专利名称：聚焦反射镜的镀膜方法
技术领域：
本发明涉及镀膜领域，尤其涉及一种用于太阳能光电器件聚焦反射镜的镀膜方法。
背景技术：
太阳能光电器件聚焦反射镜2的结构为一球冠状，如图1所示，四周在平面上的投影为正方形，截面为圆弧形，中间为一圆孔101。在其内球面真空镀有一层厚度均勻的高反射膜，而外球面不允许镀膜。常用的镀膜方法是蒸发和磁控溅射镀膜技术，因磁控溅射镀膜具有均勻性好，沉积速度一致性好、可控性强的特点成为最佳选择。但是由于聚焦反射镜的结构和PVD涂层设备的特殊性，每批次不同位置的聚焦反射镜相对于磁控溅射靶的位置不同，因此，单位时间内每个聚焦反射镜及单个聚焦反射镜的不同部位沉积的膜层厚度不同， 尤其是Ti02等氧化膜光学性质对厚度非常敏感，导致涂层后工件或其不同部位呈现黄色、 红色、蓝色等不均勻现象，由此可知解决膜层厚度均勻性是镀膜工艺的关键点。
发明内容
本发明的目的是提出一种用于太阳能光电器件聚焦反射镜的镀膜方法，解决了膜层厚度均勻性的问题。本发明的目的将通过以下技术方案得以实现一种聚焦反射镜的镀膜方法，包括以下步骤步骤一将复数个待镀膜的聚焦反射镜均勻地放置于一水平的转台上，所述转台位于一内壁上至少设有一个磁控溅射靶的真空腔中，选取镀膜材料作为靶材；步骤二在步骤一的所述转台上的标记一个位置指示标志，在镀膜开始前使所述位置指示标志处于一初始位置；步骤三密封真空腔，启动真空获得系统，真空腔内真空度达到高于8. OX 10_4Pa ；步骤四通入反应气体，使真空腔内的真空度达到0. 5Pa 0. OlPa ；步骤五保持磁控溅射靶的挡板关闭，开启溅射电源开始预溅射，设定沉积速率在 10埃/秒 50埃/秒；步骤六设置转台的转速在5转/分钟 20转/分钟，一方面保证聚焦反射镜运转平稳，另一方面保证在镀膜时间内每个聚焦反射镜经过有效镀膜区域的次数足够多；同时开启挡板和启动转台的旋转，此时镀膜计时开始；步骤七根据镀膜厚度确定镀膜时间，当计时达到镀膜时间，且步骤二所述的位置指示标志回归到初始位置时，立即关闭挡板，再关闭溅射电源和停止转台的旋转，即完成聚焦反射镜的镀膜。优选的，上述的聚焦反射镜的镀膜方法，其中步骤一中所述聚焦反射镜围成的正多边形的中心与所述转台的圆心重合，保证每个聚焦反射镜的镀膜面和磁控溅射靶的靶材面平行且距离相等。
优选的，上述的聚焦反射镜的镀膜方法，其中所述磁控溅射靶的靶材为Ti，Si， TiO2或者SiO2之中的任一种。优选的，上述的聚焦反射镜的镀膜方法，其中步骤四中所述反应气体为氩气和氧气，且所述氩气和氧气的比例为0.3 1 1 1，确保能够生成稳定的氧化物，并且这种氧化物的折射率适当，能够和其他膜层一起完成高反射功能。本发明方法利用磁控溅射镀膜技术，沉积过程易于控制，镀膜效率高，可以在聚焦反射镜上镀出符合镀膜工艺要求的、膜厚度均勻的高反射膜。本发明根据位置指示标志确定初始位置，每次镀膜时以位置指示标志在该初始位置为开始，又重新回归该初始位置为截止，作为一个镀膜周期，目的是让每个聚焦反射镜经过工作的磁控溅射靶的次数或时间相等，保证每批次每个位置的聚焦反射镜的镀膜厚度都一样，消除由于初始位置不同造成的不同聚焦反射镜或同一聚焦反射镜不同部位的膜厚度不均的问题。以下便结合实施例附图，对本发明的具体实施方式
作进一步的详述，以使本发明技术方案更易于理解、掌握。
图1是聚焦反射镜的结构示意图；图2是本发明实施例1的结构示意图。
具体实施例方式实施例1本实施例的一种聚焦反射镜的镀膜方法，如图2所示，包括以下步骤步骤一将四个待镀膜的聚焦反射镜1均勻地放置于一水平的转台2上，转台2位于一内壁上设有一个磁控溅射靶3的真空腔4中，聚焦反射镜1围成的正多边形的中心与转台2的圆心重合，保证每个聚焦反射镜1的镀膜面和磁控溅射靶3的靶材面平行且距离相等；选取Ti或者TiO2镀膜材料作为靶材；步骤二 在步骤一的转台2上的标记一个位置指示标志5，在镀膜开始前使所述位置指示标志5处于一初始位置；步骤三密封真空腔4，启动真空获得系统，真空腔4内真空度达到高于 8. OXKT4Pa ；步骤四通入反应气体氩气和氧气，且所述氩气和氧气的比例为0.3 1 1 1， 使真空腔4内的真空度达到0. 