提供一种能够形成具有均匀膜厚分布的沉积膜的沉积膜形成装置，特别地，提供能够形成适于在薄膜Si类太阳能电池中使用的Si类薄膜的沉积膜形成装置。用于解决问题的手段
为了达成上述目的，本发明的沉积膜形成装置，具有腔室，第一电极，其位于该腔室内，第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔；该沉积膜形成装置的特征在干，所述第二电极具有电极基体，多个电极板，它们配置在该电极基体上；该电极板具有第一供给部，其将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间，第二供给部，其将第二原料气体供给至所述空间，第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体，第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体；所述电极基体具有加热单元，其对所述第一原料气体进行加热，第一导入路径，其将所述第一原料气体导入至所述第一供给路径，第二导入路径，其将所述第二原料气体导入至所述第二供给路径；所述第二供给路径具有干流部，其从所述第二导入路径导入所述第二原料气体，且在该干流部上未设有所述第二供给部，多个支流部，它们从该干流部导入所述第二原料气体，且在这些支流部上设有所述第二供给部；所述第二导入路径和所述干流部的连接部，位于相邻的所述电极板的相邻部位。发明效果若采用上述沉积膜形成装置，能够抑制因热膨胀导致的电极板的变形，同时能够将流量少的原料气体均匀地从各供给部供给至腔室内。由此，能够在基材上形成具有均匀膜厚分布的优良沉积膜。


图I是示出了本发明的沉积膜形成装置的一个实施方式的剖视示意图。图2是图I的A-A线剖视图，是示意性示出了第二供给路径的结构的剖视图。
图3是为了说明图2的第二导入路径和干流部的连接部附近的情况而以透视局部的方式示出的立体图。图4是示出了在本发明的沉积膜形成装置中使用的加热催化体(heatedcatalyzer)的一个实施方式的剖视示意图。图5是示出了本发明的沉积膜形成装置的一个实施方式的剖视示意图。图6是示出了在本发明的沉积膜形成装置中使用的加热催化体的一个实施方式的剖视示意图。
图7是示出了本发明的沉积膜形成装置的一个实施方式的剖视示意图。图8是示出了本发明的沉积膜形成装置的一个实施方式的剖视示意图。图9是示出了本发明的沉积膜形成装置的一个实施方式的剖视示意图。图10的(a)部分是本发明的沉积膜形成装置的加热催化体替换单元的一个实施方式的剖视示意图，(b)部分是其俯视图。图11是示出了第一供给部的出口的一个实施方式的剖视示意图。
具体实施例方式下面，參照附图，对本发明的沉积膜形成装置的实施方式进行说明。〈沉积膜形成装置〉如图I所示，沉积膜形成装置SI具有腔室I ;第ー电极7，其位于腔室I内；第二电极2，其位于腔室I内，与该第一电极7隔开规定间隔，且作为喷淋电极来发挥功能。在这里，第二电极2主要由多个电极板2a和配置有这些电极板2a的ー个以上的电极基体2b构成。在沉积膜形成装置SI中，第二电极2通过在ー个电极基体2b上配置四个电极板2a而构成。另外，用于形成沉积膜的基材10配置在第一电极7和第二电极2之间。此外，只要基材10位于第一电极7和第二电极2之间即可，并不限于以第一电极7进行保持的方式。腔室I是反应容器，具有至少由上壁、周围壁及底壁构成的能够实现真空气密的反应空间。通过真空泵9对这样的腔室I的内部进行真空排气，并通过未图示的压カ调整器对腔室I内的压カ进行调整。腔室I由不锈钢或铝(Al)等的金属构件构成。第一电极7具有阳极电极的功能，井内置有用于调整基材10的温度的加热器。这样，第一电极7还作为基材10的温度调整机构来发挥功能，例如将基材10的温度调整为100 400°C，更优选地调整为150 350°C。第一电极7由不锈钢或铝等的金属构件构成。就基材10而言，能够使用由玻璃等构成的平板状基材，或者使用由金属材料或树脂等构成的薄膜状基材。高频电源11与第二电极2相连接，向第二电极2施加13. 56MHz IOOMHz左右的频率。在Im2以上的大面积制膜的情况下，优选使用60MHz以下的频率。通过从高频电源11向第二电极2供电，在第二电极2和基材10之间的空间8内形成等离子体。第二电极2被配置为与第一电极7相对置，该第二电极2作为阴极电极来发挥功能。在构成第二电极2的电极板2a上具有第一供给路径4及第ニ供给路径5，它们与多个导入路径3 (第一导入路径3a、第二导入路径3b)相连接；第一供给部6a及第ニ供给部6b，它们构成用于将从这些供给路径导入的气体供给至腔室I内的供给部6。这些供给部6朝向基材10开ロ。在这里，第一供给部6a是具有用于向第一电极7和第二电极2所夹的空间8供给第一原料气体的供给ロ的部位，第二供给部6b是具有用于向空间8供给第二原料气体的供给ロ的部位。电极板2a和电极基体2b电连接，且电极板2a及电极基体2b由不锈钢、铝合金或镍(Ni)基合金等的金属构件构成。第一供给路径4及第ニ供给路径5，经由多个导入路径即第一导入路径3a及第ニ导入路径3b，而与多个未图示的气体钢瓶相连接，这些气体钢瓶用于分别贮存不同的气体。从第一导入路径3a及第ニ导入路径3b导入的气体，在分别经由第一供给部6a及第ニ供给部6b到达空间8之前，基本上不混合。供给至多个供给部6的气体包括第一原料气体和分解概率比第一原料气体的分解概率高的第二原料气体。气体的总分解速度定义为exp (_ Λ Ea/kTe) XNgXNeXveX σ g。此外，AEa表示原料气体的激活能(离解能，dissociation energy), k表示玻耳兹曼常数(boltzmann constant), Te表示电子温度，Ng表示原料气体浓度，Ne表示电子浓度，ve电子速度，0 g表不原料气体的碰撞截面。另外，exp (-Δ Ea/kTe)表不分解概率。此外,有时 也将exp (-Δ Ea/kTe) X σ g表不为碰撞截面，但所表不的内容相同。另外，如后所述,有时也会对在第一导入路径3a中流动的第一原料气体进行分流，使其一部分流入第二导入路径3b (与第二原料气体混合)。根据沉积膜的种类，适当地选择第一原料气体及第ニ原料气体。例如，在形成a_Si:H(氢化非晶硅)或μ c-Si :Η(氢化微晶硅)等硅类薄膜的情况下，能够使用非硅类气体来作为第一原料气体，且使用硅类气体来作为第二原料气体。该非硅类气体使用氢(H2)气等。硅类气体使用硅烷(SiH4)、ニ硅烷(Si2H6)、四氟化硅(SiF4)、六氟化硅(Si2F6)或ニ氯硅烷(SiH2Cl2)气体等。此外，在导入掺杂气体的情况下，P型掺杂气体使用ニ硼烷(B2H6)气体等，η型掺杂气体使用膦(PH3)气体等。就掺杂气体的导入路径而言，能够根据需要来选择第一导入路径3a或第二导入路径3b中的某个供给路径。但是，如后所述，在第一导入路径3a内设有加热催化体等的加热单元，在如图示那样设置加热催化体12来作为加热单元的情况下，优选经由第二导入路径3b导入掺杂气体。在第一导入路径3a内，如图示那样，例如能够设置与加热用电源13相连接的加热催化体12来作为加热单元。由此，通过加热到500 2000°C左右的加热催化体12，来加热第一原料气体而使该第一原料气体活化，并且在空间8内也使该第一原料气体活化。加热催化体12 (heated catalyzer)作为热催化体来发挥功能,该热催化体,通过对催化体施加电流而进行加热高温化，由此使与该催化体接触的气体被激活(分解)。就加热催化体12而言，至少其表面由金属材料构成。该金属材料优选由包括作为高熔点金属材料的Ta、W、Re、Os、Ir、Nb、Mo、Ru及Pt中的至少ー种的纯金属或合金材料构成。另外，加热催化体12的形状，例如是将上述那样的金属材料做成线状的形状、板状或网眼状的形状。此外，只要能够将气体加热至规定温度即可，并不特别限定上述加热单元，但在下面的说明中，以加热催化体12为例进行说明。另外，在将加热催化体12用于形成膜之前，预先以制膜时的加热温度以上的温度，对该加热催化体12预热数分钟以上。由此，在形成膜时，能够减少加热催化体12的金属材料中的杂质掺杂到膜中的情況。另外，通过如图示那样在加热催化体12的上游ー侧设置分散板14，能够使气体均匀地接触到热催化体12，由此能够高效地使气体活化。
通过上述结构，能够通过对加热催化体12进行加热来促进第一原料气体分解。并且，未分解的第一原料气体或分解后再次结合的第一原料气体的温度也会上升，从而更加能够在空间8促进气体分解。除此之外，以使第二原料气体不与加热催化体12接触的方式，从第二供给部6b供给第二原料气体，并在空间8内使该第二原料气体被激活，由此，能够在第二原料气体不被过剩地分解的状态下高速地制膜，同时能够形成高品质的薄膜。特别地，由于将通过加热催化体12而提升了温度的氢气(第一原料气体)供给至空间8，因而能够通过气体加热效果来在空间8内抑制高阶硅烷生成反应。在这里，高阶硅烷生成反应是指如下这样的通过SiH2插入反应而生成高分子聚合物的反应I) SiH4+SiH2 — Si2H62) Si2H6+SiH2 — Si3H8……下面还接着进行同样的SiH2插入反应……。SiH4与等离子体中的电子碰撞，由此一起生成了 SiH2与作为制膜主成分的SiH3。特别为了加快制膜速度，越提高等离子体的激励电力，则越会生成更多的SiH2，其結果，也生成更多的高阶硅烷分子。若如上面那样生成的高阶硅烷分子粘在制膜表面，则会破坏制膜表面上的沉积反应(膜生长反应)而导致劣化膜质，另外，进入膜中时也会破坏膜结构而导致劣化膜质。已知该高阶硅烷生成反应是放热反应。即，是通过将进行反应而产生的热量排放到空间而进行的反应。但是，若因上述气体加热效果而导致用于排放热量的空间(具体而言是以氢气为主成分的空间)已经变热，则难以向该空间排放反应热。即，难以进行作为放热反应的高阶娃烧生成反应。因此，在等尚子体的激励电カ大的闻速制I旲条件下，也能够形成闻品质的娃膜。另外，第一供给部6a及第ニ供给部6b例如分别排列成格子状图案、交错状图案等各种图案。另外，也可以使第一供给部6a和第二供给部6b的个数不同。在第一原料气体的气体流量和第二原料气体的气体流量不同的情况下，例如，在第一原料气体的气体流量比第二原料气体的气体流量多的情况下，通过使第一供给部6a的个数比第二供给部6b的个数多，能够保持供给平衡而形成具有均匀膜厚、膜质分布的沉积膜。另外，第一导入路径3a及第ニ导入路径3b也可以与各钢瓶直接连接，另外，第一导入路径3a及第ニ导入路径3b也可以与气体调整部相连接，该气体调整部用于对气体的流量、流速及温度等进行调整。为了抑制来自排气系统的杂质混入到膜中，真空泵9优选使用涡轮分子泵等干式系列的真空泵。使腔室I内的极限真空在lX10_3Pa以下，优选在lX10_4Pa以下，并且，虽然制膜时的腔室I内的压カ因制膜的膜种类而不同，但优选该压カ为50 7000Pa。如图2所示，第二电极2例如在俯视时呈矩形状，且该第二电极2具有相同形状的多个电极板2a(在该例中，配置为俯视时四个大致呈正方形的电极板2a，处于图示的上下左右部位上相互相邻的状态，且相互对称)，由此能够抑制因热膨胀导致的电极板2a变形，并且能够在维护时只替换已劣化的电极板2a。此外，由于用螺栓及螺母等隔着未图示的密封垫片来连接电极基体2b和电极板2a，因而能够容易地进行上述维护。因此，能够缩短维护时间从而提高生产率。