5Pa 0. OlPa ；步骤五保持磁控溅射靶3的挡板关闭，开启溅射电源开始预溅射，设定沉积速率在10埃/秒 50埃/秒；步骤六设置转台2的转速在5转/分钟 20转/分钟，同时开启挡板和启动转台2的旋转，此时镀膜计时开始；步骤七根据镀膜厚度确定镀膜时间，当计时达到镀膜时间，且步骤二所述的位置指示标志5回归到初始位置时，立即关闭挡板，再关闭溅射电源和停止转台2的旋转，即完成聚焦反射镜1的镀膜。应用本实施例每批次产品合格率达到100%，且反射率都大于96%。本实施例方
4法利用磁控溅射镀膜技术，磁控溅射的有效镀膜区域6分布在真空腔4的一定区域内，在这个区域内，各处的沉积速率近似相等，沉积速率稳定，沉积过程易于控制，镀膜效率高，可以在聚焦反射镜上镀出符合镀膜工艺要求的、膜厚度均勻的高反射膜。本实施例根据位置指示标志5确定初始位置，每次镀膜时以位置指示标志5在该初始位置为开始，又重新回归该初始位置为截止，作为一个镀膜周期，目的是让每个聚焦反射镜1经过工作的磁控溅射靶3 的次数或时间相等，保证每批次每个位置的聚焦反射镜1的镀膜厚度都一样，消除由于初始位置不同造成的不同聚焦反射镜1或同一聚焦反射镜1不同部位的膜厚度不均的问题。实施例2本实施例的方法与实施例1相似，不同之处在于磁控溅射靶的靶材为Si或者 SiO2,故不再赘述。本发明尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种聚焦反射镜的镀膜方法，其特征在于包括以下步骤步骤一将复数个待镀膜的聚焦反射镜均勻地放置于一水平的转台上，所述转台位于一内壁上至少设有一个磁控溅射靶的真空腔中，选取镀膜材料作为靶材；步骤二 在步骤一的所述转台上的标记一个位置指示标志，在镀膜开始前使所述位置指示标志处于一初始位置；步骤三密封真空腔，启动真空获得系统，真空腔内真空度达到8. OX IO-4Pa以上； 步骤四通入反应气体，使真空腔内的真空度达到0. 5Pa 0. OlPa ； 步骤五保持磁控溅射靶的挡板关闭，开启溅射电源开始预溅射，设定沉积速率在10 埃/秒 50埃/秒；步骤六设置转台的转速在5转/分钟 20转/分钟，同时开启挡板和启动转台的旋转，此时镀膜计时开始；步骤七根据镀膜厚度确定镀膜时间，当计时达到镀膜时间，且步骤二所述的位置指示标志回归到初始位置时，立即关闭挡板，再关闭溅射电源和停止转台的旋转，即完成聚焦反射镜的镀膜。
2.根据权利要求1所述的聚焦反射镜的镀膜方法，其特征在于步骤一中所述聚焦反射镜围成的正多边形的中心与所述转台的圆心重合。
3.根据权利要求1所述的聚焦反射镜的镀膜方法，其特征在于所述磁控溅射靶的靶材为Ti，Si，TiO2或者SiO2之中的任一种。
4.根据权利要求3所述的聚焦反射镜的镀膜方法，其特征在于步骤四中所述反应气体为氩气和氧气，且所述氩气和氧气的比例为0.3 1 1 1。
全文摘要
本发明揭示了一种聚焦反射镜的镀膜方法，包括以下步骤1.将待镀膜的聚焦反射镜均匀地放置于一水平的转台上，选取靶材；2.在镀膜开始前标记位置指示标志处于一初始位置；3.密封真空腔，启动真空获得系统；4.通入反应气体；5.保持磁控溅射靶的挡板关闭，开启溅射电源开始预溅射；6.设置转台的转速，同时开启挡板和启动转台的旋转，此时镀膜计时开始；7.当计时达到镀膜时间，且位置指示标志回归到初始位置时，立即关闭挡板，再关闭溅射电源和停止转台的旋转，即完成聚焦反射镜的镀膜。本发明方法解决了聚焦反射镜上镀膜厚度不均匀的问题。
文档编号C23C14/35GK102409304SQ20111015679
公开日2012年4月11日 申请日期2011年6月13日 优先权日2011年6月13日
发明者乐务时, 钱涛 申请人:星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司