各电极板2a的第二供给路径5由干流部51和支流部52构成，其中，干流部51设在各电极板2a的周围(由在图示的上下方向上延伸的第一干流部51a和在图示的左右方向上延伸的第二干流部52b构成)，支流部52与干流部51相连接且在纵向上延伸。此外，在图2中省略了第一供给路径4和第一供给部6a。在干流部51上不设置第二供给部6b，而只在支流部52上设置第二供给部6b。另夕卜，就第二供给路径5而言，在干流部51上，在电极板2a彼此之间的相邻部位设置连接ロ53，该连接ロ 53是用于对该干流部51和形成在电极基体2b上的第二导入路径3b进行连接的连接部，由此能够直接将第二原料气体供给至位于装置的中央附近的干流部51。另外，通过设置用于对从第二导入路径3b导入至干流部51的第二原料气体的流 量进行控制的流量控制机构，能够从各第二导入路径3b分别均等地供给第二原料气体。就流量控制机构而言，优选对导入路径3的导流率(Conductance)进行调节，只要利用阀或质量流量计(Mass Flow Meter)来调节导入路径3的剖面面积即可。另外,通过在电极板的两端也设置第二导入路径3b，能够将第二原料气体大致均等地供给至支流部52。另外，通过使与第二导入路径3b相连接的第一干流部51a和与支流部52相连接的第二干流部51b大致垂直地相交，能够将第二原料气体更加均等地供给至支流部52。在图2中，如在图3中放大表示的那样，在电极板2a彼此之间的相邻部位设有多个用于连接第二导入路径3b和第一干流部51a的连接ロ 53，且各第一干流部51a分别与设在各电极板2a上的第二干流部51b相连接，分别单独地对设在各电极板2a上的支流部52供给第二原料气体。通过这样的结构，能够单独地控制分别供给至各电极板2a的气体流量，因此能够期望更加均等地供给第二原料气体。此外，在图3中省略了第一供给路径4和第一供给部6a。此外，由于只要第二导入路径3b和第一干流部51a的连接部设在相邻的电极板2a的相邻部位即可，因而例如也可以在电极板2a彼此之间的相邻部位只设置ー处连接ロ。如上面的说明那样，在沉积膜形成装置SI中，第二电极2具有电极基体2b和配置在电极基体2b上的多个电极板2a。另外，电极板2a具有第一供给部6a，其将第一原料气体供给至第一电极7和第二电极2之间的空间8 ;第二供给部6b，其将第二原料气体供给至空间8 ;第一供给路径4，其与第一供给部6a相连接而将第一原料气体导入至该第一供给部6a ;第二供给路径5，其与第二供给部6b相连接而将第二原料气体导入至第二供给部6b。电极基体2b具有加热单元(加热催化体12)，其对第一原料气体进行加热；第一导入路径3a，其将第一原料气体导入至第一供给路径4 ;第二导入路径3b，其将第二原料气体导入至第二供给路径5。第二供给路径5具有干流部51，其从第二导入路径3b导入第二原料气体，且不具有第二供给部6b ;多个支流部52，它们从干流部51导入第二原料气体，且具有第ニ供给部6b。并且，第二导入路径3b和干流部51的连接部(连接ロ 53)，位于相邻的电极板2a的相邻部位。通过上述结构，能够抑制因热膨胀导致的电极板2a变形，并且能够将流量少的原料气体均匀地从各供给部供给至腔室I内。由此，能够在基材10上形成具有均匀膜厚分布的优良沉积膜。另外，如图5所示，通过在沉积膜形成装置S2内设置多个加热催化体12，能够减少用于设置加热催化体12的位置的每ー个単元(区域)的设置面积。因此，能够减少因加热时的热膨胀导致的加热催化体12的延展量，从而能够降低加热催化体12与用于设置加热催化体12的设置空间的侧壁相接触的问题。另外，如图4所示，通过以与各电极板2a配对的方式设置加热催化体12，在拆卸电极板2a来维护某个加热催化体12的情况下，只要拆卸与该加热催化体12相对应的电极板2a即可。由此，能够缩短维护所需的时间。另外，通过设置多个第一导入路径3a，能够降低因装置大面积化引起的从各第一供给部6a供给第一原料气体的供给量的偏差。并且，能够向分别设在各第一导入路径3a中的加热催化体12高效地供给第一原料气体。此时，第一导入路径3a的个数可以少于电极板2a的个数，也可以与电极板2a的个数相同。通过这样设置，能够容易地控制从各电极板2a供给的第一原料气体。并且，通过使第一导入路径3a及加热催化体12分别与多个电极板2a配对，能够在各电极板2a中单独地控制气体流量和加热催化体12的温度，从而能够得到良好的膜特性分布。
如图5所示的沉积膜形成装置S2那样，也可以在沉积膜形成装置S2内的中央部设置被第二电极2支撑的棒状的加强筋15，并将各电极板2a固定在该加强筋15上。根据上述结构，能够针对ー个第一导入路径3a而安装多个电极板2a。并且，也可以在加强筋15的内部设置第二导入路径3b。由此，能够从沉积膜形成装置S2的中央部附近向干流部51供给第二原料气体，从而能够将第二原料气体大致均等地供给至各电极板2a的支流部52。另外，通过在ー个第一导入路径3a的内部设置多个加热催化体12，能够使第一原料气体高效地与加热催化体12接触。另外，能够调节每个加热催化体12的加热温度。由此，例如第一导入路径3a的外周部和热催化体空间侧壁之间进行热交换而容易使热催化体的温度降低，因而通过提高设在外周部的加热催化体12的温度，能够使温度均匀，从而能够对第一导入路径内的第一原料气体均匀地进行加热。另外，在加热催化体12由线状的金属线构成的情况下，以从电极板2a —侧俯视透视时加热催化体12与电极板2a重叠且从电极板2a的一端朝向另一端而以波形延伸的方式，配置加热催化体12，也可以适当变更金属线的密度(与电极板2a相重叠的金属线所占的面积)。例如，如图6所示，由于第一导入路径3a的外周部容易变凉，因而通过以使在第ー导入路径3a的端部的金属线比在中央部的金属线更密的方式配置金属线(S卩，以此方式将金属线配置在电极基体2b上使在俯视透视电极板2a时，在电极板2a的中央部，电极板2a上的金属线所占的面积小)，由此能够均匀地对第一导入路径3a内的第一原料气体进行加热。另外，也可以平行排列多个直线形状的金属线，而不采用波形金属线。另外，通过提高第一导入路径3a面向加热催化体12—侧的反射率，能够起到抑制第二电极2的温度上升，以及抑制加热催化体温度降低的效果。作为其方法，例如对反射面实施镜面加工，或者实施Ag、Al或Au等的蒸镀薄膜形成处理，使得反射率达到80%以上，优选使反射率达到90%以上。另外，在图2中，示出了通过电连接各电极板2a来从ー个高频电源11向多个电极板2a供电的例子，但也可以如在图7所示的沉积膜形成装置S3那样，与各第二电极2相对应地设置高频电源11而使第二电极2彼此之间绝缘。若采用该沉积膜形成装置S3，则能够对分别从各高频电源11向各第二电极2施加的高频电カ及相位进行精细的调整。由此，能够在基材10上形成具有均匀膜质及膜厚的沉积膜。另外，也可以如在图8所示的沉积膜形成装置S4那样，将多个第一导入路径3a汇集到加热催化体12所在的一个空间而安装多个电极板2a。此时，优选以与电极板2a配对的方式设置多个加热催化体12。通过该沉积膜形成装置S4，能够期望均匀地对第一导入路径3a内的第一原料气体进行加热。另外，也可以如在图9所示的沉积膜形成装置S5那样，使电极基体2b具有冷却机构16，该冷却机构16用于对电极基体2b及/或电极板2a进行冷却。例如，也可以在电极基体2b上的第一供给路径4及第ニ供给路径5的附近具备用于对第二电极2进行冷却的冷却机构16。作为冷却机构16，能够使用用于使制冷剂在其中流动的制冷剂路径或热导管。
根据上述结构，能够抑制第二电极2的温度上升，因而能够抑制基材10的表面温度的上升。其结果，能够形成具有良好膜品质的沉积膜。除此之外，由于能够使电极板2a的面内温度分布均匀，因而能够改善基材10的面内温度分布，并且，能够改善从电极板2a供给的原料气体的面内温度分布。因此，能够均匀地形成具有良好膜品质的沉积膜。另外，由于不易发生因温度上升导致的电极板2a的变形，因而能够得到良好的膜特性分布，进而，装置的维护周期变长，能够提高生产率。并且，通过以与各第二电极2配对的方式设置多个冷却机构16，能够对第二电极2的温度进行更精细的调整。由此，能够在基材10上形成具有均匀膜质及膜厚的沉积膜。进而，也可以在多个第一导入路径3a之间的除了第二导入路径3b以外的部分设置冷却机构。由此，不易发生因温度上升导致的电极基体2b的变形，从而能够减少机械强度下降，因而装置的维护周期变长，能够期望提高生产率。另外，也可以设置用于对从加热催化体11照射的红外波长的辐射热进行反射的反射板17，还可以使上述冷却机构16具有反射板的功能。根据上述结构，具有进ー步抑制第二电极2的温度上升，以及抑制加热催化体温度的降低的效果。作为其方法，例如对反射面实施镜面加工，或者实施Ag、Al或Au等的蒸镀薄膜形成处理，使得反射率达到80%以上，优选使反射率达到90%以上。并且，也可以以与各电极板2a配对的方式设置多个反射板17，由此能够提高维护性。另外，如图10所示，也可以采用如下方式在沉积膜形成装置的外周部设置能够与外部连通的连通部18，并且以能够从外部嵌合的方式，在该连通部18上安装加热催化体替换单元19，该加热催化体替换单元19用于配设加热催化体12。与加热催化体替换单元19的大小及形状相对应地，适宜设计连通部18的开ロ部的形状及大小，使得能够保持膜形成室内的真空。此外，连通部19的内壁也可以是具有I 5°左右的倾斜角的锥形状。根据这样的结构，由于以能够从装置外部拆卸的方式设置用于配设加热催化体12的加热催化体替换单元19，因而能够将用于替换加热催化体的工作的时间控制为最小限度，从而能够实现高效的生产。进而，与以往的装置相比，降低了因侵入薄膜形成室的大气而导致的水分附着量，其结果，能够缩短在替换加热催化体之后进行的开始成膜エ序时的真空烘烤时间。进而，与以往的加热催化体替换工作相比，不需拆卸喷淋头(喷淋电极)，因而能够抑制因在替换加热催化体之后产生的喷淋头移位等导致的膜品质偏差。设置加热催化体替换单元19的目的在于，以使加热催化体12电导通的方式配设该加热催化体12，以及容易地将设在装置内部的加热催化体12取出至装置外部。単元基体20的形状，只要是能够与形成在装置上的连通部18的开ロ部相嵌合的形状即可，并不特别限制。例如，単元基体20的平面形状可以是矩形，也可以是圆形、椭圆形等。単元基体20可使用不锈钢等金属。从使与连通部18的开ロ部的嵌合更加坚固的观点出发，优选在単元基体20的外周部例如配置“O”形环等，另外，优选使外周部的嵌合部分形成为阶梯结构。另外，在形成膜时单元基体20成为高温，因而从拆卸时进行冷却的观点出发，优选在単元基体20上设置冷却机构。在単元基体20上树立设置多个支撑体21，在这些支撑体21之间适宜配设加热催化体12。并且，以使加热催化体12在単元基体20上树立设置的支撑体21之间往复的方式，配设该加热催化体12。优选在支撑体21的前端部形成沟槽等，从而容易配设加热催化体12。不特别限制配设方法，但若考虑在加热时的加热催化体12的热膨胀，例如优选在支撑体21的前端部的沟槽卷绕ー圈以上的热催化体12。位于末端的支撑体21，具有用于使加热催化体12电导通的通电部22。在支撑体 21的内部具有导电体，该导电体贯通支撑体21的内部，该导电体的螺栓结构从支撑体21的前端部露出。并且，加热催化体12连接在该导电体上。优选使用在真空中具有800°C左右的耐热温度的金属材料来作为通电部22，例如使用镍基合金等。此外，为了确保与从连接在等离子体生成电极(喷淋头)上的高频电源供给的电カ之间的绝缘性，优选采用不便通电部22和単元基体20电接触的结构，因此在导电体的周围以及能够与导电体接触的単元基体20的部分配置绝缘构件23。例如，使用氧化铝、石英等来作为绝缘构件23。以能够从连通部18的开ロ部拆卸的方式，嵌合上述加热催化体替换单元19。并不特别限制所嵌合的加热催化体替换单元19的个数。加热催化体替换单元19可以只设置一个，也可以设置多个，但从単独进行控制的观点出发，优选与电极板2a配对地设置加热催化体替换单元19。另外，从使嵌合更加坚固的观点出发，利用安装螺栓等进行安装。〈沉积膜形成方法〉对本实施方式的沉积膜的形成方法进行说明。为了形成沉积膜而具有以下エ序在第一电极7上保持基材10的エ序；向第二电极2施加高频电カ的エ序；从第一供给部6a向基材10供给被加热催化体12活化的状态的第一原料气体，另外，从第二供给部6b向基材10供给第二原料气体，并使第二原料气体在形成在第一电极7和第二电极2之间的空间8内活化的エ序。通过这些エ序，被活化的第一原料气体和第二原料气体在空间8内混合，由此，原料气体中的成分在基材10上沉积，从而在基材10上形成沉积膜。在上述エ序中，利用未图示的基材搬送机构等来搬送基材10，并将其保持在第一电极7上。然后,将其固定在第一电极7上。利用第一导入路径3a内的加热催化体12来加热第一原料气体,并仅从第一供给部6a供给被加热的第一原料气体，由此将被加热催化体12提升了温度的第一原料气体供给至空间8。因此,通过气体加热效果(gas heating)来在空间8内抑制高阶娃烧生成反应。另外，在形成氢化非晶硅膜的情况下，将も气体供给至第一导入路径3a，将SiH4,体供给至第二供给路径5。另外，只要将气体压カ设定为50 700Pa，将H2/SiH4的气体流量比例设定为2/1 40/1，将高频电カ密度设定为O. 02 O. 2ff/cm2即可。对于具有i型非晶硅膜的Pin接合的薄膜太阳能电池，只要将i型非晶硅膜的膜厚形成为O. I O. 5 μ m即可，优选形成为O. 15 O. 3 μ m。另外，在形成氢化微晶硅膜的情况下，将も气体供给至第一导入路径3a，将SiH4,体供给至第二供给路径5。另外，只要将气体压カ设定为100 7000Pa，将H2/SiH4的比例设定为10/1 200/1，将高频电カ密度设定为O. I lW/cm2即可。对于具有i型微晶硅膜的Pin接合的薄膜太阳能电池，只要将i型微晶硅膜的膜厚形成为I 4μ m即可，优选形成为I. 5 3μπι而使结晶率为70%左右即可。在本实施方式的形成方法中，将被加热催化体12提升了温度的氢气(第一原料气体)供给至空间8。因此，通过气体加热效果来抑制空间8内的高阶硅烷生成反应，由此能够促进微晶硅膜的结晶，从而能够高速制膜。与氢化非晶娃膜相比，在形成氢化微晶娃膜时，SiH4气体的流量比H2气体少很多。因此，在第一和第二供给部6之间气压不平衡，难以分别从第二供给部6b均匀供给SiH4气体，由此存在膜厚分布不均匀的可能性，但通过使用上述沉积膜形成装置进行沉积处理，能够降低这样不均匀的膜厚分布。另外，除此之外，使第二供给部6b的个数比第一供给部6a的个数少，或者，使第二供给部6b的开ロ剖面面积小，由此使第二供给路径5内的气体压力 变大，从而能够从多个第二供给部6b均匀地喷出SiH4,体。进而，还可以将供给至第一导入路径3a的H2气体(第一原料气体)，分出一部分供给至第二导入路径3b，由此能够使从第二供给部6b供给的气体的总流量变大。由此，第二供给路径5内的气体压力(全压)变大，因而能够从多个第二供给部6b均匀地喷出SiH4气体。<包括清洗方法的薄膜形成方法>接着，以沉积膜形成装置SI为例，对上述的包括在进行形成薄膜之前进行的清洗方法的薄膜形成方法的例子进行说明。在利用在第一电极7和第二电极2之间产生的等离子体来形成薄膜之前，依次进
行下述的第一エ序、第二エ序、第三エ序。第一エ序从第一供给部6a向腔室I内供给运载气体(carrier gas),并从第二供给部6b向腔室I内供给清洗气体的エ序,其中，清洗气体具有分子式中包含氟(F)的气体及/或分子式中包含氯(Cl)的气体。第二エ序利用在第一电极7和第二电极2之间产生的等离子体使清洗气体活化的エ序。第三エ序停止供给清洗气体，并对加热单元进行加热的エ序。具体而言，具有向第二电极2施加高频电カ的エ序；第一エ序，例如经由具备加热催化体12的第一导入路径3a而从第一供给部6a向腔室I内供给运载气体，并从第二供给部6b向腔室I内供给清洗气体,该运载气体至少包含氢气或非活性气体中的ー种气体，该清洗气体至少包含分子式中含有氟(F)的气体或分子式中含有氯(Cl)的气体中的ー种气体；第二エ序的干洗エ序，在第一电极7和第二电极2之间产生等离子体的空间8内使清洗气体活化；第三エ序的加热エ序，在干洗エ序之后，停止供给清洗气体，并对设在沉积膜形成装置SI内的加热单元进行加热。在干洗エ序中，作为运载气体来使用的非活性气体，能够使用N2、Ar或He等气体。另外，作为含氟(F)的清洗气体，能够使用F2、CHF3> SF6, NF3、CF4, C2F6, C3F8, C5F8, ClF3或C2ClF5等气体，并且，作为含氯(Cl)的清洗气体，能够使用Cl2XCl4XlF3或C2ClF5等气体。这些清洗气体在空间8内被激活、活化。由此，在形成了非晶硅膜等的半导体膜时，沉积在腔室I内的构成构件上的硅膜及粉状体等附着物和所述被活化的清洗气体发生反应，由此使附着物气化，并利用真空泵9排放并除去气化生成的气体。另外，通过从第一供给部6a供给运载气体，并从第二供给部6b供给清洗气体，能够减少加热催化体12和清洗气体的接触，从而能够降低加热催化体12的腐蚀劣化的同时对腔室I内进行清洗。此外，进行清洗时，向第二电极2施加的高频电カ密度只要在O. I 3W/cm2即可。接着，为了清除残留在腔室I内的清洗气体，停止供给清洗气体，并利用真空泵9对腔室I内进行真空排气之后，对设在第一导入路径3a内的加热单元进行加热，由此使腔室I内的构成构件的温度上升。就该加热单元而言，可以另行设在腔室I内或腔室I的外壁上，但通过将设在第一导入路径3a中的加热催化体12兼用于薄膜形成处理和加热エ序 中，由此并非一定需要另行设置加热单元。因此，本方法的在清洗后抑制特性降低的方式，不特别增加装置成本。下面，以利用由加热催化体12构成的加热单元来作为加热单元的情况为例，进行说明。将加热催化体12加热至温度达到300 2000°C，由此利用加热催化体12对腔室I内的构成构件进行加热。通过使腔室I内的构成构件温度上升，能够使得在真空排气或等离子体处理中不能完全除去的清洗残留气体，从腔室I内的构成构件上积极地解吸(脱离)。此外，通过在加热过程中以及在加热后对腔室I内进行真空排气，来从腔室I内排放出残留气体。由此，由于能够降低腔室I内的清洗气体的残留率，因而能够減少在形成太阳能电池元件的半导体膜时的清洗气体成分的混入。并且，就清洗后形成的太阳能电池元件而言，还能够提高输出特性，从而能够形成具有连续且稳定的输出特性的太阳能电池元件。这是因为，在利用具有上述加热单元的沉积膜形成装置来形成太阳能电池元件的情况下，由于并用加热催化体12和等离子体来形成薄膜，因而在薄膜形成过程中利用加热催化体12的热量来使腔室内的构成构件的温度上升，从而能够容易地解吸残留在构件上的清洗气体。因此，清洗气体残留成分混入太阳能电池元件中而使特性降低。但是，根据上述薄膜形成方法，由于能够使腔室I内的清洗气体的残留率更低，因而能够形成具有稳定输出特性的太阳能电池元件。另外，在加热エ序中，ー边供给氢气、非活性气体或薄膜形成气体中的任一种气体或者这些气体的混合气体，一边进行加热，由此，能够在被解吸的清洗气体再次附着在腔室I内的构成构件上之前，将该被解吸的清洗气体挤出至腔室I外。因此，能够使装置内的清洗气体的残留率更低。特别地，由于在清洗エ序中使用第二导入路径3b来导入清洗气体，因而该第二导入路径3b中的清洗气体的残留量多。然而，通过向第二导入路径3b供给上述气体，在通过加热来解吸清洗气体残留成分的基础上，加上利用气体来从导入路径挤出残留成分的效果，能够使第二导入路径3b内的清洗气体的残留率更低。另外，除此之外，还从第一导入路径3a供给上述气体，由此抑制被解吸的清洗气体逆流至第一导入路径3a内，从而能够减少伴随与清洗气体的接触而使加热催化体12劣化的情況。进而，在不向腔室I内供给上述气体的情况下，通过来自加热催化体12的辐射而使腔室I内的构成构件的温度上升。因此，腔室I内构成构件的加热效率变差，其结果，清洗气体的除去效率变低。因此，为了提高清洗气体的除去效率，需要将加热催化体12加热至温度达到2000°C左右的高温。然而，在供给上述气体的情况下，由于还有气体的热传导，因而能够在降低使腔室I内的构成构件的温度上升所需的加热催化体12的温度的同时，提高清洗气体的除去效率。由此，加热催化体12的寿命变长而生广率提尚。在与上述气体的供给相伴的加热エ序中，以使以下面的关系式定义的气体滞留时间τ (秒)在30秒以下，优选在15秒以下的方式，决定腔室内压カ及气体流量。τ = PXV/Q在这里，P是腔室内压カ(Pa)，V是腔室内空间容积(m3)，Q则是气体供给量(Pa · m3/sec)。例如，使腔室内压カ在50 300Pa左右。另外，优选地，在加热エ序中，ー边向第二电极2施加高频电カ从而在第一电极7和第二电极2之间产生辉光放电，一边进行加热エ序。特别地，因通过供给氢气而生成的氢(H)等离子体，使得容易从装置的构件上解吸的清洗气体和被活化的氢(H)进行反应，由此能够更加高效地从装置内除去清洗气体。进而，从第一导入路径3a供给氢气，并对加热催化体12进行加热，由此能够通过提升了温度的氢气来进ー步促进清洗气体的解吸。另外，例如通过从第一导入路径3a供给第一原料气体，并从第二导入路径3b供给第二原料气体 等，供给薄膜形成气体来进行预制膜，由此，通过预制膜，使得在通过真空泵9进行的排气中不能完全从腔室内除去的清洗气体的成分进入形成在腔室I内的构成构件上的膜中，从而能够降低形成太阳能电池元件时的清洗气体成分的影响。另外，通过在进行预制膜时设置基材，在所述基材上形成混入清洗气体成分的膜，然后，通过从腔室I内取出所述基材，能够降低腔室I内的清洗气体的残留率。此外,若腔室I内的清洗气体的残留率高,则仅通过预制膜不能充分除去清洗气体，因而在进行与氢(H)等离子体相伴的加热エ序之后，进行与制膜相伴的加热エ序，由此能够更加高效地从装置内除去清洗气体。另外，通过进行多次加热エ序，能够进一歩降低装置内的清洗气体的残留率。另夕卜，通过在多次加热エ序之间停止供给气体而暂时利用真空泵9来对腔室I内进行真空排气，能够减少被解吸清洗气体再次附着在腔室内构成构件上的情況。另外，通过在清洗エ序中也对加热单元进行加热，能够在減少清洗气体附着在腔室I内的构成构件上的情况的同时除去附着膜，因而能够降低清洗エ序后的清洗气体的残留率，井能够缩短接下来进行的加热エ序的时间，从而能够提高生产率。〈实施例〉利用图I的沉积膜形成装置，通过将Ar气体(运载气体)从第一供给部供给至腔室内，并将NF3气体(清洗气体)从第二供给部供给至腔室内，来对薄膜形成装置进行了清洗。在第一实施例中，在进行清洗エ序之后，一边将加热催化体加热至1500°C，ー边将氢气从第一供给部及第ニ供给部供给至腔室内，井向第二电极施加高频电カ来进行了 20分钟的氢(H)等尚子体处理。另外，在第二实施例中，与第一实施例同样地，一边将加热催化体加热至1500°C，ー边将氢气从第一供给部及第ニ供给部供给至腔室内，井向第二电极施加高频电カ来进行了 20分钟的氢(H)等离子体处理，然后停止对加热催化体进行加热，并对装置内进行了真空排气之后，在装置内设置玻璃基板，从第一供给部供给氢气并从第二供给部供给硅烷气体，由此在玻璃基板上进行预制膜而形成了具有I μ m的厚度的微晶硅膜。另外，作为比较例，未对加热催化体进行加热而直接将氢气从第一供给部及第ニ供给部供给至腔室内，井向第二电极施加高频电カ而进行了 20分钟的氢(H)等离子体处理，对装置内进行了真空排气，然后在装置内设置玻璃基板，从第一供给部供给氢气并从第ニ供给部供给硅烷气体，由此在玻璃基板上进行预制膜而形成了具有I μ m的厚度的微晶娃膜。接着，将表面上形成有由SnOjQ成的透明导电膜的玻璃基板设在装置内。此外，取出在第二实施例及比较例中进行了预制膜的玻璃基板，而设置形成有上述透明导电膜的玻璃基板。从该玻璃基板侧开始，依次形成了 P型的氢化非晶硅、i型氢化非晶硅、η型的氢化非晶硅、P型的氢化微结晶硅、i型氢化微结晶硅、η型的氢化非晶硅的膜。此外，仅在形成i型氢化微晶硅膜吋，将加热催化体加热至1500°C，在形成该膜以外的膜时未对加热催化体进行加热。然后，通过溅射法在η型的氢化非晶硅上形成了由ITO构成的透明导电膜 及由银构成的金属电极，由此制作了太阳能电池元件。然后，继续进行了两次该太阳能电池元件的制作。利用模拟器，对在进行了各条件下的清洗方法的清洗之后制作的太阳能电池元件的输出特性(转换效率及曲线因数)进行了測定。将此时的測定条件设定为太阳能电池元件的表面温度是25°C，光谱分布是AMl. 5全天日照标准太阳光，放射照度则是lOOmW/cm2。在表I中示出了各例的結果。[表 I]
转换效率(°，)__曲线因数(一)_
_\第一次第二次第三次第一次第二次第三次第一实施例__10.3 _11.3 —12.0 __ 0.63 —0.67 — 0.68
第二实施例一 11.1 —11.9 —12.1 __ 0.65 —0.68 —0.68
—比较率9.8 11.5 __12.3 _ 0.58 J_ 0.67 _0.69与在比较例中第一次制作的太阳能电池元件相比，在第一实施例及第ニ实施例中第一次制作的太阳能电池元件得到了更高的转换效率。特别地，与仅进行了加热エ序的第一实施例相比，进行了预制膜的第二实施例，在形成半导体膜时能够充分減少清洗气体成分混入，因而得到了更高的转换效率。另外，在第一实施例及第ニ实施例中，能够确认第一次制作的太阳能电池元件的转换效率，与第二次及第三次制作的太阳能电池元件的转换效率大致相等，从而能够制作出具有稳定输出特性的太阳能电池元件。〈其他变形例〉本发明并不限定于上述的实施方式，而能够在本发明的范围内追加很多的修改及变更。例如，可以在支流部的中央侧设置比支流部的端部侧更多的第二供给部6b，或者，也可以使第二供给部6b的开ロ剖面面积随着靠近支流部的中央而变大，从而能够更加均匀地供给气体。另外，举例说明了在水平方向上设置电极和基材的沉积膜形成装置，但也可以使用在垂直方向上设置电极和基材的沉积膜形成装置，能够在这样的沉积膜形成装置中形成具有更加均匀的膜厚分布的沉积膜。另外，就设在第二电极2上的供给部6而言，也可以使多个供给部具有具有产生空心阴极(Hollow Cathode)放电的空间的第一供给部6a ;不产生空心阴极放电,或者产生该空心阴极放电的程度小的第二供给部6b。S卩，如图11所示，也可以在第一供给部6a的气体的出ロ侧，使流路剖面面积朝向气体的出口而渐渐变大，使得第一供给部6a产生空心阴极放电60。在这里，空心阴极放电是辉光放电的ー种，具体是指，通过静电包围而使电子进行往复运动，此时电子的能量用于生成等离子体，由此使等离子体密度变得极高的放电。这样的第二电极2的第一供给部6a例如形成为锥形状或阶梯状，随着该第一供给部6a的深度变深，使与深度方向的轴垂直的面的剖面面积变小，即，随着远离第一电极7而使剖面面积变小。因此，基于放电空间的环境压カ的大小，在该凹部内的任意深度的位置产生空心阴极放电。另外，对于第一原料气体，通过第一供给部6a的空心阴极放电的高密度等离子体，能够更加促进第一原料气体的分解。通过上述作用，在更加促进第一原料气体活化的同时，能够降低第二原料气体过剩分解。另外，将供给至第一导入路径3a的第一原料气体，分出一部分来供给至第二导入路径3b，此时，通过第一导入路径3a的第一原料气体至少能够被加热催化体12的加热，以 及空心阴极放电的高密度等离子体而更加促进第一原料气体的分解。由此，能够以足够的闻速在基材10上形成闻品质的沉积月旲。另外,在形成a-SiC (非晶碳化娃)等SiC类宽隙膜(wide-gap film)时,在第一导入路径3a上设置加热催化体12的情况下，无论是否存在具有产生空心阴极放电的空间的第一供给部6a，都将H2气体供给至第一导入路径3a，将硅烷(SiH4)气体及CH4气体供给至第二供给路径5。就沉积膜形成条件而言，只要将气体压カ设定为100 700Pa，且将高频电カ密度设定为O. 01 O. Iff/cm2即可。此外，将SiC类宽隙膜作为太阳能电池的光入射侧窗层使用。例如，在具有P型非晶碳化硅膜的Pin接合的薄膜太阳能电池中，只要将P型非晶碳化硅膜的膜厚形成为O. 005 O. 03 μ m即可，优选形成为O. 01 O. 02 μ m。此外，也可以将SiC类宽隙膜作为光活性层(i型层)使用。另外，在形成a-SiGe (非晶娃锗)等的SiGe类窄隙膜(narrow-gap film)时,在第ー导入路径3a上设置加热催化体12的情况下，无论是否存在具有产生空心阴极放电的空间的第一供给部6a，都将H2气体供给至第一导入路径3a，将硅烷(SiH4)气体、锗烷(GeH4)气体等的Ge类气体供给至第二供给路径5。就沉积膜形成条件而言，只要将气体压カ设定为100 700Pa，且将高频电カ密度设定为O. 01 O. 2ff/cm2即可。此外，SiGe类窄隙膜用于吸收Si膜所不能吸收的长波长的光。在具有i型非晶硅锗膜的[a-Si/a-SiGe/μ c-Si]型的三层接合薄膜太阳能电池中，只要将i型非晶硅锗膜的膜厚形成为O. I O. 5μπι即可，优选形成为O. 15 O. 3 μ m。在具有i型微晶硅锗膜的[a-Si/ μ c_Si/ μ c_SiGe]型的三层接合薄膜太阳能电池中，只要将i型微晶硅锗膜的膜厚形成为I 4μπι即可，优选形成为I. 5 3 μ m。就利用上述制造方法形成的薄膜太阳能电池而言，由于高速地由高品质的膜形成薄膜太阳能电池，因而能够提高生产率而制作转换效率高的太阳能电池。就这样的薄膜太阳能电池而言，例如可例举出双层结构和三层结构等，所述双层结构是指，从受光面ー侧开始层叠由非晶硅膜构成的半导体和由微晶硅膜构成的半导体而得到的结构；所述三层结构是指，层叠由非晶硅膜构成的半导体、由非晶硅锗膜构成的半导体以及由微晶硅膜构成的半导体而得到的结构，或者，层叠由非晶硅膜构成的半导体、由微晶硅膜构成的半导体以及由微晶硅锗膜构成的半导体而得到的结构。另外，只要能够利用上述制造方法形成上述半导体中的至少ー个半导体即可。附图标记的说明I :腔室2:第二电极2a:电极板2b:电极基体3a:第一导入路径3b :第二导入路径4:第一供给路径5 :第二供给路径51 :干流部52:支流部53:连接ロ(连接部)6a:第一供给部6b :第二供给部7 :第一电极8:空间10 :基材12 :加热催化体(加热单元) 16 :冷却机构
权利要求
1.一种沉积膜形成装置， 具有: 腔室， 第一电极，其位于该腔室内， 第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔； 该沉积膜形成装置的特征在干， 所述第二电极具有 电极基体， 多个电极板，它们配置在该电极基体上； 该电极板具有 第一供给部，其将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间， 第二供给部，其将第二原料气体供给至所述空间， 第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体， 第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体； 所述电极基体具有 加热单元，其对所述第一原料气体进行加热， 第一导入路径，其将所述第一原料气体导入至所述第一供给路径， 第二导入路径，其将所述第二原料气体导入至所述第二供给路径； 所述第二供给路径具有 干流部，其从所述第二导入路径导入所述第二原料气体，且在该干流部上未设有所述第二供给部， 多个支流部，它们从该干流部导入所述第二原料气体，且在这些支流部上设有所述第ニ供给部； 所述第二导入路径和所述干流部的连接部，位于相邻的所述电极板的相邻部位。
2.根据权利要求I记载的沉积膜形成装置，其特征在干， 所述第二导入路径和所述干流部的连接部，位于多个所述电极板中的每个所述电极板上。
3.根据权利要求I或2记载的沉积膜形成装置，其特征在干， 对多个所述电极板中的每个所述电极板，设有所述第一导入路径。
4.根据权利要求3记载的沉积膜形成装置，其特征在干， 所述电极基体具有冷却机构，该冷却机构用于对该电极基体或所述电极板进行冷却。
5.根据权利要求I至4中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在干， 所述电极基体具有多个所述加热单元。
6.根据权利要求I至5中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在干， 所述加热単元的个数，与所述电极板的个数相同。
7.根据权利要求I至6中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在干， 所述电极基体具有加强筋，在该加强筋上固定有多个所述电极板。
8.根据权利要求7记载的沉积膜形成装置，其特征在干， 在所述加强筋的内部具有所述第二导入路径。
9.根据权利要求I至9中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在干， 所述加热単元具有使电流流动的金属线，以在俯视透视所述电极板时该电极板上的所述金属线所占的面积在所述电极板的中央部变小的方式，在所述电极基体上配置所述金属线。
10.根据权利要求I至9中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在干， 在所述第一供给部中，在所述第一供给部的出ロ侧，随着靠近出口而渐渐扩大所述第一供给部的流路剖面面积，从而产生空心阴极放电。
全文摘要
一种沉积膜形成装置，具有腔室，第一电极，其位于该腔室内，第二电极，其位于腔室内，且与第一电极隔开规定间隔；第二电极具有电极基体，多个电极板，它们配置在该电极基体上；该电极板具有第一供给部，其将第一原料气体供给至第一电极和第二电极之间的空间，第二供给部，其将第二原料气体供给至空间，第一供给路径，其与第一供给部相连接，用于导入第一原料气体，第二供给路径，其与第二供给部相连接，用于导入第二原料气体；电极基体具有加热单元，其对第一原料气体进行加热，第一导入路径，其将第一原料气体导入至第一供给路径，第二导入路径，其将第二原料气体导入至第二供给路径；第二供给路径具有干流部，其从第二导入路径导入第二原料气体，且在该干流部上未设有第二供给部，多个支流部，它们从该干流部导入第二原料气体，且在这些支流部上设有第二供给部；用于连接第二导入路径和干流部的连接部，位于相邻的电极板的相邻部位。
文档编号C23C16/455GK102668032SQ20108005196
公开日2012年9月12日 申请日期2010年11月22日 优先权日2009年11月20日
发明者伊藤宪和, 新乐浩一郎, 稻叶真一郎 申请人:京瓷株式会社